EN 62417:2010
半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET), 您可以免费下载预览页

说明：

此图仅显示与当前标准最近的5级引用；
鼠标放置在图上可以看到标题编号；
此图可以通过鼠标滚轮放大或者缩小；
表示标准的节点，可以拖动；
绿色表示标准：EN 62417:2010 ，绿色、红色表示本平台存在此标准，您可以下载或者购买，灰色表示平台不存在此标准；
箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。

标准号: EN 62417:2010
发布: 2010年
发布单位: 欧洲电工标准化委员会
当前最新: EN 62417:2010

EN 62417:2010相似标准

DS/EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试 DIN EN 62417:2010-12 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试 UNE-EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试 CEI EN 62417:2011 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试 NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试

推荐

场效应管的类型介绍

从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出　　掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...

我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517724.shtm随着集成电路制造工艺下探亚5纳米技术节点，传统的晶体管尺寸微缩路线无法像过去一样使“器件-芯片”性能提升并控制成本。“在此背景下，学术界与工业界近年来提出多种创新器件技术，以期克服常规金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的技术局限。”...

四、功率半导体器件分类功率半导体按照不同的分类标准可以进行如下分类：1．按照控制特性分类不控型器件：即正向导通反向阻断，如常见的功率二极管；半控型器件：除了正负极，还有控制极，一旦开通无法通过控制极（栅极）关断，这类主要是指晶闸管（Thyristor）和它的派生器件；全控型器件：可通过栅极控制开关，常见的有双极结型晶体管（BJT）、栅极关断晶闸管（GTO）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET...

中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器

　　近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11月17日在线发表于《先进材料》（Advanced Materials）。　　...

EN 62417:2010 中可能用到的仪器设备

金属浴/恒温金属浴/干式恒温器

EN 62417:2010半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)