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正电位电势窗口

本专题涉及正电位电势窗口的标准有5条。

国际标准分类中,正电位电势窗口涉及到集成电路、微电子学。

在中国标准分类中,正电位电势窗口涉及到半导体集成电路。


HU-MSZT,关于正电位电势窗口的标准

美国国防后勤局,关于正电位电势窗口的标准

  • DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及正向三态输出的16位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90675 REV B-2004 硅单片,装有三态反向及正向输入,9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路

ETSI - European Telecommunications Standards Institute,关于正电位电势窗口的标准

  • ETS 300 290-1994 商业电信(BTC);具有八位字节完整性的 64 kbit/s 数字无限制租用线路(D64U)终端设备接口(包括修正案 1 1995年11月)

正电位电势窗口

 




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