ZH
RU
EN
potencial de oxidación medio
potencial de oxidación medio, Total: 500 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en potencial de oxidación medio son: Circuitos integrados. Microelectrónica, Calidad del agua, Calidad del suelo. Pedología, Dispositivos semiconductores, Centrales eléctricas en general, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Accesorios electricos, Química analítica, Tratamiento superficial y revestimiento., Metales no ferrosos, Componentes y accesorios para equipos de telecomunicaciones., pruebas de metales, Productos de caucho y plástico., Minerales no metalíferos, válvulas, Aceites y grasas comestibles. Semillas oleaginosas, Ingeniería de energía y transferencia de calor en general., Esterilización y desinfección, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Calidad del aire, Vocabularios, Materiales para la construcción aeroespacial., Protección del medio ambiente, Cerámica, Circuitos impresos y placas., químicos inorgánicos, Componentes electrónicos en general., Pruebas eléctricas y electrónicas., Materiales de construcción, Frutas. Verduras, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Minas y canteras, Productos de la industria química., ingeniería de energía nuclear, Vaso, Productos de metales no ferrosos., Comunicaciones de fibra óptica., Pilas y baterías galvánicas., Materiales magnéticos, Combustibles, Refractarios, Residuos, Filtros electricos, Materiales conductores.
Defense Logistics Agency, potencial de oxidación medio
- DLA SMD-5962-94532-1994 MICROCIRCUITO, CMOS, MICROPROCESADOR DE 64 BITS
- DLA SMD-5962-94533-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, REGISTRO DE CAMBIO ESTÁTICO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, BUFFER INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CORRELADOR DE SALIDA DE 64 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CHMOS, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92331-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRANSFORMADOR DE COORDENADAS, 16X16 BIT, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, 16 BITS, MICROPROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94537-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UNIDAD DE PROCESAMIENTO DE MEMORIA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ALU EN CASCADA DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR DE MATRIZ DE 12 X 10 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, DUAL DE 12 BITS, CONVERTIDOR DIGITAL A ANALÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONDUCTOR DE BUS DE ENGANCHE OCTAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77056-1977 MICROCIRCUITOS DIGITALES CMOS HEXAGONAL ABIERTO BÚFERS DE CANAL N
- DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 MICROCIRCUITO LINEAL, CONVERTIDOR A/D CMOS DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 MICROCIRCUITOS LINEALES, CMOS, 14 BITS, CONVERTIDOR ANALÓGICO A DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, 16 BITS, CONVERTIDOR ANALÓGICO A DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 MICROCIRCUITO LINEAL CMOS CONVERTIDOR ANALÓGICO A DIGITAL DE 12 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE PUERTO DOBLE DE PUNTA FLOTANTE DE 96 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 MICROCIRCUITO LINEAL, CONVERTIDOR A/D, 12 BITS, CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84088 REV D-2001
- DLA SMD-5962-89446-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO DE LONGITUD VARIABLE DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CAMBIADOR DE NIVEL DE TENSIÓN HEXAGONAL PARA OPERACIÓN TTL A CMOS O CMOS A CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96683-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS ENDURECIDO POR RADIACIÓN, UNIDAD LÓGICA ARITMÉTICA DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE 1 A 64 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94542-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, COPROCESADOR DE RED DE ÁREA LOCAL DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89665-1989 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RÁPIDO, CMOS, REGISTROS CON BUFFER DE 9 BITS DE ANCHO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE ALTA INTEGRACIÓN DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERFAZ PARALELA DE 8-16 BITS/ TEMPORIZADOR DE SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MICROPROCESADOR DE 16 BITS Y 8/16 BITS DE SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002
- DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 MICROCIRUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP DUAL JK CON SET Y RESET, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89731-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES RÁPIDOS CMOS TRANSCEPTOR DE 8 BITS CON PARIDAD COMPATIBLE TTL SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 MICROCIRCUITO, CMOS, MULTIPLICACIÓN CON BÚFER DE 12 BITS, CONVERTIDOR DIGITAL A ANALÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, FLIP-FLOP HEX D, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, NMOS, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR PARALELO DE 16 X 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94564-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL DE USO GENERAL DE 24 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, CONVERTIDOR D/A DE VIDEO DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 MICROCIRCUITO LINEAL CMOS DE 12 BITS CONVERTIDOR A/D DE ALTA VELOCIDAD SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, DUAL, CMOS, 12 BITS, CONVERTIDOR D/A, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94608-1994
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, COMPARADOR DE IDENTIDAD DE 8 BITS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88568-1988 MICROCIRCUITOS DIGITALES, NMOS, MONOCOMPONENTE, MICROCOMPUTADORA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRANSCEPTOR OCTAL PI-BUS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 MICROCIRCUITOS LINEALES, CONVERTIDOR A/D FLASH CMOS DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90512-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, HMOS, MICROCOMPUTADORA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRANSCEPTOR REGISTRADO TTL/BTL DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89707-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR DE DÉCADA BCD, RESET SINCRÓNICO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, MEMORIA, DIGITAL, MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO ESTÁTICO, CMOS, 128K X 8 BITS
- DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, DIGITAL, MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO ESTÁTICO, CMOS, 128K X 32 BITS
- DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR SLICE DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL SIN BUFFER, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84073 REV G-2006
- DLA SMD-5962-90501 REV A-2006
- DLA SMD-5962-89772-1992 MICROCIRCUITO, CHMOS, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS CON BUS EXTERNO DE 8 BITS O 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77031 REV A-1979 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, CONTADOR/DIVISOR BINARIO DE 14 ETAPAS RIPPLE-CARRY Y OSCILADOR
- DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, CONVERTIDOR A/D FLASH DE 6 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, FLASH A/D DE 8 BITS, CONVERTIDOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, GENERADOR/VERIFICADOR DE PARIDAD DE NUEVE BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, HCMOS 8 ENTRADAS, NOR/O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES, NMOS, 256 X 4 RAM ESTÁTICA (SRAM) SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO SINCRÓNICO DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDOS, REGISTRO DE CAMBIO UNIVERSAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, 12 BITS, CONVERTIDOR D/A MULTIPLICADOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL DE 56 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE CAMBIO UNIVERSAL DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, COMPATIBLE CON MICROPROCESADOR, CONVERTIDORES DIGITALES A ANALÓGICOS DOBLES DE 12 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, PROM REGISTRADO 8K X 8-BIT, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS DE ALTA VELOCIDAD BÚFER HEXAGONAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS DE ALTA VELOCIDAD BÚFER HEXAGONAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94611 REV R-2004
- DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE CAMBIO DOBLE DE 4 ETAPAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UNIDAD DE DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90590 REV B-2002
- DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE CAMBIO DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE CAMBIO DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR DE 16 X 16 BITS, ACUMULADOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, 8 BITS, CONVERTIDOR A/D CON PISTA/HOLD, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89533-1989 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RÁPIDO, CMOS, TRANSCEPTOR NO INVERSOR DE 10 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, QUAD, INTERFAZ SERIE, CONVERTIDOR D/A DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR ARRIBA/ABAJO DE DÉCADA SINCRÓNICO DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UNIDAD DE DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 MICROCIRCUITO, MEMORIA, HÍBRIDA Y MONOLÍTICA, DIGITAL, MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO ESTÁTICA, CMOS, 256K X 8-BIT
- DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ENLAZADORES DE RUTA DE ESCANEO CON BUS ID DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, EXTENSIÓN DE PROCESADOR NUMÉRICO DE 80 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 MICROCIRCUITOS DE MEMORIA DIGITAL, CMOS, EEPROM SERIE DE 512 X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP DUAL JK CON SET Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE ENTRADA EN SERIE/SALIDA PARALELA DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89741-1990 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE CAMBIO DE 8 BITS CON LATCH I/P, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87808 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR DE DÉCADA ARRIBA/ABAJO SINCRÓNICO DE 4 BITS CON RESET ASÍNCRONO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89436 REV A-2006
- DLA SMD-5962-84074 REV E-2002
- DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE ENTRADA/SALIDA PARALELA DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS DE ALTA VELOCIDAD BÚFER OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS DE ALTA VELOCIDAD OCTAL FLIP-FLOP TIPO D CON SILICIO MONOLÍTICO TRANSPARENTE
- DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, PUERTAS DE BUFFER OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, LATCH DIRECCIONABLE DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89989-1990 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 RAM ESTÁTICA (SRAM), SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RÁPIDO, CMOS, REGISTRO NO INVERSOR DE 10 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, REGISTRO NO INVERSOR DE 9 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88661-1989 MICROCIRCUITO, DIGITAL, TRANSCEPTOR DE BUS NO INVERSOR CMOS RÁPIDO DE 9 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS ENDURECIDO POR RADIACIÓN, REGISTRO DE CAMBIO ESTÁTICO DOBLE DE 64 ETAPAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84089 REV D-2002
- DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, REGISTRO DE CAMBIO/PESTILLO DE 8 ETAPAS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONVERTIDOR D/A CMOS MULTIPLICADOR DOBLE DE 12 BITS CON BÚFER, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR BIDIRECCIONAL DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP HEXAGONAL TIPO D CON RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, BÚFER DE RELOJ OSIADO PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLOS TIPO D OCTAL TRANSPARENTES CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE ENTRADA EN SERIE/SALIDA PARALELA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, DUAL DE 12 BITS, CMOS MULTIPLICADOR DE DOBLE BÚFER, CONVERTIDOR DIGITAL A ANALÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS AVANZADOS, TRANSCEPTOR/REGISTRO OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89732-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES, RÁPIDOS, CMOS, BUFFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDA DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON RESET MAESTRO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89951-1990 MICROCIRCUITOS DE MEMORIA DIGITAL NMOS 256 X 4 BIT RAM ESTÁTICA NO VOLÁTIL SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92345 REV B-2001 MICROCIRCUITO, CMOS, 12 BITS, ENTRADA SERIE, MULTIPLICACIÓN, CONVERTIDOR DIGITAL A ANALÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE CAMBIO UNIVERSAL BIDIRECCIONAL DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM 128K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96736-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CONVERTIDOR DE NIVEL DE INTERFAZ CMOS/TTL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS MICROCONTROLADOR DE 16 BITS CON EPROM EN CHIP, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 MICROCIRCUITO, CMOS, INTERRUPTOR ANALÓGICO CUADRÍCULO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84075 REV E-2002
- DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE ENTRADA Y SALIDA EN PARALELO DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO DE TRANSPORTE DE ONDULACIÓN DE 12 ETAPAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90705-1991 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR DE DÉCADA BCD, RESET ASÍNCRONO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, ALIMENTACIÓN CONMUTADA, PROM DE 32K x 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, ARQUITECTURA DEL JUEGO DE INSTRUCCIONES MIL-STD-1750, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR BIDIRECCIONAL OCTAL CON GENERADOR/VERIFICADOR DE PARIDAD DE 8 BITS, SALIDAS DE THRESESTATE, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89638-1989 MICROCIRCUITO LINEAL, CONTROLADOR DE MODO CORRIENTE CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90574-1990 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BCD SINCRÓNICO DE 8 BITS, TTL, COMPATIBLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, 8 BITS, COMPATIBLE CON MICROPROCESADOR, CONVERTIDOR A/D CON PISTA/HOLD, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93244-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BITS EEPROM DE PROGRAMACIÓN DE 5 VOLTIOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, EXCLUSIVO NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN AJUSTABLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, SILICIO MONOLÍTICO CONVOLVER BIDIMENSIONAL
- DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 8K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 MICROCIRCUITO LINEAL, CIRCUITO DE SUPERVISIÓN POR MICROPROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94745-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT CONFIGURACIÓN SERIE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO DE CAMBIO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92333 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROCONTROLADOR EPROM DE 8 BITS CON A/D DE 10 BITS, TEMPORIZADOR CAUTIVO/COMPARADOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR/DEMULTIPLEXOR ANALÓGICO, BIPOLO DE CUATRO POSICIONES, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90686-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL CON SALIDAS DE DRENAJE ABIERTO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88705 REV A-2003
- DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 MICROCIRCUITO DIGITAL-LINEAL CONVERTIDOR DIGITAL A ANALÓGICO CMOS DE 12 BITS CON AMPLIFICADOR DE SALIDA Y REFERENCIA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTADOR BINARIO DUAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, QUAD D LATCH, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CODIFICADOR-DESCODIFICADOR SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 16 X 16, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS 16 X 16 MULTIPLICADOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94709-1994 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, CONTROLADOR BANG-BANG, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, REGISTRO DE ALMACENAMIENTO/CAMBIO UNIVERSAL DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89593 REV D-1995 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CONTROLADOR DMA 32 BITS CON SISTEMA INTEGRADO SOPORTE PERIFÉRICOS SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 MICROCIRCUITO LINEAL, CMOS MULTIPLICADOR QUAD DE 8 BITS, CONVERTIDOR DIGITAL A ANALÓGICO CON MEMORIA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, BÚFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS NO INVERSORES, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, PESTILLO TIPO D OCTAL TRANSPARENTE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL CON DISPARADOR SCHMITT, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, LATCH TRANSPARENTE DE 10 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88674-1988 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDOS, 8 BITS, NO INVERSORES, REGISTROS DE INTERFAZ DE BUS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONTADOR BINARIO PREAJUSTABLE DE 4 BITS CON RESET ASÍNCRONO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL Y OSCILACIÓN DE TENSIÓN DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-06208-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR GENERADOR DE RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DOBLE 4 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DOBLE 4 ENTRADAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PUERTA NAND TRIPLE DE 3 ENTRADAS CON TAMPÓN, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94642-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PERIFÉRICO MULTIFUNCIONAL MEJORADO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 MIRCOCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ASÍNCRONO, CONTROLADOR SERIE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, DUAL, RS232, TRANSCEPTOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR SERIE UNIVERSAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, TRANSCEPTOR DE BUS, DIFERENCIAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS DE PRUEBA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, PUERTAS NAND, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96803-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, INVERSOR HEXAGONAL CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLO OCTAL TRANSPARENTE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88575-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS RÁPIDO, PESTILLO DE INTERFAZ DE BUS NO INVERSOR DE 10 BITS CON SALIDA DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR ARRIBA/ABAJO BINARIO DE 4 BITS CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88675-1988 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDO, PESTILLO DE INTERFAZ DE BUS NO INVERSOR DE 8 BITS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE ELÉCTRICAMENTE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90564 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CHMOS, CHIP ÚNICO, MICROCONTROLADOR DE 8 BITS CON 16K BYTES DE MEMORIA DE PROGRAMA EPROM, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ DE PUERTA PROGRAMABLE EN CAMPO 4000 PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CIRCUITO DE INTERFAZ DEL PROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92284-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR RISC DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 MICROCIRCUITO, LINEAL, DUAL/QUAD, AMPLIFICADOR DE REALIMENTACIÓN DE CORRIENTE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, GENERADOR DE TRANSPORTE LOOKAHEAD, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL, INVERSOR, DE TRES ESTADOS, SALIDAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87757 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP HEXAGONAL TIPO D CON RESET MAESTRO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006
- DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR DE 3 A 8 LÍNEAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TEMPORIZADOR DE INTERVALOS PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERFAZ PERIFÉRICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MICROCIRCUITO, NMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CONTROLADORES DE RELOJ MOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-79017-1979 MICROCIRCUITOS CMOS RECEPTOR/TRANSMISOR ASÍNCRONO UNIVERSAL PUERTA DE SILICIO MONOLÍTICA
- DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND DE 8 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-03245 REV A-2004
- DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, BAJA POTENCIA, MODULADOR DE ANCHO DE IMPULSO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, RELOJ EN TIEMPO REAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89990 REV A-2005
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, GENERADOR DE INTERRUPCIONES NMOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS MICROCONTROLADOR DE ALTO RENDIMIENTO SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERRUPTOR QUAD BILATERAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 8 X 8, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 MICROCIRCUITO, LINEAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, MULTIPLEXOR CON PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIVIBRADOR MONOESTABLE DOBLE REDISPARABLE CON RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, BÚFER OCTAL NO INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, BÚFER OCTAL INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89847 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, BÚFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92188 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, LATCH TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR/REGISTRO OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90625 REV A-2006
- DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, BUFFER/DRIVER OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, BUCLE BLOQUEADO DE FASE DE MICROPODER, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96691 REV D-2006
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 MICROCIRCUITO LINEAL, RECEPTOR DE LÍNEA DIFERENCIAL LVDS QUAD CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 MICROCIRCUITO, MEMORIA, CMOS DIGITAL, MATRIZ DE CÉLULAS LÓGICAS PROGRAMABLES, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CODIFICADOR DE PRIORIDAD DE LÍNEA DE 10 A 4, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 MICROCIRCUITOS, CMOS DIGITAL, CIERRES R/S CUADRÍCULOS DE 3 ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77035-1977 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, LATCH DE 4 BITS, DECODIFICADOR DE 4 A 16 LÍNEAS
- DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO DE 14 ETAPAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO DE 12 ETAPAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERFAZ DE CONTROLADOR SERIE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE INTERRUPCIONES PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 MICROCIRCUITO, MICROPROCESADOR, DIGITAL, CANAL N, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CONTADOR BINARIO 12 BITS SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-03251-2004
- DLA SMD-5962-90997-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CONTROLADOR DE BUS CHMOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94517 REV C-2004
- DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89652-1990 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDOS, REGISTRO CUÁDRUPLE DE PUERTO DOBLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89695-1990 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP FLOP DUAL JK, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92026-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE PUNTA FIJA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87744-1987 MICROCIRCUITO, DIGITAL, 1M (64K X 16) BITS, NMOS, UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-92103-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE COMA FLOTANTE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR SINCRÓNICO DOBLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRANSMISOR RECEPTOR ASÍNCRONO UNIVERSAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DMA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85528-1986 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, BUS ARBITER, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93008-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 16K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93109-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR EMPOTRADO DE ALTA INTEGRACIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 8 X 8, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 32K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 MICROCIRCUITO LINEAL, INTERFAZ DE BUS CMOS ARINC, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, TEMPORIZADORES DE PRECISIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 MICROCIRCUITO,CMOS, MICROPROCESADOR OPTIMIZADO PARA EL PROCESAMIENTO DE SEÑALES DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-95525-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, POTENCIÓMETRO PROGRAMABLE QUAD BORRABLE ELÉCTRICAMENTE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 MICROCIRCUITO LINEAL CMOS INTERRUPTORES ANALÓGICOS DE ALTO NIVEL CON DRIVERS SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, INTERRUPTOR ANALÓGICO SPST DOBLE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94734-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 16 MEG X 1 DRAM, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE ELÉCTRICAMENTE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADOR MOSFET DE POTENCIA ÚNICA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, QUAD 2 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS ENDURECIDO POR RADIACIÓN, SUMADOR COMPLETO DE 4 BITS CON REALIZACIÓN EN PARALELO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, QUAD Y/O SELECT GATE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, 8 ENTRADAS NOR/O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS ENDURECIDO POR RADIACIÓN, BÚFER HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96653 REV C-2003
- DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-96786-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONVERTIDOR CMOS/TTL, 8 BITS, BIDIRECCIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-95715-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR GENERADOR DE RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE 3 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS POSITIVAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, LINEAL, REFERENCIAS DE TENSIÓN DE PRECISIÓN, PELÍCULA DELGADA
- DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE PUERTA NAND DE 3 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND DOBLE DE 4 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 2K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 MICROCIRCUITO LINEAL MULTIPLEXOR/AMPLIFICADOR DE VIDEO CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-94567-1996 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, FIFO X 9 CON RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 MICROCIRCUITO, CMOS, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL, SILICIO MONOLÍTICO
Professional Standard - Water Conservancy, potencial de oxidación medio
- SL 94-1994 Determinación del potencial de oxidación-reducción (método electrométrico)
Professional Standard - Environmental Protection, potencial de oxidación medio
- HJ 746-2015 Suelo—Determinación del potencial redox—Método de potencial
- HJ/T 46-1999 Condiciones técnicas del detector de concentración de dióxido de azufre para el método de electrólisis de potencial constante.
- HJ 693-2014 Emisión de fuente estacionaria. Determinación de óxidos de nitrógeno. Potencial fijo por método de electrólisis.
- HJ 57-2017 Emisión de fuente estacionaria - Determinación de dióxido de azufre - Potencial fijo por método de electrólisis
- HJ 973-2018 Determinación de monóxido de carbono en gases de escape procedentes de fuentes fijas de contaminación Electrólisis potencial constante
- HJ/T 57-2000 Determinación de dióxido de azufre a partir de gases agotados de una fuente estacionaria. Método de electrólisis de potencial fijo.
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), potencial de oxidación medio
- KS C IEC 60746-5-2014(2019) Expresión del rendimiento de los analizadores electroquímicos. Parte 5: Potencial de oxidación-reducción o potencial redox.
- KS I ISO 11271-2016(2021) Calidad del suelo-Determinación del potencial redox-Método de campo
- KS D ISO 2376:2012 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Determinación del potencial de ruptura eléctrica.
- KS D ISO 2376:2013 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Determinación del potencial de ruptura eléctrica.
- KS F 2712-2002 Método de prueba para potenciales de media celda de acero de refuerzo en hormigón.
- KS F 2712-2017 Método de prueba para potenciales de media celda de acero de refuerzo en hormigón.
- KS M 1317-2010 Dióxido de manganeso electrolítico
- KS M 1317-1995 Dióxido de manganeso electrolítico
- KS M 1317-2020 Dióxido de manganeso electrolítico
German Institute for Standardization, potencial de oxidación medio
- DIN IEC 60746-5:1996-07 Expresión del rendimiento de los analizadores electroquímicos. Parte 5: Potencial de oxidación-reducción o potencial redox (IEC 60746-5:1992)
- DIN ISO 11271:2022-11 Calidad del suelo - Determinación del potencial redox - Método de campo (ISO 11271:2022); Texto en alemán e inglés / Nota: Fecha de emisión 2022-10-14*Destinado a sustituir a DIN ISO 11271 (2003-03).
- DIN EN ISO 27107:2010-08 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido. Determinación potenciométrica del punto final (ISO 27107:2008, versión corregida 2009-05-15); Versión alemana EN ISO 27107:2010
- DIN ISO 11271:2003-03 Calidad del suelo - Determinación del potencial redox - Método de campo (ISO 11271:2002) / Nota: Se sustituirá por DIN ISO 11271 (2022-11).
