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Pseudocapacitancia de óxido

Pseudocapacitancia de óxido, Total: 498 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Pseudocapacitancia de óxido son: Resistencias, Aislamiento, Accesorios electricos, químicos inorgánicos, Metales no ferrosos, Condensadores, Redes de transmisión y distribución de energía., Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Pilas y baterías galvánicas., válvulas, Materiales aislantes, Fluidos aislantes, Componentes para equipos eléctricos., Materiales magnéticos, Productos de hierro y acero., Aparamenta y control, Comunicaciones de fibra óptica., Productos de la industria química., Equipos para industrias de petróleo y gas natural., Calidad del aire, Vaso, Óptica y medidas ópticas., Centrales eléctricas en general, Aceites y grasas comestibles. Semillas oleaginosas, Papel y cartón, Residuos, Celdas de combustible, Productos de metales no ferrosos., Alambres y cables eléctricos., Química analítica, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Protección de y en edificios, Plástica, Materiales para la construcción aeroespacial., Calidad del suelo. Pedología, Cerámica, Radiocomunicaciones.

GOSTR, Pseudocapacitancia de óxido

• GOST 28309-1989 Condensadores fijos de aluminio electrolítico de óxido. Métodos de prueba a prueba de explosiones

Defense Logistics Agency, Pseudocapacitancia de óxido

• DLA DSCC-DWG-01001-2001
• DLA DESC-DWG-89021 REV E-2013 CONDENSADORES, FIJOS, POLARIZADOS ELECTROLÍTICOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, ESR ULTRABAJO
• DLA DESC-DWG-88022 REV D-2009 CONDENSADORES, FIJOS, ELECTROLÍTICOS, POLARIZADOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, MONTAJE EN UN SOLO EXTREMO
• DLA DESC-DWG-88022 REV E-2010 CONDENSADORES, FIJOS, ELECTROLÍTICOS, POLARIZADOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, MONTAJE EN UN SOLO EXTREMO
• DLA DSCC-DWG-89021 REV D-2004 CONDENSADORES, FIJOS, POLARIZADOS ELECTROLÍTICOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, ESR ULTRABAJO
• DLA DSCC-DWG-88022 REV C-2000 CONDENSADORES, FIJOS, ELECROLÍTICOS, POLARIZADOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, MONTAJE EN UN SOLO EXTREMO
• DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 CONDENSADORES, FIJOS, POLARIZADOS ELECTROLÍTICOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, MONTAJE A PRESIÓN, PERFIL BAJO
• DLA DESC-DWG-89085 REV D-2009 CONDENSADORES, FIJOS, POLARIZADOS ELECTROLÍTICOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, MONTAJE A PRESIÓN, PERFIL BAJO
• DLA DSCC-DWG-89012 REV C-2006 CONDENSADORES FIJOS, POLARIZADOS ELECTROLÍTICOS, ÓXIDO DE ALUMINIO, TORNILLO BAJO
• DLA MIL-C-39018/10 B-2009 CONDENSADORES FIJOS ELECTROLÍTICOS (ÓXIDO DE ALUMINIO) (POLARIZADOS), CONFIABILIDAD ESTABLECIDA, ESTILO CUR92 (AISLADOS)
• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CAMBIADOR DE NIVEL DE TENSIÓN HEXAGONAL PARA OPERACIÓN TTL A CMOS O CMOS A CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-39018/2 F-2009 CONDENSADORES FIJOS ELECTROLÍTICOS (ÓXIDO DE ALUMINIO) (NO POLARIZADOS), ESTILOS CU14 (NO AISLADOS) Y CU15 (AISLADOS)
• DLA MIL-PRF-39018/6 D-2009 CONDENSADORES FIJOS ELECTROLÍTICOS (ÓXIDO DE ALUMINIO) (POLARIZADOS), CONFIABILIDAD ESTABLECIDA ESTILO CUR91 (AISLADOS)
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, COMPARADOR DE IDENTIDAD DE 8 BITS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 RESISTENCIA SENSIBLE AL VOLTAJE (VARISTOR, ÓXIDO METÁLICO), CHIP
• DLA A-A-55562 A-2001 RESISTENCIA SENSIBLE AL VOLTAJE (VARISTOR, ÓXIDO METÁLICO), CHIP
• DLA SMD-5962-89630 REV A-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, RECEPTOR DE LÍNEA DIFERENCIAL COMPATIBLE CON DOBLE CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 MICROCIRCUITO, MICROPROCESADOR, RELOJ EN TIEMPO REAL COMPATIBLE, SILICIO MONOLÍTICO CMOS
• DLA A-A-55564/3 B-2004 RESISTENCIA, SENSIBLE AL VOLTAJE (VARISTOR), ÓXIDO METÁLICO, CONDUCCIÓN RADIAL
• DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 MICROCIRCUITOS, LINEALES, CMOS, FILTRO DE CONDENSADOR DE CONMUTACIÓN DOBLE DE ALTO RENDIMIENTO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95762-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, BÚFER/CONDUCTOR DE RELOJ CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-39018/7 C-2009 CONDENSADORES FIJOS ELECTROLÍTICOS (ÓXIDO DE ALUMINIO) (POLARIZADOS), (CUATRO TERMINALES), CONFIABILIDAD ESTABLECIDA ESTILO CUR19 (AISLADOS)
• DLA SMD-5962-89734 REV E-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89746 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND DE 8 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89844 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, 8 ENTRADAS EXCLUSIVAS O PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 Resistencia, sensible al voltaje (varistor, óxido metálico), chip
• DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RADIACIÓN ENDURECIDO, CMOS AVANZADO, TRIPLE PUERTA NAND DE 3 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89709 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89843 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE PUERTA NAND DE 3 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA A-A-55564/2 B-2012 RESISTENCIA, SENSIBLE AL VOLTAJE (VARISTOR), ÓXIDO METÁLICO, ALTA ENERGÍA
• DLA SMD-5962-89703 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE TRES ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89751 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, LATCH DIRECCIONABLE DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92181 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, QUAD 2 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92182 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRIPLE PUERTA NAND DE 3 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RÁPIDO, CMOS, REGISTRO NO INVERSOR DE 10 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88624-1988 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR DIVIDENCIA POR N PROGRAMABLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, REGISTRO NO INVERSOR DE 9 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90652 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR DE 8 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-94532-1994 MICROCIRCUITO, CMOS, MICROPROCESADOR DE 64 BITS
• DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-83530 C-2008 RESISTENCIAS SENSIBLES A LA TENSIÓN (VARISTOR, ÓXIDO DE METAL), ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
• DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 Resistencia, sensible al voltaje (varistor, óxido metálico), chip, estilo 0603
• DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 Resistencia, sensible al voltaje (varistor, óxido metálico), chip, estilo 0805
• DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 Resistencia, sensible al voltaje (varistor, óxido metálico), chip, estilo 1206
• DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 Resistencia, sensible al voltaje (varistor, óxido metálico), chip, estilo 1210
• DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 Resistencia, sensible al voltaje (varistor, óxido metálico), chip, estilo 0402
• DLA A-A-55564/3 C-2012 RESISTENCIA, SENSIBLE AL VOLTAJE (VARISTOR), ÓXIDO METÁLICO, CONDUCCIÓN RADIAL
• DLA QPL-83530-7-2004 RESISTENCIAS SENSIBLES A LA TENSIÓN (VARISTOR, ÓXIDO DE METAL), ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
• DLA SMD-5962-89731-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES RÁPIDOS CMOS TRANSCEPTOR DE 8 BITS CON PARIDAD COMPATIBLE TTL SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89890 REV A-1999
• DLA SMD-5962-90669-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO, COMPATIBLE TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90687 REV C-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, CUÁDRUPLE 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS O PUERTA CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88756 REV C-2004
• DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, COMPROBADOR DE GENERADOR DE PARIDAD IMPAR/PAR DE 9 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97528-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS POSITIVAS-NOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97571-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS POSITIVAS-NOR, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA A-A-59260 VALID NOTICE 2-2009 compuesto eliminador de corrosión, base de hidróxido de sodio; para aplicación electrolítica o de inmersión
• DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE BAJA TENSIÓN, PUERTA NAND POSITIVA CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE BAJA TENSIÓN, CUÁDRUPLE POSITIVA Y PUERTA DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90505 REV A-2005
• DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, PESTILLO OCTAL TRANSPARENTE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 MICROCIRCUITOS DIGITALES, BINARIO PREAJUSTABLE SÍNCRONO CMOS RÁPIDO, CONTADOR, COMPATIBLE TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND TRIPLE DE TRES ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRIPLE DE 3 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRIPLE 3 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND DE 8 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS O PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND TRIPLE DE 3 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DOBLE 4 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA QPL-39018-72-2007 CONDENSADORES FIJOS ELECTROLÍTICOS (ÓXIDO DE ALUMINIO), CONFIABILIDAD ESTABLECIDA Y CONFIABILIDAD NO ESTABLECIDA, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
• DLA A-A-55562/2 A-2001 RESISTOR, SENSIBLE AL VOLTAJE (VARISTOR, ÓXIDO METÁLICO), CHIP, ESTILO 0805
• DLA SMD-5962-89688 REV C-2004 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS AVANZADOS, MULTIPLEXOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89689 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, MULTIPLEXOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO DE TRANSPORTE DE ONDULACIÓN DE 12 ETAPAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, MULTIPLEXOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR DE ONDULACIÓN BINARIA DE 14 ETAPAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, REGISTRO OCTAL D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, QUAD DOS ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON HABILITACIÓN DE RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, TRIPLE 3 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96736-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CONVERTIDOR DE NIVEL DE INTERFAZ CMOS/TTL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89638-1989 MICROCIRCUITO LINEAL, CONTROLADOR DE MODO CORRIENTE CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, DECODIFICADOR 1 DE 8, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, GENERADOR DE TRANSPORTE LOOK-Ahead PARA CONTADORES, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, PUERTA DE BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE CMOS DE ALTA VELOCIDAD AVANZADA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, PUERTA DE BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE CMOS DE ALTA VELOCIDAD AVANZADA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS UNIVERSAL DE 18 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR DE ONDULACIÓN DE DÉCADA DOBLE, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, SUMADOR COMPLETO BINARIO DE 4 BITS CON TRANSPORTE RÁPIDO, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90574-1990 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BCD SINCRÓNICO DE 8 BITS, TTL, COMPATIBLE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, 8 BITS, COMPATIBLE CON MICROPROCESADOR, CONVERTIDOR A/D CON PISTA/HOLD, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BUFFER CUÁDRUPLE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90654 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MUTIPLEXOR/DEMULTIPLEXOR ANALÓGICO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-93097 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, GENERADOR DE SINCRONIZACIÓN DE VIDEO PROGRAMABLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, COMPATIBLE CON MICROPROCESADOR, CONVERTIDORES DIGITALES A ANALÓGICOS DOBLES DE 12 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 MICROCIRCUITO, CMOS, INTERRUPTOR ANALÓGICO CUADRÍCULO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CIRCUITO DE GENERACIÓN DE ESTADO DE ESPERA Y RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE 16 BITS CON RESISTENCIAS SERIE 25 OMEGA Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, BUFFER/CONDUCTOR DE LÍNEA DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND QUAD DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND QUAD DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PESTILLO TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92206-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, MULTIPLEXOR DE 8 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDO, REGISTRO DE PUERTO DOBLE CUÁDRUPLE, COMPATIBLE CON TTL, GIRO DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, LATCH SR CUÁDRUPLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, SUMADOR COMPLETO BINARIO DE 4 BITS CON TRANSPORTE RÁPIDO, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96761-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, CONTROLADOR DE RELOJ DE 1 LÍNEA A 8 LÍNEAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR DE ONDULACIÓN BINARIA DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CODIFICADOR DE PRIORIDAD DE LÍNEA DE 10 A 4, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR BINARIO DOBLE DE CUATRO ETAPAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, MULTIPLEXOR DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR SINCRÓNICO BINARIO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR/REGISTRO DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER DE RELOJ SESGADO PROGRAMABLE, ENTRADAS Y SALIDAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89745 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DE 3 A 8 LÍNEAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89771 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO DE 14 ETAPAS CON OSCILADOR, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90686-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL CON SALIDAS DE DRENAJE ABIERTO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88705 REV A-2003
• DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 MICROCIRCUITO LINEAL, CIRCUITO DE SUPERVISIÓN POR MICROPROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-94745-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT CONFIGURACIÓN SERIE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, EXCLUSIVO NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN AJUSTABLE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, SILICIO MONOLÍTICO CONVOLVER BIDIMENSIONAL
• DLA QPL-39018-2012 Condensadores fijos, electrolíticos (óxido de aluminio), de confiabilidad establecida y de confiabilidad no establecida, especificaciones generales para
• DLA MIL-PRF-39018/4 E-2009 CONDENSADORES FIJOS ELECTROLÍTICOS (ÓXIDO DE ALUMINIO) (POLARIZADOS), CONFIABILIDAD NO ESTABLECIDA Y CONFIABILIDAD ESTABLECIDA ESTILOS CU71 (AISLADOS) Y CUR71 (AISLADOS)
• DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CIRCUITO DE DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL CON DISPARADOR SCHMITT, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, LATCH TRANSPARENTE DE 10 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88674-1988 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDOS, 8 BITS, NO INVERSORES, REGISTROS DE INTERFAZ DE BUS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88757 REV B-2006
• DLA SMD-5962-94709-1994 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, CONTROLADOR BANG-BANG, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y DRIVERS DE LÍNEA/MOS DRIVER CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, CONTROLADOR DE MEMORIA BUS/MOS DE 10 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-39018 F-2006 CONDENSADORES FIJOS ELECTROLÍTICOS (ÓXIDO DE ALUMINIO), CONFIABILIDAD ESTABLECIDA Y CONFIABILIDAD NO ESTABLECIDA, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
• DLA SMD-5962-94750-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RED DE ACCESO CONTROLADA EN SERIE CMOS, CONVERTIDOR PARALELO/SERIE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SALIDAS CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, BÚFER CUADRÍCULO NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PESTILLO TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, PUERTA BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP TIPO D DOBLE DISPARADOR DE BORDE POSITIVO CON ENTRADAS CLARAS Y PREAJUSTADAS, COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, PESTILLO TIPO D TRANSPARENTE OCTAL CMOS DE ALTA VELOCIDAD AVANZADO CON SALIDAS DE 3 ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, BUFFER/DRIVER DE 16 BITS CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO SINCRÓNICO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, INTERRUPTOR DE INTERCAMBIO DE BUS DE 10 BITS CON TRES SALIDAS DE ESTADO Y CAMBIO DE NIVEL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA QPL-39018-72 NOTICE 1-2008 Condensadores fijos electrolíticos (óxido de aluminio), confiabilidad establecida y confiabilidad no establecida, especificación general para
• DLA QPL-39018-QPD-2010 Condensadores fijos electrolíticos (óxido de aluminio), confiabilidad establecida y confiabilidad no establecida, especificación general para
• DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTADOR BINARIO DUAL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, QUAD D LATCH, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CODIFICADOR-DESCODIFICADOR SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-94533-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 16 X 16, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS 16 X 16 MULTIPLICADOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP DUAL JK CON SET Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE ENTRADA EN SERIE/SALIDA PARALELA DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89741-1990 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE CAMBIO DE 8 BITS CON LATCH I/P, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, MULTIPLEXOR DOBLE DE 4 ENTRADAS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR ARRIBA/ABAJO BINARIO DE 4 BITS CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88675-1988 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDO, PESTILLO DE INTERFAZ DE BUS NO INVERSOR DE 8 BITS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89436 REV A-2006
• DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE FLASH ALTERABLE ELÉCTRICAMENTE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, PUERTAS NAND, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96803-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, INVERSOR HEXAGONAL CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLO OCTAL TRANSPARENTE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97529-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE BAJA TENSIÓN, TRANSCEPTOR Y REGISTRADOR DE BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RESISTENTE A LA RADIACIÓN, BUFFER/CONDUCTOR DE LÍNEA DE 16 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RESISTENTE A LA RADIACIÓN, TRANSCEPTOR BIDIRECCIONAL DE 16 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89599 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, MULTIPLEXOR DE 8 ENTRADAS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89693 REV B-1999 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS AVANZADOS, FLIP-FLOP QUAD D, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL, INVERSOR, DE TRES ESTADOS, SALIDAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87757 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP HEXAGONAL TIPO D CON RESET MAESTRO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90514 REV A-2006
• DLA SMD-5962-88651 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, LATCH TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88704 REV A-2003
• DLA SMD-5962-89556 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, LATCH OCTAL TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89557 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE ELÉCTRICAMENTE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-06208-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR GENERADOR DE RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO

Professional Standard - Machinery, Pseudocapacitancia de óxido

• JB/T 9670-2014 Óxido de zinc para el varistor de los descargadores de sobretensiones de óxido metálico.
• JB/T 7777.2-1995 Plata, estaño, óxido, indio, material de contacto eléctrico, método de análisis químico, método volumétrico DETA para la determinación del contenido de indio.
• JB/T 7777.2-2008 Método de prueba para el análisis químico de materiales de contacto eléctrico de óxido de plata-óxido de indio.Parte 2: Determinación de indio
• JB/T 7774.1-1995 Plata Óxido de zinc Material de contacto eléctrico Método de análisis químico EDTA Método volumétrico Determinación del contenido de zinc
• JB/T 7774.1-2008 Métodos de prueba para el análisis químico de material de contacto eléctrico de óxido de plata y zinc. Parte 1: Determinación del contenido de zinc.
• JB/T 8444-2015 Especificación para contactos eléctricos de óxido metálico de plata mediante método de pulvimetalurgia.
• JB/T 8444-1996 Especificación técnica para contactor eléctrico de óxido metálico de plata del método pulvimetalúrgico.

Professional Standard - Electron, Pseudocapacitancia de óxido

• SJ/T 11484-2015 Vidrio recubierto de óxido conductor transparente tipo óxido de zinc dopado con aluminio
• SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
• SJ 53516/5-2002 Condensadores fijos electrolíticos (óxido de aluminio), tipo CD351, especificación detallada para
• SJ/T 10282-1991 Dimensiones de los núcleos ETD de óxido magnético destinados a su uso en aplicaciones de suministro de energía
• SJ 20451-1994 Compuesto epoxi aislante eléctrico relleno de sílice coloidal para encapsulado y encapsulación.
• SJ/T 2743-2013 Dimensiones de los núcleos de óxido magnético (núcleos EC) para fuentes de alimentación
• SJ/T 2743-1987 Dimensiones de los núcleos de óxido magnético destinados a su uso en fuentes de alimentación (núcleos EC)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Pseudocapacitancia de óxido

• KS C 4808-2011(2016) Descargadores de sobretensiones de óxido metálico con carcasa de polímero sin espacios para línea de distribución
• KS D ISO 12169:2001 Óxido de níquel-Determinación del contenido de níquel-Método de deposición electrolítica
• KS D ISO 12169:2013 Óxido de níquel－Determinación del contenido de níquel－Método de deposición electrolítica
• KS M ISO 8309:2003 Fluidos hidrocarbonados ligeros refrigerados-Medición de niveles de líquidos en tanques que contienen gases licuados-Medidores eléctricos de capacitancia
• KS M ISO 8309:2013 Fluidos de hidrocarburos ligeros refrigerados－Medición de niveles de líquidos en tanques que contienen gases licuados－Medidores de capacitancia eléctrica
• KS C IEC 60647:2008 Dimensiones de los núcleos de óxido magnético destinados a su uso en fuentes de alimentación (núcleos EC)
• KS C IEC 60647-2008(2018) Dimensiones de los núcleos de óxido magnético destinados a su uso en fuentes de alimentación (núcleos EC)
• KS C 4808-2011(2021) Descargadores de sobretensiones de óxido metálico con carcasa de polímero sin espacios para línea de distribución
• KS C IEC 60384-3:2018 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos. Parte 3: Especificaciones seccionales. Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje superficial con electrolito sólido de dióxido de manganeso.
• KS C IEC 60099-4:2021 Descargadores de sobretensiones. Parte 4: Descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Pseudocapacitancia de óxido

• GB/T 34869-2017 Varistor de óxido metálico para la protección de conjuntos de baterías de condensadores de compensación en serie.
• GB/T 34582-2017 Métodos de prueba de rendimiento de celda única y pila para celdas de combustible de óxido sólido (SOFC)
• GB/T 32996-2016 Análisis químico de superficies: análisis de películas de óxido metálico mediante espectrometría de emisión óptica de descarga luminosa.

BE-NBN, Pseudocapacitancia de óxido

• NBN T 03-348-1981 Boratos de sodio brutos para uso industrial. Determinación del contenido de óxido de sodio y óxido bórico. Método volumétrico.
• NBN T 03-345-1981

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Pseudocapacitancia de óxido

• GB/T 8762.1-1988 Óxido de itrio y óxido de europio de grado fósforo. Determinación del contenido total de óxidos de tierras raras. Método volumétrico con EDTA.
• GB/T 18115.1-2000 Óxido de lantano: determinación del contenido de óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.2-2000 Óxido de cerio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.5-2000 Óxido de samario: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.6-2000 Óxido de gadolinio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.7-2000 Óxido de terbio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.9-2000 Óxido de holmio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.8-2000 Óxido de disprosio: determinación de óxido de lantano, óxido de ceriurmo, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de luteclum y óxido de itrio.
• GB/T 18115.4-2000 Óxido de neodinio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.10-2000 Óxido de erbio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 18115.3-2000 Óxido de praseodimio: determinación de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
• GB/T 13397-2008 Especificación técnica para contactos eléctricos de óxido metálico de plata mediante método de oxidación interna de aleación.
• GB 13397-1992 Especificación técnica para contactos eléctricos de óxido metálico de plata mediante método de oxidación interna de aleación.
• GB/T 12690.1-1990 Óxido de lantano--Determinación de óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de nedeodinio, óxido de samario y óxido de itrio--Método espectrográfico de emisión atómica de plasma acoplado indebidamente
• GB/T 12690.28-2000 Metales de tierras raras y sus óxidos-Determinación del contenido de óxido de calcio-Método espectrográfico de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente
• GB/T 15245-2002 Análisis cuantitativo de óxidos de elementos de tierras raras (REE) mediante microanálisis con sonda electrónica (EPMA)
• GB/T 27746-2011 Especificación técnica para varistores de óxido metálico (MOV) utilizados en aparatos de baja tensión
• GB/T 2951.37-1994 Método de prueba para determinar las propiedades mecánicas y físicas de cables y alambres eléctricos. Prueba de tiempo inductivo oxidativo.
• GB/T 30984.2-2014 Vidrio solar.Parte 2: Vidrio recubierto de óxido conductor transparente.
• GB/T 18882.3-2002 Métodos de análisis químico para óxido mixto de tierras raras de mineral RE de tipo absorbido por iones-Determinación del contenido relativo de quince REO-Método espectrográfico de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente
• GB/T 18802.331-2007 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje. Parte 331: Especificación para varistores de óxido metálico (MOV)
• GB/T 41917-2022 Nanotecnologías: resonancia de espín electrónico (ESR) como método para medir especies reactivas de oxígeno (ROS) generadas por nanomateriales de óxido metálico

American Society for Testing and Materials (ASTM), Pseudocapacitancia de óxido

• ASTM F1153-92(1997) Método de prueba estándar para la caracterización de estructuras de metal-óxido-silicio (MOS) mediante mediciones de capacitancia-voltaje
• ASTM B101-02 Especificación estándar para láminas y tiras de cobre recubiertas de plomo para la construcción de edificios
• ASTM B101-01 Especificación estándar para láminas y tiras de cobre recubiertas de plomo para la construcción de edificios
• ASTM B101-96 Especificación estándar para láminas y tiras de cobre recubiertas de plomo para la construcción de edificios
• ASTM B1019-21 Método de prueba estándar para la determinación de óxidos superficiales en varillas de cobre (para fines eléctricos)
• ASTM D2112-01a(2007) Método de prueba estándar para la estabilidad a la oxidación de aceite aislante mineral inhibido mediante recipientes a presión
• ASTM E1720-95 Método de prueba estándar para determinar la biodegradabilidad definitiva y lista de productos químicos orgánicos en una prueba de producción de CO2 en un recipiente sellado
• ASTM E1720-01 Método de prueba estándar para determinar la biodegradabilidad definitiva y lista de productos químicos orgánicos en una prueba de producción de CO2 en un recipiente sellado
• ASTM E1720-01(2008) Método de prueba estándar para determinar la biodegradabilidad definitiva y lista de productos químicos orgánicos en una prueba de producción de CO2 en un recipiente sellado
• ASTM D2112-15 Método de prueba estándar para la estabilidad a la oxidación de aceite aislante mineral inhibido mediante recipientes a presión
• ASTM UOP291-13 Cloruro total en catalizadores de alúmina y sílice-alúmina mediante digestión por microondas y valoración potenciométrica

HU-MSZT, Pseudocapacitancia de óxido

• MSZ 11433/7-1981 KOZMETIKAI K?SZ?TM?NYEK FIZIKAI ?SK?MIAI VIZSGALATAI Oxidálható anyagtartalom meghatározása
• MSZ KGST 978-1978 ¿CONTENIDO DE ÓXIDO DE MAGNESIO Y ÓXIDO DE CALCIO? T?Z?LL? DETERMINACIÓN DEL CONTENIDO DE ÓXIDO DE SODIO (Na2 O) Y ÓXIDO DE POTASIO (K20) DE MATERIALES Y FABRICANTES MEDIANTE EL MÉTODO FOTOMÉTRICO DE LANG
• MSZ 19791-1969 ÓXIDO DE ZINC con tecnología galvánica para este fin
• MSZ 21456/12-1979 ¿EL AIRE? ANÁLISIS DE CONTAMINANTES DE COMBUSTIBLES Determinación de oxígeno y sustancias oxidantes.
• MNOSZ 19086-1954 DISCO CELULAR TRI?R?PENY
• MSZ 21862/12-1978 MUNKAHELYEK G?Z?LLAPOT? L?GSZENNYEZ?INEK VIZSG?LATA Akrilaldehid (akrolein) tartalom meghatározása
• MSZ 5200/10.lap-1957 ER?MOVI V?ZVIZSG?LATOK K?LIUM PERM ANQAN?TTAL OXID?LHAT? ANYAGOK MEGHAT?ROZ?SA

RU-GOST R, Pseudocapacitancia de óxido

• GOST 27550-1987 Condensadores fijos de aluminio con electrolito no sólido. Especificaciones generales
• GOST 21215-1975 Papel óxido aislante eléctrico. Especificaciones
• GOST 32433-2013 Pruebas de productos químicos de peligro ambiental. Fácil biodegradabilidad - CO2 en recipientes sellados
• GOST ISO 27107-2016 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido mediante el método potenciométrico del punto final
• GOST R ISO 27107-2010 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido mediante determinación potenciométrica del punto final

United States Navy, Pseudocapacitancia de óxido

• NAVY QPL-16923-QPD-2011 Compuesto aislante, eléctrico, de empotrar, epoxi
• NAVY QPL-16923-58 NOTICE 3-2008 Compuesto aislante, eléctrico, de empotrar, epoxi

工业和信息化部, Pseudocapacitancia de óxido

• HG/T 6066-2022 Óxido de magnesio para cables con aislamiento mineral
• YD/T 2972-2015 Varistor de óxido metálico para protección de comunicaciones.

Professional Standard - Rare Earth, Pseudocapacitancia de óxido

• XB/T 613.2-2010 Métodos de análisis químico de óxido de cerio-terbio. Parte 2: Determinación de óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, lutecio.
• XB/T 613.1-2010 Métodos de análisis químico de óxido de cerio-terbio. Parte 1: Determinación del contenido de óxido de cerio y óxido de terbio. Espectrometría de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, Pseudocapacitancia de óxido

• DB15/T 925-2015 Método de análisis químico para impurezas de tierras no raras en óxidos de tierras raras individuales Determinación de óxido de aluminio, óxido de cromo, óxido de manganeso, óxido de cobalto, óxido de níquel, óxido de cobre, óxido de zinc, óxido de plomo, óxido de cadmio y óxido de arsénico por induc

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Pseudocapacitancia de óxido

• GJB 10185-2021 Especificaciones generales para condensadores electrolíticos sólidos de óxido de niobio en chip.
• GJB 3794-1999 Especificación para aleaciones de óxidos metálicos a base de plata para contacto eléctrico
• GJB 3794A-2018 Especificación para materiales procesados para contacto eléctrico con óxidos metálicos a base de plata.

国家能源局, Pseudocapacitancia de óxido

• NB/T 10193-2019 Terminología de pilas de combustible de óxido sólido
• NB/T 10452-2026 Aceite de soja epoxi para aislar condensadores de película metalizada líquida.
• NB/T 10820-2021 Método de prueba de celda única de celda de combustible de óxido sólido
• NB/T 10821-2021 Método de prueba de pila de combustible de óxido sólido
• NB/T 42152-2018 Requisitos técnicos generales para resistencias de óxido metálico no lineales.

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Pseudocapacitancia de óxido

• IEEE Std C62.11-2020 Descargadores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de potencia de corriente alterna
• IEEE Std C62.11-1999 Descargadores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (1 kV)
• IEEE Std C62.11-1993 Descargadores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de potencia de corriente alterna
• IEEE 2404-2016 Estándar IEEE para catalizadores tipo placa de óxido de nitrógeno (DeNOx) para centrales eléctricas
• IEEE Std 2404-2016 Estándar IEEE para catalizadores tipo placa de óxido de nitrógeno (DeNOx) para centrales eléctricas
• IEEE Std C62.11-2005 Descargadores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (1 kV)
• IEEE Std C62.22-1991 Guía para la aplicación de descargadores de sobretensiones de óxido metálico para sistemas de corriente alterna.
• IEEE P2404/D3.0, December 2015 Proyecto de norma aprobado por IEEE para catalizadores tipo placa de óxido de nitrógeno (DeNOx) para centrales eléctricas
• IEEE Std C62.22-2009 Guía IEEE para la aplicación de supresores de sobretensiones de óxido metálico para sistemas de corriente alterna
• IEEE Std C62.11-2012 Estándar IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (1 kV)
• ANSI/IEEE Std C62.11-1987 Estándar IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA
• IEEE Std C62.11-1987 Estándar IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA
• P2404/D3.0, December 2015 Proyecto de norma aprobado por IEEE para catalizadores tipo placa de óxido de nitrógeno (DeNOx) para centrales eléctricas
• IEEE Std C62.22-1997 Guía IEEE para la aplicación de supresores de sobretensiones de óxido metálico para sistemas de corriente alterna
• IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D12A, August 2012 Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D11, February 2012 Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Borrador de norma IEEE para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)

