ASTM F1710-08(2016)
使用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定电子级钛中痕量金属杂质的标准试验方法

Standard Test Method for Trace Metallic Impurities in Electronic Grade Titanium by High Mass-Resolution Glow Discharge Mass Spectrometer


标准号
ASTM F1710-08(2016)
发布
2008年
发布单位
美国材料与试验协会
当前最新
ASTM F1710-08(2016)
 
 
引用标准
ASTM E1257 ASTM E135 ASTM E173 ASTM E180 ASTM E691
适用范围
1.1本测试方法涵盖高纯钛中痕量金属杂质浓度的测定。 1.2 本测试方法属于磁扇形辉光放电质谱仪(GDMS)分析。
1.3 钛基体的金属杂质含量必须达到 99.9 重量%(3N 级)或更纯。主要合金成分(例如铝或铁)的浓度不得大于 1000 重量 ppm。 1.4 该测试方法不包括完成 GDMS 分析所需的所有信息。需要由经验丰富的操作员熟练使用的先进计算机控制实验室设备才能达到所需的灵敏度。该测试方法确实涵盖了负责技术委员会已知的影响高纯度钛分析可靠性的特定因素(例如,样品制备、相对灵敏度系数的设置、灵敏度限值的确定等)。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

ASTM F1710-08(2016)相似标准


推荐

701项有色金属、化工石化等行业标准将制修订

 11YSFFZT3935-2010采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定高纯铋杂质含量推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会峨嵋半导体材料研究所 23YSJCZT3947-2010电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会有研亿金新材料股份有限公司 30YSFFZT3955-2010氟化铝-元素分析 波长色散X射线荧光光谱法...

赋能创“芯” | 赛默飞助力半导体开启良率提升新征程!

赛默飞为半导体及相关行业关键环节提供多层次技术支撑,为客户提供全方位分析方案,电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)、电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)、高分辨电感耦合等离子体质谱仪(HR-ICP-MS)、辉光放电质谱仪(GD-MS),全面的产线为半导体痕量金属元素分析保驾护航;全球领先离子色谱(IC)可提供先进痕量离子态杂质解决方案,挑战离子检测极限;更有气质联用仪(GCMS)提供洁净空气...

赋能创“芯” | 半导体材料痕量杂质固体进样检测解决方案

Element GD Plus辉光放电质谱仪自问世以来,在半导体材料检测领域发挥了无可替代作用。在高纯材料检测,为了实现高纯材料中痕量杂质低检出限检测,选择合适分辨率检测不同杂质元素,同时尽可能降低质谱干扰浓度无疑是非常必要。...

2022集成电路材料检测高端论坛—赛默飞与上海市电子化学品计量检测平台联合研讨会圆满召开

“Element GD采用双模式快速流离子源,连续直流放电具有高溅射效率,高分析灵敏度和低记忆效应特点,脉冲放电适合于非导体、低熔点金属和镀层分析,并结合高分辨率磁质谱确保无干扰分析。使Element GD在硅和碳化硅表面和体相杂质、6N+高纯铜、高纯钼、5N高纯金及氧化铟锡ITO等溅射靶材痕量杂质分析得到广泛应用。...


ASTM F1710-08(2016) 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号