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Condiciones del borde del cristal

Condiciones del borde del cristal, Total: 500 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Condiciones del borde del cristal son: Metales no ferrosos, Materiales semiconductores, químicos inorgánicos, Equipo de trabajo sin chip, Dispositivos piezoeléctricos y dieléctricos., Minerales no metalíferos, Óptica y medidas ópticas., Instalaciones en edificios, ingeniería de energía solar, Equipos para la industria metalúrgica., Refractarios, Productos de la industria química., Dispositivos de visualización electrónica., Equipo para el cuidado del cuerpo, Artículos de arte y artesanía., Hornos industriales, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Componentes electrónicos en general., Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Centrales eléctricas en general, Productos de hierro y acero., Dispositivos semiconductores, Ingeniería de energía y transferencia de calor en general., Elementos de edificios., Componentes de tuberías y tuberías., Protección contra mercancías peligrosas, Equipo medico, Materiales magnéticos, Materiales para la construcción aeroespacial., Vaso, Lámparas y equipos relacionados., pruebas de metales, Metales ferrosos, Pilas y baterías galvánicas., Circuitos integrados. Microelectrónica, Vocabularios, Adhesivos, Motores aeroespaciales y sistemas de propulsión., Calidad del agua, Materiales aislantes, Accesorios electricos, Componentes y accesorios para equipos de telecomunicaciones., Condiciones y procedimientos de prueba en general., Finanzas. Bancario. Sistemas monetarios. Seguro, Horología, Herramientas de corte, Distribución de mercancías de mercancías., Protección del medio ambiente, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Encendiendo.

RU-GOST R, Condiciones del borde del cristal

GOST 16153-1980 Germanio monocristalino. Especificaciones
GOST 19658-1981 Silicio monocristalino en lingotes. Especificaciones
GOST 21458-1975 Cristalización de sulfato de sodio. Especificaciones
GOST 5279-1974 Grafito cristal para fundición. Especificaciones
GOST 29220-1991 Concentrados de fluorita para metalurgia. Especificaciones
GOST 10561-1980 Técnica artificial de criolita. Especificaciones
GOST 9854-1981 Cuarcitas cristalinas para la elaboración de productos de sílice. Especificaciones
GOST 29219-1991 Concentrados de fluorita para ácidos y cerámicas. Especificaciones
GOST 21988-1976 Explosivos comerciales. Grammonitas. Especificaciones
GOST 10134.1-1982

Professional Standard - Light Industry, Condiciones del borde del cristal

QB/T 3678-1999 Condiciones técnicas del tanque de cristalización.

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Condiciones del borde del cristal

YB/T 072-1995 Condiciones técnicas del cristalizador de palanquilla.
YB/T 078-1995 Condiciones técnicas del cristalizador en placa.
YB/T 4141-2005 Especificaciones técnicas para tinas de molde redondas de cobre en colada continua

Group Standards of the People's Republic of China, Condiciones del borde del cristal

