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压抑

本专题涉及压抑的标准有31条。

国际标准分类中，压抑涉及到半导体分立器件、输电网和配电网、电工器件、光电子学、激光设备、航空器和航天器综合、电阻器。

在中国标准分类中，压抑涉及到牵引供电综合、、低压电器综合、半导体分立器件综合、低压配电电器、光电子器件综合、紧固件、电阻器。

YU-JUS，关于压抑的标准

• JUS N.R1.399-1983 硒瞬变过压抑制器．额定值及特性

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于压抑的标准

• JEDEC JESD210-2007 雪崩击穿二极管（ABD）瞬态电压抑制器
• JEDEC JESD66-1999 半导体闸流管电涌保护设备分级认证和特征测试的瞬时电压抑止器标准

德国标准化学会，关于压抑的标准

• DIN 43235:1975 电力牵引.直流电路中过电压抑制器

贵州省地方标准，关于压抑的标准

• DB52/T 860-2013 5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于压抑的标准

• EN 150015:1992 空白详细规范：单向瞬态过电压抑制二极管
• EN 150014:1996 空白详细规范：晶闸管二极管 瞬态过电压抑制器

行业标准-能源，关于压抑的标准

• NB/T 31059-2014 风力发电机组.双馈异步发电机用瞬态过电压抑制器

行业标准-电子，关于压抑的标准

• SJ 50033/133-1997 半导体分立器件.SY5629～5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范

美国国防后勤局，关于压抑的标准

• DLA MIL-PRF-19500/434 E-2011 半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器、1N5610 至 1N5613 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/434 E (2)-2013 半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器、1N5610 至 1N5613 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 半导体器件，二极管，硅，双极瞬态电压抑制器，类型 1N6036A 至 1N6072A JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 半导体器件、二极管、硅、双极瞬态电压抑制器，类型 1N6950 至 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 半导体器件、二极管、硅、双极瞬态电压抑制器，类型 1N6950 至 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/552 F-2011 半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器，类型 1N6469 至 1N6476、1N6469US 至 1N6476US、1N6469URS 至 1N6476URS、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/500 E (1)-2013 半导体器件、二极管、硅、单极瞬态电压抑制器、类型 1N5555 至 1N5558、1N5907、1N5629A 至 1N5665A、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/551 E-2011 半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器类型 1N6461 至 1N6468、1N6461US 至 1N6468US 和 1N6461URS 至 1N6468URS、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/551 F (1)-2013 半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器类型 1N6461 至 1N6468、1N6461US 至 1N6468US 和 1N6461URS 至 1N6468URS、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/516 E-2009 半导体器件，二极管硅，双极瞬态电压抑制器，类型 1N6102 至 1N6137、1N6102A 至 1N6137A、1N6138 至 1N6173、1N6138A 至 1N6173A，1 N6102US 至 1N6137US、1N6102AUS 至 1N6137AUS、1N6138US 至 1N61
• DLA MIL-PRF-19500/772 (1)-2013 半导体器件，二极管硅，单极瞬态电压抑制器，类型 1N8036 至 1N8072、1N8073 至 1N8109、1N8110 至 1N8146、1N8036US 至 1N8072US、1N8 073US 至 1N8109US，以及 1N8110US 至 1N8146US，JAN，JANTX，JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/716 VALID NOTICE 1-2010 半导体器件、二极管、非密封、环氧树脂、表面贴装、硅、单极瞬态电压抑制器类型 1N5555UEG 至 1N5558UEG、1N5555UEJ 至 1N5558UEJ、1N5629AUEG 至 1N5665AUEG、1N5629AUEJ 至 1N5665AUEJ、1N5907UE G, 1N590

美国保险商实验所，关于压抑的标准

• UL 1449-1985 暂态电压波动抑制
• UL 497D BULLETIN-2007 与指定电压抑制一起使用的通信电路的组件二次保护器的调查大纲
• UL SUBJECT 497D-2007 用于指定电压抑制的通信电路的组件二次保护器的调查大纲（第 1 期）

未注明发布机构，关于压抑的标准

• BS EN 150014:1997(2000) 电子元件质量评估协调制度 空白详细规范：晶闸管二极管、瞬态过压抑制器
• BS EN 150015:1993(2000) 电子元件质量评估协调制度规范 — 空白详细规范 — 单向瞬态过压抑制二极管

(美国)海军，关于压抑的标准

• NAVY QPL-17672-69 NOTICE 1-2008 液压油，石油，抑制
• NAVY QPL-17672-2012 液压油，石油，抑制
• NAVY MIL-PRF-32167 A-2006 传送电压压力冲击抑制器(TVSS)

英国标准学会，关于压抑的标准

• BS EN IEC 61051-2:2021 用于电子设备的压敏电阻 浪涌抑制压敏电阻分规范

法国标准化协会，关于压抑的标准

• NF C83-282/A1:1988 电子元件喘振抑制压敏电阻器

本站其他标准专题： 压抑，压抑症，峰压抑制器，瞬态电压抑制二极管。

 

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