GB/T 249-1989
半导体分立器件型号命名方法

The rule of type designation for discrete semiconductor devices

GBT249-1989, GB249-1989

2017-12

GB/T 249-1989


标准号
GB/T 249-1989
别名
GBT249-1989
GB249-1989
发布
1989年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 249-2017
当前最新
GB/T 249-2017
 
 
被代替标准
GB 249-1976
本标准规定了半导体分立器件型号的命名方法。 本标准适用于各种半导体分立器件

GB/T 249-1989相似标准


推荐

二极管和三极管的命名原则

四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。...

“极限温度大考验”之半导体分立器件

点击蓝字关注我们目前,很多半导体器件必须长时间工作在高低温等各种恶劣环境下,高低温失效问题变得越来越严重,要针对分立器件的高低温失效问题,研究低温环境下器件的电特性规律和各种参数随温度变化规律。因此,高低温环境的设定和保持对半导体器件来说十分重要,直接影响着它正常运行的可行性和数据的准确性。...

主办EXPO 2024上海半导体分立器件展官网」

参展范围 电子元器件:电子元器件、滤波器、继电器、半导体分立器件、光感器件、嵌入式系统、真空电子器件、光电子器件、压电晶体、石英晶体晶振、频率控制器件、传感器、电源电池、开关、连接器、线速、线缆组件、PCB、敏感元件、编码器、传感器、微特电机、伺服电机、机电元件、外壳、散热器、电子元器件测试、筛选、封装等。...

三分钟了解常用二极管的特点与选型(一)

2、二极管的型号命名方法(1)按照国产半导体器件型号命名方法:二极管的型号命名由五个部分组成:主称、材料与极性、类别、序号和规格号(同一类产品的档次)。(2)日本半导体器件命名型号由以下5部分组成:第一部分:用数字表示半导体器件有效数目和类型;“1”表示二极管,“2”表示三极管。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号