通常负胶的灵敏度高于正胶(2) 分辨率 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。 光刻工艺中影响分辨率的因素有:光源、曝光方式 和 光刻胶本身(包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等)。通常正胶的分辨率要高于负胶。(3)对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。...
正胶与负胶的区别负胶是最早使用,一直到20世纪70年代。特性为,具有良好的粘附能力和阻挡作用、感光速度快;显影时发生变形和膨胀,所以只能用于2μm的分辨率。 负胶显影中保留部分的胶会吸收显影液,造成光刻胶的变相“膨胀”,从而使图形扭曲,一般分辨率只能达到光刻胶厚度的2-3倍;而正胶在显影过程中则不会吸收显影液,从而获得较高的分辨率!20世纪70年代,有负性转用正性。...
最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask, 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的...
正胶显影:正性光刻胶的曝光区的光刻胶在显影液中溶解,在光刻胶上形成三维图形。负胶显影:在负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解,在光刻胶上形成三维图形。正胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率,其他特性如,台阶覆盖好、对比度好;粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。负胶的特性为,具有良好的粘附能力和阻挡作用、感光速度快;显影时发生变形和膨胀,所以只能用于2μm的分辨率。...
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