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Telururo de molibdeno bipolar

Telururo de molibdeno bipolar, Total: 11 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Telururo de molibdeno bipolar son: Accesorios electricos, Elementos de fijación para la construcción aeroespacial, Circuitos integrados. Microelectrónica, Física. Química, Dispositivos semiconductores, ingenieria electrica en general.

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, Telururo de molibdeno bipolar

• REPORT M.2175-2010 Técnica de transmisión simultánea de polarización lineal dual que utiliza cancelación digital de polarización cruzada para sistemas SMS

Defense Logistics Agency, Telururo de molibdeno bipolar

• DLA DSCC-DWG-87109 REV C-2002 CONECTORES, RECEPTÁCULO, ELÉCTRICO, CARCASAS DE PESTILLO, POLARIZADOS, DOBLE FILA, POSTES .025
• DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTA NAND POSITIVA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTA NAND POSITIVA, SILICIO MONOLÍTICO

British Standards Institution (BSI), Telururo de molibdeno bipolar

• BS EN 2870:1996 Pernos de cabeza bihexagonal normal, vástago normal de estrecha tolerancia, rosca corta, de aleación de titanio, anodizados, lubricados con MoS2 - Clasificación: 1100 MPa (a temperatura ambiente) /315 °C
• BS PD IEC/TS 62607-4-1:2014 Nanofabricación. Características clave de control. Nanomateriales catódicos para baterías de iones de litio. Caracterización electroquímica, método de celda de 2 electrodos.
• 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2. Método de prueba para la degradación bipolar mediante diodo corporal en funcionamiento.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Telururo de molibdeno bipolar

• KS C IEC TS 62607-4-1:2019 Nanofabricación. Características de control clave. Parte 4-1: Nanomateriales catódicos para el almacenamiento de energía eléctrica mediante nanotecnología. Caracterización electroquímica, métodos de celdas de 2 electrodos.

KR-KS, Telururo de molibdeno bipolar

• KS C IEC TS 62607-4-1-2019 Nanofabricación. Características de control clave. Parte 4-1: Nanomateriales catódicos para el almacenamiento de energía eléctrica mediante nanotecnología. Caracterización electroquímica, métodos de celdas de 2 electrodos.

International Electrotechnical Commission (IEC), Telururo de molibdeno bipolar

• IEC 63275-2:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.

AT-OVE/ON, Telururo de molibdeno bipolar

• OVE EN IEC 63275-2:2021 Dispositivos semiconductores - Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo (IEC 47/2680/CDV) (versión en inglés)

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