TR-TSE, Pseudocapacitancia de óxido

• TS 3319-1979 ÁCIDO CLORHÍDRICO PARA USO INDUSTRIAL DETERMINACIÓN DE SUSTANCIAS OXIDANTES O REDUCTORAS MÉTODO VOLUMÉTRICO
• TS 1809-1975 ÁCIDO BÓRICO, ÓXIDO BÓRICO, TETRABORATOS DE DISODIO Y BORATOS DE SODIO EN BRUTO PARA USO INDUSTRIAL — DETERMINACIÓN DE COMPUESTOS DE AZUFRE — MÉTODO VOLUMÉTRICO

Group Standards of the People's Republic of China, Pseudocapacitancia de óxido

• T/ZZB 0333-2018 Batería alcalina de dióxido de manganeso y zinc LR6/LR03 de alta capacidad y respetuosa con el medio ambiente
• T/CAB 0156-2022 Sensor de gas MEMS de óxido metálico para electrodomésticos inteligentes
• T/ZZB 2775-2022 Hidróxido compuesto de níquel, cobalto y manganeso para baterías de iones de litio
• T/CECA 27-2017 Especificación general para varistores de óxido metálico con especificaciones de confiabilidad.
• T/CEC 221-2019 Normas técnicas generales para resistencias de óxido metálico de alto gradiente y bajo voltaje residual

中华人民共和国环境保护部, Pseudocapacitancia de óxido

• 环发[2010]10号 Política técnica para la prevención y control de óxidos de nitrógeno en centrales térmicas

U.S. Air Force, Pseudocapacitancia de óxido

• AIR FORCE MIL-DTL-25666 F VALID NOTICE 2-2008 Convertidor, oxígeno líquido, medición de tipo capacitancia, especificación general para
• AIR FORCE MIL-DTL-25666F (1)-2000 CONVERTIDOR, OXÍGENO LÍQUIDO, MEDICIÓN TIPO CAPACITANCIA, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
• AIR FORCE MIL-DTL-25666F NOTICE 1-1996 CONVERTIDOR, OXÍGENO LÍQUIDO, MEDICIÓN TIPO CAPACITANCIA, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
• AIR FORCE MIL-DTL-25666F-1995 CONVERTIDOR, OXÍGENO LÍQUIDO, MEDICIÓN TIPO CAPACITANCIA, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
• AIR FORCE QPL-25666-4 NOTICE 1-2008 Convertidor, Oxígeno Líquido, Medición de Tipo Capacitancia, Especificaciones Generales

Professional Standard - Energy, Pseudocapacitancia de óxido

• NB/T 10452-2020 Aceite de soja epoxi para aislar condensadores de película metalizada líquida.
• NB/T10820-2021 Método de prueba de celda única de celda de combustible de óxido sólido
• NB/T10821-2021 Método de prueba de pila de combustible de óxido sólido
• NB/T 42059-2015 Seccionadores de descargadores de sobretensiones de óxido metálico para sistemas de CA.
• NB/T 10671-2021 Directrices técnicas generales de seguridad para módulos de pilas de combustible de óxido sólido
• DL/T 815-2021 Descargador de sobretensiones de óxido metálico con cubierta compuesta para líneas de transmisión de CA
• NB/T 10670-2021 Métodos de prueba de membranas de electrolitos de pilas de combustible de óxido sólido Parte 1: Membranas autoportantes
• NB/T10670-2021 Métodos de prueba para membranas de electrolitos de pilas de combustible de óxido sólido Parte 1: Membranas autoportantes

Association Francaise de Normalisation, Pseudocapacitancia de óxido

• NF ISO 9285:2017 Abrasivos de grano y roca: análisis químico de óxido de aluminio electrofundido
• NF S91-141:1990 BIODEGRADABILIDAD DE ALEACIONES DENTALES. ESTANDARIZACIÓN DE ENSAYOS ELECTROQUÍMICOS.
• NF EN ISO 14593:2005 Calidad del agua - Evaluación en medio acuoso de la biodegradabilidad aeróbica última de compuestos orgánicos - Método mediante análisis de carbono inorgánico en recipientes herméticamente cerrados (ensayo de CO2 en el espacio de cabeza)
• NF C52-310*NF EN 125100:1991 Especificación seccional: Núcleos de óxido magnético para aplicaciones de inductores
• NF C93-112-3:2008 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 3: especificación seccional: condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje superficial con electrolito sólido de dióxido de manganeso.
• NF C93-112-3*NF EN 60384-3:2016 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 3: Especificación seccional: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje en superficie con electrolito sólido de dióxido de manganeso (MnO2)
• NF EN 60455-3-2:2003 Compuestos de resinas reactivas utilizadas como aislantes eléctricos - Parte 3: especificaciones para materiales particulares - Hoja 2: compuestos de resinas epoxi cargadas con sílice
• NF T60-273:2009 Grasas y aceites animales y vegetales - Determinación del índice de peróxidos - Determinación potenciométrica del punto final.
• NF T60-273*NF EN ISO 27107:2010 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido. Determinación potenciométrica del punto final.
• NF EN ISO 27107:2010 Grasas de origen animal y vegetal - Determinación del índice de peróxidos - Determinación con punto de parada potenciométrico
• NF C65-101/A1:2006 Descargadores de sobretensiones - Parte 4: descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA.
• NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 Descargadores de sobretensiones - Parte 9: descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para estaciones convertidoras HVDC
• NF EN 60384-3-1:2008 Condensadores fijos utilizados en equipos electrónicos - Parte 3-1: Marco de especificaciones particulares: Condensadores electrolíticos fijos de tantalio para montaje en superficie, con electrolito sólido de dióxido de manganeso - Nivel de...

API - American Petroleum Institute, Pseudocapacitancia de óxido

• API 26-60045-1978 EFECTOS DE LOS ÓXIDOS DE NITRÓGENO@ MONÓXIDO DE CARBONO Y OXIDANTES FOTOQUÍMICOS EN EL ECG DURANTE EL EJERCICIO Y EN LA FUNCIÓN CARDIOPULMONAR - INFORME FINAL

RO-ASRO, Pseudocapacitancia de óxido

• STAS 145/28-1978 ACEITES Y GRASAS VEGETALES Determinación de ácidos grasos oxidados no solubles en éter de petróleo

YU-JUS, Pseudocapacitancia de óxido

• JUS C.T7.228-1984 Oxidación anódica de aluminio y aloles de aluminio. Medición del espesor de recubrimientos de óxido. Método de corrientes de Foucault
• JUS N.A8.222-1993 Especificación para compuestos resinosos polimerizables sin disolventes utilizados en aislamiento eléctrico - Especificaciones para materiales individuales - Compuestos resinosos epoxi sin carga

German Institute for Standardization, Pseudocapacitancia de óxido

• DIN IEC 60647:1990 Núcleos de óxido magnético; Núcleos EC destinados a su uso en fuentes de alimentación; dimensiones; idéntico a IEC 60647:1979
• DIN 38404-6:1984-05 Métodos estándar alemanes para el análisis de agua, aguas residuales y lodos; parámetros físicos y fisicoquímicos (grupo C); determinación del potencial de oxidación-reducción (redox) (C 6)
• DIN EN 60384-4:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 4: Especificación seccional - Condensadores electrolíticos de aluminio con electrolito sólido (MnO2) y no sólido (IEC 60384-4:2007); Versión alemana EN 60384-4:2007
• DIN 46464:1981-05 Alambres para enrollar; cables de resistencia redondos aislados con óxido; condiciones técnicas de entrega
• DIN EN ISO 27107:2010-08 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido. Determinación potenciométrica del punto final (ISO 27107:2008, versión corregida 2009-05-15); Versión alemana EN ISO 27107:2010
• DIN 38404-6 Berichtigung 1:2018-12 Métodos estándar alemanes para el examen de agua, aguas residuales y lodos - Parámetros físicos y fisicoquímicos (grupo C) - Parte 6: Determinación del potencial de oxidación-reducción (redox) (C 6); Corrección 1
• DIN EN 60099-4:2010 Descargadores de sobretensiones - Parte 4: Descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA (IEC 60099-4:2004, modificada + A1:2006 + A2:2009); Versión alemana EN 60099-4:2004 + A1:2006 + A2:2009
• DIN EN 60384-3:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos. Parte 3: Especificación seccional: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje superficial con electrolito sólido de dióxido de manganeso (IEC 60384-3:2006); Versión alemana EN 60384-3:2006
• DIN EN 60384-4-2:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 4-2: Especificación detallada en blanco - Condensadores electrolíticos de aluminio fijos con electrolito sólido (MnO) - Nivel de evaluación EZ (IEC 60384-4-2:2007); Versión alemana EN 60384-4-2:2007
• DIN EN 60384-18:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 18: Especificación seccional - Condensadores electrolíticos fijos de aluminio de montaje superficial con electrolito sólido (MnO) y no sólido (IEC 60384-18:2007); Versión alemana EN 60384-18:2007
• DIN EN 60384-3-1:2007-08 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 3-1: Especificación detallada en blanco: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje en superficie con electrolito sólido de dióxido de manganeso - Nivel de evaluación EZ (IEC 60384-3-1:2006); Versión alemana EN 60384-3...
• DIN EN 60384-3-1 Berichtigung 1:2009-07 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 3-1: Especificación detallada en blanco: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje en superficie con electrolito sólido de dióxido de manganeso - Nivel de evaluación EZ (IEC 60384-3-1:2006); Versión alemana EN 60384-3...

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Pseudocapacitancia de óxido

• IEEE C62.11-1987 NORMA PARA PROTECTORES DE SOBRETENSIÓN DE ÓXIDO METÁLICO PARA CIRCUITOS DE ENERGÍA DE CA
• IEEE C62.11-1993 Norma para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de potencia de corriente alterna
• IEEE C62.11-1999 Estándar para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• IEEE C62.11-2012 Descargadores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (>1 kV)
• IEEE C62.11-2005 Estándar para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (>1 kV)
• IEEE PC62.11/D2.0-2019 Proyecto de norma para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (>1 kV)

Professional Standard - Aviation, Pseudocapacitancia de óxido

• HB/Z 5085.1-1999 Método analítico de solución de galvanoplastia de cadmio en método volumétrico de EDTA de galvanoplastia de cianuro para determinar el contenido de óxido de cadmio
• HB/Z 5096.1-2004 Métodos para el análisis de soluciones de revestimiento de plomo. Parte 1: Determinación del contenido de óxido de plomo mediante el método volumétrico de EDTA.
• HB/Z 5095.1-2004 Métodos para el análisis de soluciones de revestimiento de latón con cianuración: parte 1: Determinación continua del contenido de cianato de cobre (II) y óxido de zinc mediante el método volumétrico EDTA

International Organization for Standardization (ISO), Pseudocapacitancia de óxido

• ISO 11950:2016 Productos de estaño reducidos en frío: acero electrolítico recubierto de cromo/óxido de cromo
• ISO 1918:1972 Ácido bórico, óxido bórico, tetraboratos de disodio y boratos de sodio en bruto para uso industrial; Determinación de compuestos de azufre; Método volumétrico
• ISO 27107:2008 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido. Determinación potenciométrica del punto final.
• ISO/TS 25138:2019 Análisis químico de superficies. Análisis de películas de óxido metálico mediante espectrometría de emisión óptica de descarga luminosa.
• ISO/TS 25138:2010 Análisis químico de superficies: análisis de películas de óxidos metálicos mediante espectrometría de emisión óptica de descarga luminosa.