T/ZPP 020-2022 Especificaciones del resonador de cristal de diapasón
T/ZZB 0497-2018 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie
T/GDBCA 001-2021 Ultrananocristales y kits
T/NXCL 015-2022 Polisilicio columnar para piezas de silicio.
T/CEC 398-2020 Especificaciones técnicas para productos de tiras de aleaciones nanocristalinas para transformadores de alta frecuencia.
T/SZBX 061-2021 Módulo fotovoltaico de silicio cristalino de baja degradación
T/ZZB 0091-2016 Módulos fotovoltaicos (PV) terrestres de silicio cristalino
T/CSIQ 8011-2018 Especificación técnica para módulo fotovoltaico cristalino.
T/CPIA 0043-2022 Directrices para el desguace de módulos fotovoltaicos de silicio cristalino
T/SCS 000021-2023 Componentes de cristal de fluoruro de calcio de grado litográfico i-line
T/CPIA 0046-2022 Cinta de posicionamiento para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino
T/CECA 69-2022 Sustratos de película delgada monocristalinos para dispositivos SAW
T/CECA 50-2021 Adhesivos eléctricamente conductores para dispositivos de cristal de cuarzo.
T/CASME 487-2023 Módulos fotovoltaicos (PV) terrestres de silicio cristalino para fuera de la red
T/ZZB 1372-2019 Módulos fotovoltaicos (PV) terrestres de silicio cristalino de un solo lado y doble vidrio
T/CEC 288-2019 Requisitos técnicos para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino de contacto posterior
T/CSIQ 8012-2018 Métodos de prueba y criterios de puntuación de módulos fotovoltaicos de silicio cristalino.
T/JSAS 001-2017 Especificación de la prueba de transporte de paquetes para módulos fotovoltaicos (PV)
T/CASAS 003-2018 Obleas epitaxiales 4H-SiC para dispositivos p-IGBT
T/IAC 46-2022 Especificación técnica de inspección de fábrica para la suscripción de módulos fotovoltaicos de silicio cristalino
T/CEC 536-2021 Método de prueba secuencial para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino.
T/STSI 7-2020 Módulos fotovoltaicos utilizados en la construcción: requisitos técnicos generales para componentes monocristalinos en forma de U
T/CSTM 00464-2022 Prueba de resistencia de puntos calientes interiores para módulos fotovoltaicos (PV) de silicio cristalino
T/IMAS 019-2020 Especificación de prueba de módulos de células solares terrestres de silicio cristalino.
T/ZSA 18-2020 Método de medición de la característica óptica del campo de visión para dispositivos de visualización de cristal líquido.
T/CPIA 0012-2019 Directrices para la producción y uso de módulos estándar fotovoltaicos de silicio cristalino
T/CPF 0001-2018 Especificaciones técnicas para el embalaje en bandeja de dispositivos de visualización de panel plano de cristal líquido.
T/CEC 537-2021 Especificación técnica de película reflectante para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino.
T/CPIA 0034-2022 Requisitos técnicos para marcos parciales para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino
T/CIE 146-2022 Método de evaluación de la prueba de unión de obleas de dispositivos microelectromecánicos (MEMS)
T/SQIA 032-2023 Requisitos técnicos para la evaluación de la huella de carbono del módulo fotovoltaico (PV) de silicio cristalino

Professional Standard - Machinery, Condiciones del borde del cristal

JB/T 5482-2004 Condiciones técnicas del instrumento de orientación de cristales de rayos X.
JB/T 9495.1-2015 Cristales ópticos Parte 1: Especificaciones
JB/T 5823-1991 Matrices de trefilado para diamante policristalino. Especificación técnica
JB/T 8950.1-2013 Tiristores de control de fase. Parte 1: Dispositivos de perno
JB/T 8950.2-2013 Tiristores de control de fase. Parte 2: Dispositivos de disco.

Professional Standard - Education, Condiciones del borde del cristal

JY 6-1985 Especificaciones del rastreador característico de transistores

Xinjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, Condiciones del borde del cristal

DB65/T 3708-2015 Condiciones técnicas de los módulos fotovoltaicos de silicio cristalino para uso terrestre
DB65/T 3683-2014 Especificaciones técnicas de materias primas para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino de uso terrestre.

中国石油化工总公司, Condiciones del borde del cristal

SH 2002-1991 Condiciones técnicas del cristalizador de tubo de evaporación de amoníaco.

Professional Standard - Railway, Condiciones del borde del cristal

TB/T 2219-1991 Especificaciones para inversores de transistores para lámparas fluorescentes.

