Blattstrahlung

Für die Blattstrahlung gibt es insgesamt 475 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Blattstrahlung die folgenden Kategorien: fotografische Fähigkeiten, Integrierte Luft- und Raumfahrzeuge, Zerstörungsfreie Prüfung, Schutzausrüstung, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Lebensmitteltechnologie, Gebäudeschutz, Diskrete Halbleitergeräte, Strahlungsmessung, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, medizinische Ausrüstung, Drahtlose Kommunikation, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Ventil, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Tabak, Tabakwaren und Ausrüstung für die Tabakindustrie, Film, Vibration und Schock (personenbezogen), Handwerkzeuge, Optik und optische Messungen.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Blattstrahlung

JIS K 7557:1996 Abzeichenfilme für Röntgenaufnahmen
JIS K 7559:1996 Universal Badge-Filme
JIS K 7627:1997 Zerstörungsfreie Prüfung – Industrielle Röntgenfilme – Teil 1: Klassifizierung von Filmsystemen für die industrielle Radiographie

US-FCR, Blattstrahlung

FCR FED H-08-4 VOL 3 SEC II 611.3-1988 HYDRONISCHE STRAHLENDE DECKENPLATTEN UND WARMWASSER-FRONTROHR-STRAHLUNG

Military Standards (MIL-STD), Blattstrahlung

DOD MIL-H-36364 B-1990 HALTER, RADIAC-DETEKTIONSELEMENT, FILMABZEICHEN-TYP
DOD SMD-5962-96673 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DUAL BINÄR ZU 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON

American Society for Testing and Materials (ASTM), Blattstrahlung

ASTM E2076-05 Standardtestmethode zur Untersuchung von Lüfterflügeln aus glasfaserverstärktem Kunststoff mittels Schallemission
ASTM E2076-00 Standardtestmethode zur Untersuchung von Lüfterflügeln aus glasfaserverstärktem Kunststoff mittels Schallemission
ASTM C1313-05 Standardspezifikation für Platten-Strahlungsbarrieren für Anwendungen im Hochbau
ASTM C1313-00 Standardspezifikation für Platten-Strahlungsbarrieren für Anwendungen im Hochbau
ASTM C1313/C1313M-12 Standardspezifikation für Platten-Strahlungsbarrieren für Anwendungen im Hochbau
ASTM C1313/C1313M-13 Standardspezifikation für Platten-Strahlungsbarrieren für Anwendungen im Hochbau
ASTM ISO/ASTM 51275-02 Standardpraxis für die Verwendung eines radiochromen Filmdosimetriesystems
ASTM ISO/ASTM51275-13 Standardpraxis für die Verwendung eines radiochromen Filmdosimetriesystems
ASTM ISO/ASTM51275-02 Standardpraxis für die Verwendung eines radiochromen Filmdosimetriesystems
ASTM ISO/ASTM51275-04 Standardpraxis für die Verwendung eines radiochromen Filmdosimetriesystems
ASTM E2076/E2076M-10 Standardtestmethode zur Untersuchung von Lüfterflügeln aus glasfaserverstärktem Kunststoff mittels Schallemission
ASTM E2076/E2076M-15(2022) Standardpraxis für die Untersuchung von Ventilatorflügeln aus glasfaserverstärktem Kunststoff mittels akustischer Emission
ASTM E2076/E2076M-15 Standardpraxis für die Untersuchung von Ventilatorflügeln aus glasfaserverstärktem Kunststoff mittels akustischer Emission
ASTM E387-84(1995)e1 Standardtestmethode zur Schätzung des Streustrahlungsleistungsverhältnisses von Spektralphotometern durch die Methode des undurchsichtigen Filters
ASTM F1619-95(2000) Standardtestmethode zur Messung des interstitiellen Sauerstoffgehalts von Siliziumwafern durch Infrarotabsorptionsspektroskopie mit p-polarisiertem Strahlungseinfall im Brewster-Winkel

PL-PKN, Blattstrahlung

PN J80007-1964 Schutz vor Radioaktivität. Filmhalter für Filmabzeichen
PN J04003-1964 Schutz vor Radioaktivität. Messung ionisierender Strahlungsdosen mittels Personalfilmausweisen
PN C99151-1969 Fotomaterialien. Industrielle Röntgenfilme. Sensifometrisches Prüfverfahren mittels Gammastrahlung ohne Verstärkungsschirme
PN C99282-11-1993 Fotografie. Industrieller Röntgenfilm. Bestimmung der ISO-Empfindlichkeit und des durchschnittlichen ISO-Gradienten bei Einwirkung von Röntgen- und Gammastrahlung

