低维氧化物半导体

本专题涉及低维氧化物半导体的标准有24条。

国际标准分类中，低维氧化物半导体涉及到集成电路、微电子学、光纤通信、半导体分立器件。

在中国标准分类中，低维氧化物半导体涉及到半导体集成电路、计算机应用、光通信设备、半导体分立器件综合。

美国国防后勤局，关于低维氧化物半导体的标准

• DLA SMD-5962-05206 REV A-2007 硅单片1 GSPS模拟数字变换器,双8比特,低功率氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92141 REV B-2007 硅单块 逐步增加转换控制器,低功率固定或可调试,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-88545 REV C-2007 硅单片64K X 4低功耗静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 硅单片,低功率128K X 8静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-88544 REV C-2006 硅单片256K X 1低功耗静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-96645 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体四重低到高电压转换器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-92124 REV A-2004 硅单块 倒转转换控制器,低功率互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 硅单块 稳压器,低功率双互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97574 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97542 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96635 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体低功率单稳多振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97575 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97576 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97573 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96890 REV A-2003 18-BIT低电压互补金属氧化物半导体通用母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-97526 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,3行到8行解码器或信号分离器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 硅单片,TTL兼容输入及输出,可编程低失真时钟驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-97529-1998 低电压互补金属氧化物半导体,八角母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-93112-1994 硅单片,可编程低失真时钟缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93196-1994 硅单片,低失真锁相环路时钟驱动器,氧化物半导体数字微型电路

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