German Institute for Standardization, Condiciones del borde del cristal

DIN EN 61747-3:2007-03 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 3: Celdas de visualización de cristal líquido (LCD). Especificación seccional (IEC 61747-3:2006); Versión alemana EN 61747-3:2006 / Nota: DIN EN 61747-3 (2000-07) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2009-09-01.*Para ser respondido...
DIN EN 61747-2:1999-07 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 2: Módulos de visualización de cristal líquido; especificación seccional (IEC 61747-2:1998); Versión alemana EN 61747-2:1999 / Nota: Se sustituirá por DIN EN 61747-2 (2013-04).
DIN EN 61747-3:2007 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 3: Celdas de visualización de cristal líquido (LCD). Especificación seccional (IEC 61747-3:2006); Versión alemana EN 61747-3:2006
DIN EN 60444-9:2007 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 9: Medición de resonancias espurias de unidades de cristal piezoeléctrico (IEC 60444-9:2007); Versión alemana EN 60444-9:2007
DIN EN IEC 62276:2023-05 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición (IEC 49/1401/CD:2022); Texto en alemán e inglés / Nota: Fecha de emisión 2023-04-28*Destinado a sustituir a DIN EN 62276 (2017-08).
DIN EN 62276:2017-08 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición (IEC 62276:2016); Versión alemana EN 62276:2016 / Nota: DIN EN 62276 (2013-08) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 28-11-2019.
DIN EN 60444-8:2004 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie (IEC 60444-8:2003); Versión alemana EN 60444-8:2003
DIN EN 60444-7:2004 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 7: Medición de la actividad y caídas de frecuencia de unidades de cristal de cuarzo (IEC 60444-7:2004); Versión alemana EN 60444-7:2004
DIN EN 10216-3:2014 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
DIN IEC 60122-2-1:1992 Unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia; parte 2: guía para el uso de unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia; Sección primera: unidades de cristal de cuarzo para alimentación de relojes por microprocesador; idéntico a IEC 60122-2-1:1991
DIN CEN/TS 1519-2:2012-05*DIN SPEC 91196:2012-05 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-3: Métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Medición de artefactos de movimiento de módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa (IEC 61747-6-3:2011); Versión alemana EN 61747-6-3:2011
DIN EN 61747-6-3:2012-05 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-3: Métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Medición de artefactos de movimiento de módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa (IEC 61747-6-3:2011); Versión alemana EN 61747-6-3:2011
DIN EN 16194:2012-05 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-3: Métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Medición de artefactos de movimiento de módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa (IEC 61747-6-3:2011); Versión alemana EN 61747-6-3:2011
DIN IEC 60122-2:1993 Unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia; parte 2: guía para el uso de unidades de cristal de cuarzo para el control y selección de frecuencia; idéntico a IEC 60122-2:1983
DIN EN 61747-1:2003 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 1: Especificación genérica (IEC 61747-1:1998 + A1:2003); Versión alemana EN 61747-1:1999 + A1:2003
DIN EN 62416:2010-12 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010); Versión alemana EN 62416:2010

Professional Standard - Aerospace, Condiciones del borde del cristal

QJ 2169-1991 Condiciones técnicas para carenado de fluoruro de magnesio policristalino de 300 mm de diámetro.
QJ 2979-1997 Especificación detallada para componentes de cristal de cuarzo tipo XJ33
QJ 2980-1997 Especificaciones detalladas para elementos de cristal de cuarzo XJ36
QJ 2981-1997 Especificaciones detalladas para elementos de cristal de cuarzo XJ39
QJ 2978-1997 Especificaciones detalladas para elementos de cristal de cuarzo XJ17
QJ 2929-1997 Especificación detallada para el elemento de cristal de cuarzo tipo XJ42
QJ 2931-1997 Especificaciones detalladas para elementos de cristal de cuarzo de alta precisión XB07
QJ 2930-1997 Especificaciones detalladas para elementos de cristal de cuarzo de alta precisión XB87

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Condiciones del borde del cristal

