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Análisis UV de materiales semiconductores

Análisis UV de materiales semiconductores, Total: 159 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Análisis UV de materiales semiconductores son: Materiales semiconductores, Componentes electrónicos en general., Óptica y medidas ópticas., Fluidos aislantes, Química analítica, Cerámica, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Circuitos impresos y placas., Plástica, Materiales magnéticos, Componentes para equipos eléctricos., Dispositivos semiconductores, Alambres y cables eléctricos., Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Circuitos integrados. Microelectrónica, Protección contra el fuego.

Professional Standard - Electron, Análisis UV de materiales semiconductores

SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ/T 11818.1-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 1: Métodos de prueba
SJ/T 11818.2-2022 Diodos emisores de UV semiconductores, parte 2: especificaciones del chip
SJ/T 11818.3-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 3: Especificaciones del dispositivo
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ/T 1505-1997 Métodos de análisis químico para productos y productos semiacabados fabricados con materiales de ferrita giromagnética.

Association Francaise de Normalisation, Análisis UV de materiales semiconductores

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF T51-223:1985 Plástica. Materiales semicristalinos. Determinación de la temperatura de fusión convencional mediante análisis térmico.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
NF C96-022-32*NF EN 60749-32:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).
NF C96-022-32/A1*NF EN 60749-32/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).
NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayos de compresión utilizando la técnica de micropilares para materiales MEMS
NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Análisis UV de materiales semiconductores

GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis
GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Análisis UV de materiales semiconductores

GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
GB/T 11436-1989 Métodos de análisis químico para productos y productos semiacabados fabricados con materiales de ferrita blanda.
GB/T 11436-2012 Métodos de análisis químico para productos y productos semiacabados fabricados con materiales de ferrita blanda.
GB/T 17574.9-2006 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2-9: Circuitos integrados digitales. Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS.
GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.

Group Standards of the People's Republic of China, Análisis UV de materiales semiconductores

T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio
T/CWAN 0029.3-2021 Métodos para el análisis químico de materiales de soldadura a base de níquel. Parte 3: Determinación del contenido de nitrógeno mediante el método de conductividad térmica por fusión de gas inerte.

KR-KS, Análisis UV de materiales semiconductores

KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 60749-32-2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducidos externamente).

British Standards Institution (BSI), Análisis UV de materiales semiconductores

BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS ISO 22601:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición oxidativa de fenol de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante análisis cuantitativo del carbono orgánico total (TOC)

German Institute for Standardization, Análisis UV de materiales semiconductores

DIN 50449-2:1998
DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN 50452-1:1995-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN 50437:1979 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; medición del espesor de la capa epitaxial de silicio mediante el método de interferencia infrarroja
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN 50452-3:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50438-2:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del contenido de impurezas en silicio mediante absorción infrarroja; carbón
DIN 50452-3:1995-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
DIN 50452-2:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN 50452-2:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
DIN 50452-2:1991 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; método de prueba para análisis de partículas en líquidos; determinación de partículas con contadores ópticos de partículas
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN 51456:2013-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores: análisis de superficies de obleas de silicio mediante determinación de elementos múltiples en soluciones de análisis acuosas mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS)
DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN 51456:2013 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores: análisis de superficies de obleas de silicio mediante determinación de elementos múltiples en soluciones de análisis acuosas mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS)
DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN 50433-3:1982
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X
DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012
DIN 50453-1:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; monocristales de silicio; método gravimétrico
DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN EN 62047-21:2015-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014

International Organization for Standardization (ISO), Análisis UV de materiales semiconductores

ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores

International Electrotechnical Commission (IEC), Análisis UV de materiales semiconductores

IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-11: Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-32:2002/AMD1:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).
IEC 60749-32:2002+AMD1:2010 CSV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 60748-2-9:1994 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2: Circuitos integrados digitales; Sección 9: Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS; Corrección 1
IEC 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
IEC 60749-32:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).
IEC 60749-32:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).
IEC 60749-32:2002/COR1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Análisis UV de materiales semiconductores

DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Análisis UV de materiales semiconductores

KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 60749-32:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducidos externamente).
KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-32:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducidos externamente)
KS C IEC 60749-32-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducidos externamente)
KS C IEC 60748-2-9:2002 Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS

Standard Association of Australia （SAA）, Análisis UV de materiales semiconductores

AS/NZS 1660.2.3:1998 Métodos de ensayo para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para PVC y materiales termoplásticos libres de halógenos
AS/NZS 1660.2.2:1998 Métodos de prueba para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para materiales elastoméricos, XLPE y XLPVC

Danish Standards Foundation, Análisis UV de materiales semiconductores

DS/EN 60749-39:2006
DS/EN 62047-10:2011
DS/EN 62047-2:2007
DS/EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
DS/EN 62047-6:2010
DS/EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
DS/EN 60749-32/A1:2010
DS/EN 60749-32+Corr.1:2004

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Análisis UV de materiales semiconductores

EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores Dispositivos microelectromecánicos Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS

ES-UNE, Análisis UV de materiales semiconductores

UNE-EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2022.)
UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)
UNE-EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 14: Método de medida del límite de formación de materiales de película metálica (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)

Lithuanian Standards Office , Análisis UV de materiales semiconductores

LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).
LST EN 62047-10-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011).
LST EN 62047-2-2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006).
LST EN 62047-6-2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009).

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Análisis UV de materiales semiconductores

JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada

AT-OVE/ON, Análisis UV de materiales semiconductores

OVE EN IEC 60749-39:2020 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV) (versión en inglés)

AENOR, Análisis UV de materiales semiconductores

UNE-EN 60749-32:2004/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).
UNE-EN 60749-32:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente).