童年 记忆
本专题涉及童年 记忆的标准有198条。
国际标准分类中，童年 记忆涉及到无损检测、文娱活动设备、食品综合、焊接、钎焊和低温焊、纺织产品、金属材料试验、信息技术应用、航空航天制造用零部件、摄影技术、电站综合、词汇、集成电路、微电子学、航空航天制造用材料、图形符号、音频、视频和视听工程、数据存储设备、地面服务和维修设备、航空器和航天器综合、有色金属产品、无线通信、接口和互连设备、电工和电子试验、导体材料、人类工效学、字符集和信息编码。
在中国标准分类中，童年 记忆涉及到基础标准与通用方法、玩具、、食品卫生、丝和丝交织品、金属力学性能试验方法、旋转电机综合、超声波与声放射探伤仪器、试验机与无损探伤仪器综合、编码、字符集、字符识别、基础标准和通用方法、标志、包装、运输、贮存、电影与摄影技术、电站、电力系统运行检修、金属无损检验方法、半导体集成电路、计算机应用、微电路综合、航空与航天用金属铸锻材料、视频、脉冲系统设备、数据媒体、混合集成电路、货运、紧固件、无线电通信设备、重金属及其合金、广播、电视发送与接收设备、计算机外围设备、海水养殖与产品、标准化、质量管理、通信网技术体制、电工绝缘材料及其制品、焊接与切割。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于童年 记忆的标准
- GB/T 26641-2021 无损检测 磁记忆检测 总体要求
- GB/T 34370.10-2020 游乐设施无损检测 第10部分：磁记忆检测
国家质检总局，关于童年 记忆的标准
- GB/T 12604.10-2011 无损检测 术语 磁记忆检测
- GB/T 26641-2011 无损检测.磁记忆检测.总则
- GB/T 5009.198-2003 贝类 记忆丧失性贝类毒素软骨藻酸的测定
国际标准化组织，关于童年 记忆的标准
- ISO 24497-2-2020 无损检验.金属磁记忆.第2部分:焊接接头的检验
- ISO 24497-3:2007 无损检测——金属磁记忆第3部分:焊接接头的检查
- ISO 24497-1-2007 无损检验.金属磁记忆.第1部分:词汇
工业和信息化部，关于童年 记忆的标准
- FZ/T 43053-2019 聚酯纤维形态记忆织物
- YS/T 1307.1-2019 镍钛形状记忆合金记忆性能测试方法 第1部分：拉伸测试方法
- YS/T 1307.2-2019 镍钛形状记忆合金记忆性能测试方法 第2部分：弯曲测试方法
- JB/T 13468-2018 无损检测 涡流-磁记忆集成检测方法
美国保险商实验所，关于童年 记忆的标准
- UL 61800-5-1 CRD-2015 可调速电力传动系统的UL标准. 第5-1部分: 安全要求. 电气, 热和能源. 节/段落参考: 表17DV主题: 向表17DV添加热记忆保留试验 (第一版: 2012年6月8日)
- UL 61800-5-1 CRD-2015 可调速电力传动系统的UL标准. 第5-1部分: 安全要求. 电气, 热和能源. 节/段落参考: 表17DV主题: 向表17DV添加热记忆保留试验 (第一版: 2012年6月8日)
行业标准-机械，关于童年 记忆的标准
- JB/T 11606-2013 无损检测仪器 金属磁记忆检测仪 性能试验方法
- JB/T 11605-2013 无损检测仪器 金属磁记忆检测仪 技术条件
- JB/T 11611-2013 无损检测仪器 涡流-磁记忆综合检测仪
英国标准学会，关于童年 记忆的标准
- BS ISO/IEC 15962-2013 信息技术.项目管理用无线射频识别(RFID).数据协议:数据编码规则和逻辑记忆功能
- BS ISO/IEC 15962-2013 信息技术.项目管理用无线射频识别(RFID).数据协议:数据编码规则和逻辑记忆功能
- BS EN 4819-2012 航空航天系列.航空器用接触式记忆口塞(CMB)标签
欧洲电信标准协会，关于童年 记忆的标准
- ETSI GS LIS 002-2013 本地化工业标准(LIS).翻译记忆交换(TMX) 版本1.4.2
德国标准化学会，关于童年 记忆的标准
- DIN EN 4819-2012 航空航天系列.航空器用接触式记忆钮(CMB)标签.德文和英文版本EN 4819-2012
韩国标准，关于童年 记忆的标准
- KS A ISO 12234-1-2011 电子式静止影像图像.移动式记忆装置.第1部分:基本移动式存储模块
- KS A ISO 12234-2-2006 电子式静止影像图像.移动式记忆装置.第2部分:TIFF/EP影像资料形式
- KS A ISO 12234-2-2006 电子式静止影像图像.移动式记忆装置.第2部分:TIFF/EP影像资料形式
行业标准-电力，关于童年 记忆的标准
- DL/T 1105.4-2010 电站锅炉集箱小口径接管座角焊缝无损检测技术导则 第4部分:磁记忆检测
- DL/T 370-2010 承压设备焊接接头金属磁记忆检测
- DL/T 1105.4-2009 电站锅炉集箱小口径接管座角焊缝无损检测技术导则 第4部分:磁记忆检测
，关于童年 记忆的标准
- GOST 25492-1982 数字电子计算机记忆装置.术语和定义
- GOST 21480-1976 人机体系.记忆.工效学的一般要求
美国国防后勤局，关于童年 记忆的标准
- DLA SMD-5962-89841 REV L-2008 微电路记忆数字式CMOS可编程阵列逻辑(EEPLD)
- DLA SMD-5962-94763 REV B-2008 单片微电路记忆式数字CMOS电气可擦可编程逻辑器件
- DLA SMD-5962-94762 REV B-2008 数字记忆单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带电可擦可编程逻辑装置
- DLA SMD-5962-94760 REV B-2008 数字记忆单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带电可擦可编程逻辑装置
- DLA SMD-5962-89935 REV B-2007 硅单片,装有独立I/O分址的64K X 4静态随机存取存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 硅单片,装有OE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 硅单片,总线控制器,远程终端及显示器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 硅单片,装有1K X 16随机存取存储器的运程终端,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 硅单片,装有1K X 16随机存取存储器的运程终端接口,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 硅单片,装有OE及双重CE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 硅单片,16K X 4BITS静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 硅单片,4M X 1动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 硅单片,9000栅可编程逻辑阵列,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 硅单片,2K X 9先进先出型氧化物半导体,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 硅单片,2K X 8双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 硅单片,可编程逻辑阵列,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 硅单片,紫外线可擦除可程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89666 REV C-2007 硅单片,256 X 9并联先进先出式,氧化物半导体高速数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 硅单片,一次可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 硅单片,4000栅场致程序逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 硅单片,32K X 8位功率转换可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 硅单片,可级联64 X 8先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 硅单片,紫外线可消除可程序化逻辑设置,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 硅单片,寄存的8K X 8位可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 硅单片,32K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 硅单片,2K X 8寄存的紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96796 REV D-2007 