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国家标准《半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管》 由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 主要起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、哈尔滨工业大学、捷捷半导体有限公司。 ...
晶圆制造及封装：晶圆制造、SiP 封装、硅晶圆及IC封装载板、印制电路板、封装基板和设备及组装和测试等、封装设计、测试、设备与应用制造与封测、EDA、MCU、印制电路板、封装基板半导体材料与设备等。集成电路制造技术：晶圆制造/代工、模拟集成电路、数/模混合集成电路；相关微处理器、存储器、FPGA、分立器件、光电器件、功率器件、传感器件等技术器件；集成电路终端产品。...
晶体管 RDS（ON） -漏极到源极的导通电阻 由于晶体管对电路设计来说是标准的控制器件，不需要电阻或消耗能量的器件来提供控制信号，因此晶体管被认为是没有能量损失的过流探测方法。晶体管数据表给出了漏极到源极的导通电阻（RDS（ON）），功率MOSFET的典型电阻一般在毫欧范围内。这个电阻由几部分组成，首先是连到半导体裸晶的引线（图6），这部分电阻影响了很多沟道特性。...
第壹种类型的隔离传感器可以用并联电阻和光学或电容绝缘体制成。另一种解决方案是使用磁性电流传感器。第壹种解决方案除了需要分流电阻外，还需要一定数量的外部元件，第二种是单芯片解决方案，只需要集成磁性集成电路。 磁电流传感器 磁性电流传感器用于任何有功率转换的应用，包括： 数据中心、服务器和电信用电源。...
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