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desarrollo de transistores

desarrollo de transistores, Total: 500 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en desarrollo de transistores son: Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Dispositivos semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Vocabularios, Estandarización. Reglas generales, Terminal de TI y otros equipos periféricos, Calidad, Pruebas eléctricas y electrónicas., Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Educación, Vaso, Organización y gestión de la empresa., Protección del medio ambiente, Productos de la industria textil., Circuitos integrados. Microelectrónica, Plástica, Sistemas de vehículos de carretera, Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Químicos orgánicos, Materiales de construcción, Materiales para el refuerzo de composites., Terminología (principios y coordinación), Radiocomunicaciones, Símbolos gráficos, Edificios, Servicios, Transporte, SOCIOLOGÍA. SERVICIOS. ORGANIZACIÓN Y GESTIÓN DE LA EMPRESA. ADMINISTRACIÓN. TRANSPORTE, Aplicaciones de la tecnología de la información., Dispositivos de visualización electrónica., ingeniería de energía solar, ingeniería de energía nuclear, Mediciones de radiación, Agricultura y silvicultura, Vehículos de carretera en general, Ocio. Turismo, Calidad del suelo. Pedología, Red Digital de Servicios Integrados (RDSI), Física. Química.

Defense Logistics Agency, desarrollo de transistores

• DLA SMD-5962-90798-1992 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, RÁPIDOS, CMOS, GENERADOR/CHECKERS DE PARIDAD IMPAR DUAL, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87560 REV F-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, TRADUCTOR TTL A ECL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87508 REV E-2006
• DLA SMD-5962-91530 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, TRADUCTOR HEX TTL A ECL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-91531 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, TRADUCTOR ECL A TTL HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92075 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, CONTROLADOR DE RELOJ 68030/40 ECL/TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-07242-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, DOBLE CANAL, TRANSCEPTOR BUS, ENTRADA/SALIDA TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97590 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL AVANZADO, CHANCLAS TIPO D DISPARADAS POR BORDE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, COMPATIBLE CON TTL, FLIP-FLOP OCTAL DISPARADO POR BORDE TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/244 B VALID NOTICE 3-2011 Transistor, PNP, germanio tipo 2N2273
• DLA SMD-5962-94773-1995 MICROCICUITO, DIGITAL, TRANSCEPTOR DE DIRECCIÓN/DATOS TTL/BTL DE 9 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipo silicio 2N3904
• DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Tipos de doble emisor 3N74, TX3N74, 3N75, TX3N75, 3N76, TX3N76, 3N127, TX3N127
• DLA SMD-5962-92066 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, OCTAL ECL/TTL, TRADUCTOR BIDIRECCIONAL CON REGISTRO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA DSCC-DWG-85019 REV E-2008 LÍNEAS DE RETARDO, PROGRAMABLES COMPATIBLES CON 16 PINES, 3 BIT, COMPATIBLES CON TTL
• DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DISPARADOR HEX SCHMITT, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/248 A VALID NOTICE 4-2011 Transistor, NPN, tipos de silicio 2N2015, 2N2016
• DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 MICROCIRCUITOS LINEALES, AMPLIFICADORES OPERACIONALES BI-FET, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, TIPO DE SILICIO 2N1051
• DLA MIL-S-19500/273 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, tipo transistor Tipo 2N744
• DLA MIL-S-19500/303 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N2631 y 2N2876
• DLA SMD-5962-98627 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, CHANCLAS TIPO D DE DISPARO POR BORDE POSITIVO DOBLE CON SILICIO MONOLÍTICO TRANSPARENTE Y PREAJUSTADO
• DLA SMD-5962-97592 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, CHANCLAS TIPO D DE DISPARO POR BORDE POSITIVO DOBLE CON SILICIO MONOLÍTICO TRANSPARENTE Y PREAJUSTADO
• DLA SMD-5962-85508 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, MULTIPLEXOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86708 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL DE BAJA CONSUMO, REGISTRO DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-19500/139 B NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, TIPO DE SILICIO JAN-2N1119
• DLA MIL-S-19500/288 (2)-1966 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, TIPO DE SILICIO 2N2377
• DLA MIL-S-19500/288 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, tipo silicio 2N2377
• DLA MIL-S-19500/170 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio tipo 2N1499A
• DLA MIL-S-19500/179 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, tipo silicio 2N1234
• DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, tipo silicio 2N1051
• DLA MIL-S-19500/40 B VALID NOTICE 3-2011 Semiconductor, Transistor, NPN, Germanio, Tipo de alimentación 2N326
• DLA SMD-5962-90780 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE SCHOTTKY, TTL, FLIPFLOPS DE INTERFAZ DE BUS DE 10 BITS CON ENTRADAS INVERSORA Y NO INVERSORA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86075 REV C-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL AVANZADO, CAMBIO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, PUERTA BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, CONTADORES ARRIBA/ABAJO SINCRÓNICOS DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, FOTO TIPO 2N986
• DLA MIL-S-19500/72 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio tipos 2N499 y 2N499A
• DLA MIL-S-19500/49 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Tipos 2N464, 2N465, 2N467
• DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N389 y 2N424 (azul marino)
• DLA MIL-S-19500/215 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N1173 y 2N1174 (azul marino)
• DLA SMD-5962-87595 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87711 REV A-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, MULTIVIBRADOR MONOESTABLE DOBLE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86069-1986 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL AVANZADO, COMPARADOR DE MAGNITUD, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86710 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, AVANZADO, SCHOTTKY TTL, UNIDAD LÓGICA ARITMÉTICA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, BUFFER, TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86872 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL AVANZADO, NAND BUFFER, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87517 REV B-2001
• DLA DSCC-DWG-04029-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5927
• DLA DSCC-DWG-04030-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5926
• DLA MIL-PRF-19500/25 B NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, TIPO DE BAJA POTENCIA 2N240
• DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, ALTA FRECUENCIA TIPO 2N384
• DLA MIL-S-19500/68 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de conmutación 2N1120
• DLA MIL-S-19500/80 E VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Tipo de Bajo Consumo 3N35
• DLA MIL-S-19500/13 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, alta potencia tipo 2N174A
• DLA MIL-S-19500/25 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, bajo consumo tipo 2N240
• DLA MIL-S-19500/36 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, alta potencia tipo 2N297A
• DLA MIL-S-19500/44 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de bajo consumo 2N428
• DLA MIL-S-19500/51 E VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, bajo consumo tipo 2N466
• DLA MIL-S-19500/58 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Potencia Tipo 2N665
• DLA MIL-S-19500/330 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor PNP, germanio tipos 2N1557A a 2N1560A
• DLA MIL-S-19500/338 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, germanio PNP, tipo de conmutación 2N3449
• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PN, silicio, unión unida JAN2N5431 y JANTX2N5431
• DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, BUFFERS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON ENTRADAS TRANSPARENTES COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004
• DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, TRANSCEPTOR REGISTRADO OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 TRANSCEPTORES Y REGISTROS DE BUS OCTAL BICMOS, DIGITALES, DE MICROCIRCUITO CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-91586 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL DE BAJA CONSUMO, CODIFICADOR DE PRIORIDAD DE 10 A 4 LÍNEAS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86836 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, AVANZADO SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA O PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86842 REV E-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, TTL SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA POTENCIA Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 2-2008 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Bajo Consumo, Tipos 2N2708, JAN
• DLA MIL-S-19500/69 E VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos JAN-2N337 y JAN-2N338
• DLA MIL-S-19500/71 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de bajo consumo 2N1195
• DLA MIL-S-19500/87 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio de baja potencia tipo 2N1142
• DLA MIL-S-19500/16 E VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio tipos 2N342, 2N342A y 2N343
• DLA MIL-S-19500/138 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, tipo de bajo consumo 2N1118
• DLA MIL-S-19500/174 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de baja potencia JAN-2N398A
• DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 3-2013 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Bajo Consumo, Tipos 2N2708, JAN
• DLA SMD-5962-91738 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, OCTAL TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87683 REV C-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL BIPOLAR ALS TTL DECODIFICADOR SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86070 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, AVANZADO SCHOTTKY TTL. COMPARADOR DE IDENTIDAD DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86833 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTAS NAND, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86843 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, AVANZADO SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, INVERSORES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86865 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, NAND GATE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86866 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, AVANZADO SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, DECODIFICADOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87533 REV B-2001
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP D DE 9 BITS, DISPARADOR DE BORDE POSITIVO, CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP D DE 8 BITS, DISPARADOR DE BORDE POSITIVO CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, FLIP-FLOP OCTAL D CON HABILITACIÓN DE RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON TRANSCEPTOR DE BUS DE 18 BITS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87778 REV A-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, TRANSISTOR DE POTENCIA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 1-2008 Microcircuitos, lineales, matrices de transistores, silicio monolítico
• DLA SMD-5962-87778 REV B-2011 MICROCIRCUITO, LINEAL, TRANSISTOR DE POTENCIA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 2-2013 Microcircuitos, lineales, matrices de transistores, silicio monolítico
• DLA SMD-5962-92046 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, OSCILADOR CONTROLADO POR TENSIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86719 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL DE BAJA CONSUMO, SILICIO MONOLÍTICO DE REGISTRO TIPO QUAD D
• DLA SMD-5962-86838 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86841 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA POTENCIA Y PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86844 REV D-2006 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, BIPOLAR, AVANZADOS SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86876 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL DE BAJA CONSUMO, CONTADOR ARRIBA/ABAJO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL DE BAJA CONSUMO, CONTADOR DE 10 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97593 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, INVERSORES HEXAGONALES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 2-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PN, SILICIO, UNIJUNCIÓN JAN2N5431 Y JANTX2N5431
• DLA MIL-PRF-19500/198 E-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TIRISTORES, TIPOS 2N1870A, 2N1871A, 2N1872A Y 2N1874A, ENE
• DLA MIL-PRF-19500/287 G-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, SILICIO NPN, CONMUTACIÓN, TIPO 2N3013, JAN Y JANTX
• DLA MIL-S-19500/76 C VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipos de alimentación 2N1412 y 2N1412A
• DLA MIL-S-19500/41 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Tipos de Conmutación 2N425, 2N426, 2N427
• DLA MIL-S-19500/268 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, conmutación de silicio tipos 2N2481 y TX2N2481
• DLA MIL-S-19500/331 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipos de alimentación 2N1553A a 2N1556A
• DLA MIL-S-19500/373 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, conmutación de silicio tipos 2N914 y TX2N914
• DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, INVERSORES HEX SCHMITT-TRIGGER, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON HABILITACIÓN DE RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON RESET MAESTRO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP DUAL JK CON SET Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-87525 REV F-2007
• DLA SMD-5962-85096 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, MULTIPLEXOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-85097 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA POTENCIA, TTL, MULTIPLEXORES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-91661-1993
• DLA SMD-5962-86837 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR AVANZADO DE BAJA POTENCIA, SCHOTTKY TTL, NAND GATES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86840 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, CONTADOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86869 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, MULTIPLEXOR, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-M-38510/314 C VALID NOTICE 1-2008 MICROCIRCUITOS DIGITALES, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, MULTIVIBRADORES MONOESTABLES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-89876 REV B-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, MATRIZ DE TRANSISTORES, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/219 A VALID NOTICE 4-2011 Transistor, PNP, Germanio, Conmutación de Potencia, Tipos 2N1651, 2N1652, 2N1653
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, DECODIFICADOR 1 DE 8, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO DE CAMBIO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/38 C (1)-1988 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, TIPOS DE POTENCIA 2N539 Y 2N539A
• DLA MIL-PRF-19500/74 E NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES, NPN, SILICIO, MEDIA POTENCIA, TIPOS 2N497, 2N498, 2N656 Y 2N657
• DLA MIL-PRF-19500/369 G-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3441, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/402 F-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3739, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/369 H-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3441, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Frecuencia, 25 Milivatios, Tipo JAN-2N128
• DLA MIL-S-19500/20 C VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipos de baja potencia 2N404 y 2N40A
• DLA MIL-S-19500/277 D VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos de alimentación 2N2150 y 2N2151 JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/526 H-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPO 2N3879, JAN, JANTX Y JANTXV
• DLA SMD-5962-90695-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE LOW POWER SCHOTTKY, TTL, FLIP-FLOPS DE INTERFAZ DE BUS DE 8 BITS, CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-91597-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS CON BLOQUEO TRIPLE BIDIRECCIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-86881 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, UNIDAD LÓGICA ARITMÉTICA, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97591 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, COMPARADORES DE IDENTIDAD DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, tiristor triodo (bidireccional), silicio, tipos 2N5806 a 2N5809
• DLA MIL-PRF-19500/624 E (1)-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POWER DARLINGTON TIPO 2N7370, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS

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• NF C96-822:1981 Dispositivos semiconductores Tiristores de alta potencia
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• KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
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• KS C IEC 60747-4-1:2002 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
• KS C IEC 60747-6:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores
• KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
• KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
• KS C 5202-2004 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CONFIABILIDAD ASEGURADA
• KS C 5211-1980(2000) TRANSISTORES DE CONMUTACIÓN DE BAJA CORRIENTE CONFIABILIDAD GARANTIZADA
• KS C 5200-1980(2000) CONFIABILIDAD ASEGURADA TRANSISTORES DE BAJA FRECUENCIA Y BAJA POTENCIA
• KS C 5200-1980 CONFIABILIDAD ASEGURADA TRANSISTORES DE BAJA FRECUENCIA Y BAJA POTENCIA
• KS C IEC 60747-7-4:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
• KS C IEC 60747-7-3:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
• KS C IEC 60747-4:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• KS C IEC 60747-4:2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• KS C IEC 60747-4:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
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• KS C 5201-1980(2000) CONFIABILIDAD ASEGURADA TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA DE ALTA FRECUENCIA
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• CSN 35 8738-1964 transistor. Medición de tensiones inversas.
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• CSN 35 8909-1962 Transistores. Medición de la impedancia de reacción.
• CSN 35 8757 Cast.9-1986 Transistores. Métodos para medir la resistencia térmica.
• CSN 35 8748-1964 Transistores. Medición de la impedancia de reacción.
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• CSN 35 8742-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medida de corrientes de corte
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• CSN 35 8740-1985 Transistores. Métodos de medición del voltaje de saturación.
• CSN 35 8757 Cast.11-1986 Transistores. Método para medir los tiempos de conmutación.
• CSN 35 8761-1973
• CSN 35 8762-1973 Dispositivos semiconductores. Fotodiodos fototransistores. Medición de corriente oscura.
• CSN 35 8754-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medición de la admitancia de salida de cortocircuito.
• CSN 35 8753-1970 Transistores. Método de medición de la admitancia de entrada de cortocircuito en la configuración de emisor común a frecuencias más altas
• CSN 35 8744-1964 transistor. Medición de corrientes y voltajes CC.
• CSN 35 8815-1979 Transistor KU 605, KU 606, KU 607, KU 608, KUY 12
• CSN 35 8759-1977 Dispositivos semiconductores. Transistores. Métodos de medición de los tiempos de conmutación.
• CSN 35 8757 Cast.4-1985 Transistores. Métodos para medir la corriente de corte del colector, la corriente de corte del emisor y la corriente de corte del colector-emisor
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• GOST 27264-1987 Transistores bipolares de potencia. Métodos de medición
• GOST R 55899-2013 Directrices para la justificación y desarrollo de estándares de sistemas de gestión de crisis.
• GOST 17466-1980 Transistores bipolares y de efecto de campo. Parametros basicos
• GOST 18604.10-1976 Transistores bipolares. Técnica de medición de resistencia de entrada.
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• GOST 20398.2-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de la figura de ruido
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KR-KS, desarrollo de transistores

• KS X ISO 37101-2019 Desarrollo sostenible en comunidades —Sistema de gestión para el desarrollo sostenible —Requisitos con orientación para su uso
• KS C IEC 60747-4-2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• KS C IEC 60747-4-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
• KS C IEC 60747-7-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
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• CNS 6808-1989 Reglas generales para transistores
• CNS 3997-1989 Método de prueba para transistores
• CNS 11763-1986 Megáfonos de transistores
• CNS 3009-1994 Radios de transistores de tipo simple
• CNS 3010-1994 Radios de transistores de tipo general
• CNS 6809-1989 Describe métodos de dibujo para transistores
• CNS 7229-1981 Método de prueba para mediciones de figura de ruido de transistores a frecuencias medias
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• T/ZACA 049-2022 Desarrollo Sostenible Sistemas de Gestión de la Industria de la Moda-Requisitos Parte1:Sistemas de gestión-Requisitos y lineamientos
• T/ZZB 0514-2018 Película reflectora óptica para pantalla de panel TFT-LCD
• T/CECS 10278-2023 Tablero integrado de aislamiento y decoración de cerámica de espuma microcristalina.
• T/GDEEA 002-2021 Reglamento de gestión institucional para el desarrollo (educación) temprano e integrado de lactantes y niños pequeños
• T/ZBZLXH 001-2023 Gestión de calidad: guía de desarrollo empresarial de alta calidad
• T/ZTAC 003-2022 Estándares para la Evaluación y Gestión de Pueblos Demostrativos de Desarrollo Comercial
• T/GAZE 0001-2021 Guía de gestión del desarrollo sostenible de Zheshang Enterprise
• T/GFOA 008-2023 Convention and exhibition complex environmental management standards
• T/CPIA 0020-2020 Método de prueba de electroluminiscencia para células fotovoltaicas de silicio cristalino
• T/JXAS 027-2023 Zona de demostración de desarrollo ecológico verde e integrado del delta del río Yangtsé Especificación para la medición de la estación de llenado de petróleo
• T/CIET 215-2023 Guidelines for evaluating the development level of green and low-carbon management
• T/COEMA 002LCD-2022 Película polarizadora de baja permeabilidad a la humedad para TFT-LCD
• T/GDES 37-2021 Requisitos de desarrollo ecológico de alta calidad para etiquetas de alta calidad
• T/GDES 37-2019 Desarrollo ecológico de alta calidad y especificaciones de gestión de etiquetas de alta calidad.
• T/CSAE 292-2022 Sistema de índices de evaluación para el desarrollo de vehículos urbanos inteligentes conectados
• T/JSTERA 9-2018 Índice de Evaluación del Sistema de Nivel de Desarrollo del Transporte Público Urbano
• T/QPZX 0001-2023 Norma general del director de calidad de la empresa en la zona de demostración de desarrollo ecológico verde e integrado del delta del río Yangtze
• T/FYDHWZ 001-2021 Estándar del grupo de la Asociación de desarrollo industrial de Dahe Wuzhu del condado de Fuyuan
• T/SAS 0003-2018 Cristales de centelleo de germanato de bismuto para tomografía por emisión de positrones
• T/CEC 538-2021 Especificaciones Técnicas para la Selección de Módulos Fotovoltaicos de Silicio Cristalino para Centrales Fotovoltaicas

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• ITU-R RESOLUCION 11-4 SPANISH-2007 Mayor desarrollo del Sistema de Gestión del Espectro para los Países en Desarrollo
• ITU-R RESOLUTION 11-4-2007 Mayor desarrollo del Sistema de Gestión del Espectro para los Países en Desarrollo
• ITU-R RESOLUTION 11-4 ARABIC-2007 Mayor desarrollo del Sistema de Gestión del Espectro para los Países en Desarrollo
• ITU-R RESOLUTION 11-4 CHINESE-2007 Mayor desarrollo del Sistema de Gestión del Espectro para los Países en Desarrollo
• ITU-R RESOLUTION 11-4 RUSSIAN-2007 Mayor desarrollo del Sistema de Gestión del Espectro para los Países en Desarrollo
• ITU-T Q.68-1993 Descripción general de la metodología para el desarrollo de servicios de gestión: recomendaciones generales sobre funciones de conmutación y señalización telefónicas y flujos de información para servicios en la RDSI (Comisión de Estudio XI) 7 págs.
• ITU-R SM.1604-2003 Directrices para un sistema mejorado de gestión del espectro para los países en desarrollo

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, desarrollo de transistores

• RESOLUTION 11-4-2007 Mayor desarrollo del Sistema de Gestión del Espectro para los Países en Desarrollo

Danish Standards Foundation, desarrollo de transistores

• DS/INF 1900:2005 Gestión de la Calidad y desarrollo de los servicios de atención a las personas mayores - Requisitos para el sistema de gestión
• DS/IEC 458:1981 Balastros transistorizados para lámparas fluorescentes tubulares
• DS/IEC 747-7-3:1993 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
• DS/EN 62416:2010
• DS/IEC 747-7-4:1993 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia

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• PN T01504 ArkusZ30-1975 Medición de transistores hnb
• PN T01504-05-1987 Transistores Métodos de medición Corrientes de corte ICB0 y /?B0 en la base del colector y en la base del emisor
• PN T01504 ArkusZ23-1974 Transistores Parámetros [y] medidas
• PN T01504-01-1987 Transistores Métodos de medición Valor estático de la relación de transferencia de corriente directa hus y voltaje base-emisor Ube
• PN T01208-03-1992
• PN T01504-04-1987 Transistores Métodos de medición Tensiones de ruptura U(BR) CBO y U(BR) ebo
• PN T01504-10-1987 Transistores Método de medición Tensión sostenida colector-emisor UcEO(sm) y Uceiusus)
• PN T01504-22-1987 Transistores Métodos de medición Capacitancias base colector y base emisor Ccbo y Cebo
• PN T01210-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
• PN T01207-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
• PN T01208-01-1992
• PN T01208-02-1992
• PN T01504-25-1989 Transistores Medición de la constante de tiempo Km, ? Cc del circuito de retroalimentación
• PN T01505 ArkusZ06-1974 ¿Campo-eftec? Transis?ors Método de medición Ga?? icdo actual
• PN T01501 ArkusZ4-1973 Diseño de semiconductores Símbolos de letras de los parámetros de los transistores de efecto de campo
• PN T01504 ArkusZ03-1974 ¿Medidores de transistores? ?/(BR)U0, U(B?)CES, U(8BCH, L/(BU)UX

U.S. Military Regulations and Norms, desarrollo de transistores

• ARMY MIL-P-46320 C (4)-1972 FUENTE DE ALIMENTACIÓN: 10516158 (TRANSISTORIZADA)
• ARMY MIL-P-46320 C-1963 FUENTE DE ALIMENTACIÓN: 10516158 (TRANSISTORIZADA)
• ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 0,01 Hz HASTA 15,0 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 1,0 MHz HASTA 85 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, TTL
• ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 50 Hz HASTA 50 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, TTL
• ARMY QPL-46320-30-1992 FUENTE DE ENERGÍA, 10516158 (TRANSISTORIZADA)

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), desarrollo de transistores

• JIS C 5513:1970 Megáfonos de transistores
• JIS C 7030:1993 Métodos de medición para transistores.
• JIS C 7032:1993 Reglas generales para transistores.
• JIS C 7311:1980 Fiabilidad asegurada TTL, puertas nand positivas, circuitos integrados
• JIS C 7214:1978 Transistores de efecto de campo con fiabilidad garantizada

Professional Standard - Education, desarrollo de transistores

• JY 200-1985 Milivoltímetro de transistores
• JY/T 0006-2011 Trazador de características de transistores
• JY 6-1985 Especificaciones del rastreador característico de transistores

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, desarrollo de transistores