GB/T 22452-2008 Estado técnico general de los dispositivos ópticos de cristal de borato no lineales.
GB/T 10067.410-2014 Especificaciones básicas para instalaciones de electrocalentamiento.Parte 410: Horno de cultivo monocristalino.
GB/T 5117-2012 Electrodos revestidos para soldadura manual por arco metálico de aceros no aleados y de grano fino
GB/T 30118-2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW). Especificaciones y métodos de medición
GB/T 34560.3-2018 Aceros estructurales.Parte 3: Condiciones técnicas de entrega para aceros estructurales de grano fino.
GB/T 18910.3-2008 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 3: Especificación seccional para celdas de visualización de cristal líquido (LCD)
GB/T 18910.61-2012 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-1: Métodos de medición para dispositivos de visualización de cristal líquido. Parámetro fotoeléctrico
GB/T 18910.2-2003 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido Parte 2: Módulos de visualización de cristal líquido Especificación seccional
GB/T 4619-1996 Métodos de medición para dispositivos de visualización de cristal líquido.
GB/T 9436-1988 Símbolos de letras de parámetros para dispositivos de visualización de cristal líquido.
GB/T 6250-1986
GB/T 22319.7-2015 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 7: Medición de caídas de actividad de unidades de cristal de cuarzo.
GB/T 14999.7-2010 Métodos de prueba para tamaños de grano, espaciado de dendritas primarias y microcontracción de piezas fundidas de superaleaciones.
GB/T 29420-2012 Dispositivos de cristal láser de vanadato dopado con Nd
GB/T 22319.8-2008 Medición de los parámetros de la unidad de cristal de cuarzo. Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie.
GB/T 3951-1983 La regla de designación de tipo de dispositivos de visualización de cristal líquido.
GB/T 29421-2012 Dispositivos de cristal birrebringente de vanadato
GB/T 15291-2015 Dispositivos semiconductores. Parte 6: tiristores.
GB/T 15291-1994 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Tiristores
GB/T 15020-1994 Unidades de cristal de cuarzo para uso en equipos electrónicos. Especificación detallada y suave para unidades de cristal de cuarzo soldadas por resistencia. Nivel de evaluación E
GB/T 18910.22-2008 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 2-2: Especificación detallada en blanco para módulos de visualización de cristal líquido de matriz de color.
GB/T 18910.1-2012 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 1: Especificación genérica.
GB/T 18910.4-2007 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido Parte 4: Módulos y celdas de visualización de cristal líquido Clasificaciones y características esenciales
GB/T 18910.41-2008 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 4-1: Módulos LCD de matriz en color. Clasificaciones y características esenciales
GB/T 14077-1993 Especificación de medición para cristal birrefractante y polarizador.
GB/T 14117-1993 Especificación detallada en blanco para dispositivos de visualización de cristal líquido en color
GB/T 31034-2014 Lámina posterior aislante para módulos fotovoltaicos (PV) terrestres de silicio cristalino
GB/T 10067.34-2015 Especificaciones básicas para instalaciones de electrocalentamiento.Parte 34:Instalación de calentamiento por inducción de alta frecuencia tipo transistor.
GB/T 15655-1995 Especificación seccional para dispositivos de visualización de cristal líquido nemáticos súper trenzados
GB/T 18910.21-2007 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido Parte 2-1: Módulos LCD monocromáticos de matriz pasiva Especificación detallada en blanco
GB/T 21039.1-2007 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas-Transistores de efecto de campo de microondas Especificación detallada en blanco
GB/T 4197-1984 Método para medir el tamaño medio de grano de barras y varillas sinterizadas de tungsteno molibdeno y aleaciones.
GB/T 18910.1-2002 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido Parte 1: Especificaciones genéricas
GB/T 18910.11-2012 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 1-1: Terminología y símbolos.
GB/T 10067.417-2023 Especificaciones básicas para instalaciones de electrocalentamiento y procesamiento electromagnético. Parte 417: Instalaciones de crecimiento de cristales de carburo de silicio.
GB/T 41853-2022 Dispositivos semiconductores—Dispositivos microelectromecánicos—Medición de la fuerza de unión de oblea a oblea
GB/T 4586-1994 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo
GB/T 4587-2023 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares
GB/T 6219-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de hasta 5 W y 1 GHz