VN-TCVN, Blattstrahlung

TCVN 7077-2002 Strahlenschutz. Persönliches fotografisches Dosimeter

RU-GOST R, Blattstrahlung

GOST R 25645.333-1994 Aerofotografische Filme. Strahlungsbeständigkeitsnormen

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., Blattstrahlung

ASHRAE AN-04-6-2-2004 Methode zur Berechnung der effektiven langwelligen Strahlungseigenschaften einer Jalousieschicht
ASHRAE 4531-2002 Numerische Untersuchung der konvektiven und Strahlungswärmeübertragung von einer Fensterverglasung mit einer Jalousie
ASHRAE AC-02-2-1-2002 Sensitivitätsanalyse der Wärmeübertragung von einem bestrahlten Fenster und einer horizontalen Jalousieanordnung
ASHRAE AN-04-6-1-2004 Heat Transfer Analysis of a Between-Panes Venetian Blind Using Effective Longwave Radiative Properties
ASHRAE SE-99-15-02-1999 Kalormetrische Messung des einströmenden Anteils der absorbierten Sonnenstrahlung in Jalousien

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Blattstrahlung

GJB 570.9-1988 Testmethode für die Finalisierung meteorologischer Instrumente. Strahlungsschutzgitter

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Blattstrahlung

KS P 8419-2003 FILTER UND AUGENSCHUTZGERÄTE GEGEN LASERSTRAHLUNG
KS A 4522-2006 Methoden zur Bewertung der Äquivalentdosis durch schnelle Neutronenfilmabzeichen