- DIN ISO 11271:2023-11 Soil quality - Determination of redox potential - Field method (ISO 11271:2022)
RO-ASRO, potencial de oxidación medio
VN-TCVN, potencial de oxidación medio
- TCVN 7594-2006 Calidad del suelo. Determinación del potencial redox. Método de campo.
Professional Standard - Electricity, potencial de oxidación medio
- DL/T 1480-2015 Método de prueba para el potencial de oxidación-reducción del agua.
GOSTR, potencial de oxidación medio
- GOST R 59012-2020 Brasas. Determinación de la oxidación mediante valoración potenciométrica.
工业和信息化部, potencial de oxidación medio
- YS/T 988-2014 Sesquióxido de carboxietil germanio
- YS/T 1107-2016 Método de análisis químico del sesquióxido de carboxietil germanio.
- YS/T 1157.4-2016 Métodos para el análisis químico de hidróxido de cobalto crudo Parte 4: Determinación del contenido de manganeso mediante valoración potenciométrica
- YS/T 1157.1-2016 Métodos para el análisis químico de hidróxido de cobalto crudo Parte 1: Determinación del contenido de cobalto mediante valoración potenciométrica
- QB/T 2629-2021 Dióxido de manganeso electrolítico para pilas alcalinas de dióxido de zinc-manganeso.
KR-KS, potencial de oxidación medio
- KS I ISO 11271-2016 Calidad del suelo-Determinación del potencial redox-Método de campo
- KS D ISO 2376-2012 Anodizado de aluminio y sus aleaciones -Determinación del potencial de ruptura eléctrica
PL-PKN, potencial de oxidación medio
- PN T06513-02-1990 Medición del valor potencial redox Analizadores industriales
- PN T06513-03-1989 Valor potencial redox Instrumentos de medición de laboratorio Requisitos generales y pruebas
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, potencial de oxidación medio
- GB/T 20245.5-2013 Expresión de rendimiento de analizadores electroquímicos. Parte 5: Potencial de oxidación-reducción o potencial redox.
- GB/T 8754-2006 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Comprobación del aislamiento mediante medición del potencial de ruptura.
- GB 21346-2022 La norma de consumo de energía por unidad de producto de aluminio electrolítico y alúmina.
- GB 28234-2011 Norma de seguridad y saneamiento para generadores de agua electrolizada-oxidante ácida
- GB/T 18115.1-2000 Óxido de lantano: determinación del contenido de óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.2-2000 Óxido de cerio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.5-2000 Óxido de samario: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 8762.8-2000 Óxido de europio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.6-2000 Óxido de gadolinio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.7-2000 Óxido de terbio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.9-2000 Óxido de holmio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.8-2000 Óxido de disprosio: determinación de óxido de lantano, óxido de ceriurmo, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de luteclum y óxido de itrio.
- GB/T 18115.4-2000 Óxido de neodinio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.10-2000 Óxido de erbio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18115.3-2000 Óxido de praseodimio: determinación de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
- GB/T 18116.1-2000 Óxido de itrio-europio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio y óxido de lutecio.
- GB/T 15652-1995 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
- GB/T 11064.3-1989
- GB/T 15653-1995 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
- GB/T 26563-2011 circonita fundida
- GB/T 26563-2011(英文版) Circonita fundida
- GB/T 12690.1-1990 Óxido de lantano--Determinación de óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de nedeodinio, óxido de samario y óxido de itrio--Método espectrográfico de emisión atómica de plasma acoplado indebidamente
- GB 25327-2010 La norma de consumo de energía por unidad de productos de la empresa de alúmina.
U.S. Military Regulations and Norms, potencial de oxidación medio
- ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL MULTICHIP CMOS SCO/DLA
- ARMY MIL-M-48646-1986 MICROCIRCUITO DIGITAL MULTICHIP CMOS SCO/DLA
- ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
- ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
- ARMY MIL-M-63530-1981 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
- ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DE ESPECIFICACIÓN MILITAR, DIGITAL, CMOS (LOGICA INICIAL)
- ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA INICIAL)
- ARMY MIL-M-63320 A-1981 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA INICIAL)
- ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA FINAL)
- ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 CIRCUITO INTEGRADO, DIGITAL, CONTROL CMOS Y BASE DE TIEMPO, MONOLÍTICO, SILICIO
- ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 CIRCUITO INTEGRADO, DIGITAL, CONTROL CMOS Y BASE DE TIEMPO, MONOLÍTICO, SILICIO
- ARMY MIL-I-48632-1986 CIRCUITO INTEGRADO, DIGITAL, CONTROL CMOS Y BASE DE TIEMPO, MONOLÍTICO, SILICIO
- ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 CIRCUITO INTEGRADO, DIGITAL, CMOS LOGIC ARRAY MONOLÍTICO DE SILICIO
- ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 CIRCUITO INTEGRADO, DIGITAL, CMOS LOGIC ARRAY MONOLÍTICO DE SILICIO
- ARMY MIL-I-48634-1986 CIRCUITO INTEGRADO, DIGITAL, CMOS LOGIC ARRAY MONOLÍTICO DE SILICIO
- ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA FINAL)
- ARMY MIL-M-63321 A-1981 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LOGICA FINAL)
- ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROPÓSITO ESPECIAL NI PUERTA
- ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROPÓSITO ESPECIAL NI PUERTA
- ARMY MIL-M-63324 A-1981 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROPÓSITO ESPECIAL NI PUERTA
- ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROPÓSITO ESPECIAL NI PUERTA
Group Standards of the People's Republic of China, potencial de oxidación medio
- T/ZSZJX 006-2020 Calidad del agua-Determinación de la demanda química de oxígeno-Valoración potenciométrica
- T/CECA 35-2019 Sensor de gas semiconductor de óxido metálico
- T/QGCML 743-2023 Especificaciones para el proceso de anodizado de piezas de equipos semiconductores.