British Standards Institution (BSI), Condiciones del borde del cristal

BS EN 61747-3:2006 Dispositivos de visualización de cristal líquido - Celdas de visualización de cristal líquido (LCD) - Especificación seccional
BS EN 60444-9:2007 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Medición de resonancias espurias de unidades de cristal piezoeléctrico
BS EN IEC 60122-4:2019 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada - Unidades de cristal con termistores
BS EN 61747-3:2000 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido: especificación seccional para celdas de visualización de cristal líquido (LCD)
BS EN 61747-6:2004 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido - Métodos de medición para módulos de cristal líquido - Tipo transmisivo
BS EN 60444-8:2003 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie
BS EN 60444-8:2017 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie
BS EN 10216-3:2013 Tubos de acero sin costura para fines de presión. Condiciones técnicas de entrega. Tubos de acero aleado de grano fino.
BS EN 60444-7:2004 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Medición de actividad y caídas de frecuencia de unidades de cristal de cuarzo
BS IEC 61747-30-5:2019 Dispositivos de visualización de cristal líquido: métodos de medición óptica de módulos LCD transparentes transmisivos
BS IEC 60747-7:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores bipolares
BS EN 61747-2-1:2001 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido - Módulos LCD monocromáticos de matriz pasiva - Especificación detallada en blanco
23/30468947 DC BS EN 62276. Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW). Especificaciones y métodos de medición.
20/30399843 DC BS ISO 630-3. Aceros estructurales. Parte 3. Condiciones técnicas de entrega de aceros estructurales de grano fino
BS EN 120003:1986 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco - Fototransistores, transistores fotodarlington, conjuntos de fototransistores
BS EN 120003:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Fototransistores, transistores fotodarlington, conjuntos de fototransistores
BS EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos: almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. - Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores de efecto de campo
BS EN 60444-2:1997 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Método de compensación de fase para medir la capacitancia de movimiento de unidades de cristal de cuarzo.
BS IEC 60747-6:2016 Dispositivos semiconductores Parte 6: Dispositivos discretos - Tiristores
BS EN 60122-1:2002+A1:2018 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada - Especificación genérica
BS EN 60444-4:1993 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Método para la medición de la frecuencia de resonancia de carga fL, la resistencia de resonancia de carga RL y el cálculo de otros valores derivados de unidades de cristal de cuarzo, hasta 30 MHz
BS EN 10025-4:2019+A1:2022 Productos laminados en caliente de aceros estructurales - Condiciones técnicas de entrega para aceros estructurales soldables laminados termomecánicos de grano fino
BS EN 60122-1:2003 Unidades de cristal de cuarzo de calidad valorada. Especificación genérica
BS EN 60122-1:2002 Unidades de cristal de cuarzo de calidad valorada. Especificación genérica
BS IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Transistores de efecto de campo
BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: diodos y transistores de microondas.
BS IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
BS ISO 16463:2004 Insertos de diamante policristalino, con punta - Dimensiones, tipos
BS ISO 16463:2014 Inserciones de diamante policristalino, con punta. Dimensiones, tipos
BS EN 60444-2:1993 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo: método de compensación de fase para medir la capacitancia de movimiento de unidades de cristal de cuarzo

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Condiciones del borde del cristal

JIS C 8918:2013 Módulos fotovoltaicos (PV) cristalinos
JIS C 6760:2014 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW). Especificaciones y métodos de medición.
JIS C 8939:1995 Módulos solares fotovoltaicos amorfos
JIS C 8918 AMD 1:2005 Módulos solares fotovoltaicos cristalinos (Enmienda 1)
JIS C 8918:1989 Módulo de células solares cristalinas
JIS C 8939 AMD 1:2005 Módulos solares fotovoltaicos amorfos (Enmienda 1)
JIS C 6701:1999 Especificación genérica de unidades de cristal de cuarzo.
JIS C 6701:2007 Especificación genérica de unidades de cristal de cuarzo.
JIS C 8932:1995 Submódulos solares amorfos de referencia secundaria.
JIS G 0551:1998 Métodos de determinación del tamaño de grano de austenita para acero.
JIS G 0552:1998 Métodos de prueba de determinación del grano de ferrita para acero.
JIS C 8932 AMD 1:2005 Submódulos solares amorfos de referencia secundaria (Enmienda 1)
JIS C 8911 AMD 1:2005 Células solares cristalinas de referencia secundaria (Enmienda 1)
JIS C 8931 AMD 1:2005 Células solares amorfas de referencia secundaria (Enmienda 1)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Condiciones del borde del cristal

