11YSFFZT3935-2010采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定高纯铋中杂质含量推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会峨嵋半导体材料研究所 23YSJCZT3947-2010电子薄膜用高纯金属溅射靶材的纯度等级及杂质含量分析推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会有研亿金新材料股份有限公司 30YSFFZT3955-2010氟化铝-元素分析 波长色散X射线荧光光谱法...
赛默飞为半导体及相关行业的关键环节提供多层次技术支撑,为客户提供全方位的分析方案,电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)、电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)、高分辨电感耦合等离子体质谱仪(HR-ICP-MS)、辉光放电质谱仪(GD-MS),全面的产线为半导体痕量金属元素分析保驾护航;全球领先的离子色谱(IC)可提供先进的痕量离子态杂质解决方案,挑战离子检测极限;更有气质联用仪(GCMS)提供的洁净空气...
Element GD Plus辉光放电质谱仪自问世以来,在半导体材料检测领域发挥了无可替代的作用。在高纯材料检测中,为了实现高纯材料中痕量杂质的低检出限检测,选择合适的分辨率检测不同的杂质元素,同时尽可能降低质谱干扰的浓度无疑是非常必要的。...
“Element GD采用双模式快速流离子源,连续直流放电具有高溅射效率,高分析灵敏度和低的记忆效应特点,脉冲放电适合于非导体、低熔点金属和镀层分析,并结合高分辨率磁质谱确保无干扰分析。使Element GD在硅和碳化硅表面和体相杂质、6N+级高纯铜、高纯钼、5N级高纯金及氧化铟锡ITO等溅射靶材中痕量杂质分析中得到广泛的应用。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号