- T/ZZB 0629-2018 Alambre de óxido de plata-estaño-óxido de indio por método de oxidación interna de aleación para contacto de relé
- T/CPCIF 0056-2020 Óxido de calcio para carburo de calcio.
American Society for Testing and Materials (ASTM), potencial de oxidación medio
- ASTM D1498-14(2022)e1 Método de prueba estándar para el potencial de oxidación-reducción del agua
- ASTM UOP291-15 Cloruro total en catalizadores de alúmina y sílice-alúmina mediante digestión por microondas y valoración potenciométrica
- ASTM F616M-96 Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico)
- ASTM F616M-96(2003) Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico)
- ASTM D1498-14 Método de prueba estándar para el potencial de oxidación-reducción del agua
- ASTM D1498-08 Método de prueba estándar para el potencial de oxidación-reducción del agua
- ASTM G200-09 Método de prueba estándar para medir el potencial de oxidación-reducción (ORP) del suelo
- ASTM G200-20 Método de prueba estándar para medir el potencial de oxidación-reducción (ORP) del suelo
- ASTM G200-09(2014) Método de prueba estándar para medir el potencial de oxidación-reducción 40;ORP41; del suelo
- ASTM D873-12(2018) Método de prueba estándar para la estabilidad a la oxidación de combustibles de aviación (método de residuos potenciales)
- ASTM D873-02(2007) Método de prueba estándar para la estabilidad a la oxidación de combustibles de aviación (método de residuos potenciales)
- ASTM UOP291-13 Cloruro total en catalizadores de alúmina y sílice-alúmina mediante digestión por microondas y valoración potenciométrica
British Standards Institution (BSI), potencial de oxidación medio
- BS EN ISO 2376:2010 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Determinación del potencial de ruptura eléctrica.
- BS IEC 61196-13:2023 Cables de comunicación coaxiales - Especificación seccional para cables semirrígidos con dieléctrico de dióxido de silicio
- BS EN ISO 27107:2008 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido. Determinación potenciométrica del punto final.
- BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
- BS ISO 11271:2022 Cambios rastreados. Calidad del suelo. Determinación del potencial redox. Método de campo
- BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
Danish Standards Foundation, potencial de oxidación medio
- DS/EN ISO 2376:2010 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Determinación del potencial de ruptura eléctrica.
- DS/ISO 11271:2004 Calidad del suelo - Determinación del potencial redox - Método de campo
International Organization for Standardization (ISO), potencial de oxidación medio
- ISO 11271:2022 Calidad del suelo. Determinación del potencial redox. Método de campo.
Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), potencial de oxidación medio
RU-GOST R, potencial de oxidación medio
- GOST 7619.5-1981 Fluorita. Método para la determinación de sesquióxidos.
- GOST ISO 27107-2016 Grasas y aceites animales y vegetales. Determinación del índice de peróxido mediante el método potenciométrico del punto final
(U.S.) Ford Automotive Standards, potencial de oxidación medio
CZ-CSN, potencial de oxidación medio
- CSN 44 1876-1982 Bauxita. Determinación de óxido de cromo (III). Los métodos potenciométricos y fotométricos.
- CSN 44 1875-1983 Bauxita. Determinación de óxido de vanadio. Los métodos potenciométricos y fotométricos.
- CSN 70 0632 Cast.1-1986 Métodos de prueba de vidrio. Análisis químico del vidrio. Determinación de óxido de plomo. Método volumétrico con complexona 3 (después de la separación electrolítica)
- CSN 70 0638 Cast.1-1976 Pruebas de vidrio. Análisis químico del vidrio. Determinación de óxido de calcio. Método volumétrico con complexona 3.
- CSN 70 0628 Cast.1-1990 Métodos de prueba de vidrio. Análisis químico del vidrio. Determinación de alúmina. Método volumétrico con complexona 3.
- CSN 70 0634 Cast.3-1976 Pruebas de vidrio. Análisis químico del vidrio. Determinación de óxido manganoso. Método volumétrico con complexona 3.
- CSN 70 0639 Cast.1-1976 Pruebas de vidrio. Análisis químico del vidrio. Determinación de óxido de magnesio. Método volumétrico con complexona 3.
IN-BIS, potencial de oxidación medio
- IS 2720 Pt.25-1982 MÉTODOS DE PRUEBA PARA SUELOS PARTE ⅩⅩⅤ DETERMINACIÓN DE LA RELACIÓN DE SESQUIÓXIDO DE SÍLICE (Primera Revisión)
Professional Standard - Machinery, potencial de oxidación medio
- JB/T 7948.2-1999 Métodos para el análisis químico de fundentes de soldadura fundidos. El método potenciométrico para la determinación del contenido de óxido de manganeso.
- JB/T 5842-2005 Anillos de matrices de dispositivos semiconductores.
- JB/T 5842-1991 Anillos de alineación de troqueles para dispositivos semiconductores de potencia.
