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研究GaAs、InP 等III/V 族毫米波单片集成电路, 改善输出功率和噪声性能指标, 提高电路集成度, 以满足我国毫米波技术的应用需求.4、毫米波硅基集成电路。硅基(如CMOS、SiGe 等) 毫米波集成电路在功率和噪声等性能上比III/V族单片集成电路要差一些, 但高集成度、低成本等特性将使得CMOS 或SiGe 集成电路在未来毫米波应用领域发挥越来越重要的作用....
DARPA在“高效线性全硅发射机集成电路”项目下成功研制出首个可工作在94吉赫的全硅单片集成信号发射机系统级芯片,将原本由多个电路板、单独的金属屏蔽装置和多条输入/输出连线组成的发射机集成到了一个只有半个拇指指甲盖大小的硅芯片上,实现了硅基射频器件输出功率和效率的大幅提升,以及硅数字信号器件和射频器件的单片集成,标志着全硅系统级芯片首次达到毫米波范围。...
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