Defense Logistics Agency, Blattstrahlung

DLA SMD-5962-94667-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, 1750-CHIP-SATZ, MULTICHIP-MIKROSCHALTUNG, SILIKON
DLA SMD-5962-96847 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, 1750-CHIP-SATZ, MULTICHIP-MIKROSCHALTUNG, SILIKON
DLA SMD-5962-95826 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96602 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, FIFO-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99515 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99517 REV J-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, EINSTELLBAR, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-08218-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, DIFFERENZVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99517 REV K-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, EINSTELLBAR, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99517 REV L-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, EINSTELLBAR, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-01502 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTETER MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96653 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETER CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00501 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00501 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-01510 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-09225 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, STRAHLENGEHÄRTET, LINEAR, SYNCHRONER BUCK-REGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-09225 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, STRAHLENGEHÄRTET, LINEAR, SYNCHRONER BUCK-REGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-09225 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, STRAHLENGEHÄRTET, LINEAR, SYNCHRONER BUCK-REGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96738 REV N-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99504 REV G-2008 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98613 REV H-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99504 REV J-2011 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96738 REV P-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88539 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PRÄZISIONSINSTRUMENTIERUNGSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-38128 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PROGRAMMIERBARE SPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95813 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEARES STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, DUAL-SPDT-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96738 REV R-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-38128 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PROGRAMMIERBARE SPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87739 REV H-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, VIERFACH, SPANNUNGSKomparator, STRAHLENGEHÄRTETES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88539 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PRÄZISIONSINSTRUMENTIERUNGSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99547 REV K-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTETER, EINSTELLBARER POSITVER SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99547 REV L-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, EINSTELLBARER POSITIVER SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98636 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTETER JFET-EINGANG-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95689 REV J-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, LINIENEMPFÄNGER, VIERDIFFERENTIALES MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95689 REV K-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, LINIENEMPFÄNGER, VIERDIFFERENTIALES MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96722 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, TRANSMITTER MIT DREIFACHLEITUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96723 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, DREILINIENEMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95708 REV E-2013 Mikroschaltung, Speicher, digital, strahlungsgehärtet, CMOS, 2K x 8-Bit-Prom, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-96873 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96608 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, VOREINSTELLBARER AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00536 REV G-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95626 REV F-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96580 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH-SR-VERRIEGELUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96786 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS/TTL-KONVERTER, 8-BIT, BIDIREKTIONAL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95621 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, VOREINSTELLBARER AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96615 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 8-BIT ADRESSIERBARER LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99536 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHFREQUENZ-HALBBRÜCKENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-08244 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, 4-PORT-SPACEWIRE-ROUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99536 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHFREQUENZ-HALBBRÜCKENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-08244 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, 4-PORT-SPACEWIRE-ROUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-08244 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, 4-PORT-SPACEWIRE-ROUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-07215 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BiCMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DOPPEL-HOCHGESCHWINDIGKEIT, SPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-07215 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BiCMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DOPPEL-HOCHGESCHWINDIGKEIT, SPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87571 REV H-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, TEMPERATURWANDLER MIT ZWEI ANSCHLÜSSEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95631 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, QUAD-DIFFERENTIAL-LEITUNGSEMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95631 REV H-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, QUAD-DIFFERENTIAL-LEITUNGSEMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95812 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEARES STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, DUAL, DPST-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00520 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00536 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02523 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, MCS-96-BASIERTER MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95670 REV C-2003 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, NIEDRIGE LEISTUNG, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88565 REV F-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, GERÄUSCHARM, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95632 REV E-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, VIERDIFFERENTIAL, LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96766 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 256 x 8 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02523 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, MCS-96-BASIERTER MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-10208 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ASIC, STRAHLENGEHÄRTET, SOI-CMOS, SERIALIZER/DESERIALISATOR (SERDES), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96518 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH, 2 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96518 REV E-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH, 2 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96522 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96536 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, 4-BIT-MAGNITUDENKPARATOR, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-03235 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT (4M), STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96518 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH, 2 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96530 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, HEX-NICHTINVERTIERENDER PUFFER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96530 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, HEX-NICHTINVERTIERENDER PUFFER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95720 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96526 REV D-2012 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94680 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, GERÄUSCHARM, PRÄZISION, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88565 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, GERÄUSCHARM, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88565 REV H-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, GERÄUSCHARM, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95632 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, VIERDIFFERENTIAL, LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95632 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, VIERDIFFERENTIAL, LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92118 REV M-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, MIL-STD-1553 SERIELLER MIKROKODIERTER MONOLITHISCHER MULTI-MODE-INTELLIGENTER TERMINAL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92118 REV N-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, MIL-STD-1553 SERIELLER MIKROKODIERTER MONOLITHISCHER MULTI-MODE-INTELLIGENTER TERMINAL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00524 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PRÄZISIONSSPANNUNGSKomparator/PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-01516 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, 3,3 V, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-01517 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, 3,3 V, 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-01521 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, 9 AMP NICHT-INVERTIERENDER MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02503 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, EINSTELLBARER NEGATIVER LOW-DROPOUT-SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-02547-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, DOPPELTER, BREITBANDIGER VIDEO-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95669 REV C-2005 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SAMPLE-HOLD-VERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95689 REV H-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, LINIENEMPFÄNGER, VIERDIFFERENTIALES MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95689 REV G-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, LINIENEMPFÄNGER, VIERDIFFERENTIALES MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-03236 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 128K x 32-BIT (4M), STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95845 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS/SOI, 32K X 8 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95845 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS/SOI, 32K X 8 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-08228 REV G-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 32-BIT FEHLERTOLERANTER V8/LEON 3FT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-08228 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 32-BIT FEHLERTOLERANTER V8/LEON 3FT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-05214 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER, PROGRAMMIERBARER SKEW-TAKTPUFFER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-08228 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 32-BIT FEHLERTOLERANTER V8/LEON 3FT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95845 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS/SOI, 32K X 8 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99607 REV J-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-01511 REV F-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 32-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MULTICHIP-MODUL
DLA SMD-5962-05208 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87549 REV H-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACHES NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95679 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH, 2 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95728 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, MULTIPLEXER MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-08230 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, BiCMOS, STRAHLENGEHÄRTET, NICHT-INVERTIERENDER QUAD-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95652 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT DREI EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99558 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT, PULSBREITEMODULATION MIT DOPPELTEM AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95687 REV D-2009 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, NIEDRIGER LEISTUNG, PROGRAMMIERBARER OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93258 REV G-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PRÄZISION, HOCHGESCHWINDIGKEIT, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02547 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, DOPPELTER, BREITBANDIGER VIDEO-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00538 REV K-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, EINSCHALTBAR, MIKROPROZESSOR-RÜCKSETZSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-10237-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 16 ZU 1 ANALOG-MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10233 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 16 ZU 1 ANALOG-MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10236-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 16 ZU 1 ANALOG-MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10233 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 16 ZU 1 ANALOG-MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10237 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 16 ZU 1 ANALOG-MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99558 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT, PULSBREITEMODULATION MIT DOPPELTEM AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95687 REV E-2013 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, NIEDRIGER LEISTUNG, PROGRAMMIERBARER OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99618 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS-HOCHGESCHWINDIGKEITS-QUAD-SPST-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95690 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH GERÄUSCHARM, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99618 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS-HOCHGESCHWINDIGKEITS-QUAD-SPST-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-01533 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 32-BIT, 3,3 V, STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MULTICHIP-MODUL
DLA SMD-5962-93258 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, PRÄZISION, HOCHGESCHWINDIGKEIT, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-07218 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, ULTRAHOCHFREQUENZ, NPN-PNP-KOMBINATIONSTRANSISTOR-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96514 REV E-2009 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, MONOLITHISCHES SILIZIUM MIT VIERFACH, 2 EINGÄNGEN UND GATE
DLA SMD-5962-10232-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2M X 32-BIT (64 MB), STRAHLUNGSGEHÄRTEN, SRAM, MULTI-CHIP-MODUL
DLA SMD-5962-08202 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 2M x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTET, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-10232 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2M X 32-BIT (64 MB), STRAHLUNGSGEHÄRTEN, SRAM, MULTI-CHIP-MODUL
DLA SMD-5962-08202-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 2M x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-08202 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 2M x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06203 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 512K x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-08202 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 2M x 8-BIT, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96663 REV J-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, QUAD-DIFFERENTIAL-LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96644 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, DOPPELTER NAND-PUFFER/TREIBER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96538 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, VIERFACH, 2-EINGÄNGE, EXKLUSIV ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96663 REV K-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, QUAD-DIFFERENTIAL-LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96663 REV L-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, QUAD-DIFFERENTIAL-LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96742 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, MULTIPLEXER MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96832 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL, HOHE GESCHWINDIGKEIT, NIEDRIGE LEISTUNG, VIDEO-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95684 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERKANAL-PROGRAMMIERBAR, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95687 REV C-2003 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, NIEDRIGER LEISTUNG, PROGRAMMIERBARER OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-08203 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 512 K
DLA SMD-5962-08203 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 512 K
DLA SMD-5962-08215 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 512K
DLA SMD-5962-08203-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 512 K
DLA SMD-5962-08203 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 512 K
DLA SMD-5962-08215 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS/SOI, 512K
DLA SMD-5962-01532 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1024K x 8-BIT (8 M), STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MULTICHIP-MODUL
DLA SMD-5962-01533 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 32-BIT, 3,3 V, STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MULTICHIP-MODUL
DLA SMD-5962-96517 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, HEX-INVERTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87622 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 1-VON-8-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96517 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89932 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-BIT, HOCHGESCHWINDIGKEIT, MULTIPLIZIERENDER D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95686 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, INTERN KOMPENSIERT, HOHE SLEW-RATE, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10211 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL 2:1, GROSSE BANDBREITE, AKTIVER MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96831 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL, HOHE GESCHWINDIGKEIT, NIEDRIGE LEISTUNG, VIDEO, PUFFER MIT GESCHLOSSENEM SCHLAUF, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06229 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16 MBIT (512 K x 32), STRAHLUNGSGEHÄRTETES, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MULTICHIP-MODUL
DLA SMD-5962-96578 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, OCTAL-D-FLIP-FLOP MIT KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIZIUM
DLA SMD-5962-96524 REV F-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, HEX-INVERTER-SCHMITT-TRIGGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96540 REV F-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT KLAR UND VOREINGESTELLT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97517 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTET, 32K x 8-BIT-MASKENPROGRAMMIERBARER ROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97544 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8K X 8-BIT-MASKENPROGRAMMIERBARER ROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96534 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL-D-FLIP-FLOP MIT CLEAR UND PRESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96540 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT KLAR UND VOREINGESTELLT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96534 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL-D-FLIP-FLOP MIT CLEAR UND PRESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96540 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT KLAR UND VOREINGESTELLT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96524 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, HEX-INVERTER-SCHMITT-TRIGGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96540 REV J-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT KLAR UND VOREINGESTELLT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96628 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, RIPPLE CARRY BINÄRZÄHLER/TEILER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96581 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, VIERFACH-SR-LATCH, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89577 REV K-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, BUS-CONTROLLER, FERNBEDIENUNG UND MONITOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, KOMPLEMENTÄRER SCHALTER-FET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, KOMPLEMENTÄRER SCHALTER-FET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89932 REV E-2006 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-BIT, HOCHGESCHWINDIGKEIT, MULTIPLIZIERENDER D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95671 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, BREITBAND, HOHE IMPEDENZ, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, LOOKAHEAD-CARRY-GENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96785 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOHE GESCHWINDIGKEIT, NIEDRIGE LEISTUNGSBEGRENZUNG, PUFFERVERSTÄRKER MIT GESCHLOSSENEM LAUFKREIS, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95686 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, INTERN KOMPENSIERT, HOHE SLEW-RATE, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10205 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1 MEG
