ZH
EN
KR
JP
RU
DE

Semicristalino y amorfo

Semicristalino y amorfo, Total: 500 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semicristalino y amorfo son: Componentes para equipos eléctricos., Materiales magnéticos, Materiales semiconductores, pruebas de metales, Productos de hierro y acero., Combustibles, Metales no ferrosos, Vaso, Dispositivos semiconductores, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Pruebas no destructivas, Maquinaria rotativa, Metales ferrosos, Pilas y baterías galvánicas., Materiales de construcción, ingeniería de energía solar, Materiales para la construcción aeroespacial., Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., Vocabularios, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Productos de metales no ferrosos., Equipos para la industria metalúrgica., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Óptica y medidas ópticas., Construcción naval y estructuras marinas en general, Transformadores. reactores, Materiales para el refuerzo de composites., Pulpas, Optoelectrónica. Equipo láser, Materiales conductores, Equipo óptico, Redes de transmisión y distribución de energía., Dispositivos piezoeléctricos y dieléctricos., Análisis del tamaño de partículas. tamizado, Productos de la industria química., producción de metales, Dispositivos de visualización electrónica., químicos inorgánicos, Plástica, Equipo medico, Pruebas eléctricas y electrónicas., sujetadores.

American National Standards Institute （ANSI), Semicristalino y amorfo

• ANSI/ASTM A901:1997 Especificación para tipos semiprocesados de aleaciones de núcleo magnético amorfo
• ANSI/ASTM A900:2001 Método de prueba para el factor de laminación de una tira magnética amorfa

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semicristalino y amorfo

• GB/T 1555-1997 Métodos de prueba para determinar la orientación de un monocristal semiconductor.
• GB/T 1555-2023 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor
• GB/T 1555-2009 Métodos de prueba para determinar la orientación de un monocristal semiconductor.
• GB/T 19345.1-2017 Aleaciones amorfas y nanocristalinas.Parte 1: Tiras de aleación magnética blanda amorfa a base de Fe
• GB/T 3519-2008(英文版) Grafito amorfo
• GB/T 19345-2003 Tiras de aleación magnética blanda amorfa y nanocristalina.
• GB/T 31958-2023 Vidrio de sustrato para pantalla de cristal líquido de transistor de película delgada de silicio amorfo
• GB/T 19345.2-2017 Aleación amorfa y nanocristalina.Parte 2: Tiras de aleación magnética blanda nanocristalina a base de Fe
• GB/T 41751-2022 Método de prueba para determinar el radio de curvatura del plano cristalino en obleas de sustrato monocristalino de GaN
• GB/T 42676-2023 Método de difracción de rayos X para probar la calidad del monocristal semiconductor
• GB/T 42271-2022 Método de prueba de resistividad de carburo de silicio monocristalino semiaislante mediante medición sin contacto
• GB/T 4326-2006 Medición de monocristales semiconductores extrínsecos de movilidad Hall y coeficiente Hall
• GB 4326-1984 Monocristales semiconductores extrínsecos: medición de la movilidad de Hall y el coeficiente de Hall
• GB/T 5238-2009 Germanio monocristalino y rodajas de germanio monocristalino.
• GB/T 5238-2009e Germanio monocristalino y rodajas de germanio monocristalino.
• GB/T 19346-2003 Método de medición de propiedades magnéticas en corriente alternativa para aleaciones magnéticas blandas amorfas y nanocristalinas.
• GB/T 6616-2023 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras
• GB/T 15291-2015 Dispositivos semiconductores. Parte 6: tiristores.
• GB/T 15291-1994 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Tiristores
• GB/T 32188-2015 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de GaN
• GB/T 5117-2012 Electrodos revestidos para soldadura manual por arco metálico de aceros no aleados y de grano fino
• GB/T 17170-1997 Método de prueba para la concentración EL2 de nivel profundo de arseniuro de galio monocristalino semiaislante no dopado mediante medición del método de absorción infrarroja
• GB/T 21039.1-2007 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas-Transistores de efecto de campo de microondas Especificación detallada en blanco
• GB/T 4587-1994 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 7: transistores bipolares
• GB/T 3098.22-2009 Propiedades mecánicas de elementos de fijación fabricados con acero de grano fino sin tratamiento térmico. Pernos, tornillos y espárragos
• GB/T 22072-2008 Parámetros y requisitos técnicos del transformador de distribución con núcleo de aleación amorfa de tipo seco
• GB/T 4586-1994 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo

RO-ASRO, Semicristalino y amorfo

• STAS 11418-1980 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES DE UNIJUNCIÓN Terminología
• STAS 11437-1980 TRANSISTORES DE UNIÓN Métodos de prueba
• STAS 7128/6-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para tiristores
• STAS 7128/9-1980 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos de letras para transistores de unión
• STAS 12258/3-1985 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos FOTOTRANSISTORES Terminología y características esenciales
• STAS 6693/2-1975 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES Métodos para medir propiedades eléctricas.
• STAS SR CEI 747-4-1995 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• STAS 7128/2-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMIONDUCTORES Y MICROCIRCUITOS INTERADOS Símbolos para transistores bipolares
• STAS SR CEI 747-8-1993 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8: Transistores de efecto de campo

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Semicristalino y amorfo

• KS E 3802-1974 Grafito amorfo
• KS E 3802-1975 Grafito amorfo
• KS D 0069-2002 Método para determinar las temperaturas de cristalización de metales amorfos.
• KS D 0069-2002(2022) Método para determinar las temperaturas de cristalización de metales amorfos.
• KS D 0069-2022 Método para determinar las temperaturas de cristalización de metales amorfos.
• KS D 0068-2002 Glosario de términos utilizados en metales amorfos.
• KS D 0069-2002(2017) Método para determinar las temperaturas de cristalización de metales amorfos.
• KS C IEC 60119-2014(2019) Recomendaciones para equipos y pilas de rectificadores de semiconductores policristalinos.
• KS D 0068-2002(2022) Glosario de términos utilizados en metales amorfos.
• KS D 0068-2022 Glosario de términos utilizados en metales amorfos.
• KS C IEC 60119-2019 Recomendaciones para equipos y pilas de rectificadores de semiconductores policristalinos.
• KS C IEC 60747-6:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores
• KS C IEC 60119:2014 Recomendaciones para equipos y pilas de rectificadores de semiconductores policristalinos.
• KS C IEC 60747-7:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
• KS C IEC 60747-7:2017 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
• KS D 0070-2002 Método de prueba de propiedades magnéticas de metales amorfos utilizando una muestra de una sola hoja.
• KS D 0071-1993 Método de medición de pérdidas en núcleos de alta frecuencia en núcleos magnéticos amorfos
• KS D 0071-2002(2022) Método de medición de pérdidas en núcleos de alta frecuencia en núcleos magnéticos amorfos
• KS D 0071-2022 Método de medición de pérdidas en núcleos de alta frecuencia en núcleos magnéticos amorfos
• KS C IEC 60747-8:2002 Dispositivos discretos - Parte 8: Transistores de efecto de campo
• KS M ISO 21400-2023 Pulpa: determinación del contenido de azufre y semiéster de sulfato en nanocristales de celulosa
• KS C IEC 60747-6-2006(2016) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores
• KS C IEC 60747-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Dispositivos discretos. Tiristores.
• KS D 2715-2006 Muestra de tracción de materiales de película nano/microcristalina monocristalina y policristalina
• KS D 2715-2017 Muestra de tracción de materiales de película nano/microcristalina monocristalina y policristalina
• KS D 0071-2002 Método de medición de pérdidas en núcleos de alta frecuencia en núcleos magnéticos amorfos
• KS C 8538-2000(2020) Método de medición de la potencia de salida de células solares amorfas.
• KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
• KS C IEC 60747-4-1-2020 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
• KS M ISO 1619:2013 Criolita, natural y artificial－Preparación y almacenamiento de muestras de prueba.
• KS C IEC 60747-7:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
• KS C IEC 60747-4-1:2002 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
• KS D 0070-2002(2022) Método de prueba de propiedades magnéticas de metales amorfos utilizando una muestra de una sola hoja.
• KS D 0071-2002(2017) Método de medición de pérdidas en núcleos de alta frecuencia en núcleos magnéticos amorfos
• KS C 8538-2020 Método de medición de la potencia de salida de células solares amorfas.
• KS C IEC 60747-4:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• KS C IEC 60747-4:2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• KS C IEC 60747-4:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
• KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
• KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
• KS C IEC 60747-8:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Semicristalino y amorfo

• ASTM A901-03(2008) Especificación estándar para aleaciones de núcleo magnético amorfo, tipos semiprocesados
• ASTM A901-19 Especificación estándar para aleaciones de núcleo magnético amorfo, tipos semiprocesados
• ASTM A901-03 Especificación estándar para aleaciones de núcleo magnético amorfo, tipos semiprocesados
• ASTM A901-97 Especificación estándar para aleaciones de núcleo magnético amorfo, tipos semiprocesados
• ASTM A901-12 Especificación estándar para aleaciones de núcleo magnético amorfo, tipos semiprocesados
• ASTM A900/A900M-01 Método de prueba estándar para el factor de laminación de una banda magnética amorfa
• ASTM A900/A900M-01(2018) Método de prueba estándar para el factor de laminación de una banda magnética amorfa

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Semicristalino y amorfo

• JIS C 2534:2017 Banda amorfa a base de Fe entregada en estado semiprocesado
• JIS C 8939:1995 Módulos solares fotovoltaicos amorfos
• JIS C 8931:1995 Células solares amorfas de referencia secundaria.
• JIS C 8932:1995 Submódulos solares amorfos de referencia secundaria.
• JIS C 8939 AMD 1:2005 Módulos solares fotovoltaicos amorfos (Enmienda 1)
• JIS R 7651:2007 Medición de parámetros reticulares y tamaños de cristalitos de materiales de carbono.
• JIS H 7803:2005 Reglas generales para la determinación del tamaño de partículas y de cristalitos en catalizadores metálicos.
• JIS C 6760:2014 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW). Especificaciones y métodos de medición.
• JIS C 8933:1995 Simuladores solares para células y módulos solares amorfos
• JIS C 8931 AMD 1:2005 Células solares amorfas de referencia secundaria (Enmienda 1)
• JIS C 8936:1995 Métodos de medición de la respuesta espectral de células y módulos solares amorfos.
• JIS C 8938:1995 Métodos de prueba ambientales y de resistencia para módulos de células solares amorfas.

Group Standards of the People's Republic of China, Semicristalino y amorfo

• T/QGCML 4031-2024 Oblea óptica semiconductora
• T/IAWBS 013-2019 El método de medición de la resistividad para un sustrato de carburo de silicio semiaislante.
• T/CISA 025-2020 Aleación cruda con alto contenido de silicio para aleación amorfa.
• T/IAWBS 017-2022 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de curva de oscilación de rayos X de cristal doble de sustrato de cristal único de diamante
• T/IAWBS 015-2021 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de Ga2O3
• T/IAWBS 016-2022 Método de prueba FWHM de curva oscilante de doble cristal de rayos X para oblea única de carburo de silicio
• T/SZBSIA 007-2022 Especificación de prueba de unión de matrices de semiconductores
• T/SZBSIA 006-2022 Norma técnica de semiconductores di e bonder
• T/CEMIA 023-2021 Crisol de cuarzo para crecimiento de monosilicio semiconductor.
• T/CZSBDTHYXH 001-2023 Defectos de oblea Equipo de inspección óptica automática
• T/ICMTIA CM0038-2024 Crisol de cuarzo de alta pureza para la producción de monocristal de silicio semiconductor
• T/ZZB 2284-2021 Transformadores de distribución con núcleo de aleación amorfa de tipo seco
• T/CEEIA 314-2018 Especificaciones técnicas para núcleo de aleación amorfa.
• T/ZZB 2283-2021 Polvo de grafito de pureza ultraalta para cristal semiconductor de carburo de silicio
• T/NXCL 28-2024 Crisol de cuarzo sintético para el crecimiento de silicio monocristalino de grado semiconductor
• T/CWAN 0088-2023 Especificaciones recomendadas para cintas y aplicaciones de soldadura amorfas de aleación de titanio.
• T/CEMIA 024-2021 Prácticas de fabricación de crisoles de cuarzo para el crecimiento del monosilicio semiconductor

Association Francaise de Normalisation, Semicristalino y amorfo

• NF ISO 18535:2016 Recubrimientos de carbono amorfo: determinación de las características de fricción y desgaste de los recubrimientos de carbono amorfo mediante el método de bola sobre disco
• NF B30-004:1974 VIDRIO.CRISTAL,CRISTAL VIDRIO,CRISTALINA.
• NF A09-280-3*NF EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: instrumentos.
• NF A09-280-2*NF EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 2: procedimientos.
• NF EN 1330-11:2007 Ensayos no destructivos - Terminología - Parte 11: Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos
• NF C96-822:1981 Dispositivos semiconductores Tiristores de alta potencia
• NF A09-280-1*NF EN 13925-1:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo - Parte 1: principios generales.
• NF EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X aplicada a materiales policristalinos y amorfos - Parte 2: procedimientos
• NF EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X aplicada a materiales policristalinos y amorfos - Parte 3: equipos
• NF C96-611/A1:1972 Semiconductores Transistores de unión Hojas de normas particulares
• NF EN 13925-1:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X aplicada a materiales policristalinos y amorfos - Parte 1: principios generales
• NF A09-020-11*NF EN 1330-11:2007 Ensayos no destructivos - Terminología - Parte 11: Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos.
• NF C80-202*NF EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• NF EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de portadora caliente en transistores MOS
• NF C86-503:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fototransistores, transistores fotodarlington y conjuntos de fototrasistores. Especificación de detalle en blanco CECC 20 003.
• NF C93-616:2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición
• NF C28-901-8-11*NF EN IEC 60404-8-11:2018 Materiales magnéticos - Parte 8-11: especificaciones para materiales individuales - Banda amorfa a base de Fe entregada en estado semiprocesado
• NF A04-503:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Aluminio y aleaciones de aluminio.
• NF A04-505:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Níquel y aleaciones de níquel.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Semicristalino y amorfo

• GB/T 19346.3-2021 Métodos de medición de aleaciones amorfas y nanocristalinas. Parte 3: Propiedades magnéticas de CA de una tira amorfa a base de Fe utilizando una muestra de una sola hoja.
• GB/T 5238-2019 Germanio monocristalino y rodajas de germanio monocristalino.
• GB/T 10045-2018 Electrodos con núcleo tubular para aceros no aleados y de grano fino.
• GB/T 22072-2018 Especificaciones y requisitos técnicos para transformadores de distribución con núcleo de aleación amorfa de tipo seco.

British Standards Institution (BSI), Semicristalino y amorfo

• BS EN 13925-2:2003(2008) Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Procedimientos
• BS EN 13925-3:2005(2009) Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Instrumentos
• BS EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Procedimientos
• BS EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Instrumentos
• BS EN 13925-1:2003(2008) Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Principios generales
• BS EN 13925-1:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Principios generales
• BS EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos: almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. - Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
• BS EN 62047-9:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Medición de la fuerza de unión de oblea a oblea para MEMS
• BS EN 62047-9:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Medición de la fuerza de unión de oblea a oblea para MEMS
• BS IEC 60747-7:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Transistores bipolares
• BS IEC 60747-7:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
• BS IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
• BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores bipolares
• BS IEC 60747-4:2008 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Diodos y transistores de microondas
• BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: diodos y transistores de microondas.
• BS EN IEC 60404-8-11:2018 Materiales magnéticos. Especificaciones para materiales individuales. Tira amorfa a base de Fe entregada en estado semiprocesado
• BS IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Transistores de efecto de campo
• BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores de efecto de campo
• BS EN 50513:2009 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
• BS IEC 60747-6:2016 Dispositivos semiconductores Parte 6: Dispositivos discretos - Tiristores
• BS EN 61747-2:1999 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Módulos de visualización de cristal líquido. Especificación seccional
• BS IEC 60747-9:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• BS IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• BS IEC 60747-8:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Transistores de efecto de campo - Clasificaciones y características adicionales y modificaciones en los métodos de medición para transistores de efecto de campo de conmutación de potencia
• BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• BS EN 3938:2001 Serie aeroespacial - Aleación a base de níquel NI-B46001 (NiCo20Si5B3) Metal de aportación para soldadura fuerte - Lámina amorfa
• BS EN 61747-3:2000 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido: especificación seccional para celdas de visualización de cristal líquido (LCD)
• BS IEC 60747-4:2007+A1:2017(2020) Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.

Defense Logistics Agency, Semicristalino y amorfo

• DLA MIL-S-19500/303 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N2631 y 2N2876
• DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipo silicio 2N3904
• DLA MIL-S-19500/72 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio tipos 2N499 y 2N499A
• DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N389 y 2N424 (azul marino)
• DLA MIL-S-19500/215 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N1173 y 2N1174 (azul marino)
• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PN, silicio, unión unida JAN2N5431 y JANTX2N5431
• DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, TIPO DE SILICIO 2N1051
• DLA MIL-S-19500/273 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, tipo transistor Tipo 2N744
• DLA MIL-S-19500/69 E VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos JAN-2N337 y JAN-2N338
• DLA MIL-S-19500/16 E VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio tipos 2N342, 2N342A y 2N343
• DLA MIL-PRF-19500/139 B NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, TIPO DE SILICIO JAN-2N1119
• DLA MIL-S-19500/288 (2)-1966 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, TIPO DE SILICIO 2N2377
• DLA MIL-S-19500/288 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, tipo silicio 2N2377
• DLA MIL-S-19500/170 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio tipo 2N1499A
• DLA MIL-S-19500/179 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, tipo silicio 2N1234
• DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, tipo silicio 2N1051
• DLA MIL-S-19500/40 B VALID NOTICE 3-2011 Semiconductor, Transistor, NPN, Germanio, Tipo de alimentación 2N326
• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 2-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PN, SILICIO, UNIJUNCIÓN JAN2N5431 Y JANTX2N5431
• DLA MIL-PRF-19500/198 E-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TIRISTORES, TIPOS 2N1870A, 2N1871A, 2N1872A Y 2N1874A, ENE
• DLA MIL-PRF-19500/287 G-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, SILICIO NPN, CONMUTACIÓN, TIPO 2N3013, JAN Y JANTX
• DLA MIL-S-19500/76 C VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipos de alimentación 2N1412 y 2N1412A
• DLA MIL-S-19500/268 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, conmutación de silicio tipos 2N2481 y TX2N2481
• DLA MIL-S-19500/373 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, conmutación de silicio tipos 2N914 y TX2N914
• DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, FOTO TIPO 2N986
• DLA MIL-S-19500/49 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Tipos 2N464, 2N465, 2N467
• DLA MIL-S-19500/38 C (1)-1988 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, TIPOS DE POTENCIA 2N539 Y 2N539A
• DLA MIL-PRF-19500/74 E NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES, NPN, SILICIO, MEDIA POTENCIA, TIPOS 2N497, 2N498, 2N656 Y 2N657
• DLA MIL-PRF-19500/369 G-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3441, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/402 F-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3739, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/369 H-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3441, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-S-19500/20 C VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipos de baja potencia 2N404 y 2N40A
• DLA MIL-S-19500/277 D VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos de alimentación 2N2150 y 2N2151 JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/526 H-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3879, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA DSCC-DWG-04029-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5927
• DLA DSCC-DWG-04030-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5926
• DLA DSCC-DWG-99009 REV A-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5241
• DLA MIL-PRF-19500/25 B NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, TIPO DE BAJA POTENCIA 2N240
• DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, ALTA FRECUENCIA TIPO 2N384
• DLA MIL-S-19500/68 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de conmutación 2N1120
• DLA MIL-S-19500/80 E VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Tipo de Bajo Consumo 3N35
• DLA MIL-S-19500/13 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, alta potencia tipo 2N174A
• DLA MIL-S-19500/25 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, bajo consumo tipo 2N240
• DLA MIL-S-19500/36 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, alta potencia tipo 2N297A
• DLA MIL-S-19500/44 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de bajo consumo 2N428
• DLA MIL-S-19500/51 E VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, bajo consumo tipo 2N466
• DLA MIL-S-19500/58 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Potencia Tipo 2N665
• DLA MIL-S-19500/330 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor PNP, germanio tipos 2N1557A a 2N1560A
• DLA MIL-S-19500/338 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, germanio PNP, tipo de conmutación 2N3449
• DLA MIL-PRF-19500/466 C VALID NOTICE 1-2012 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, potencia, tipos 2N5683 y 2N5684, JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/528 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, potencia, tipos 2N6032 y 2N6033 JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/612 D-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N7372, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/312 E VALID NOTICE 1-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipo de conmutación 2N708, JAN, JANTX y JANHC
• DLA MIL-S-19500/175 C VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipos de baja potencia 2N650A, 2N651A y 2N652A
• DLA MIL-PRF-19500/518 D (1)-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3766, 2N3767, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/370 H-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPO 2N3442, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/612 D VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, potencia, tipo 2N7372, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 2-2008 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Bajo Consumo, Tipos 2N2708, JAN
• DLA MIL-S-19500/71 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de bajo consumo 2N1195
• DLA MIL-S-19500/87 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio de baja potencia tipo 2N1142
• DLA MIL-S-19500/138 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, tipo de bajo consumo 2N1118
• DLA MIL-S-19500/174 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de baja potencia JAN-2N398A
• DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 3-2013 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Bajo Consumo, Tipos 2N2708, JAN
• DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS CON ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-19500/710 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6674T1, 2N6674T3, 2N6675T1 Y 2N6675T3, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/508 B VALID NOTICE 2-2008 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, tipos de alimentación 2N6437 y 2N6438, JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos de alta frecuencia 2N6603 y 2N6604 JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/528 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6032 Y 2N6033, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/508 C-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6437 Y 2N6438, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/448 E-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, BAJA POTENCIA, TIPO 2N4405, 2N4405UA y 2N4405UB, JAN Y JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/392 J-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPOS 2N3485A Y 2N3486A, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/423 G-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPOS 2N5581 Y 2N5582, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/515 D VALID NOTICE 1-2012 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, potencia, tipos 2N6378 y 2N6379, JAN, JANTX, JANTXV y JANHC
• DLA MIL-PRF-19500/514 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6274 Y 2N6277, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPOS DE ALTA POTENCIA 2N1722 Y 2N1724, JAN Y JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos de alta frecuencia 2N6603 y 2N6604 JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/380 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPOS DE POTENCIA 2N4865, 2N5250, 2N5251, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPO 2N3442, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/621 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPO 2N7369, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-S-19500/74 E VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistores, NPN, silicio, potencia media, tipos 2N497, 2N498, 2N656 y 2N657
• DLA MIL-S-19500/110 C VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, tipos de bajo consumo 2N328A, 2N329A, 2N328AS y 2N329AS
• DLA MIL-PRF-19500/6C VALID NOTICE 1-2003 SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE DISPOSITIVO, PNP, GERMANIO, TIPOS DE BAJA POTENCIA 2N43AZ1, 2N43AZ2, 2N44AZ1 Y 2N44AZ2
• DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Alta potencia, Tipos 2N1487, 22N1488, 2N1489 y 2N1490
• DLA MIL-PRF-19500/573 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, TIPOS DE CONMUTACIÓN 2N4209, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N2608, JAN y UB
• DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N2609, JAN y UB
• DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N2609, JAN Y UB
• DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N2608, JAN Y UB
• DLA MIL-S-19500/41 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Tipos de Conmutación 2N425, 2N426, 2N427
• DLA MIL-S-19500/331 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipos de alimentación 2N1553A a 2N1556A
• DLA SMD-5962-86872 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL AVANZADO, NAND BUFFER, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPOS 2N3771 Y 2N3772, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 Semiconductor, dispositivo, transistor, NPN, silicio, tipos de alta potencia 2N2812 y 2N2814 JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/582 B-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, AMPLIFICADOR DE SILICIO, TIPOS 2N5679 Y 2N5680, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/509 D-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6338 Y 2N6341, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/448 D VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, bajo consumo, tipo 2N4405, 2N4405UA y 2N4405UB, JAN y JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/583 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, AMPLIFICADOR DE SILICIO, TIPOS 2N5681 Y 2N5682, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/433 H VALID NOTICE 1-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, alta potencia, tipo 2N4399 y 2N5745, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, alta potencia, tipos 2N5671 y 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/582 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Amplificador de Silicio, Tipos 2N5679 y 2N5680, JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/315 G-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPOS DE POTENCIA 2N2880, 2N3749, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio de alta potencia, tipos 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO DE ALTA POTENCIA, TIPOS 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/750-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7507U3, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal N, silicio, tipo 2N7507U3, JANTX, JANTXV y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/748-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N7505T3, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/751-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N7508U3, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, Transistor de efecto de campo, Canal P, Silicio, Tipo 2N7505T3, JANTX, JANTXV y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N7508U3, JANTX, JANTXV y JANS
• DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Frecuencia, 25 Milivatios, Tipo JAN-2N128
• DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, tiristor triodo (bidireccional), silicio, tipos 2N5806 a 2N5809
• DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPOS 2N3715 Y 2N3716, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPOS 2N5671 Y 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/270 J VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, unificado, transistor dual, NPN, silicio, tipos 2N2060 y 2N2060L, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/580 B VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, amplificador de silicio, tipos 2N4234, 2N4235 y 2N4236, JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/181 J-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, BAJA POTENCIA, TIPOS 2N718A, 2N1613 Y 2N1613L, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-S-19500/537 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos de alimentación 2N6674, 2N6675, 2N6689 y 2N6690 JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-S-19500/388 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PN, silicio, unijunción tipos 2N4947, 2N4948 y 2N4949 JAN, JANTX, JANTX y JANS
• DLA MIL-PRF-19500/710 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6674T1, 2N6674T3, 2N6675T1 Y 2N6675T3, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL PRF 19500/581C B-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, AMPLIFICADOR DE SILICIO, TIPOS 2N4237, 2N4238 Y 2N4239, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/535 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N5003 Y 2N5005, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/710 C-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6674T1, 2N6674T3, 2N6675T1 Y 2N6675T3, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/540 D-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DARLINGTON, SILICIO PNP, POTENCIA, TIPOS 2N6298 Y 2N6299, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/540 E-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DARLINGTON, SILICIO PNP, POTENCIA, TIPOS 2N6298 Y 2N6299, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONDUCTOR/BUFFER DE LÍNEA NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, LATCH TRANSPARENTE OCTAL NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON HABILITACIÓN DE RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR NO INVERSOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR INVERSOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/536 VALID NOTICE 3-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPOS DE POTENCIA 2N6671 Y 2N6673 JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/75 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES, PN, UNIJUNCIÓN DE SILICIO TIPOS 2N2417A HASTA 2N2422A, Y TX2N2417A HASTA TX2N2422A
• DLA SMD-5962-86833 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTAS NAND, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86865 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, NAND GATE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-19500/501 D-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DARLINGTON, PNP, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6051 Y 2N6052, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/560 J-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPO 2N5339 Y 2N5339U3, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/561 G-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPOS 2N6193 Y 2N6193U3, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/395 J (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPOS 2N3735, 2N3735L, 2N3737 Y 2N3737UB, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
• DLA MIL-S-19500/126 C VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, tipos 2N1302, 2N1304,2N1306, 21308 y PNP tipos 2N1303, 2N1305, 2N1307 y 2N1309
• DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, alta frecuencia, tipos de alimentación 2N3375, 2N3553 y 2N4440 JAN, JANTX y JANTXV
• DLA MIL-S-19500/341B-1968 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA FRECUENCIA, TIPOS DE POTENCIA 2N3375, 2N3553 Y 2N4440 JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/539 F (1)-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POWER DARLINGTON, TIPOS 2N6300 Y 2N6301, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/504 E-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DARLINGTON, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6283 Y 2N6284, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/505 E-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DARLINGTON, PNP, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6286 Y 2N6287, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/539 E-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DARLINGTON, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6300 Y 2N6301, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/672-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PLÁSTICO, NPN, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPO 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
• DLA MIL-S-19500/372 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, tiristor (rectificador controlado), silicio tipos 2N4199 a 2N4206

SCC, Semicristalino y amorfo

• DIN VDE 0556:1966 Regulaciones para rectificadores semiconductores de policristal.
• NS-EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos.
• DANSK DS/EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos.
• NS-EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 2: Procedimientos.
• DANSK DS/EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Parte 2: Procedimientos
• DANSK DS/EN 1330-11:2007 Ensayos no destructivos - Terminología - Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos
• NS-EN 1330-11:2007 Ensayos no destructivos. Terminología. Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos.
• DANSK DS/EN 13925-1:2003 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo. Parte 1: Principios generales.
• NS-EN 13925-1:2003 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X a partir de materiales policristalinos y amorfos. Parte 1: Principios generales.
• ISO/IWA 43:2023 Tipos de vidrio - Cristal, cristal y cristal de plomo - Especificaciones y métodos de prueba
• BS IEC 60747-4-1:2000 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: diodos y transistores de microondas. Transistores de efecto de campo de microondas. Especificación detallada en blanco: BDS para transistores de efecto de campo de microondas
• IEC 60146:1963 Células, pilas, conjuntos y equipos rectificadores de semiconductores monocristalinos.
• 04/19973037 DC BS EN 1330-11. Pruebas no destructivas. Terminología. Parte 11. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos.
• BS IEC 60747-4:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Diodos y transistores de microondas.
• BS 6493-1.6:1984 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos-Recomendaciones para tiristores
• CEI EN 62416:2011 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• AS 2547.1.6:1986 Dispositivos semiconductores, Parte 1.6: Dispositivos discretos - Tiristores
• DANSK DS/EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• UNE 84601:1998 PRODUCTOS COSMÉTICOS. Pastas dentales. SORBITOL. SOLUCIÓN AL 70% NO CRISTALIZABLE.
• IEC 60146:1963/COR1:1965 Corrigendum 1 - Celdas, pilas, conjuntos y equipos rectificadores de semiconductores monocristalinos
• BS IEC 60747-7:2000 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados-Transistores bipolares
• BS 6493-1.7:1989 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos-Recomendaciones para transistores bipolares
• CEI EN 50513:2010 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
• DANSK DS/EN 50513:2009 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
• 08/30176109 DC BS EN 50513. Obleas solares. Hoja de datos e información del producto para obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
• AS 2547.1.7:1989 Dispositivos semiconductores, Parte 1.7: Dispositivos discretos - Transistores bipolares
• BS IEC 60747-9:1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• BS 6493-1.8:1985 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: recomendaciones para transistores de efecto de campo.
• DIN EN 50513 E:2008 Borrador de documento - Obleas solares - Ficha técnica e información del producto para obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares; Versión alemana FprEN 50513:2008
• BS 9343:1977 Reglas para la preparación de especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores de calidad evaluada: tiristores triodos bidireccionales (triacs) con clasificación de caja
• BS 3494-2:1966 Recomendaciones sobre dispositivos semiconductores. Métodos de medición de las características de diodo y transistores.
• DANSK DS/EN IEC 60404-8-11:2018 Materiales magnéticos – Parte 8-11: Especificaciones para materiales individuales – Banda amorfa a base de Fe entregada en estado semiprocesado
• CEI EN IEC 60404-8-11:2019 Materiales magnéticos Parte 8-11: Especificaciones para materiales individuales - Banda amorfa a base de Fe entregada en estado semiprocesado

Professional Standard - Electron, Semicristalino y amorfo

• SJ/T 10698-1996 Célula solar de referencia de silicio amorfo
• SJ/T 11864-2022 Sustrato monocristalino de carburo de silicio semiaislante
• SJ/T 11487-2015 Método de medición sin contacto para la resistividad de una oblea semiconductora semiaislante.
• SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
• SJ 50033.40-1994 Especificación detallada para el fototransistor NPN de silicio semiconductor tipo GT11
• SJ 20844-2002 Método de prueba para la homogeneidad de microzonas de arseniuro de galio monocristalino semiaislante
• SJ 20310-1993 Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD101
• SJ 20183-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD6
• SJ 50033/30-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD155.
• SJ 50033/36-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3CD050
• SJ 50033/37-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD164.

European Committee for Standardization (CEN), Semicristalino y amorfo

• EN 13383-1:2013 Armourstone - Parte 1: Especificaciones
• EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Parte 2: Procedimientos
• EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos.
• EN 13383-2:2013 Armourstone - Parte 2: Métodos de prueba
• EN 1330-11:2007 Ensayos no destructivos - Terminología - Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos

Society of Automotive Engineers (SAE), Semicristalino y amorfo

• SAE AMS3880C-1993 (No corriente)Vidrio Cerámico Cristalizado

German Institute for Standardization, Semicristalino y amorfo

• DIN EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo - Parte 2: Procedimientos; Versión alemana EN 13925-2:2003
• DIN EN 13925-1:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Parte 1: Principios generales; Versión alemana EN 13925-1:2003
• DIN EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos; Versión alemana EN 13925-3:2005
• DIN EN 13925-3:2005-07 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos; Versión alemana EN 13925-3:2005
• DIN EN 13925-2:2003-07 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo - Parte 2: Procedimientos; Versión alemana EN 13925-2:2003
• DIN EN 13925-1:2003-07 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo - Parte 1: Principios generales; Versión alemana EN 13925-1:2003
• DIN EN 1330-11:2007-09 Ensayos no destructivos - Terminología - Parte 11: Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos; Versión trilingüe EN 1330-11:2007
• DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
• DIN EN 62416:2010-12 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010); Versión alemana EN 62416:2010
• DIN EN 1330-11:2007 Ensayos no destructivos - Terminología - Parte 11: Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos; Versión trilingüe EN 1330-11:2007
• DIN 4000-19:1988-12 Diseños tabulares de características de artículos para transistores y tiristores.
• DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}
• DIN EN 61747-2:1999-07 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 2: Módulos de visualización de cristal líquido; especificación seccional (IEC 61747-2:1998); Versión alemana EN 61747-2:1999 / Nota: Se sustituirá por DIN EN 61747-2 (2013-04).

Danish Standards Foundation, Semicristalino y amorfo

• DS/EN 13925-2:2003 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Parte 2: Procedimientos
• DS/EN 13925-3:2005 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos.
• DS/EN 13925-1:2003 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo. Parte 1: Principios generales.
• DS/EN 1330-11:2007 Ensayos no destructivos - Terminología - Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos
• DS/EN 62416:2010
• DS/EN 50513:2009
• DS/IEC 747-7-3:1993 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación

Lithuanian Standards Office , Semicristalino y amorfo

• LST EN 13925-3-2005 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos.
• LST EN 13925-2-2004 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Parte 2: Procedimientos
• LST EN 13925-1-2004 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo. Parte 1: Principios generales.
• LST EN 1330-11-2007 Ensayos no destructivos - Terminología - Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos
• LST EN 50513-2009 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
• LST EN 62416-2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010)

AENOR, Semicristalino y amorfo

• UNE-EN 13925-2:2004 Ensayos no destructivos - Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos - Parte 2: Procedimientos
• UNE-EN 13925-3:2006 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos. Parte 3: Instrumentos.
• UNE-EN 13925-1:2006 Ensayos no destructivos. Difracción de rayos X de material policristalino y amorfo. Parte 1: Principios generales.
• UNE 43603:1979 VIDRIO, NOMENCLATURA Y TERMINOLOGÍA. CRISTAL. VASO DE CRISTAL
• UNE-EN 1330-11:2008 Ensayos no destructivos - Terminología - Parte 11: Términos utilizados en la difracción de rayos X de materiales policristalinos y amorfos
• UNE-EN 50513:2011 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares

BE-NBN, Semicristalino y amorfo

• NBN A 23-114-1983 BANDES MAGNETIQUES EN ACIER ALLIE A GRAINS NON ORIENTES LAMINEES A FROID ET LIVREES A L'ETAT SEMI-FINI
• NBN A 23-111-1987 BANDES ET TOLES MAGNETIQUES A GRAINS NON ORIENTES LAMINEES A FROID

CZ-CSN, Semicristalino y amorfo

• CSN 35 8740-1973 Dispositivos semiconductores. transistor. Medición de voltaje de saturación.
• CSN 35 8756-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores Medición de parámetros y
• CSN 35 8742-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medida de corrientes de corte
• CSN 35 8754-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medición de la admitancia de salida de cortocircuito.
• CSN 35 8759-1977 Dispositivos semiconductores. Transistores. Métodos de medición de los tiempos de conmutación.
• CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistor de efecto de campo

U.S. Military Regulations and Norms, Semicristalino y amorfo

• ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 0,01 Hz HASTA 15,0 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS

International Electrotechnical Commission (IEC), Semicristalino y amorfo

• IEC 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
• IEC 60747-6:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 6: Tiristores
• IEC 60747-7:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC PAS 62084:1998 Implementación de la tecnología Flip Chip y Chip Scale
• IEC 60119:1960 Recomendación para equipos y pilas de rectificadores de semiconductores policristalinos.
• IEC 60747-8:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 8: Transistores de efecto de campo
• IEC 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• IEC 60747-6:1983 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 6: Tiristores
• IEC 60747-4-1:2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas; Transistores de efecto de campo de microondas; Especificación de detalle en blanco
• IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 60747-7:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 60404-8-11:2018 Materiales magnéticos - Parte 8-11: Especificaciones para materiales individuales - Banda amorfa a base de Fe entregada en estado semiprocesado
• IEC 60747-4:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• IEC 60747-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas
• IEC 60747-7-3:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección 3: especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aparatos de conmutación
• IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
• IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
• IEC 60747-8:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
• IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.

GM North America, Semicristalino y amorfo

• GM GMP.PEI+PPC.001-1999 Polieterimida+PPC - Mezcla amorfa

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Semicristalino y amorfo

• DB35/T 1126-2011 Célula solar de silicio amorfo con poca luz

IN-BIS, Semicristalino y amorfo

• IS 3895-1966 ESPECIFICACIÓN PARA PILAS Y CÉLULAS RECTIFICADORES DE SEMICONDUCTOR MONOCRISTALINO
• IS 4540-1968 ESPECIFICACIÓN PARA CONJUNTOS Y EQUIPOS DE RECTIFICADOR DE SEMICONDUCTOR MONOCRISTALINO
• IS 2511-1963 ESPECIFICACIÓN PARA PILAS DE RECTIFICADORES DE SEMICONDUCTORES POLICRISTALINOS
• IS 3136-1965 ESPECIFICACIÓN PARA EQUIPO RECTIFICADOR DE SEMICONDUCTOR POLICRISTALINO (Primera reimpresión, ABRIL DE 1980)
• IS 4400 Pt.4-1981
• IS 3715 Pt.4-1971 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE Ⅳ TIRISTORES (Primera revisión)

TH-TISI, Semicristalino y amorfo

• TIS 1972-2009 Dispositivos semiconductores.Parte 6: tiristores.
• TIS 1864-2009 Dispositivos semiconductores.parte 7: transistores bipolares
• TIS 2121-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: transistores de efecto de campo.

GSO, Semicristalino y amorfo

• OS GSO IEC 60747-6:2014 Dispositivos semiconductores - Parte 6: Tiristores
• GSO IEC 60747-6:2014 Dispositivos semiconductores - Parte 6: Tiristores
• GSO ISO 21400:2022 Pulpa: determinación del contenido de azufre y semiéster de sulfato en nanocristales de celulosa
• BH GSO ISO 21400:2023 Pulpa: determinación del contenido de azufre y semiéster de sulfato en nanocristales de celulosa
• GSO IEC 60747-7:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• BH GSO IEC 60747-7:2016 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• GSO IEC 60747-4:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• OS GSO IEC 60747-4:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Semicristalino y amorfo

• GB/T 19346.2-2017 Métodos de medición para aleaciones amorfas y nanocristalinas. Parte 2: Factor de laminación de tiras de aleaciones amorfas.
• GB/T 19346.1-2017 Métodos de medición de aleaciones amorfas y nanocristalinas. Parte 1: propiedades magnéticas de CA mediante el uso de muestras de anillo.

International Organization for Standardization (ISO), Semicristalino y amorfo

• PRF IWA 43:2023 Tipos de vidrio. Vidrio cristal, cristal y cristal de plomo. Especificaciones y métodos de prueba.
• IWA 43:2023 Tipos de vidrio. Vidrio cristal, cristal y cristal de plomo. Especificaciones y métodos de prueba.
• ISO 3146:1974 Plásticos. Determinación de la temperatura de fusión de polímeros semicristalinos. Método óptico.

SE-SIS, Semicristalino y amorfo

• SIS SS CECC 20000-1983 Especificación genérica: Dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido.
• SIS SEN 27 06-1962 Pilas y equipos de rectificadores de semiconductores policristalinos.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Semicristalino y amorfo

• JEDEC JESD22-B118-2011 Inspección visual externa de la parte posterior de matrices y obleas semiconductoras

工业和信息化部, Semicristalino y amorfo

• YS/T 1231-2018 Lingote de aleación amorfa de circonio-cobre-níquel-aluminio-plata-itrio
• YS/T 1232-2018 Varilla de aleación amorfa de circonio-cobre-níquel-aluminio-plata-itrio
• SJ/T 11761-2020 Especificación para puertos de carga de equipos semiconductores para obleas de 200 mm y menos

YU-JUS, Semicristalino y amorfo

• JUS N.R1.352-1979 Símbolo de letra para dispositivos semiconductores. Tiristores.
• JUS N.R1.353-1979 Símbolo de letra para dispositivos semiconductores. Transistores bipolares y de efecto de campo.

GOST, Semicristalino y amorfo

• GOST 25734-1983 Alúmina. Método para la determinación cristalóptica de monocristales en alúmina no metalúrgica.

PL-PKN, Semicristalino y amorfo

• PN T01208-01-1992
• PN T01208-02-1992
• PN T01208-03-1992
• PN C89425-1992 Plástica. Determinación de la temperatura de fusión de polímeros semicristalinos.
• PN BN 8093-02-1965 Wyroby cukiernicze trwa?e Pomadki niekrys?aliczne Wymagania wspólne
• PN T01207-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
• PN T01210-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
• PN T01501 ArkusZ4-1973 Diseño de semiconductores Símbolos de letras de los parámetros de los transistores de efecto de campo

RU-GOST R, Semicristalino y amorfo

• GOST 33212-2014 Fleje de acero eléctrico de grano no orientado. Especificaciones
• GOST R 54480-2011 Fleje de acero eléctrico de grano no orientado. Especificaciones

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Semicristalino y amorfo

• YB/T 4544-2016 Rollos para colada continua de cinta amorfa

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Semicristalino y amorfo

• IEEE 425-1957 CÓDIGO DE PRUEBA para TRANSISTORES DEFINICIONES DE SEMICONDUCTOR y SÍMBOLOS DE LEITER

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Semicristalino y amorfo

• EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
• EN IEC 60404-8-11:2018 Materiales magnéticos - Parte 8-11: Especificaciones para materiales individuales - Banda amorfa a base de Fe entregada en estado semiprocesado

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Semicristalino y amorfo

• CNS 13805-1997 Método de medición de fotoluminiscencia de obleas semiconductoras optoelectrónicas
• CNS 8106-1981 Método para medir el voltaje umbral saturado de MOSFET

Professional Standard-Ships, Semicristalino y amorfo

• CB/T 4308-2013 Transformadores marinos de núcleo de aleación amorfa de tipo seco

未注明发布机构, Semicristalino y amorfo

• SEMI E106-1104 (Withdrawn 0710)-2010 GUÍA GENERAL DE SEMI ESTÁNDARES PARA INTERFACES FÍSICAS Y PORTADORES PARA OBLEAS DE 300 mm

KR-KS, Semicristalino y amorfo

• KS C IEC 60747-6-2021 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Dispositivos discretos. Tiristores.
• KS C IEC 60747-7-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
• KS C IEC 60747-7-2017 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
• KS C IEC 60747-4-2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• KS C IEC 60747-4-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
• KS C IEC 60747-8-2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.

ES-UNE, Semicristalino y amorfo

• UNE-EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayo de portadora caliente en transistores MOS (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
• UNE-EN IEC 60404-8-11:2018 Materiales magnéticos - Parte 8-11: Especificaciones para materiales individuales - Banda amorfa a base de Fe entregada en estado semielaborado (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en agosto de 2018.)

CH-SNV, Semicristalino y amorfo

• VSM 10336.10-1939 ZeichnungenSchwei?zeichen, Darstellung

CU-NC, Semicristalino y amorfo

• NC 54-290-1984 Materiales y Productos de Construcción. Carbonato de Calcio Semi-Amorfo Amorfo y Cristalino. Especificaciones de calidad
• NC 33-67-1987 Industria del aceite. Combustibles para motores Determinación de temperaturas de ebullición, arranque de cristalización y cristalización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Semicristalino y amorfo

• GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.
• GJB 33/009-1989 Especificación detallada en blanco para tiristores de dispositivos semiconductores discretos

Association of German Mechanical Engineers, Semicristalino y amorfo

• DVS 2215-3 Beiblatt 1-1998 Soldadura con elementos calefactores de piezas moldeadas de termoplásticos amorfos en producción en serie: parámetros de soldadura para termoplásticos amorfos y mezclas

Professional Standard - Machinery, Semicristalino y amorfo

• JB/T 12010-2014 Planta de llenado al vacío con transformador de núcleo de aleación amorfa
• JB/T 6307.4-1992 Método de prueba para módulo semiconductor de potencia Brazo y par de brazos de transistor bipolar

CN-QIYE, Semicristalino y amorfo

• Q/GDW 463-2010 Directrices para la selección de transformadores de distribución con núcleo de aleación amorfa

HU-MSZT, Semicristalino y amorfo

• MSZ 11453/3-1970 F?LVEZET? ESZK?Z?KA tranzisztor meghatározásai és m?szaki jellemz?inek k?zlése
• MNOSZ 973-1950 CINKSZULF?T kristályos, tisztított és ipari

国家食品药品监督管理局, Semicristalino y amorfo

• YY/T 0661-2017 Especificación estándar para resina virgen de poli(ácido L-láctico) para implantes quirúrgicos

TR-TSE, Semicristalino y amorfo

• TS 1866-1975 SULFATO DE SODIO ANHIDRO Y CRISTAL
• TS 2249-1976 PLÁSTICOS r DETERMINACIÓN DE LA TEMPERATURA DE FUSIÓN DE POLÍMEROS SEMI - CRISTALINOS , MÉTODO ÓPTICO

Otros:   Rayos de materiales policristalinos y amorfos., Difracción de policristalinos y amorfos., Amorfo y policristalino, Semicristalino y amorfo, Difracción policristalina y amorfa., Policristalino y amorfo, Difracción amorfa y policristalina..