然而,传统的砷化镓晶片制造技术每次只能生成一层晶片,成本居高不下,限制了砷化镓的广泛应用。 美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说,他们开发出的新技术可以生成由砷化镓和砷化铝交叠的多层晶体,然后利用化学物质使砷化镓层分离出来,可同时生成多层砷化镓晶片,大大降低了成本。这些砷化镓晶片可以像“盖章”那样安装到玻璃或塑料等材料表面,然后可使用已有技术进行蚀刻,根据需要制造半导体电路或太阳能电池板。 ...
在斯坦福讲授半导体制备的Aneesh Nainani说:“制备一个直径为8英寸的砷化镓晶片要花费约5000美元,而制备硅片却只需要5美元。 新方法试图通过重利用价值5000美元的晶片而减少1000到1的成本差距。” 今天,那些砷化镓器件上工作的电子电路都长于晶片上面。制造商通过让砷化镓和其他材料流穿晶片表层凝结成薄薄的一层电路。...
磊晶圆需要特殊的机台,同时砷化镓原材料成本高出硅很多,最终导致砷化镓成品 IC 成本比较高。磊晶目前有两种,一种是化学的 MOCVD,一种是物理的 MBE。 ...
4.磷化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片等形态)(参考海关商品编号:2853904030、3818009003、3825690003)。 5.砷化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2853909026、3818009004、3825690004)。 ...
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