DLA SMD-5962-10205 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1 MEG
DLA SMD-5962-10206-2012 Mikroschaltkreis, Speicher, digital, CMOS, 2 MB x 39 Bit (80 MB), strahlungsgehärtet, Dual-Spannungs-SRAM, Multichip-Modul
DLA SMD-5962-10207-2013 Mikroschaltkreis, Speicher, digital, CMOS, 4 MB x 39 Bit (160 MB), strahlungsgehärtet, Dual-Spannungs-SRAM, Multichip-Modul
DLA SMD-5962-98644 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, SOI, STRAHLENGEHÄRTET, 32K x 8-BIT-MASKENPROGRAMMIERBARER ROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96519 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH 2 EINGÄNGE UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10205-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1 MEG
DLA SMD-5962-96544 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, 3-ZEILEN-BIS 8-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96566 REV G-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, SYNCHRONER 4-BIT AUF/AB-DOPPELTAKTZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96519 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH 2 EINGÄNGE UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96519 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH 2 EINGÄNGE UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96544 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, 3-ZEILEN-BIS 8-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96566 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, SYNCHRONER 4-BIT AUF/AB-DOPPELTAKTZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96519 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH 2 EINGÄNGE UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96544 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, 3-ZEILEN-BIS 8-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96531 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, HEX-NICHTINVERTIERENDER PUFFER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96519 REV J-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH 2 EINGÄNGE UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95768 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95726 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH NAND-SCHMITT-TRIGGER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96542 REV G-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, VIERFACHER NAND-SCHMITT-TRIGGER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96564 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, SYNCHRONER 4-BIT AUF/AB-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95733 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL 4-EINGANG NAND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95657 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96542 REV H-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, VIERFACHER NAND-SCHMITT-TRIGGER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96582 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-GENERATOR/CHECKER MIT UNGERADE/GERADE PARITÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-06232-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER, RAUMDRAHT-PHYSIKALISCHER SCHICHT-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-02545-2003 MIKROKREISKREIS, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTET, DUAL, BREITBAND, GERÄUSCHARM, OPERATIONSVERSTÄRKER MIT SPANNUNGSFEEDBACK, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96683-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4-BIT-ARITHMETISCHE LOGIKEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96767 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT, NIEDRIGE LEISTUNG, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER MIT PROGRAMMIERBARER AUSGANGSBEGRENZUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96830 REV C-2004 VIDEO-OPERATIONSVERSTÄRKER MIT LINEAREM, STRAHLUNGSGEHÄRTETEM, NIEDRIGER LEISTUNG, STROMFEEDBACK UND AUSGANGSABSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-12204-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 64 MEG, BENUTZERKONFIGURIERBEITIG, 3,3 VOLT, NOCH FLASH-SPEICHER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96673 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DUAL BINÄR ZU 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96515 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER VIERFACHER 2-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96515 REV E-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER VIERFACHER 2-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-04227 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 32-BIT (16 M), STRAHLUNGSGEHÄRTETES, DUAL VOLTAGE SRAM, MULTICHIP-MODUL
DLA SMD-5962-96515 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER VIERFACHER 2-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96529 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DREIFACH 3 EINGÄNGE NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96515 REV G-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER VIERFACHER 2-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96539 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACH, 2-EINGÄNGE EXKLUSIV ODER GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95764 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96521 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-01532 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1024K
DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4-BIT-VOLLADDER MIT PARALLELER ÜBERTRAGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, QUAD UND/ODER SELECT GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 8-EINGÄNGE NOR/OR-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, HEX-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95685 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, UNKOMPENSIERT, HOHE SLEW-RATE, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95688 REV D-2007 Mikroschaltung, linear, strahlungsgehärtet, breitbandig, hohe Eingangsimpedanz, Operationsverstärker, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-06261 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512 K
DLA SMD-5962-06261 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 512 K
DLA SMD-5962-94663 REV K-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, SERIELLER MIKROCODED MULTI-MODE INTELLIGENTER TERMINAL UND TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON.
DLA SMD-5962-96566 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER, SYNCHRONER 4-BIT-UP/DOWN-DUAL-CLOCK-OUNTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90985 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator MIT ENABLE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06245 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, 16-BIT-D-FLIP-FLOP, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE und DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95750 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DOPPELTER VIERSTUFIGER BINÄRZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95814 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIV ODER GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06245 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, 16-BIT-D-FLIP-FLOP, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE und DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, BINÄRRATENVERVIELFACHER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 8-BIT ADRESSIERBARER LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD-EXKLUSIV ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, 8-BIT-PRIORITÄTSENCODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, PROGRAMMIERBARER TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD, BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTETER 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HIGH-SPEED-CMOS, HEX-INVERTER MIT OFFENEM DRAIN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95824-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 8-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96845 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 4K
DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-D-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87553 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DUAL1-VON-4-DECODER/DEMULTIPLEXER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96533 REV D-2013 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 4-WIDE 2-EINGANG UND-ODER-INVERT-GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96556 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIELLES EIN-/PARALLELAUS-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96584 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT-BINÄR-VOLLADDER MIT FAST CARRY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96556 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIAL-IN/PARALLEL-OUT-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96584 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT-BINÄR-VOLLADDER MIT FAST CARRY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96556 REV G-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIELLES EIN-/PARALLELAUS-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96556 REV H-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIAL-IN/PARALLEL-OUT-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02511 REV E-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT, PULSWEITENMODULATOR MIT DOPPELTEM AUSGANG UND SEU-SCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02511 REV F-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT, PULSWEITENMODULATOR MIT DOPPELTEM AUSGANG UND SEU-SCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02511 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT, PULSWEITENMODULATOR MIT DOPPELTEM AUSGANG UND SEU-SCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKT, STRAHLENGEHÄRTET, TRANSISTOR-WERT, N- UND P-KANAL, SILIZIUM, VERSCHIEDENE TYPEN JANHC UND JANKC
DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACH, 2 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96550 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DOPPELTER 4-ZEILIGE-ZU-1-ZEILE-DATENSELEKTOR/MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96602 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, FIFO-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NAND/AND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD EXKLUSIV ODER UND EXKLUSIV NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 18-STUFIGES STATISCHES REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96625 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, ZÄHLER/TEILER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD TRUE/COMPLEMENT PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, DUAL-UP-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4X4 MULTIPORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4X4 MULTIPORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES ADVANCED CMOS, 9-BIT-GENERATORPRÜFUNG MIT UNGERADE/GERADE PARITÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL 4 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACH, 2 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-VOLLADDER MIT FAST CARRY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-10230-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16-MEG
