ISO 21820:2021
精细陶瓷（高级陶瓷，高级工业陶瓷）.分析掺硼和掺氮SiC晶体的多类型的紫外光致发光图像试验方法
Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) - Ultraviolet photoluminescence image test method for analysing polytypes of boron- and nitrogen-doped SiC crystals
- 标准号
- ISO 21820:2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 国际标准化组织
- 当前最新
- ISO 21820:2021
- 引用标准
- ISO/IEC 17025
- 适用范围
- 本文件规定了使用紫外光致发光（UVPL）成像确定碳化硅（SiC）晶片或块状晶体中的多型及其比率的测试方法。 SiC的范围仅限于掺杂有氮和硼的半导体SiC，分别具有深的受主能级和浅的施主能级。 本文讨论的 SiC 晶圆或块状晶体通常表现出 10−3 ohm·cm 至 10−2 ohm·cm 范围内的电阻率，适用于电力电子器件。 该方法适用于分别含有硼和氮作为受体和供体的 SiC 晶体 4H、6H 和 15R 多型，其浓度可产生供体-受体对 (DAP) 以产生 UVPL。 在 4H-SiC 中，硼和氮的浓度通常在 1016 cm−3 到 1018 cm−3 之间。 半绝缘碳化硅无需担心，因为它通常含有极少量的硼和氮。 因此无法达到深层次。