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2.操作人员接触区电压超过2V,并且通过公式:E=0.5CU2×10-6计算的存储能量E超过20J,则电容器存储的能量处于危险能量水平。 04 设备内电容器的放电测试试验方法一次电路的电容量超过0.1μF,通过计算放电时间常数(て=RC,C:一次电路的等效电容量,R:等效放电电阻值)或测量外部断接点测量电压衰减到初始值的37%所需的时间(此衰减时间等于一个时间常数的时间)。...
在XPS中,用X射线束照射样品,同时测量动能和逸出的电子数(表面分析深度约10 nm)。图十X射线荧光(XRF)该技术基于从先前被高能X射线激发的样品中检测次级X射线(即发射的或发荧光的)。 对于感兴趣的元素,可以将X射线能量设置在吸收边缘的正上方。 如果将入射的X射线能量设置为样品中几种元素的吸收边之上,则它们将全部以不同的能量发出荧光。 ...
由传统共价键半导体材料构建的TFET通常会遇到由晶格失配和高掺杂引起的问题,这可能导致不理想的界面、导通电流降低和亚阈值摆动(SS)值增加。最近,由于具有原子级薄层结构和无悬空键的表面,具有低维纳米材料的范德华异质结构引起了强烈关注,并且是TFET的潜在构建模块。...
由本书模拟部分已知,MOSFET有P沟道和N沟道两种,每种中又有耗尽型和增强型两类。...
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