DLA SMD-5962-10229 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16-MEG X 40-BIT
DLA SMD-5962-10230 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16-MEG
DLA SMD-5962-96753 REV B-2009 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, TAKT- UND WARTEZUSTANDS-ERZEUGUNGSKREIS, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96525 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER-SCHMITT-TRIGGER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96525 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER-SCHMITT-TRIGGER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96525 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER-SCHMITT-TRIGGER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95693 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER MIT AKTIVEM ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96603 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HEX-SCHMITT-TRIGGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96652 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, QUAD-BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 4-BIT-D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96667 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, DOPPELTER 4-BIT-LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96680 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, DOPPELTER 4-BIT-LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96728-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STATISCHER 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, MULTIPLEXER MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95818 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 8-BIT-EINGANG/AUSGANGSPORT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96535 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DUAL-D-FLIP-FLOP MIT CLEAR UND PRESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96535 REV E-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DUAL-D-FLIP-FLOP MIT CLEAR UND PRESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96545 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 3-ZEILEN-BIS 8-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96558 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIAL/PARALLEL-IN, SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96561 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 4-BIT-BINÄR-SYNCHRONZÄHLER AUF/AB, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96543 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACHER NAND-SCHMITT-TRIGGER MIT 2 EINGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96558 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIAL/PARALLEL-IN, SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96561 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 4-BIT-BINÄR-SYNCHRONZÄHLER AUF/AB, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96558 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIAL/PARALLEL-IN, SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96552 REV D-2013 MIKROKREISLAUF, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, VIERFACHER 2-ZEILIGEN BIS 1-ZEILIGER DATENSELEKTOR/MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95630 REV H-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTEN, EINZELNER 16-KANAL-ANALOG-MUX/DEMUX MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95757 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, SYNCHRONER 4-BIT BINÄRER AUF/ABZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95753 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, DOPPELTER 2-BIS-4-LEITUNGSDECODER/DEMULTIPLEXER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96565 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, SYNCHRONER 4-BIT AUF/AB-BINÄRZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96565 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, SYNCHRONER 4-BIT AUF/AB-BINÄRZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95630 REV J-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTEN, EINZELNER 16-KANAL-ANALOG-MUX/DEMUX MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96583 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-GENERATOR/CHECKER MIT UNGERADE/GERADE PARITÄT, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96583 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-GENERATOR/CHECKER MIT UNGERADE/GERADE PARITÄT, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95630 REV M-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTEN, EINZELNER 16-KANAL-ANALOG-MUX/DEMUX MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95630 REV N-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTEN, EINZELNER 16-KANAL-ANALOG-MUX/DEMUX MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, LOOK-AHEAD-CARRY-GENERATOR FÜR ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96599 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, 9-BIT-PARITÄTSGENERATOR/CHECKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96614 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, DUAL MONOSTABLE MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, DUAL-KOMPPLEMENTÄRPAAR PLUS INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96620 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HEX-PUFFER/KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96623 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 8-STUFIGES STATISCHES VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96626 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, VOREINSTELLBARER TEILER-DURCH-N-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96633 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, VIERCLOCKIGER D-VERRIEGELUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96635 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER CMOS, MONOSTABIL/ASTABILER MULTIVIBRATOR MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96647 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 64-STUFIGES STATISCHES VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER CMOS, ANALOGER 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96706 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES ADVANCED CMOS, 4-BIT-BINÄR-SYNCHRONZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95691 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95692 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95713 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER CMOS-PROGRAMMIERBARER INTERVALL-TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97512 REV D-2005 MIKROKREISLAUF, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, DOPPELBREITBAND, UNKOMPENSIERTER OPERATIONSVERSTÄRKER MIT HOHER EINGANGSSIMPEDANZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95777 REV A-1998 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIV ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, QUAD 2-INPUT EXKLUSIV ODER GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95829 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HEX-PUFFER/KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-08241-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512 K
DLA SMD-5962-10202 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1 MEG
DLA SMD-5962-10203-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2MEG
DLA SMD-5962-96555 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS. STRAHLUNGSGEHÄRTERTER, SYNCHRONER, VOREINSTELLBARER 4-BIT-BINÄRZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96547 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, DOPPELTER 2-ZEILEN-BIS 4-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96577 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, LOOK-AHEAD-CARRY-GENERATOR FÜR ZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, ADVANCED CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, ADVANCED CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, ADVANCED CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06243 REV B-2011 Mikroschaltung, digital, strahlungsgehärtetes CMOS, 16-Bit-Puffer/Leitungstreiber, TTL-kompatible Eingänge und Drei-Zustands-Ausgänge, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-96767 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLUNGSGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT, NIEDRIGE LEISTUNG, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER MIT PROGRAMMIERBARER AUSGANGSBEGRENZUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER, PROGRAMMIERBARER SKEW-TAKTPUFFER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-07210-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT (4M), STRAHLUNGSGEHÄRTET, NIEDERSPANNUNGS-SRAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT (4M), STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHER 3-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96538 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, VIERFACH, 2-EINGÄNGE, EXKLUSIV ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96584 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT-BINÄR-VOLLADDER MIT FAST CARRY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96601 REV A-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, 4-BIT BIDIREKTIONALES UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96613 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, GATED JK MASTER-SLAVE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96645 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, QUAD-NIEDER-HOCHSPANNUNGS-LEVEL-SHIFTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96648 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, DEKADENZÄHLER/TEILER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96650 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, MULTIFUNKTIONS-ERWEITERBARES GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96675 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 8-BIT ADRESSIERBARER LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96676 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, SYNCHRON PROGRAMMIERBARE 4-BIT-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96766 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 256 x 8 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95690 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, VIERFACH GERÄUSCHARM, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95790 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL 4-EINGANG-MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-BUSPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-BUSPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06238 REV B-2009 MIKROKREIS, DIGITAL, ADVANCED CMOS STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT-UNIVERSAL-SHIFT-/SPEICHERREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV F-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06239 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT PARALLELFEHLERERKENNUNG UND KORREKTURSCHALTUNG, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06239 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT PARALLELFEHLERERKENNUNG UND KORREKTURSCHALTUNG, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT BUSHALTE- UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96586 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, NICHT INVERTIERENDER HEX-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV G-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Group Standards of the People's Republic of China, Blattstrahlung

T/CIRA 32-2022 Strahlungsbearbeitung zur Herstellung von Schaumstoffplatten mittels Elektronenstrahl

RO-ASRO, Blattstrahlung

STAS 10138-1975 Eindringmittel-Strahlungsprüfung. Anleitungen für die Betrachtung von Röntgenbildern

Standard Association of Australia （SAA）, Blattstrahlung

AS/NZS 1338.3:2012 Filter für Augenschutz, Teil 3: Filter zum Schutz vor Infrarotstrahlung
AS/NZS 1338.2:2012 Filter für Augenschutz, Teil 2: Filter zum Schutz vor ultravioletter Strahlung
AS/NZS 1338.1:2012 Filter für Schutzbrillen – Filter zum Schutz vor Strahlung, die beim Schweißen und damit verbundenen Vorgängen entsteht

British Standards Institution (BSI), Blattstrahlung

21/30434141 DC BS EN 55011 Fragmente 2, 6-7. Anforderungen an abgestrahlte Emissionen über 1 GHz
PD ISO/TR 20772:2018 Augenoptik. Brillengläser. Kurzwellige sichtbare Sonnenstrahlung und das Auge
BS EN 207:2017 Persönliche Augenschutzausrüstung. Filter und Augenschutz gegen Laserstrahlung (Laser-Augenschutz)
BS EN ISO 28927-7:2010 Handgeführte tragbare Elektrowerkzeuge. Prüfverfahren zur Bewertung der Vibrationsemission. Knabber und Scheren
BS EN ISO 28927-7:2009 Handgeführte tragbare Elektrowerkzeuge – Prüfverfahren zur Bewertung der Schwingungsemission – Knabber und Scheren
PD CEN ISO/TS 19392-3:2022 Farben und Lacke. Beschichtungssysteme für Rotorblätter von Windkraftanlagen. Bestimmung und Bewertung der Beständigkeit gegen Regenerosion mittels Wasserstrahl

Professional Standard - Aviation, Blattstrahlung

HB 6742-1993 Bestimmung der Kristallorientierung von Einzelkristallblättern durch Röntgen-Backblow-Laue-Fotografie
HB 20116-2012 Prüfverfahren zur Eigenspannungsanalyse an Flugzeugtriebwerksschaufeln mittels Röntgenbeugung
HB 20117-2012 Testverfahren zur computertomographischen (CT) Untersuchung von Gussteilen von Leitschaufeln von Flugtriebwerken