- JB/T 11827-2014 Método de prueba para el rendimiento del CaO utilizado en la desulfuración seca/semiseca
- JB/T 8508-1996 Óxido de magnesio de grado eléctrico
Professional Standard - Aviation, potencial de oxidación medio
- HB/Z 339.1-1999 Método analítico de solución de oxidación anódica de ácido crómico de aleación de aluminio Determinación del contenido de trióxido de cromo libre y trióxido de cromo total mediante valoración potenciométrica
- HB/Z 5086.3-2000 Método analítico para solución de cobre para galvanoplastia con cianuro Valoración potenciométrica para determinar el contenido de hidróxido de sodio
- HB/Z 5105.1-2000 Método de análisis de solución de pulido electroquímico Valoración potenciométrica Determinación del contenido de trióxido de cromo
- HB/Z 5084.2-2000 Método analítico de solución de zinc para galvanoplastia con cianuro mediante valoración potenciométrica para determinar el contenido de hidróxido de sodio.
- HB/Z 5085.3-1999 Método analítico de solución de cadmio para galvanoplastia con cianuro Valoración potenciométrica para determinar el contenido de hidróxido de sodio
- HB/Z 5105.2-2000 Método de análisis de solución de pulido electroquímico Valoración potenciométrica Determinación del contenido de trióxido de cromo
- HB/Z 5109.9-2001 Método de análisis de la solución de pasivación Determinación del contenido de trióxido de cromo en la solución de pasivación de cobre mediante valoración potenciométrica
- HB/Z 5107.18-2004 Métodos para el análisis de una solución de oxidación química para aleación de magnesio. Parte 18: Determinación del contenido de cloruro de amonio (cloruro de sodio) en una solución de oxidación de ácido nítrico mediante método potenciométrico.
- HB/Z 5091.1-1999 Método de análisis de la solución de cromado Determinación del contenido de trióxido de cromo mediante valoración potenciométrica
- HB/Z 5107.17-2004 Métodos para el análisis de una solución de oxidación química para aleación de magnesio. Parte 17: Determinación del contenido de ácido nítrico en una solución de oxidación de ácido nítrico mediante método potenciométrico.
- HB/Z 5092.1-2001 Galvanoplastia Método de análisis de solución de cromo negro Valoración potenciométrica Determinación del contenido de trióxido de cromo
- HB/Z 5091.2-1999 Método de análisis de la solución de cromado Determinación del contenido de trióxido de dicromo mediante valoración potenciométrica
- HB/Z 5109.3-2001 Método de análisis para solución de pasivación Determinación de trióxido de cromo en solución de pasivación triácida de cincado y cadmio mediante titulación potenciométrica
- HB/Z 5107.7-2004 Métodos para el análisis de una solución de oxidación química para aleación de magnesio. Parte 7: Determinación del contenido de ácido acético glacial en una solución de oxidación de ácido acético glacial mediante método potenciométrico.
- HB/Z 5107.9-2004 Métodos para el análisis de una solución de oxidación química para aleación de magnesio. Parte 9: Determinación del contenido de cloro en una solución de oxidación de ácido acético glacial mediante método potenciométrico.
- HB/Z 5107.16-2004 Métodos para el análisis de una solución de oxidación química para aleación de magnesio. Parte 16: Determinación del contenido de bicromato de potasio en una solución de oxidación de ácido nítrico mediante método potenciométrico.
- HB/Z 5093.2-2000 Método analítico de solución de estaño para galvanoplastia alcalina. Valoración potenciométrica para determinar el contenido de hidróxido de sodio.
- HB/Z 5107.5-2004 Métodos para el análisis de una solución de oxidación química para aleación de magnesio. Parte 5: Determinación del contenido de ácido acético glacial en una solución de oxidación de sulfato de aluminio y potasio mediante método potenciométrico.
- HB/Z 5107.6-2004 Métodos para el análisis de una solución de oxidación química para aleación de magnesio. Parte 6: Determinación del contenido de bicromato de potasio en una solución de oxidación de ácido acético glacial mediante método potenciométrico.
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, potencial de oxidación medio
- GJB 760-1989 Método culombimétrico de potencial controlado para la determinación del contenido total de plutonio en dióxido de plutonio
European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), potencial de oxidación medio
- EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
Lithuanian Standards Office , potencial de oxidación medio
- LST EN ISO 2376:2010 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Determinación del potencial de ruptura eléctrica (ISO 2376:2010)
AENOR, potencial de oxidación medio
- UNE-EN ISO 2376:2011 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Determinación del potencial de ruptura eléctrica (ISO 2376:2010)
- UNE-ISO 11271:2007 Calidad del suelo -- Determinación del potencial redox -- Método de campo. (ISO 11271:2002)
- UNE 51118:1983 MÉTODO DE PRUEBA ESTÁNDAR PARA LA ESTABILIDAD A LA OXIDACIÓN DE COMBUSTIBLES DE AVIACIÓN (MÉTODO DE RESIDUOS POTENCIALES)
Professional Standard - Building Materials, potencial de oxidación medio
- JC/T 2024-2010 Tubo cerámico de alúmina translúcido para lámparas de halogenuros metálicos
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), potencial de oxidación medio
- JIS C 6522:1996 Preimpregnado para tableros de cableado impresos multicapa - Tela de vidrio impregnada de resina epoxi
- JIS K 1467:1984 Dióxido de manganeso electrolítico
Association Francaise de Normalisation, potencial de oxidación medio
- NF T20-554:1989 Peróxido de hidrógeno para uso industrial. Determinación del pH aparente (pha). Método potenciométrico.
