SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide
SJT11504-2015, SJ11504-2015
- 标准号
- SJ/T 11504-2015
- 别名
- SJT11504-2015, SJ11504-2015
- 发布
- 2015年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 11504-2015
- 适用范围
- 本标准规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测。
SJ/T 11504-2015相似标准
推荐
解析半导体材料的种类和应用
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...
高频光电导寿命测试仪资料
测量范围宽广测试仪可直接测量： a、研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。 b、抛光面：电阻率在0.5～0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。...
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
图1 6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片 图2 6英寸碳化硅单晶片的拉曼光谱（4H碳化硅单晶） 图3 6英寸碳化硅单晶片的X射线摇摆曲线（半峰宽平均值仅27.2弧秒）...
少子寿命测试仪可对硅片进行测量
测量范围宽广测试仪可直接测量： a、研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。 b、抛光面：电阻率在0.5～0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。...