Redox-Drei-Elektroden-System

Für die Redox-Drei-Elektroden-System gibt es insgesamt 90 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Redox-Drei-Elektroden-System die folgenden Kategorien: Metrologie und Messsynthese, Batterien und Akkus, analytische Chemie, Kernenergietechnik, nichtmetallische Mineralien, Prüfung von Metallmaterialien, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Diskrete Halbleitergeräte, Bodenqualität, Bodenkunde, Nichteisenmetalle, Drahtlose Kommunikation, Ventil, Chemikalien.

RU-GOST R, Redox-Drei-Elektroden-System

GOST R 8.702-2010 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messungen. Messelektroden zur Bestimmung des Oxidations-Reduktionspotentials (ORP). Überprüfungsverfahren
GOST 8.639-2014 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messungen. Messelektroden zur Bestimmung des Oxidations-Reduktionspotentials (ORP). Überprüfungsverfahren

KR-KS, Redox-Drei-Elektroden-System

KS C 8547-2017(英文版) Redox-Flow-Batterie zur Verwendung in Energiespeichersystemen – Leistungs- und Sicherheitstests

Professional Standard - Agriculture, Redox-Drei-Elektroden-System

水和废水监测分析方法 3.1.10-2003 Teil III Umfassende Indikatoren und anorganische Schadstoffe Kapitel I Physikalische und chemische Indikatoren Zehn Oxidations-Reduktionspotenziale (B)

International Electrotechnical Commission (IEC), Redox-Drei-Elektroden-System

IEC TR 62456:2007 Ein elektrochemisches Referenzsystem zur Verwendung in verschiedenen Lösungsmittelmedien – das decamethylierte Ferricinium/Ferrocence-Redoxpaar

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Redox-Drei-Elektroden-System

KS C 8547-2017 Redox-Flow-Batterie zur Verwendung in Energiespeichersystemen – Leistungs- und Sicherheitstests

Professional Standard - Nuclear Industry, Redox-Drei-Elektroden-System

EJ/T 277-1986 Präzise Bestimmung von Uran in hochreinem U3O8 durch Eisensulfatreduktion/Potentiometrische Titration mit Kaliumdichromat
EJ/T 20163-2018 Bestimmung von 28 Verunreinigungselementen wie Silber in nachbearbeitetem Urantrioxidpulver durch Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma

British Standards Institution (BSI), Redox-Drei-Elektroden-System

PD IEC/TR 62456:2007 Ein elektrochemisches Referenzsystem zur Verwendung in verschiedenen Lösungsmittelmedien. Das decamethylierte Ferricinium/Ferrocen-Redoxpaar

工业和信息化部, Redox-Drei-Elektroden-System

YB/T 4583.1-2017 Bestimmung des Gehalts an Mullit-Siliziumdioxid, Eisenoxid, Calciumoxid, Magnesiumoxid, Titandioxid und Phosphorpentoxid mittels induktiv gekoppelter Plasma-Atomemissionsspektrometrie
XB/T 702-2022 Drei-Elektroden-System-Testverfahren zum Testen der elektrochemischen Eigenschaften von Seltenerd-Wasserstoffspeicherlegierungspulver für negative Elektroden von Metallhydrid-Nickel-Batterien
YS/T 1057.3-2022 Methoden zur chemischen Analyse von Kobalttetroxid Teil 3: Bestimmung des Siliziumgehalts durch Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
YS/T 1057.4-2022 Methoden zur chemischen Analyse von Kobalttetroxid Teil 4: Bestimmung des Kalium- und Natriumgehalts Flammen-Atomabsorptionsspektrometrie und induktiv gekoppelte Plasma-Atomemissionsspektrometrie

国家质量监督检验检疫总局, Redox-Drei-Elektroden-System

SN/T 4758-2017 Bestimmung des Eisenoxid-, Siliziumdioxid- und Zirkoniumdioxidgehalts in Rutil mittels induktiv gekoppelter Plasma-Atomemissionsspektrometrie