- NF T90-260:2023 Calidad del agua - Caracterización de métodos de análisis - Medición del potencial redox en agua
- NF EN ISO 27107:2010 Grasas de origen animal y vegetal - Determinación del índice de peróxidos - Determinación con punto de parada potenciométrico
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
Professional Standard - Non-ferrous Metal, potencial de oxidación medio
- YS/T 710.1-2009 Método de análisis químico del óxido de cobalto.Parte 1:Determinación del contenido de cobalto.Método potenciométrico
- YS/T 968-2014
European Committee for Standardization (CEN), potencial de oxidación medio
- prEN 884-1992 Hidróxidocloruro e hidróxidoclorurosulfato de polialuminio, calidad especial, utilizados para aguas destinadas al consumo humano
- EN 12671:2016 Productos químicos utilizados para el tratamiento de aguas destinadas al consumo humano - Dióxido de cloro generado in situ
Standard Association of Australia (SAA), potencial de oxidación medio
- IEC 61196-13:2023 Cables de comunicación coaxiales. Parte 13. Especificación seccional para cables semirrígidos con dieléctrico de dióxido de silicio.
Professional Standard - Electron, potencial de oxidación medio
- SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
- SJ 20025-1992 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
- SJ/T 10895-1996 Análisis de absorción atómica de CaO, SrO, BaO y MgO en vidrio electrónico.
- SJ/T 10896-1996 Análisis de absorción atómica de ZnO, PbO, Al2O3 y Sb2O3 en vidrio electrónico.
- SJ/T 10540-1994 Métodos de análisis químico para productos y productos semiacabados de ferrita permanente.
- SJ 20026-1992 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
- SJ 20079-1992 Métodos de prueba para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
- SJ/T 10540-2013 Métodos de análisis químico de productos y productos semiacabados de ferrita permanente.
- SJ/T 10894-1996 Análisis de absorción atómica de Li2O, Na2O y K2O en vidrio electrónico.
- SJ/T 10041-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Circuito integrado semiconductor: registro de desplazamiento CMOS de 8 bits CC4014
- SJ/T 10071-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Circuito integrado semiconductor. Registro de desplazamiento de 4 bits tipo CH2022
Professional Standard - Rare Earth, potencial de oxidación medio
- XB/T 613.2-2010 Métodos de análisis químico de óxido de cerio-terbio. Parte 2: Determinación de óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, lutecio.
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, potencial de oxidación medio
- CNS 8104-1981 Método para medir el voltaje de umbral lineal MOSFET
- CNS 8106-1981 Método para medir el voltaje umbral saturado de MOSFET
- CNS 10561-1985 Tela de vidrio impregnada con resina epoxi (preimpregnada) para circuitos impresos multicapa
Shanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, potencial de oxidación medio
- DB14/T 692-2012 Determinación del valor de peróxido de frutos secos agrícolas mediante valoración potenciométrica automática
- DB14/T 663-2012 Cuota integral de consumo de energía por unidad de producto de alúmina.
- DB14/ 663-2012 Cuota integral de consumo de energía por unidad de producto de alúmina.
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, potencial de oxidación medio
- GB 25327-2017 La norma de consumo de energía por unidad de productos de alúmina.
ZA-SANS, potencial de oxidación medio
- CKS 99-1967 ESPECIFICACIÓN TÉCNICA PARA DIÓXIDO DE CARBONO (Unidades métricas)
API - American Petroleum Institute, potencial de oxidación medio
- API 4169-1972 LA COMPOSICIÓN ISOTÓPICA DEL MONÓXIDO DE CARBONO ATMOSFÉRICO
机械电子工业部, potencial de oxidación medio
- JB 5842-1991 Anillos de posicionamiento de matrices para dispositivos semiconductores de potencia.
Professional Standard - Geology, potencial de oxidación medio
- DZ/T 0184.21-1997 Determinación de isótopos de oxígeno en agua natural mediante el método de equilibrio hídrico con dióxido de carbono
- DZ/T 0184.13-1997 Determinación de la composición de isótopos de oxígeno en minerales de silicato y óxido mediante el método del pentafluoruro de bromo
Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, potencial de oxidación medio
- DB15/T 925-2015 Método de análisis químico para impurezas de tierras no raras en óxidos de tierras raras individuales Determinación de óxido de aluminio, óxido de cromo, óxido de manganeso, óxido de cobalto, óxido de níquel, óxido de cobre, óxido de zinc, óxido de plomo, óxido de cadmio y óxido de arsénico por induc
Professional Standard - Nuclear Industry, potencial de oxidación medio
- EJ/T 1212.2-2008 Métodos de prueba para el análisis de gránulos sinterizados de óxido de gadolinio y dióxido de uranio. Parte 2: Determinación de la composición isotópica de uranio mediante espectrometría de masas de ionización térmica.
- EJ/T 20164-2018 Método de valoración potenciométrica automática para determinar el contenido de uranio en polvo de trióxido de uranio reprocesado
Professional Standard - Aerospace, potencial de oxidación medio
- QJ 2868-1997 Especificación del proceso de soldadura semiautomática con protección de gas de dióxido de carbono
International Electrotechnical Commission (IEC), potencial de oxidación medio
- IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
- IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, potencial de oxidación medio
- JEDEC JEP184-2021 Directriz para evaluar la inestabilidad de la temperatura de polarización de dispositivos semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio para la conversión electrónica de potencia
Universal Oil Products Company (UOP), potencial de oxidación medio
- UOP 291-2013 Cloruro total en catalizadores de alúmina y sílice-alúmina mediante digestión por microondas y valoración potenciométrica
- UOP 291-2015 Cloruro total en catalizadores de alúmina y sílice-alúmina mediante digestión por microondas y valoración potenciométrica
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., potencial de oxidación medio
- IEEE 641-1987 DEFINICIONES ESTÁNDAR Y CARACTERIZACIÓN DE Matrices de semiconductores de óxido de nitruro metálico
Professional Standard - Light Industry, potencial de oxidación medio
- QB/T 2629-2004 Dióxido de manganeso electrolítico para batería alcalina de dióxido de zinc-manganeso sin mercurio
Indonesia Standards, potencial de oxidación medio
ES-AENOR, potencial de oxidación medio