Professional Standard - Electron, Blattstrahlung

SJ 20750-1999 Spezifikation für strahlungsgehärtete einkristalline Siliziumwafer für integrierte CMOS-Schaltungen im Militärbereich

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Blattstrahlung

JEDEC JEP133B-2005 Leitfaden für die Herstellung und Beschaffung von Multichip-Modulen und Hybrid-Mikroschaltkreisen mit garantierter Strahlungshärte

American Society of Heating, Refrigerating and Air-Conditioning Engineers (ASHRAE), Blattstrahlung

ASHRAE AT-01-10-1-2001 Die Auswirkungen der Kalorimeterneigung auf den nach innen fließenden Anteil der absorbierten Sonnenstrahlung in einer Jalousie

German Institute for Standardization, Blattstrahlung

DIN 6800-4:2000 Verfahren der Dosimetrie mit Sondendetektoren für Photonen- und Elektronenstrahlung - Teil 4: Filmdosimetrie
DIN EN 207:2017-05 Persönliche Augenschutzausrüstung – Filter und Augenschutz gegen Laserstrahlung (Laser-Augenschutz); Deutsche Fassung EN 207:2017
DIN 15586-3:1985 Prüfung der mechanischen Eigenschaften strahlungsempfindlicher Filmmaterialien; Bestimmung der Dimensionsänderung von fotografischen Filmen und Papieren
DIN 6800-4:2000-12 Verfahren der Dosimetrie mit Sondendetektoren für Photonen- und Elektronenstrahlung - Teil 4: Filmdosimetrie

International Organization for Standardization (ISO), Blattstrahlung

ISO/TR 20772:2018 Augenoptik - Brillengläser - Kurzwellige sichtbare Sonnenstrahlung und das Auge
ISO 28927-7:2009 Handgeführte tragbare Elektrowerkzeuge – Prüfverfahren zur Bewertung der Schwingungsemission – Teil 7: Knabber und Scheren

Association Francaise de Normalisation, Blattstrahlung

FD S11-490*FD ISO/TR 20772:2019 Augenoptik - Brillengläser - Kurzwellige sichtbare Sonnenstrahlung und das Auge
FD ISO/TR 20772:2019 Augenoptik - Brillengläser - Das Auge und die sichtbare kurzwellige Sonnenstrahlung
NF EN 207:2017 Individueller Augenschutz – Filter und Augenschutz gegen Laserstrahlung (Laserschutzbrille)
NF E90-321-7*NF EN ISO 28927-7:2010 Handgeführte tragbare Elektrowerkzeuge – Prüfverfahren zur Bewertung der Schwingungsemission – Teil 7: Knabber und Scheren

Professional Standard - Construction Industry, Blattstrahlung

JGJ/T 479-2019 Technischer Anwendungsstandard für selbstbegrenzende Niedertemperatur-Strahlungsheizsysteme mit elektrischem Heizgerät

未注明发布机构, Blattstrahlung

ASTM F947-85(1996) Standardtestmethode zur Bestimmung der Empfindlichkeit fotografischer Filme gegenüber geringer Röntgenstrahlung
DIN EN 207:2002 Persönlicher Augenschutz – Filter und Augenschutz gegen Laserstrahlung (Laser-Augenschutz)

IN-BIS, Blattstrahlung

IS 6963-1973 Bildmarkierung auf Verpackungen, die fotografisches Material enthalten, das gegenüber Strahlungsenergie empfindlich ist

ES-UNE, Blattstrahlung

UNE-EN 207:2018 Persönliche Augenschutzausrüstung – Filter und Augenschutz gegen Laserstrahlung (Laser-Augenschutz)

Professional Standard - Tobacco, Blattstrahlung

YC/T 236-2008 Tabak und Tabakprodukte. Zerstörungsfreie Erkennung des Sortenverhältnisses der Streifendichte im Gehäuse. Methode mit ionisierender Strahlung

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Blattstrahlung

GB/T 31786-2015 Tabak und Tabakprodukte. Zerstörungsfreie Bestimmung des Variationsverhältnisses der Streifendichte im Gehäuse. Methode mit ionisierender Strahlung

American National Standards Institute （ANSI), Blattstrahlung

ANSI/PIMA IT2.46-1997 Fotografie – Industrieller Röntgenfilm – Bestimmung der ISO-Empfindlichkeit und des durchschnittlichen Gradienten bei Einwirkung von Röntgen- und Y-Strahlung (wie ANSI/ISO 7004-1987)

International Electrotechnical Commission (IEC), Blattstrahlung

IEC TR2 61223-2-2:1993 Auswertung und Routinetests in medizinischen Bildgebungsabteilungen; Teil 2-2: Konstanzprüfungen; Röntgenkassetten und Filmwechsler; Film-Bildschirm-Kontakt und relative Empfindlichkeit der Bildschirm-Kassetten-Einheit