二、【成果掠影】具有原子尺度厚度的二维(2D)层状半导体被探索为支持进一步小型化和集成电子的潜在通道材料。然而,到目前为止,还没有基于半导体的2D fet表现出可以超越最先进的硅场效应晶体管(FETs)的性能。国际器件与系统路线图(IRDS)预测,对于硅基金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FETs),栅极长度的缩放将停止在12纳米,最终电源电压将不会下降到小于0.6 V。...
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
为了避免硅基平面场效应晶体管因为尺寸减小带来的短沟道效应等缺陷,鳍式晶体管(FinFET,将沟道和栅极制备成类似于鱼鳍Fin的竖直形态)技术于20世纪90年代初期诞生,成功延续摩尔定律至今。受制于微纳加工精度,FinFET的沟道宽度目前最小约5纳米。随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限,进一步缩小晶体管器件特征尺寸极具挑战。 ...
该技术的独特之处在在于半导体纳米线结构的形成,业界常用的器件中纳米线沟道是由硅材料制成的,使用自上而下的刻蚀工艺制备,其最小尺寸在10到20纳米之间,因此迫切的需要开发新型材料和结构进一步突破晶体管的尺寸限制。...
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