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Láser semiconductor de cavidad externa
Láser semiconductor de cavidad externa, Total: 51 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Láser semiconductor de cavidad externa son: Equipo medico, Optoelectrónica. Equipo láser, Aplicaciones de la tecnología de la información., Comunicaciones de fibra óptica., Circuitos integrados. Microelectrónica, Pruebas ambientales, Química analítica.
British Standards Institution (BSI), Láser semiconductor de cavidad externa
- BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- BS EN 61207-7:2013 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- BS EN 61207-7:2014 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- BS IEC 63068-3:2020 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia - Método de prueba para defectos mediante fotoluminiscencia
国家药监局, Láser semiconductor de cavidad externa
- YY/T 1751-2020 Equipo de tratamiento con láser instrumento de terapia de irradiación intranasal con láser semiconductor
Professional Standard - Electron, Láser semiconductor de cavidad externa
- SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
- SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
- SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
- SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
- SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
- SJ 2684-1986 Dimensiones físicas del dispositivo emisor de luz de semiconductor
- SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
- SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
- SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
- SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
- SJ 50923/2-1995 Especificación detallada para la caja metálica tipo G2-01B-M1,G2-01B-Z1 para dispositivos semiconductores fotosensibles
- SJ 50923/1-1995 Especificación detallada para los tipos A6-02A-M2（Z2）y A6-01B-M1（Z1）caja metálica para fotoacopladores semiconductores
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Láser semiconductor de cavidad externa
- GB/T 31358-2015 Especificaciones generales para láseres semiconductores.
- GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
- GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
- GB/T 21548-2008 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
- GB/T 18904.2-2002 Dispositivos semiconductores-Parte 12-2: Dispositivos optoelectrónicos-Especificación detallada en blanco para módulos de diodos láser con pigtail para sistemas o subsistemas de fibra óptica
Group Standards of the People's Republic of China, Láser semiconductor de cavidad externa
International Electrotechnical Commission (IEC), Láser semiconductor de cavidad externa
- IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
- IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- IEC 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- IEC 61207-7:2013/COR1:2015 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables; Corrección 1
- IEC 60747-12-2:1995 Dispositivos semiconductores - Parte 12: Dispositivos optoelectrónicos - Sección 2: Especificación detallada en blanco para módulos de diodos láser con pigtail para sistemas y subsistemas de fibra óptica
Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Láser semiconductor de cavidad externa
IET - Institution of Engineering and Technology, Láser semiconductor de cavidad externa
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Láser semiconductor de cavidad externa
- GB/T 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
International Organization for Standardization (ISO), Láser semiconductor de cavidad externa
- ISO/TS 17915:2013 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- ISO 17915:2018 Óptica y fotónica: método de medición de láseres semiconductores para detección.
American National Standards Institute （ANSI), Láser semiconductor de cavidad externa
Professional Standard - Post and Telecommunication, Láser semiconductor de cavidad externa
- YD/T 1687.1-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 1: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa refrigerado de 2,5 Gbit/s
- YD/T 1687.2-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 2: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa no refrigerado de 2,5 Gbit/s
European Committee for Standardization (CEN), Láser semiconductor de cavidad externa
- CWA 17857:2022 Sistema adaptador basado en lentes para acoplar fibra óptica a láseres semiconductores infrarrojos
(U.S.) Telecommunications Industries Association , Láser semiconductor de cavidad externa
- TIA-455-128-1996 Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
- TIA-455-128-1996(2014) Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Láser semiconductor de cavidad externa
- GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Láser semiconductor de cavidad externa
- GB/T 21548-2021 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Láser semiconductor de cavidad externa
- DB13/T 5120-2019 Especificaciones para la prueba de rendimiento de CC de chips láser semiconductores FP y DFB para comunicación óptica
Association Francaise de Normalisation, Láser semiconductor de cavidad externa
RU-GOST R, Láser semiconductor de cavidad externa
- GOST R 59740-2021 Óptica y fotónica. Láseres semiconductores para la determinación de bajas concentraciones de sustancias. Métodos para medir características.
RO-ASRO, Láser semiconductor de cavidad externa
- STAS 12258/6-1987 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS DIODOS EMM1TING INFRARROJOS Terminología y características esenciales
German Institute for Standardization, Láser semiconductor de cavidad externa
- DIN EN 61207-7:2015 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013