边缘 态

本专题涉及边缘 态的标准有14条。

国际标准分类中，边缘 态涉及到集成电路、微电子学、半导体分立器件。

在中国标准分类中，边缘 态涉及到半导体集成电路、半导体分立器件综合。

美国国防后勤局，关于边缘 态的标准

• DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89601 REV E-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-93220 REV C-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-92274 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93217 REV B-1995 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93026-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路

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