Professional Standard - Commodity Inspection, Redox-Drei-Elektroden-System

SN/T 0481.7-2007 Inspektion von Bauxit für Import und Export. Bestimmung des Gehalts an Fe0, TiO, Si0, Ca0, MgO. Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
SN/T 3322.2-2015 Chemische Analyse von Titankonzentraten. Teil 2: Bestimmung des Vanadiumpentoxid- und Chromsesquioxidgehalts. Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
SN/T 4305-2015 Bestimmung von Blei, Eisen, Kupfer, Arsen, Selen, Wismut, Cadmium und Quecksilber in exportiertem Antimontrioxid. Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma

Defense Logistics Agency, Redox-Drei-Elektroden-System

DLA SMD-5962-90772 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACH, POSITIV- UND GATE-EINGÄNGE MIT DREI EINGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-TRI-PORT-UNIVERSAL-BUS-AUSTAUSCHER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS/MOS-SPEICHERTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS-AUSTAUSCH-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN UND PEGELVERSCHIEBUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, 36-Bit-Universalbus-Transceiver mit dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96697-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 18-BIT-BUS-AUSTAUSCH-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 8-BIT-BIS-9-BIT-PARITÄTSBUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 3,3-V-16-BIT-TRANSCEIVER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95836-1995 MIKROKALTER, DIGITALER, BIPOLARER CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, registrierter 36-Bit-Bus-Transceiver mit dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96698-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Transceiver/Register, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT BUSHALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-VOLT-16-BIT-TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUS-HALTUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE UND TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95835-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91726-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTALPUFFER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, NICHTINVERTIERENDER 3,3-Volt-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT BUS-HALTUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, 3,3-Volt-Scan-Testgerät mit 18-Bit-Universal-Bus-Transceiver, mit Bus-Haltefunktion, Drei-Zustands-Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALER D-TYP TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91746-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTALPUFFER, INVERTIERENDE DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95606 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER/LEITUNGSTREIBER MIT 25-OHM-SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 3,3 VOLT 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT BUS-HALTEN UND WIDERSTÄNDE DER 22-OHM-SERIE UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES BICMOS, 3,3 VOLT OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUSHALTERUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-FLANKENGETRIEBENES D-TYP-FLIP-FLOP MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-GETRIEBEN, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-TRIGGERUNG MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL, PUFFER/TREIBER, MIT NICHT-INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95614-1995 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Universalbus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, BICMOS-OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND REGISTER MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER TRANSCEIVER MIT DUAL-ENABLE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Professional Standard - Energy, Redox-Drei-Elektroden-System

DL/T 2354-2021 Messmethode der Pyrolyserate von Harnstoff im Rauchgas-Entstickungssystem durch selektive katalytische Reduktionsmethode, ionenselektive Elektrodenmethode

Guangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Redox-Drei-Elektroden-System

DB45/T 1341-2016 Bestimmung des Schwefeltrioxidgehalts in Zement durch induktiv gekoppelte Plasma-Atom-Emissionsspektrometrie

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Redox-Drei-Elektroden-System

YB/T 190.12-2014 Stranggussformpulver. Die Bestimmung des Bortrioxidgehalts. Das induktiv gekoppelte Plasma-Atomemissionsspektrometerverfahren

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Redox-Drei-Elektroden-System

YS/T 1046.6-2015 Methoden zur chemischen Analyse von Kupferschlackenkonzentraten. Teil 6: Bestimmung des Aluminiumoxidgehalts. Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
YS/T 928.3-2013 Methoden zur chemischen Analyse von Nickel-Kobalt-Mangan-Verbundwasserstoffoxid. Teil 3: Bestimmung des Nickel-, Kobalt- und Mangangehalts. Induktiv gekoppeltes Plasma-Atomemissionsspektrometer
YS/T 928.4-2013 Methoden zur chemischen Analyse von Nickel-Kobalt-Mangan-Verbundwasserstoffoxid. Teil 4: Bestimmung des Eisen-, Kalzium-, Magnesium-, Kupfer-, Zink-, Silizium-, Aluminium- und Natriumgehalts. Atomemissionsspektrometer mit induktiv gekoppeltem Plasma

Group Standards of the People's Republic of China, Redox-Drei-Elektroden-System

T/SDAQI 063-2021 Bestimmung des Ca-, Fe-, Cu-, Zn-, Cr-, Ni-, Al-, Mg-, Na-, K- und P-Gehalts in Dieselmotoren. NOx-Reduktionsmittel – Wässrige Harnstofflösung mit der ICP-OES-Methode