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Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores., Total: 328 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores. son: Fluidos aislantes, Materiales semiconductores, Tratamiento superficial y revestimiento., Cerámica, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Herramientas de corte, Componentes electrónicos en general., pruebas de metales, Circuitos impresos y placas., Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Dispositivos semiconductores, Vocabularios, Química analítica, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Alambres y cables eléctricos., Óptica y medidas ópticas., Productos de la industria química., Materiales aislantes.


Association Francaise de Normalisation, Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

  • XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
  • NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
  • XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
  • NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
  • NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
  • NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.
  • NF ISO 22197-5:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 5: eliminación del metilmercaptano.
  • NF B44-105*NF ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
  • NF B44-101-4:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 4: eliminación de formaldehído
  • NF B44-101-5:2013 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 5: eliminación del metilmercaptano
  • NF B44-101-5*NF ISO 22197-5:2021 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 5: eliminación del metilmercaptano
  • NF B44-101-4*NF ISO 22197-4:2021 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 4: eliminación de formaldehído
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
  • NF ISO 18560-1:2014 Cerámica técnica - Método de ensayo para medir el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire mediante el método de la cámara de ensayo en un ambiente de iluminación interior - Parte 1: eliminación...
  • NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
  • NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
  • NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
  • NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
  • NF B44-106-1*NF ISO 18560-1:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el método de cámara de prueba en un entorno de iluminación interior - Parte 1: eliminación de formaldehído
  • NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
  • NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayos de compresión utilizando la técnica de micropilares para materiales MEMS
  • NF EN 60811-410/A1:2017 Cables eléctricos y de fibra óptica - Métodos de prueba para materiales no metálicos - Parte 410: pruebas varias - Método de prueba para medir la degradación por oxidación catalítica del cobre de conductores aislados con...
  • NF EN 60811-410:2012 Cables eléctricos y de fibra óptica - Métodos de prueba para materiales no metálicos - Parte 410: pruebas varias - Método de prueba para medir la degradación por oxidación catalítica del cobre de conductores aislados con...

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

  • GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
  • GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
  • GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
  • GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
  • GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
  • GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.

European Committee for Standardization (CEN), Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

  • PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
  • CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

  • JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
  • JIS R 1708:2016 Cerámica fina (Cerámica avanzada, Cerámica técnica avanzada) -- Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto
  • JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
  • JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada

RO-ASRO, Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

  • STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

British Standards Institution (BSI), Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

  • BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
  • BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
  • BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
  • BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
  • BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
  • BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
  • BS ISO 19722:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto.
  • BS ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
  • BS ISO 27447:2019 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores.
  • BS ISO 22197-2:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores: eliminación de acetaldehído
  • BS ISO 22197-3:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores: eliminación de tolueno
  • BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • BS ISO 22197-4:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de formaldehído
  • BS ISO 22197-3:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de tolueno
  • BS ISO 22197-2:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de acetaldehído
  • BS ISO 22197-1:2008 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Eliminación de óxido nítrico
  • BS ISO 22197-5:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de metilmercaptano
  • BS ISO 24448:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
  • BS ISO 18061:2014 Cerámica Fina (Cerámica Avanzada, Cerámica Técnica Avanzada). Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores. Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta.
  • BS ISO 22197-4:2021 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de formaldehído
  • BS ISO 22197-1:2016 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de óxido nítrico
  • BS ISO 27448:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores - Medición del ángulo de contacto con el agua
  • BS ISO 17094:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
  • BS ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
  • BS ISO 17168-2:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de acetaldehído
  • BS ISO 22197-5:2021 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de metilmercaptano
  • BS ISO 17168-4:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de formaldehído
  • BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • BS ISO 10676:2010 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación de oxígeno activo.
  • BS ISO 22551:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la tasa de reducción bacteriana mediante materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Método semiseco para estimar la actividad antibacteriana en…
  • BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
  • 21/30403033 DC BS EN ISO 24448. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
  • BS ISO 10676:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación de oxígeno activo.
  • BS ISO 17168-5:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de metilmercaptano
  • 21/30425873 DC BS ISO 22197-4. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 4. Eliminación de formaldehído.
  • BS ISO 17168-3:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de tolueno
  • BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
  • BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
  • BS ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de óxido nítrico
  • 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • 21/30425876 DC BS ISO 22197-5. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 5. Eliminación de metilmercaptano.
  • BS ISO 22601:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición oxidativa de fenol de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante análisis cuantitativo del carbono orgánico total (TOC)
  • BS ISO 19810:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
  • BS ISO 19652:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición completa de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Descomposición del acetaldehído.
  • BS ISO 18071:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores en ambientes de iluminación interior. Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta.
  • BS ISO 19810:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
  • BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
  • BS ISO 18560-1:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el método de cámara de prueba en un entorno de iluminación interior. Eliminación de formaldehído
  • BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
  • PD IEC TS 62607-3-3:2020 Nanofabricación. Características clave de control. Nanomateriales luminiscentes. Determinación de la vida útil de la fluorescencia de puntos cuánticos semiconductores mediante el recuento de fotones individuales correlacionados en el tiempo (TCSPC)
  • BS EN 60811-410:2012+A1:2017 Cables eléctricos y de fibra óptica. Métodos de ensayo para materiales no metálicos - Ensayos varios. Método de prueba para la degradación oxidativa catalizada por cobre de conductores aislados con poliolefina
  • BS EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS

German Institute for Standardization, Materiales semiconductores y materiales fotocatalíticos semiconductores.

  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
  • DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
  • DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
  • DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
  • DIN 50448:1998
  • DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
  • DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
  • DIN 50454-3:1994
  • DIN 50449-2:1998
  • DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
  • DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
  • DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
  • DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
  • DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
  • DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
  • DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
  • DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
  • DIN ISO 22197-1:2018-12 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2016).
  • DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
  • DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
  • DIN ISO 22197-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2016).
  • DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
  • DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
  • DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
  • DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
  • DIN ISO 22197-1:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2007).
  • DIN 50453-2:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; revestimiento de dióxido de silicio; método óptico
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  • DIN 50450-1:1987 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes; Determinación de la impureza del agua en hidrógeno, oxígeno, nitrógeno, argón y helio mediante el uso de una celda de pentóxido de difósforo.
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  • DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
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  • DIN 50453-1:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; monocristales de silicio; método gravimétrico
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  • DIN 50451-1:2003 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 1: Plata (Ag), oro (Au), calcio (Ca), cobre (Cu), hierro (Fe), potasio (K) y sodio (Na ) en ácido nítrico por AAS

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  • KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
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  • ISO 22197-5:2021 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 5: Eliminación de metilmercaptano
  • ISO 22197-4:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 4: Eliminación de formaldehído
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  • ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
  • ISO 18071:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores en un ambiente de iluminación interior - Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta
  • ISO 17168-2:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 2: Eliminación de acetaldehído
  • ISO 17168-3:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 3: Eliminación de tolueno
  • ISO 17168-4:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 4: Eliminación de formaldehído
  • ISO 22601:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición oxidativa de fenol de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante métodos cuantitativos.
  • ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
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