GJB 33/18-2011
半导体光电子器件 GO417型双向半导体光电耦合模拟开关详细规范
Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GO417 bidirectional analog switch semiconductor photocoupler
哪些标准引用了GJB 33/18-2011
找不到引用GJB 33/18-2011 半导体光电子器件.GO417型双向半导体光电耦合模拟开关详细规范 的标准
- 标准号
- GJB 33/18-2011
- 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家军用标准-总装备部
- 当前最新
- GJB 33/18-2011
- 引用标准
- GJB 128A-1997 GJB 33A-1997 GJB 4027A-2006 SJ 2215-1982
- 本规范规定了GO417型半导体光电耦合器模拟开关（以下简称“器件”）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。
GJB 33/18-2011相似标准
推荐
Nano Energy：一种全透明的可见光响应的光敏神经突触器件
图1 pn结和TFT耦合器件的工作原理及光电响应性能图2 光敏神经突触器件用于视觉模拟的示意性方案及耦合器件在长程、短程可塑性和宽光谱响应方面的性能展示...
它会是打破摩尔定律 成为终极半导体吗？
单晶制备方面存在的问题尽管多晶金刚石集成光电子器件已经问世，但在多晶金刚石中的性能并不如单晶金刚石器件。由于晶界散射和杂质耦合的影响，多晶金刚石波导的传播损耗将更高，而多晶金刚石中的晶界将导致单光子源信号的背景噪声更高。所以，为实现大规模集成电路制造，高质量、大尺寸的金刚石单晶衬底的生长是至关重要的。大多数商用单晶金刚石衬底都是通过高压高温（HPHT）方法或化学气相沉积（CVD）来生长的。...
顶刊动态｜6月份Science材料前沿科研成果精选
1、北京大学研发出世界首例单分子光电子开关器件图1 可逆型石墨烯-二芳烯-石墨烯桥联体结构的单分子光电子开关工作原理示意图开关是各种电器元件中的重要组成部分。分子开关这个领域已经研究了二十多年，但是只有少部分研究成果能够设计出单向开关（即不可逆变化的开关），也就是说不能设计出真正意义上的电导转换开关。...
《Materials Today Nano》混合异质结构：未来新型功能器件之路
Ga2O3/WSe2结场效应晶体管示意图（a），器件的传输和跨导特性（b），器件的击穿电压可达144 V（c）。垂直Ga2O3/石墨烯势垒晶体管开关器件示意图（d），器件的关态击穿电压（e），器件击穿电场与其他报道的功率器件的比较（f）。E/D双型石墨烯/Ga2O3 MESFET示意图（g），直接耦合场效应晶体管逻辑逆变器（h），逻辑逆变器的电压传输特性（i）。 ▲图9、气体传感器。...