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tubo de alta frecuencia rf

tubo de alta frecuencia rf, Total: 193 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en tubo de alta frecuencia rf son: Aplicaciones de la tecnología de la información., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Juegos de caracteres y codificación de información., Dispositivos semiconductores, Pruebas eléctricas y electrónicas., Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Equipos para la industria metalúrgica., Componentes de tuberías y tuberías., Equipos para la industria química., Equipos y sistemas eléctricos aeroespaciales., Equipos para industrias de petróleo y gas natural., Productos de hierro y acero., Equipos e instrumentos a bordo., Metales ferrosos, Productos de metales no ferrosos., tubos electronicos, Agricultura y silvicultura, Componentes electrónicos en general., Quemadores. Calderas, Radiocomunicaciones.

National Aeronautics and Space Administration (NASA), tubo de alta frecuencia rf

NASA NPR 2570.1-2003 MANUAL DE GESTIÓN DEL ESPECTRO DE RADIOFRECUENCIA (RF) DE LA NASA
NASA NPR 2570.1 REV B-2008 MANUAL DE GESTIÓN DEL ESPECTRO DE RADIOFRECUENCIA (RF) DE LA NASA

RU-GOST R, tubo de alta frecuencia rf

GOST R ISO/IEC 15963-2011 Tecnologías de la información. Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos. Identificación única para etiquetas RF
GOST R ISO/IEC 15963-2005 Identificación automática. Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos. Identificación única para etiquetas RF
GOST 18604.11-1988 Transistores bipolares. Método de medición del factor de ruido en frecuencias altas y ultraaltas.
GOST 19656.4-1974 Diodos mezcladores UHF semiconductores. Métodos de medición de las pérdidas por conversión.
GOST 19656.3-1974 Diodos mezcladores UHF semiconductores. Métodos de medición de la impedancia de salida a una frecuencia intermedia.
GOST 19656.5-1974 Diodos semiconductores mezcladores y detectores UHF. Métodos de medición de la relación de ruido de salida.
GOST ISO/IEC 15963-2-2021 Tecnologías de la información. Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos. Parte 2. Identificación única para procedimientos de registro de etiquetas RF
GOST ISO/IEC 15963-1-2021 Tecnologías de la información. Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos. Parte 1. Identificación única para sistemas de numeración de etiquetas RF
GOST 19656.14-1979 Diodos semiconductores de conmutación de microondas. Método de medición de frecuencia crítica.
GOST 19656.12-1976
GOST 19656.2-1974 Diodos mezcladores UHF semiconductores. Método de medición de corriente rectificada.
GOST 19656.6-1974 Diodos mezcladores UHF semiconductores. Métodos de medición del factor de ruido general estándar.
GOST 20215-1984 Diodos semiconductores de microondas. Especificaciones generales
GOST 18604.14-1977 Transistores osciladores de microondas bipolares. Técnicas para medir el módulo coeficiente de transmisión inversa de voltaje en el circuito con base general en alta frecuencia.
GOST 19656.1-1974 Diodos semiconductores mezcladores y detectores UHF. Método de medición de la relación de onda estacionaria de voltaje
GOST 19656.0-1974 Diodos semiconductores UHF. Métodos de medición de parámetros eléctricos. Condiciones generales
GOST 19656.9-1979 Variactores semiconductores de microondas y diodos multiplicadores. Métodos para medir la constante de tiempo y la frecuencia límite.
GOST 19656.9-1974 Métodos de medición de tiempo fijo y frecuencia límite de diodos semiconductores paramétricos y multiplicación de frecuencia ultraalta
GOST 18604.15-1977 Transistores osciladores de microondas bipolares. Técnicas para medir la corriente crítica.

International Telecommunication Union (ITU), tubo de alta frecuencia rf

ITU-R REPORT BS.1058-1986 Relación señal-ruido mínima de AF y RF requerida para transmitir en la banda 7 (HF)
ITU-R RAPPORT BS.1058 FRENCH-1986 Relación señal-ruido mínima de AF y RF requerida para transmitir en la banda 7 (HF)
ITU-R SM.1370-1-2001 Directrices de diseño para el desarrollo de sistemas avanzados de gestión automatizada del espectro.
ITU-R SM.1370-1 FRENCH-2001 Directrices de diseño para el desarrollo de sistemas automatizados avanzados de gestión del espectro Directivas de concepción para la implementación de sistemas de gestión automatizada del espectro
ITU-R SM.1370-1 SPANISH-2001 Directrices de diseño para el desarrollo de sistemas avanzados de gestión automatizada del espectro Directrices de dise駉 para la elaboraci髇 de sistemas avanzados de gestión automática del espectro

Professional Standard - Machinery, tubo de alta frecuencia rf

JB/T 8454-1996 Tiristores de alta frecuencia
JB/T 12048-2014
JB/T 5267-1991 Dispositivo de alimentación para calentamiento por inducción de alta frecuencia tipo tubo de vacío
JB/T 6512-1992 Tubo de aleta espiral para soldadura por resistencia de alta frecuencia para caldera - Especificaciones de fabricación

International Organization for Standardization (ISO), tubo de alta frecuencia rf

ISO/IEC 15963:2004 Tecnología de la información - Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos - Identificación única para etiquetas RF
ISO/IEC 15963:2009 Tecnología de la información - Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos - Identificación única para etiquetas RF

British Standards Institution (BSI), tubo de alta frecuencia rf

BS ISO/IEC 15963:2009 Tecnologías de la información. Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos. Identificación única para etiquetas RF
BS ISO/IEC 15963-1:2020 Tecnologías de la información. Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos: identificación única para sistemas de numeración de etiquetas RF
BS EN 2591-225:2007 Serie aeroespacial - Elementos de conexión eléctrica y óptica - Métodos de prueba - Parte 225: Tensión soportada de alto potencial de RF
BS EN 136002:1979 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco: magnetrones CW para aplicaciones de calefacción o cocción por RF

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, tubo de alta frecuencia rf

CNS 7013-1981 Medición de ganancia de potencia de transistores HF VHF y UHF de señal pequeña
CNS 6800-1980 Medición del factor de ruido de transistores en HF y VHF

IETF - Internet Engineering Task Force, tubo de alta frecuencia rf

RFC 4546-2006 Base de información de gestión de interfaz de radiofrecuencia (RF) para especificaciones de interfaz de servicio de datos por cable (DOCSIS) 2.0 Interfaces RF compatibles

Aerospace Industries Association/ANSI Aerospace Standards, tubo de alta frecuencia rf

AIA/NAS NAS 996-1976 Equipo de soldadura fuerte de tubos por inducción

Defense Logistics Agency, tubo de alta frecuencia rf

DLA MIL-S-19500/186 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, mezclador de RF tipos JAN-1N53B, JAN-1N53BR, JAN-1N53BM y JAN-1N53BMR
DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, ALTA FRECUENCIA TIPO 2N384
DLA SMD-5962-94749 REV B-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, FRECUENCIA ULTRA ALTA, DISTRIBUCIÓN DE TRANSISTORES TODO NPN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Frecuencia, 25 Milivatios, Tipo JAN-2N128

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, tubo de alta frecuencia rf

JEDEC EIA-306-1965(R1999) Medición de ganancia de potencia de transistores de señal pequeña HF, VHF y UHF

卫生健康委员会, tubo de alta frecuencia rf

WS/T 602-2018 Gestión de seguridad electroquirúrgica de alta frecuencia.

Canadian Standards Association (CSA), tubo de alta frecuencia rf

CSA ISO/IEC 15963-05-CAN/CSA:2005 Tecnología de la información Identificación por radiofrecuencia para la gestión de artículos Identificación única para etiquetas RF ISO/IEC 15963:2004

Professional Standard - Petrochemical Industry, tubo de alta frecuencia rf

SH/T 3415-2005 Tubos con aletas helicoidales soldados por resistencia de alta frecuencia

Professional Standard - Chemical Industry, tubo de alta frecuencia rf

HG/T 3181-2009 Tubos de aletas en espiral soldados por resistencia de alta frecuencia
HG/T 3181-1989 Tubo con aletas espirales de soldadura por resistencia de alta frecuencia

(U.S.) Telecommunications Industries Association , tubo de alta frecuencia rf

TIA-102.BACA-A-2009 Proyecto 25 Mensajes y procedimientos de interfaz del subsistema entre RF para servicios de gestión de voz y movilidad

Professional Standard - Electron, tubo de alta frecuencia rf

SJ 1977-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS4
SJ 1978-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS5
SJ 1979-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS6
SJ 1980-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS7
SJ 1981-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS8
SJ 1982-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS9
SJ 1428-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA107
SJ 1429-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA108
SJ 1431-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA39
SJ 1405-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA1
SJ 1406-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA96
SJ 1408-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA101
SJ 1409-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA3
SJ 1411-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA5
SJ 1412-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA14
SJ 1414-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA102
SJ 1415-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA28
SJ 1416-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA100
SJ 1419-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA18
SJ 1420-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA104
SJ 1423-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA32
SJ 1424-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA105
SJ 1425-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA106
SJ 1682-1980 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA151
SJ 1683-1980 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA152
SJ 1427-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA92
SJ 1418-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA10
SJ 1421-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA22
SJ 1407-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA4
SJ 1413-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA2
SJ 1417-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA103
SJ 1422-1978 Especificaciones detalladas para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA37
SJ 1426-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA21
SJ 1430-1978 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y alta potencia, tipo 3DA89
SJ 1410-1978 Triodo de alta potencia y alta frecuencia de silicio NPN tipo 3DA98
SJ 797-1974 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planos de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG161
SJ 796-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG160
SJ 1487-1979 Especificación detallada para tiristores de alta frecuencia con bloqueo inverso
SJ 799-1974 Especificación detallada para transistores de voltaje inverso de baja potencia, alta frecuencia, planos epitaxiales, NPN, de silicio, tipo 3DG170
SJ 800-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG180
SJ 801-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG181
SJ 1484-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG160
SJ 1485-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG170
SJ 1486-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG180
SJ 2366-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD447
SJ 1469-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG101
SJ 782-1974 Especificaciones detalladas para transistores planos de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG100
SJ 786-1974 Especificación detallada para transistores planos de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG110
SJ 1488-1979 Método de medición de la corriente media Ir nominal de alta frecuencia en estado encendido de tiristores de alta frecuencia de bloqueo inverso
SJ 934-1975 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de baja frecuencia, alta potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DD100
SJ 783-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG101
SJ 784-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG102
SJ 785-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG103
SJ 788-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG112
SJ 789-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG120
SJ 791-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG122
SJ 2372-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD259 y 3CD260
SJ 2373-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD262 y 3CD462
SJ 2374-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD264,3CD464
SJ 1474-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG112
SJ 1475-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG113
SJ 1476-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG114
SJ 1477-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG120
SJ 1479-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG122
SJ 1480-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG130
SJ 1482-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG132
SJ 935-1975 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de baja frecuencia, alta potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DD101 y 3DD102
SJ 2700-1986 Especificación detallada para transistores de potencia media de alta frecuencia NPN de silicio, tipo 3DG2060
SJ 2702-1986 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG458
SJ 787-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG111
SJ 1470-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG102
SJ 1471-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG103
SJ 1472-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG110
SJ 790-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG121
SJ 2375-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD267 y 3CD467
SJ 936-1975 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de baja frecuencia, alta potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DD103 y 3DD104
SJ 1468-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG100
SJ 1473-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG111
SJ 1478-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG121
SJ 1481-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG131
SJ 2273-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG81
SJ 2274-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG113
SJ 2276-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG114
SJ 2277-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG115
SJ 2278-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG72
SJ 1230-1977 Métodos de medición de corriente rectificada de alta frecuencia de diodos detectores de germanio.
SJ 2281-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG132
SJ 2271-1983 Triodos planos epitaxiales de silicio NPN de frecuencia súper alta y baja potencia tipo 3DG104
SJ 2272-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG44
SJ 2275-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG85
SJ 2279-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG123
SJ 2367-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD249, 3CD250 y 3CD449
SJ 2368-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD251, 3CD252 y 3CD451
SJ 2369-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD253, 3CD254 y 3CD453
SJ 2370-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD255, 3CD256 y 3CD455
SJ 2371-1983 Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD257, 3CD258 y 3CD457
SJ 794-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y bajo ruido, tipo 3DG141
SJ 795-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y bajo ruido, tipo 3DG142
SJ 2699-1986 Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG388
SJ 1483-1979 Especificación detallada para transistores de ruido planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia PNP de silicio, tipo 3CG140

German Institute for Standardization, tubo de alta frecuencia rf

DIN EN 2591-225:2009 Serie aeroespacial - Elementos de conexión eléctrica y óptica - Métodos de prueba - Parte 225: RF soporta tensión de alto potencial; Versión alemana e inglesa EN 2591-225:2007
DIN EN 136002:1993 Especificaciones detalladas en blanco: magnetrones CW para aplicaciones de calefacción o cocción por RF; Versión alemana EN 136002:1992
DIN EN 1592-2:1997-12 Aluminio y aleaciones de aluminio. Tubos soldados con costura HF. Parte 2: Propiedades mecánicas; Versión alemana EN 1592-2:1997
DIN EN 1592-3:1997-12 Aluminio y aleaciones de aluminio. Tubos soldados con costura HF. Parte 3: Tolerancias de dimensiones y forma para tubos circulares; Versión alemana EN 1592-3:1997

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), tubo de alta frecuencia rf

IEEE Unapproved Draft Std PC63-9/D3.4 Jan 2008 Borrador del estándar ANSI del IEEE para la inmunidad a RF de equipos de oficina de audio a dispositivos de transmisión de uso general con niveles de potencia del transmisor de hasta 8 vatios
IEEE/ANSI C63.9-2008 Estándar nacional estadounidense para la inmunidad a RF de equipos de oficina de audio para dispositivos de transmisión de uso general con niveles de potencia del transmisor de hasta 8 vatios

Professional Standard - Petroleum, tubo de alta frecuencia rf

SY/T 5038-2012 Tubería de acero HFW con costura longitudinal para tuberías de servicio de fluidos comunes
SY/T 5038-1992 Tuberías de acero soldadas por alta frecuencia con costura en espiral para tuberías de transporte de fluidos ordinarias

国家能源局, tubo de alta frecuencia rf

SY/T 5038-2018 Tuberías de acero soldadas por alta frecuencia con costura recta para tuberías de transporte de fluidos en general

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, tubo de alta frecuencia rf

DB44/T 898.2-2011 Gestión de libros UHF RFID Parte 2 Datos de etiquetas
DB44/T 898.1-2011 Requisitos de aplicación y arquitectura del sistema de gestión de libros UHF RFID Parte 1

European Committee for Standardization (CEN), tubo de alta frecuencia rf

EN 2591-225:2007 Serie aeroespacial - Elementos de conexión eléctrica y óptica - Métodos de prueba - Parte 225: Tensión soportada de alto potencial de RF

Group Standards of the People's Republic of China, tubo de alta frecuencia rf

T/CISA 002-2017 Tubos de acero expandidos por calor de media frecuencia sin costura para calderas de alta presión
T/CEC 362-2020 Especificaciones técnicas para etiquetas RFID UHF para gestión de activos de energía

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., tubo de alta frecuencia rf

IEEE C63.9-2008 Estándar nacional estadounidense para la inmunidad a RF de equipos de oficina de audio para dispositivos de transmisión de uso general con niveles de potencia del transmisor de hasta 8 vatios

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, tubo de alta frecuencia rf

TS 102 692-2009 Materias de Compatibilidad Electromagnética y Espectro Radioeléctrico (ERM); Pruebas de conformidad de RF de aplicaciones de medición de nivel por radar en tuberías fijas (V1.1.1)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, tubo de alta frecuencia rf

GB/T 33228-2016 Tubos extruidos de aleación de aluminio para transformador eléctrico de alta frecuencia.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), tubo de alta frecuencia rf

KS C 5201-1980(2000) CONFIABILIDAD ASEGURADA TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA DE ALTA FRECUENCIA
KS C 5201-1980 CONFIABILIDAD ASEGURADA TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA DE ALTA FRECUENCIA
KS C 5201-2002 CONFIABILIDAD ASEGURADA TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA DE ALTA FRECUENCIA

机械电子工业部, tubo de alta frecuencia rf

JB 5267-1991 Dispositivo de suministro de energía de calentamiento por inducción de alta frecuencia tipo tubo de vacío

American Petroleum Institute (API), tubo de alta frecuencia rf

API RP 1133-2017 Directrices para ductos de hidrocarburos terrestres que afectan llanuras aluviales de altas consecuencias

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), tubo de alta frecuencia rf

JIS C 7213:1978 Fiabilidad garantizada: transistores de alta frecuencia y baja potencia.

EEMUA - Engineering Equipment and Materials Users Association, tubo de alta frecuencia rf

PUB NO 169-1993 Especificación para tuberías eléctricas soldadas de alta frecuencia (Errata - noviembre de 1997)

European Telecommunications Standards Institute (ETSI), tubo de alta frecuencia rf

ETSI TS 102 692-2009 Materias de Compatibilidad Electromagnética y Espectro Radioeléctrico (ERM); Pruebas de conformidad de RF de aplicaciones de medición de nivel por radar en tuberías fijas

Ningxia Provincial Standard of the People's Republic of China, tubo de alta frecuencia rf

DB64/T 1480-2017 Reglamento técnico para la cría y el manejo de alta frecuencia de la oveja Tan criada en casa

Professional Standard - Energy, tubo de alta frecuencia rf

NB/T 47030-2013 Especificación de tubos de aletas en espiral soldados con resistencia de alta frecuencia para calderas

PL-PKN, tubo de alta frecuencia rf

PN T01504-24-1987 Transistores Métodos de medición Relación de transferencia de corriente directa \)i2u\ a alta frecuencia y frecuencia de transición fr
PN T01504 ArkusZ26-1974 Transislors rbb' medidas

CU-NC, tubo de alta frecuencia rf

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Danish Standards Foundation, tubo de alta frecuencia rf

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DS/EN 1592-3:1998 Aluminio y aleaciones de aluminio. Tubos soldados con costura HF. Parte 3: Tolerancias de dimensiones y forma para tubos circulares.

Lithuanian Standards Office , tubo de alta frecuencia rf

LST EN 1592-2-2000 Aluminio y aleaciones de aluminio. Tubos soldados con costura HF. Parte 2: Propiedades mecánicas.
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AENOR, tubo de alta frecuencia rf

UNE-EN 1592-2:1998 Aluminio y aleaciones de aluminio. Tubos soldados con costura HF. Parte 2: Propiedades mecánicas.
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Association Francaise de Normalisation, tubo de alta frecuencia rf

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CZ-CSN, tubo de alta frecuencia rf

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工业和信息化部, tubo de alta frecuencia rf

SJ/T 1486-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG180 tipo silicio PNP alta frecuencia alto voltaje trasero transistor de baja potencia especificación detallada