• JEDEC JES2-1992 Transistor, Fet de potencia de arseniuro de galio, especificación genérica
• JEDEC JESD10-1976 Transistores de potencia de baja frecuencia
• JEDEC EIA-398-1972 Medición de pequeños valores de capacitancia de transistores
• JEDEC JESD6-1967 Medición de pequeños valores de capacitancia de transistores
• JEDEC JESD24-12-2004 Medición de impedancia térmica para transistores bipolares de puerta aislada (método Delta VCE(on)) (Este es un método alternativo al estándar JEDEC No. 24-6)
• JEDEC EIA-311-A-1981 Figura de ruido del transistor y temperatura de ruido de entrada efectiva en MF, HF y VHF, medición de [Reemplazado: JEDEC EIA-283]
• JEDEC JESD24-4-1990 Medidas de impedancia térmica para transistores bipolares (método de voltaje base-emisor delta) Anexo a JEDEC JESD 24
• JEDEC JESD25-1972 Medición de parámetros de dispersión de transistores de pequeña señal
• JEDEC JEP84A-2004 Práctica recomendada para medir la temperatura del conductor del transistor

US-HUD, desarrollo de transistores

• HUD 24 CFR PART 570-2010 SUBVENCIONES EN BLOQUE PARA DESARROLLO COMUNITARIO

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, desarrollo de transistores

• GB/T 31958-2023 Vidrio de sustrato para pantalla de cristal líquido de transistor de película delgada de silicio amorfo
• GB/T 31958-2015 Vidrio de sustrato para dispositivo de visualización de cristal líquido con transistor de película delgada
• GB 51136-2015 Especificaciones para el diseño de fábrica de pantalla de cristal líquido con transistor de película delgada
• GB/T 19025-2023 Gestión de Calidad Directrices para la Gestión de Capacidades y Desarrollo de Personas
• GB/T 43155-2023 Lineamientos de Desarrollo Urbano y Comunitario Sostenible para la Gestión e Implementación del Desarrollo Sostenible en Ciudades Pequeñas
• GB/T 16468-1996 Programas en serie para transistores de inducción estática.
• GB/T 13066-1991 Especificación detallada en blanco para transistores unijunction
• GB/T 21039.1-2007 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas-Transistores de efecto de campo de microondas Especificación detallada en blanco
• GB/T 15291-2015 Dispositivos semiconductores. Parte 6: tiristores.
• GB/T 15291-1994 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Tiristores
• GB/T 17007-1997 Métodos de medición para transistores bipolares de puerta aislada.
• GB/T 35654-2017 Sistema de índice de evaluación del desempeño del desarrollo del transporte público urbano
• GB/T 7576-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
• GB/T 12300-1990 Métodos de prueba del área de operación segura para transistores de potencia.
• GB 12300-1990 Método de prueba para el área de operación segura de transistores de potencia

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• DB37/T 4561-2022 Sistema de índice de capacidad de desarrollo organizacional de estándares grupales

YU-JUS, desarrollo de transistores

• JUS N.R1.373-1980 Yodos semiconductores. Clasificaciones y características esenciales. Diodos de señal de baja potencia
• JUS N.R1.390-1979 Tnmmton bipolar. Clasificaciones y características esenciales: transistores de señal de potencia bw
• JUS N.R1.450-1981 Transistores bipolares. Métodos de medición
• JUS N.R1.352-1979 Símbolo de letra para dispositivos semiconductores. Tiristores.
• JUS N.R1.471-1985 Transistores bipolares. Métodos de medición de referencia.
• JUS A.A4.303-1990 Diseños tabulares de características de artículos para transistores y tiristores.
• JUS N.R1.392-1980 Transistores de efecto de campo. Clasificaciones y características esenciales.

European Committee for Standardization (CEN), desarrollo de transistores

• EN ISO 37101:2022 Desarrollo sostenible en comunidades - Sistema de gestión para el desarrollo sostenible - Requisitos con guía de uso (ISO 37101:2016)
• HD 302 S1-1977 Balastro transistorizado para lámparas fluorescentes

International Organization for Standardization (ISO), desarrollo de transistores

• ISO 37101:2016 Desarrollo sustentable en comunidades - Sistema de gestión para el desarrollo sustentable - Requisitos con guía para su uso
• ISO 30422:2022 Gestión de recursos humanos: aprendizaje y desarrollo
• IWA 9:2011 Marco para la gestión del desarrollo sostenible en los distritos comerciales
• IWA 9-2011 Marco para la gestión del desarrollo sostenible en los distritos comerciales
• ISO/PRF TS 30437 Gestión de recursos humanos: métricas de aprendizaje y desarrollo
• ISO/TS 30437:2023 Gestión de recursos humanos: métricas de aprendizaje y desarrollo
• ISO 19150-2:2015 Información geográfica - Ontología - Parte 2: Reglas para desarrollar ontologías en el Web Ontology Language (OWL)

RO-ASRO, desarrollo de transistores

• STAS 11437-1980 TRANSISTORES DE UNIÓN Métodos de prueba
• STAS 11418-1980 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES DE UNIJUNCIÓN Terminología
• STAS 6693/2-1975 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES Métodos para medir propiedades eléctricas.
• STAS 9264-1982 TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA DE ALEMANIA Requisitos técnicos generales
• STAS SR CEI 747-4-1995 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4: Diodos y transistores de microondas

Professional Standard - Machinery, desarrollo de transistores

• JB/T 8951.1-1999 Transistor Bipolar de Puerta Aislada

Professional Standard - Electron, desarrollo de transistores

• SJ/T 10333-1993 Métodos de medición para transistores uni-unión.
• SJ/T 2217-2014 Especificación técnica para fototransistor de silicio.
• SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
• SJ/T 11516-2015 Especificación para máscara de transistor de película delgada (TFT)
• SJ 50033.40-1994 Especificación detallada para el fototransistor NPN de silicio semiconductor tipo GT11
• SJ 2701-1986 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja potencia, tipo 3DX673
• SJ 20514-1995 Especificación para oblea epitaxial de silicio para transistor de potencia de microondas
• SJ 20310-1993 Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD101
• SJ 20183-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD6
• SJ 50033/30-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD155.
• SJ 50033/36-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3CD050
• SJ 50033/37-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD164.

API - American Petroleum Institute, desarrollo de transistores

• API RP 1140-1991 Directrices para desarrollar equipos de gestión de puentes
• API 61- Guía API para una mejor supervisión: desarrollo de empleados

Professional Standard - Aviation, desarrollo de transistores

• HBm 66.13-1988 Especificaciones para reguladores de voltaje de transistores para alternadores de minivan
• HBm 66.33-1989 Relé intermitente de transistor minivan

CN-STDBOOK, desarrollo de transistores

• 图书 3-9528 Informe de investigación sobre el desarrollo de la estandarización del grupo 2020
• 图书 3-8628 Informe de investigación sobre desarrollo de estandarización del grupo 2017

US-CFR-file, desarrollo de transistores

• CFR 40-450.21-2014 Protección del Medio Ambiente. Parte 450: Categoría de fuente puntual de construcción y desarrollo. Sección 450.21: Limitaciones de efluentes que reflejan la mejor tecnología practicable actualmente disponible (BPT).

Professional Standard - Chemical Industry, desarrollo de transistores

• HG/T 4357-2012 Polarizador para transistor de película delgada-Pantalla de cristal líquido (TFT-LCD)

工业和信息化部, desarrollo de transistores

• YB/T 4587-2017 Elemento calefactor compuesto de carbono/carbono para horno monocristalino
• SJ/T 11765-2020 Método de prueba de parámetros de ruido de baja frecuencia de transistores

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, desarrollo de transistores

• HD 302-1975 Balasto transistorizado para lámparas fluorescentes
• EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., desarrollo de transistores

• IEEE 218-1956 MÉTODOS ESTÁNDAR DE PRUEBA DE TRANSISTORES
• IEEE 425-1957 CÓDIGO DE PRUEBA para TRANSISTORES DEFINICIONES DE SEMICONDUCTOR y SÍMBOLOS DE LEITER

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), desarrollo de transistores

• IEEE Std 218-1956(R1980)*56 IRE 28.S2 Métodos estándar IEEE para probar transistores

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, desarrollo de transistores

• TR 102 989-2011 Distribución de contenidos multimedia (MCD); Distribución de subtítulos@ situación y perspectivas (V1.1.1)

中国石油化工总公司, desarrollo de transistores

• SH 2002-1991 Condiciones técnicas del cristalizador de tubo de evaporación de amoníaco.

International Electrotechnical Commission (IEC), desarrollo de transistores

• IEC 60747-7:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
• IEC 60747-4-1:2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas; Transistores de efecto de campo de microondas; Especificación de detalle en blanco
• IEC 60747-8:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 8: Transistores de efecto de campo
• IEC 60747-6:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 6: Tiristores
• IEC 60293:1968 Tensiones de alimentación para instrumentos nucleares transistorizados.
• IEC 60747-7-3:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección 3: especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aparatos de conmutación
• IEC 60747-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas
• IEC 60747-4:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
• IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 60747-7:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
• IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares

CEN - European Committee for Standardization, desarrollo de transistores

• PD CEN/TS 17091:2018 Gestión de crisis: orientación para desarrollar una capacidad estratégica

ESDU - Engineering Sciences Data Unit, desarrollo de transistores

• ESDU 91025 E-2011 Fluidos no newtonianos: predicción de pérdida de presión por fricción para flujo completamente desarrollado en tuberías rectas
• ESDU 91025 E-2007 Fluidos no newtonianos: predicción de pérdida de presión por fricción para flujo completamente desarrollado en tuberías rectas.
• ESDU 66027 D-1997 PÉRDIDAS POR FRICCIÓN PARA CAUDAL TOTALMENTE DESARROLLADO EN TUBOS RECTOS
• ESDU 66027 F-2008 Pérdidas por fricción para flujo completamente desarrollado en tuberías rectas.
• ESDU 66027 E-2007 Pérdidas por fricción para flujo completamente desarrollado en tuberías rectas

United States Navy, desarrollo de transistores

• NAVY MIL-T-82370-1968 ENTRENADOR, TRANSISTOR, CIRCUITO IMPRESO

Zhejiang Provincial Standard of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• DB3305/T 117-2019 Sistema de índices de evaluación para el desarrollo del transporte fluvial interior.
• DB3303/T 031-2021 Sistema de índices de evaluación para el sano desarrollo de la economía privada

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• DB3502/T 101-2023 Sistema de índice de evaluación del nivel de desarrollo de la civilización ecológica.

Henan Provincial Standard of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• DB4106/T 68-2022 Sistema de Índices de Evaluación del Nivel de Desarrollo Rural Digital

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• DB1331/T 052-2023 Sistema digital de índices de evaluación del nivel de desarrollo rural
• DB13/T 5627-2022 Especificaciones para la preparación de la planificación general de la conferencia de desarrollo de la industria turística.

Professional Standard - Commodity Inspection, desarrollo de transistores

• SN/T 1175-2003 Métodos para la inspección de dispositivos de visualización de cristal líquido en color con transistores de película delgada para importación y exportación.

TH-TISI, desarrollo de transistores

• TIS 1864-2009 Dispositivos semiconductores.parte 7: transistores bipolares
• TIS 1972-2009 Dispositivos semiconductores.Parte 6: tiristores.

SG-SPRING SG, desarrollo de transistores

• SS 296-1984 ESPECIFICACIÓN PARA Balastos transistorizados para lámparas fluorescentes tubulares

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, desarrollo de transistores

• ECA TEP105-12-1987 Método de prueba para la reflectividad de la cara del tubo

IN-BIS, desarrollo de transistores

• IS 7027-1984 ESPECIFICACIÓN PARA BALASTOS TRANSISTORIZADOS PARA LÁMPARAS FLUORESCENTES (Primera Revisión)
• IS 4400 Pt.4-1981
• IS 3715 Pt.3-1971 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOROS PARTE Ⅲ TRANSISTORES (Primera revisión)

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• DB22/T 3064-2019 Índice de Evaluación del Sistema de Nivel de Desarrollo de la Modernización Agropecuaria

ITE - Institute of Transportation Engineers, desarrollo de transistores

• CD-029-2004 Módulo de Desarrollo Profesional: Gestión de Proyectos de Alta Tecnología en Transporte
• CD-033-2005 Módulo de desarrollo profesional: Fundamentos de la gestión meteorológica en carreteras CD-ROM

GOSTR, desarrollo de transistores

• GOST 34612-2019 Válvulas de tubería. Pasaporte técnico. Normas de desarrollo y presentación.
• GOST 18604.19-1988 Transistores bipolares. Método de medición del voltaje umbral.

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• JJG(电子) 04045-1995 Regulaciones de verificación para el probador de transistores JS-7B
• JJG(电子) 04014-1988 Reglamento de verificación de prueba para rastreadores característicos de transistores

American Society for Testing and Materials (ASTM), desarrollo de transistores

• ASTM E2531-06(2020) Guía estándar para el desarrollo de modelos conceptuales de sitio y estrategias de remediación para líquidos ligeros en fase no acuosa liberados al subsuelo

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, desarrollo de transistores

• QC 750115-2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas - Transistores de efecto de campo de microondas - Especificación detallada en blanco (IEC 60747-4-1:2000)

Professional Standard - Aerospace, desarrollo de transistores

• QJ 2617-1994 Especificación de aceptación para el paquete de transistores de efecto de campo de microondas (FET de microondas)

CU-NC, desarrollo de transistores

• NC 66-29-1984 Electrónica. Métodos de medición de transistores bipolares

Professional Standard - Railway, desarrollo de transistores

• TB/T 2699-1996 Métodos de prueba para inversores de transistores para lámparas fluorescentes.
• TB/T 2219-1991 Especificaciones para inversores de transistores para lámparas fluorescentes.

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, desarrollo de transistores

• JJF(电子) 20-1982 Método de verificación del óhmetro digital de transistor CR1A

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, desarrollo de transistores

• GJB 33/009-1989 Especificación detallada en blanco para tiristores de dispositivos semiconductores discretos

BE-NBN, desarrollo de transistores

• NBN X 50-003-1988 Sistemas de Calidad - Modelo para el aseguramiento de la calidad en el diseño/desarrollo

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