记忆擦除

本专题涉及记忆擦除的标准有26条。

国际标准分类中，记忆擦除涉及到集成电路、微电子学、数据存储设备。

在中国标准分类中，记忆擦除涉及到半导体集成电路、混合集成电路、微电路综合、数据媒体。

美国国防后勤局，关于记忆擦除的标准

• DLA SMD-5962-94763 REV B-2008 单片微电路记忆式数字CMOS电气可擦可编程逻辑器件
• DLA SMD-5962-94762 REV B-2008 数字记忆单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带电可擦可编程逻辑装置
• DLA SMD-5962-94760 REV B-2008 数字记忆单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带电可擦可编程逻辑装置
• DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 硅单片,紫外线可擦除可程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,电可擦可编程序只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8位电可擦除可编程只读存储器,记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-78022 REV N-2005 硅单片2千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,沟道金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 硅单片,256K X 8位电可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 硅单片 65536(8KX8)微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 512K X 16-BIT静态存储器和可擦可编程只读存储器混合记忆微电路
• DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 硅单片262,144比特(32K X 8) 微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅单片,电可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 硅单片,2048 X 8串联电可擦除只读存储器,,氧化物半导体高速数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 硅单片,1MX 8电可擦除可程序化随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93244-1993 硅单片,512K X 8位5伏特可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93245-1993 硅单片,扩展电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93248-1993 硅单片,电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路

本站其他标准专题： 记忆擦除、，记忆擦除，记忆。