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但是第一代半导体材料禁带宽度有限,击穿电压低、饱和电子漂移速度低导致硅基半导体材料在面对高电压、高频、高功率运用场景劣势明显。第二代半导体是以砷化镓(GaAs)为主,目前主要用于手机功率放大器。砷化镓生产成本较高,物理性能低于第三代半导体材料,因此在功率放大器中难以被使用。 第三代半导体材料氮化镓、碳化硅等材料在物理上具有能级禁带宽的特点,因此第三代半导体材料也成为宽禁带半导体。...
公司射频业务产品应用于2G-5G手机射频功放WiFi、物联网、路由器、通信基站射频信号功放等市场应用;其中手机用射频器件以GaAs为主,基站用射频器件以GaN为主。三安射频工艺制程主要包括HBT(异质结双极型晶体管)、pHEMT(伪型态高电子迁移率晶体管)、BiHEMT(异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延芯片)。目前用于无线基站功放的GaN射频工艺,已获得主流基站的性能认可。...
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