KS C 8531-2005 Módulo de células solares cristalinas
KS C 8561-2016 Módulo fotovoltaico (PV) de silicona cristalina (rendimiento)
KS C 6504-1987(2017) Hornos para Unidades de Cristal de Cuarzo
KS C 7110-2007(2017) Dispositivos de visualización de cristal líquido－Métodos de medición de la unidad de retroiluminación para pantallas de cristal líquido
KS C 7110-2007(2022) Dispositivos de visualización de cristal líquido－Métodos de medición de la unidad de retroiluminación para pantallas de cristal líquido
KS C 8531-1995 Módulo de células solares cristalinas
KS C IEC 61747-2:2002 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido－Parte 2: Módulos de visualización de cristal líquido－Especificación seccional
KS C IEC 61747-6-2005(2020) Dispositivos de visualización de cristal líquido－Parte 6: Métodos de medición para módulos de cristal líquido－Tipo transmisivo
KS C IEC 61747-6-2-2006(2016) Dispositivos de visualización de cristal líquido－Parte 6－2：Métodos de medición para módulos de cristal líquido－Tipo reflectante
KS C IEC 61747-6-2-2006(2021) Dispositivos de visualización de cristal líquido－Parte 6－2：Métodos de medición para módulos de cristal líquido－Tipo reflectante
KS C IEC 61747-2-2002(2017) Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido－Parte 2: Módulos de visualización de cristal líquido－Especificación seccional
KS C IEC 61747-3-2002(2017) Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido－Parte 3: Especificación seccional de celdas de pantalla de cristal líquido (LCD)
KS C IEC 60444-9-2016(2021) Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 9: Medición de resonancia espuria de unidades de cristal piezoeléctrico.
KS C IEC 60444-8-2016(2021) Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie.
KS C IEC 60444-7-2016(2021) Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 7: Medición de la actividad y caídas de frecuencia de unidades de cristal de cuarzo.
KS C IEC 61747-20-3:2015 DISPOSITIVOS DE PANTALLA DE CRISTAL LÍQUIDO ― Parte 20-3 Inspección visual — Módulos de pantalla de cristal líquido de color de matriz activa
KS C IEC 61747-5-2-2006(2021) Dispositivos de visualización de cristal líquido - Parte 5-2: Inspección visual de módulos de visualización de líquido de matriz activa
KS C IEC 60747-6:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores
KS C IEC 61747-2-2-2005(2020) Dispositivos de visualización de cristal líquido－Parte 2－2：Módulos LCD de matriz en color－Especificación detallada en blanco
KS D ISO 9328-6-2006(2011) Productos planos de acero para fines de presión－Condiciones técnicas de entrega－Parte 6:Aceros soldables de grano fino, templados y revenidos
KS C IEC 61747-6-3-2006(2016) Dispositivos de visualización de cristal líquido - Parte 6 - 3: Medición de artefactos de movimiento de módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa
KS C IEC 60747-6-2006(2016) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores
KS C IEC 60747-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Dispositivos discretos. Tiristores.
KS C IEC 61747-6-2:2006 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-2: Métodos de medición para módulos de cristal líquido. Tipo reflectante.
KS C IEC 60122-2-1-2011(2021) Unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia－Parte 2: Guía para el uso de unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia－Sección uno: Unidades de cristal de cuarzo para relojes con microprocesador
KS C IEC 60122-2-1-2011(2016) Unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia－Parte 2: Guía para el uso de unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia－Sección uno: Unidades de cristal de cuarzo para relojes con microprocesador
KS C IEC 60747-7:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
KS C IEC 60747-7:2017 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
KS C IEC 61747-4:2002 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido－Parte 4: Módulos y celdas de visualización de cristal líquido－Clasificaciones y características esenciales
KS C IEC 61747-4-2002(2017) Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido－Parte 4: Módulos y celdas de visualización de cristal líquido－Clasificaciones y características esenciales
KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
KS C IEC 61747-2-1:2002 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 2-1: Módulos LCD monocromáticos de matriz pasiva. Especificación detallada en blanco.
KS C IEC 60747-8:2002 Dispositivos discretos - Parte 8: Transistores de efecto de campo
KS C IEC 61747-2-1-2002(2017) Dispositivos de visualización de estado sólido y de cristal líquido. Parte 2. 1: Módulos LCD monocromáticos de matriz pasiva. Especificación detallada en blanco.
KS C IEC 60747-7:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
KS C IEC 60747-7-4:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
KS C IEC 60747-4-1:2002 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
KS C IEC 60747-7-3:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
KS D ISO 10799:2005 Aceros estructurales-Secciones huecas estructurales soldadas y conformadas en frío-Requisitos técnicos de entrega
KS D ISO 9328-6:2006 Productos planos de acero para uso a presión-Condiciones técnicas de entrega-Parte 6:Aceros soldables de grano fino, templados y revenidos
KS D ISO 10799:2013 Aceros estructurales－Secciones huecas estructurales soldadas y conformadas en frío－Requisitos técnicos de entrega
KS C IEC 60747-8:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
KS C IEC 60444-2-2002(2017) Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo mediante la técnica de fase cero en una red p－Parte 2: Método de compensación de fase para medir la capacitancia de movimiento de unidades de cristal de cuarzo
KS C IEC 61747-20-1:2015 DISPOSITIVOS DE PANTALLA DE CRISTAL LÍQUIDO ― Parte 20-3: Inspección visual ― Celdas de pantalla LCD monocromáticas (excluidas todas las celdas de cristal líquido de matriz activa)
KS C IEC 61747-20-2:2015 DISPOSITIVOS DE VISUALIZACIÓN DE CRISTAL LÍQUIDO. