DS/EN 62417:2010
半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

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标准号: DS/EN 62417:2010
发布: 2010年
发布单位: 丹麦标准化协会
当前最新: DS/EN 62417:2010

适用范围: IEC 62417:2010 提供了晶圆级测试程序，用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管中氧化物层中的正移动电荷量。它适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。移动电荷可能会导致微电子器件退化，例如通过改变 MOSFET 的阈值电压或通过双极晶体管中的基极反转。

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