以硅片作衬底, MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。 砷化镓材料的制备类似硅半导体材料的制备,有晶体生长法,直接拉制法,气相生长法,液相外延法等。由于镓比较稀缺,砷有毒,制造成本高,此种太阳电池的发展受到影响。...
而薄膜电池量产的转换效率为10%左右。 除了常用的单晶、多晶、非晶硅电池之外,多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。各国研究的品种繁多,大多数尚未工业化生产,主要有以下几种: a)硫化镉太阳能电池 b)砷化镓太阳能电池 c) 铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池)...
相关内容包括:晶体硅太阳电池整线成套装备集成技术,效率10%以上年产能40MW硅基薄膜太阳电池制造技术,效率10%以上年产能30MW碲化镉薄膜太阳电池制造技术,效率8%以上年产能5MW染料敏化太阳电池制造技术,薄膜硅/晶体硅异质结电池中试制造技术,硅基高可靠BIPV系列组件制造装备技术等。 问:为保障《规划》的顺利实施,配套措施应从哪些方面考虑? ...
(IEC61646:2008对薄膜组件的定义为“During this process,the irradiance shall not change by more than±2%,薄膜的试验条件同晶体硅不太一样。)...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号