GJB 33/16-2011
半导体光电子器件 3DU32型半导体光敏晶体管详细规范
Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type 3DU32 semiconductor phototransistor
- 标准号
- GJB 33/16-2011
- 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家军用标准-总装备部
- 当前最新
- GJB 33/16-2011
- 引用标准
- GJB 128A-1997 GJB 33A-1997 GJB 4027A-2006 SJ 2214-1982
- 适用范围
- 本规范规定了3DU32型半导体光敏晶体管（以下简称“器件”）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。
GJB 33/16-2011相似标准
推荐
半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展
这些实验和理论中的发现说明新型超薄金属硫化物二维半导体材料可以被用于高效的纳米传感器、光探测器、光开关、场效应晶体管、光电子电路等微纳光电器件中。 该工作得到了国家杰出青年基金和科技部“973”项目的支持。 半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展...
新型金属硫化物二维半导体材料性质探明
科研人员表示，上述研究结果可以说明，新型超薄金属硫化物二维半导体材料可以被用于高效的纳米传感器、光探测器、光开关、场效应晶体管、光电子电路等微纳光电器件中。...
Nano Energy：一种全透明的可见光响应的光敏神经突触器件
薄膜晶体管（Thin-Film Transistors，TFTs）是半导体工业中最基础、最重要的三端电子元器件，已在平板显示、射频标签等消费类产品中广泛应用。近年来，TFTs在光电探测和光敏神经突触等领域已逐渐引起了人们的重视。...
化学所在聚合物场效应晶体管材料研究方面取得重要进展
有机固体院重点实验室相关研究人员报道了一类可溶液法加工的、高性能的p-型聚合物半导体材料PDVT（图1），可溶液法加工场效应晶体管器件，研究结果表明：两个聚合物都表现出良好的空穴传输性能，其迁移率均高于2.0cm2/V·s，电流开关比大约在105~107。其中，含长链侧基的聚合物PDVT-10的迁移率最高可以达到8.2cm2/V·s，这一结果是目前所报道的溶液法加工聚合物场效应晶体管器件的最高值。...