American National Standards Institute （ANSI), Pseudocapacitancia de óxido

• ANSI/IEEE C62.11:2005 Estándar para supresores de sobretensiones de óxido metálico para circuitos de alimentación de CA (> 1 kV)
• ANSI/IEEE C62.22:2009 Guía para la aplicación de supresores de sobretensiones de óxido metálico para sistemas de corriente alterna

International Electrotechnical Commission (IEC), Pseudocapacitancia de óxido

• IEC 60384-3:2006 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos. Parte 3: Especificación seccional: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje superficial con electrolito sólido de dióxido de manganeso.
• IEC 61185/AMD1:1995 Núcleos de óxido magnético (núcleos ETD) destinados a su uso en aplicaciones de suministro de energía - Dimensiones; Enmienda 1
• IEC 60384-3:2016 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos. Parte 3: Especificaciones seccionales. Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje superficial con electrolito sólido (MnO2).
• IEC 60647:1979 Dimensiones de los núcleos de óxido magnético destinados a su uso en fuentes de alimentación (núcleos EC)
• IEC 60384-3:2006/COR1:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 3: Especificaciones seccionales - Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje superficial con electrolito sólido de dióxido de manganeso; Corrección 1
• IEC 60384-3-1:2006 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 3-1: Especificación detallada en blanco: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje en superficie con electrolito sólido de dióxido de manganeso - Nivel de evaluación EZ
• IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV Descargadores de sobretensiones - Parte 4: Descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA
• IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV Descargadores de sobretensiones - Parte 4: Descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA

IN-BIS, Pseudocapacitancia de óxido

• IS 1885 Pt.12-1966 VOCABULARIO ELECTROTÉCNICO PARTE Ⅻ MATERIALES DE ÓXIDOS FERROMAGNÉTICOS
• IS 13342-1992 Dimensiones de los núcleos de óxido magnético destinados a su uso en aplicaciones de suministro de energía.

CEN - European Committee for Standardization, Pseudocapacitancia de óxido

• PREN 12574-4-2015 Contenedores de residuos estacionarios - Parte 4: Mecatrónica de residuos

British Standards Institution (BSI), Pseudocapacitancia de óxido

• BS EN 60384-4:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Especificación seccional - Condensadores electrolíticos de aluminio con electrolito sólido (MnO2) y no sólido
• BS EN 60384-3:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Especificación seccional: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje en superficie con electrolito sólido de dióxido de manganeso
• BS EN ISO 27107:2010
• BS EN ISO 27107:2008 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido. Determinación potenciométrica del punto final.
• BS EN 60384-3:2006 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos. Parte 3: Especificaciones seccionales: Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje superficial con electrolito sólido de dióxido de manganeso.
• 15/30323523 DC BS EN 12574-4. Contenedores de residuos estacionarios. Parte 4. Mecatrónica de residuos
• BS EN 61643-331:2003 Dispositivos de protección contra sobretensiones de baja tensión. Especificación para varistores de óxido metálico (MOV)
• BS ISO 27107:2008 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido. Determinación potenciométrica del punto final.
• BS ISO 4907-3:2023 Plástica. Resina de intercambio iónico - Determinación de la capacidad de intercambio de resinas de intercambio aniónico en forma de hidróxido
• BS EN 60384-4-2:2007 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos. Parte 4-2: Especificaciones detalladas en blanco. Condensadores electrolíticos de aluminio fijos con electrolito sólido (MnO). Nivel de evaluación EZ.
• BS EN 60384-4-2:2008 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos. Especificación detallada en blanco. Condensadores electrolíticos fijos de aluminio con electrolito sólido (MnO2). Nivel de evaluación EZ
• BS EN 60099-4:2004+A2:2009 Descargadores de sobretensiones. Parte 4: Descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA.
• BS EN 60099-4:2004 Descargadores de sobretensiones - Descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA
• BS EN 60099-4:2014 Pararrayos. Descargadores de sobretensiones de óxido metálico sin espacios para sistemas de CA
• BS EN 60384-3-1:2006 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Parte 3-1: Especificación detallada en blanco - Condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje en superficie con electrolito sólido de dióxido de manganeso - Nivel de evaluación EZ
• BS EN 60384-3-1:2008 Condensadores fijos para uso en equipos electrónicos - Especificación detallada en blanco: condensadores electrolíticos de tantalio fijos de montaje en superficie con electrolito sólido de dióxido de manganeso - Nivel de evaluación EZ

Association of German Mechanical Engineers, Pseudocapacitancia de óxido

• VDI 3475 Blatt 2-2005 Control de emisiones - Instalaciones para residuos biológicos - Compostaje y (co)digestión anaeróbica - Capacidades de planta de hasta aprox. 6000 mg/a
• VDI 3475 Blatt 1-2003 Control de emisiones - Instalaciones de tratamiento de residuos biológicos - Compostaje y digestión anaeróbica; Capacidades de planta de más de aprox. 6000 mg/a

CZ-CSN, Pseudocapacitancia de óxido

• CSN 70 0632 Cast.1-1986 Métodos de prueba de vidrio. Análisis químico del vidrio. Determinación de óxido de plomo. Método volumétrico con complexona 3 (después de la separación electrolítica)
• CSN 44 1875-1983 Bauxita. Determinación de óxido de vanadio. Los métodos potenciométricos y fotométricos.

U.S. Military Regulations and Norms, Pseudocapacitancia de óxido

• ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL MULTICHIP CMOS SCO/DLA
• ARMY MIL-M-48646-1986 MICROCIRCUITO DIGITAL MULTICHIP CMOS SCO/DLA
• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
• ARMY MIL-M-63530-1981 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DE ESPECIFICACIÓN MILITAR, DIGITAL, CMOS (LOGICA INICIAL)
• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA INICIAL)
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA INICIAL)
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA FINAL)
• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 CIRCUITO INTEGRADO, DIGITAL, CONTROL CMOS Y BASE DE TIEMPO, MONOLÍTICO, SILICIO
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