C-AFM对半导体器件的失效分析C-AFM 大气中 vs 高真空中利用扫描电容显微镜（SCM）对半导体器件进行电学表征 利用高空间分辨率进行电学特性表征是理解半导体器件功能的关键。扫描电容显微镜（SCM）由于其非破坏性的扫描能力和高精度的纳米级特征测量，是表征半导体器件的有力方法。SCM可以在不改变针尖的情况下，以高横向分辨率和高对比度绘图同时获取形貌和电学特性数据。...
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为此，团队突破了表面表征所需的超高真空工作环境和规整开放表面的局限，构建出基于两维材料电极的模型电化学储能器件，设计并加工系列可以对模型储能器件施加电场、改变气氛、表面表征的样品台和样品池，利用XPS、原子力显微镜、Raman、光学显微镜等对铝离子电池的工作过程进行工况表征并准确阐述该电池的工作机制，同时还发现了储能器件电极的表面效应。 ...
该过程主要区分为两种失效机制：靠近芯片互连的疲劳失效(chip-near)和距离芯片互连较远的疲劳失效(chip-remote)。两种失效机制均由不同材料（具有不同的热膨胀系数）之间的热机械应力引发。...
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