128K X 8-BIT带电的可消除编程只读器硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-96891 REV D-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体32K X 8-BIT可编程序的只读存储器,硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 硅单片,4M X 4动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-03250 REV B-2006 硅单片18千独立静态随机存取存储器40000栅,现场可编程栅阵列氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90555 REV B-2006 硅单片,异步可单次编程式逻辑设置,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 硅单片,32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92316 REV D-2006 硅单片,装有独立I/O分址的1M X 1静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 硅单片,8K X 8非易失性静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 硅单片,8K X 8可重调静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 硅单片,4K X 9双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-38267 REV H-2006 硅单片128千X8比特电压消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93249 REV B-2006 硅单片,512 X 9并行同步先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 硅单片,256K X 16多口视频随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94599 REV B-2006 硅单片,在功率损耗上装有自动储存的8K X 8非易失性静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1动态随机存取存储器硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 硅单片16千比特动态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 硅单片16千(2048 X 8)比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 互补金属氧化物半导体,128K X 8静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 硅单片,低功率128K X 8静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96873 REV A-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,8K X 8-BIT可编程序的只读存储器,硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 硅单片,4K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,电可擦可编程序只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89863 REV A-2006 硅单片,512 X 9先进先出式串联,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 硅单片,2K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8位电可擦除可编程只读存储器,记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 硅单片16千字节静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 硅单片64千比特程序可控只读存储器,双极数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 硅单片32千比特程序可控只读存储器,肖脱基双极数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 硅单片可编程序逻辑双极数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 硅单片8千X8比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 硅单片64比特双极随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93124 REV B-2005 硅单片,2K X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 硅单片,16千比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 硅单片16千 X 8 微伏可消除式可程序化只读存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 硅单片65536 X 1比特动态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-79024 REV C-2005 硅单片三态输出双极可编程序只读存储器,8192比特可切换肖脱基数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-78022 REV N-2005 硅单片2千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,沟道金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 硅单片,256K X 8位电可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 硅单片 65536(8KX8)微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-04227 REV B-2005 多芯片模块双电压耐辐射静态随机存取存储器,512千 X 32比特,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 4 X 32K X 40静态存储器多片组件硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 硅单片可编程逻辑,双极数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 512K X 16-BIT静态存储器和可擦可编程只读存储器混合记忆微电路
- DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 数字记忆CMOS微电路128M X 8 BIT堆栈模具(1GBIT)同步内存(记忆体)模块
- DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 硅单片262,144比特(32K X 8) 微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K X 16静态随机存储寄存器硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 静态随机存储器256K X 16-BIT混合记忆微电路
- DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 512千 X 8比特硅单片耐辐射静态随机存储器氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-96892 REV B-2003 12-BIT直流电和交流电硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 9通道差动接收器硅单片电路记忆微电路
- DLA SMD-5962-02518-2003 数字记忆CMOS微电路256M X 8 BIT堆栈模具(2GBIT)同步内存(记忆体)模块
- DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-03203-2003 硅单片1048 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-03202-2003 硅单片1024 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 硅单片,4K X 9先进先出型氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93177 REV E-2003 硅单片,16K X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 互补金属氧化物半导体可编程与门排列2000门硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合及单片微型电路
- DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 硅单片,10000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 硅单片,5000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 硅单片,装有记忆装置的四重8位多路复用数字模拟转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93138 REV C-2001 硅单片,1K X 8并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-96837-2000 互补金属氧化物半导体可编程与门排列8000门硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97517-1997 抗辐射双互补金属氧化物半导体,32K X 8-BIT可编程只读存储器硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97544-1997 抗辐射双互补金属氧化物半导体,8K X 8-BIT可编程随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-96894-1996 互补金属氧化物半导体3.3伏特10BIT连续控制和11类输入数字转换器,硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-94567-1996 硅单片,X 9时控先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 硅单片,4K X 9并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 硅单片,分布统计器/累积缓冲器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90594 REV A-1995 硅单片,装有透明写入式及独立I/O分址的16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93189 REV C-1995 硅单片,4K X 18并行同步先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94634-1995 硅单片,8000栅可配置逻辑阵列,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅单片,电可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94588-1995 硅单片,装有可编程信号的32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 硅单片,8K X 9静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 硅单片,4K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93225-1994 硅单片,64K X 4静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 硅单片,2048 X 8串联电可擦除只读存储器,,氧化物半导体高速数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93008-1994 硅单片,16K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 硅单片,1MX 8电可擦除可程序化随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92322-1993 硅单片,64K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器的快速存取,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92172-1993 硅单片,独立I/O分址16K X 4静态随机存取存储器,BICMOS数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93122-1993 硅单片,2K X 16状态机紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93123-1993 硅单片,2K X 16状态机可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92338-1993 硅单片,可单次编程式逻辑设置,BICMOS数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 硅单片,2K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93173-1993 硅单片,512 X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93248-1993 硅单片,电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93244-1993 硅单片,512K X 8位5伏特可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93245-1993 硅单片,扩展电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92344-1993 硅单片,8K X 8可重调静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89855 REV A-1992 硅单片,同步记录及时可编程逻辑设置,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90664-1992 硅单片,装有透明写入式及独立I/O分址的64K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89790-1992 硅单片,装有独立式 I/O定址的4K X 4静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90573-1991 硅单片,ECL可编程逻辑设置,双极记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 硅单片,8K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89661-1989 硅单片,可级联64 X 9先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路
国际电工委员会，关于童年 记忆的标准
- IEC/TR 61352-2006 集成电路记忆符号
(美国)海军，关于童年 记忆的标准
- NAVY MIL-STD-2217 VALID NOTICE 3-2005 航空电子系统的记忆装载机/核实多重总线接口的要求
- NAVY MIL-STD-2217 CHG NOTICE 2-2000 航空电子系统的记忆装载机/核实多重总线接口的要求
美国电信工业协会，关于童年 记忆的标准
- TIA-136-005-C-2004 TDMA第3代无线－介绍、识别以及半永久性记忆
日本工业标准调查会，关于童年 记忆的标准
- JIS H7107-2003 钛镍型材记忆合金丝
行业标准-商品检验，关于童年 记忆的标准
- SN/T 1070-2002 进出口贝类中记忆丧失性贝类毒素检验方法
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于童年 记忆的标准
- JEDEC JESD21-C-1998 固态记忆释放集合 直接查看JEDEC, 703.907.7559
美国电气电子工程师学会，关于童年 记忆的标准
- IEEE 1596.4-1996 根据相关接口高频带宽度记忆接口的信号技术
(美国)军事条例和规范，关于童年 记忆的标准
- ARMY MIL-C-70490 NOTICE 1-1995 电路板组装记忆
- ARMY MIL-C-70490 (1)-1986 电路板组装记忆
- ARMY MIL-C-70490-1985 电路板组装记忆
台湾地方标准，关于童年 记忆的标准
- CNS 10322-1983 记忆装置用铁心试验法
澳大利亚标准协会，关于童年 记忆的标准
- AS ISO/IEC 15962-2006 信息技术．商品管理用射频识别（RFID）．数据程序：数据编码规则和逻辑记忆函数
- AS ISO/IEC 15962-2006 信息技术．商品管理用射频识别（RFID）．数据程序：数据编码规则和逻辑记忆函数
