非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 前三页,或者稍后再访问。
您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。
SiC 的宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子迁移速度和高热导率等特性使得碳化硅功率器件具有耐高温、抗辐射、 高开关频率等良好的性能,因此受到业界广泛关注。SiC 功率器件产业链环节主要包括单晶、外延、器件、模块和应用环节。目前,碳化硅功率器件主要包括功率二极管和功晶体管。...
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。41. Computer-aided design(CAD):计算机辅助设计。42. Conductivity type:传导类型,由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子,在P型材料中多数载流子是空穴。43. Contact:孔。在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。44. Control chart:控制图。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号