GB 13539.4-1992
低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

2006-04

标准号
GB 13539.4-1992
发布
1992年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 13539.4-2005
当前最新
GB/T 13539.4-2016
 
 
适用范围
本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、I2t特性、电弧电压特性、试验和标志。 本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。 注:①在多数情况下,以组合设备的一部分作为熔断体的底座。由于设备种类繁多,难以作出一般的规定。组合设备是否适合用作熔断体的底座,应由用户与制造厂协商。但是,当采用独立的熔断器底座或支持件时,则它们应符合GB13539.1的有关规定。 ②这种熔断体通常称为“半导体熔断体”。

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