DS/IEC 747-7-4:1993
半导体装置.分立器件.第7部分:双极晶体管.第4节:高频放大管壳额定双极晶体管空白详细规范

Semiconductor devices. Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section four: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DS/IEC 747-7-4:1993 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
DS/IEC 747-7-4:1993
发布
1993年
发布单位
丹麦标准化协会
当前最新
DS/IEC 747-7-4:1993
 
 

DS/IEC 747-7-4:1993相似标准


推荐

有机双极晶体管 登上最新Nature!

不同OBJT电极设计的光学显微镜图像(c)和相应的装置差分放大率曲线(d);e. 归一化差分放大率与有效基极宽度和掺杂情况的关系 © Springer Nature05【成果启示】综上所述,本文展示了一个功能性的有机双极性晶体管,填补了有机晶体管路线图上缺失的一部分。文中的有机双极性晶体管由P型和N型掺杂的高度结晶的Rubrene薄膜晶体构成,具有高差分放大率和优越的高频性能。...

半导体器件有哪些分类

半导体器件的种类:一、分立器件1、 二极管A、一般整流用B、高速整流用:①FRD(Aast Recovery Diode:高速恢复二极管)②HED(Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管)③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管)C、定压二极管(齐纳二极管)D、高频二极管①变容二极管②PIN二极管③穿透二极管④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管...

微波功率晶体管相关介绍

高频率和大功率是矛盾的,故微波功率晶体管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率性能的主要途径有:①提高发射极的“周长/面积比”,以提高单位发射极周长的电流容量。②采用浅结高浓度扩散或离子注入,以得到小的基极电阻,又能减薄基区,从而缩短少子在基区的渡越时间,提高工作频率。③采用多发射极单元分散的结构,适当减薄外延层和衬底厚度,以减小热阻。...

:通过局部铁电极化实现可重构的二维光电器件

图6 基于铁电极化构建的MoS2 三端npn双极晶体管及其输出放大特性(a) 构筑三端子双极晶体管所使用的铁电极化图案的PFM相位图;(b) 三端式双极晶体管内集电极电流IC的电流贡献示意图;(c) 改变基极输入电压VBE时测量的三端子双极晶体管的输出特性;(d) 不同VBE输入下器件中的集电极电流IC和基极电流IB,集电极电流相对于输入基极电流可获得大约3000倍的放大,证实该类双极晶体管较高的放大增益...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号