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Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos., Total: 178 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos. son: Cerámica, Optoelectrónica. Equipo láser, Componentes electrónicos en general., Tratamiento superficial y revestimiento., pruebas de metales, Materiales semiconductores, Circuitos impresos y placas., Vocabularios, Óptica y medidas ópticas., Alambres y cables eléctricos., Dispositivos semiconductores, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Fluidos aislantes.

Association Francaise de Normalisation, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF B44-105*NF ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF ISO 18560-1:2014 Cerámica técnica - Método de ensayo para medir el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire mediante el método de la cámara de ensayo en un ambiente de iluminación interior - Parte 1: eliminación...
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
NF ISO 22197-5:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 5: eliminación del metilmercaptano.
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayos de compresión utilizando la técnica de micropilares para materiales MEMS

International Organization for Standardization (ISO), Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
ISO 24448:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
ISO 17094:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior
ISO 19810:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Medición del ángulo de contacto con el agua
ISO 19652:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de descomposición completa de materiales fotocatalíticos semiconductores en un ambiente de iluminación interior - Descomposición de acetaldehído
ISO 18071:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores en un ambiente de iluminación interior - Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta
ISO 17168-2:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 2: Eliminación de acetaldehído
ISO 17168-3:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 3: Eliminación de tolueno
ISO 17168-4:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 4: Eliminación de formaldehído
ISO 22551:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la tasa de reducción bacteriana mediante materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Método semiseco.
ISO 17168-5:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 5: Eliminación de metilmercaptano
ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
ISO 19810:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en condiciones de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 19635:2016 Cerámicas finas (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 27447:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 19722:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

GJB 8190-2015 Especificaciones generales para fuentes de luz semiconductoras de estado sólido para iluminación exterior de aeronaves.

KR-KS, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

KS L ISO 14605-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
KS L ISO 17168-2-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 2: Remova
KS L ISO 17168-4-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 4: Remova
KS L ISO 17168-3-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 3: Remova
KS L ISO 17168-1-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 1: Remova
KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS L ISO 18560-1-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para el rendimiento de purificación de aire de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el método de cámara de prueba en condiciones de iluminación interior.
KS L ISO 27447-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

GB/T 36005-2018 Métodos de medición de la seguridad radiológica óptica para equipos y sistemas de iluminación semiconductores.

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

DB44/T 1639.1-2015 Reglas generales para componentes ópticos estándar de iluminación de semiconductores Parte 1 División jerárquica

Professional Standard - Electron, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.

European Committee for Standardization (CEN), Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.

British Standards Institution (BSI), Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

BS ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
BS ISO 24448:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
BS ISO 17094:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
21/30403033 DC BS EN ISO 24448. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
BS ISO 22551:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la tasa de reducción bacteriana mediante materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Método semiseco para estimar la actividad antibacteriana en…
BS ISO 17168-2:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de acetaldehído
BS ISO 17168-4:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de formaldehído
BS ISO 19810:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
BS ISO 17168-5:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de metilmercaptano
BS ISO 19652:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición completa de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Descomposición del acetaldehído.
BS ISO 17168-3:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de tolueno
BS ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de óxido nítrico
BS ISO 19810:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
BS ISO 18071:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores en ambientes de iluminación interior. Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta.
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
BS 4727-1 Group 05:1985 Glosario de términos electrotécnicos, de potencia, de telecomunicaciones, de electrónica, de iluminación y de color - Términos comunes a potencia, de telecomunicaciones y de electrónica - Terminología de semiconductores
BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
PD IEC TS 62607-3-3:2020 Nanofabricación. Características clave de control. Nanomateriales luminiscentes. Determinación de la vida útil de la fluorescencia de puntos cuánticos semiconductores mediante el recuento de fotones individuales correlacionados en el tiempo (TCSPC)
BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
BS ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
BS ISO 27447:2019 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19722:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto.

German Institute for Standardization, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50448:1998
DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN 50440:1998 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Medición de la vida útil del portador en monocristales de silicio - Vida útil del portador de recombinación con baja inyección mediante el método de fotoconductividad
DIN 50452-3:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50455-2:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN 50452-3:1995-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012
DIN 50452-2:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
DIN 50453-2:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; revestimiento de dióxido de silicio; método óptico
DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua
DIN 50455-1:1991 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; métodos para caracterizar fotorresistentes; determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.

International Electrotechnical Commission (IEC), Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS; Corrección 1
IEC 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
JIS R 1708:2016 Cerámica fina (Cerámica avanzada, Cerámica técnica avanzada) -- Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto

RU-GOST R, Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

GOST 22622-1977 Materiales semiconductores. Términos y definiciones

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Iluminación semiconductora de materiales optoelectrónicos.

KS L ISO 17168-2:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 2: Remova
KS L ISO 17168-3:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 3: Remova
KS L ISO 17168-4:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 4: Remova
KS L ISO 17168-1:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 1: Remova
KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS L ISO 18560-1:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para el rendimiento de purificación de aire de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el método de cámara de prueba en condiciones de iluminación interior.
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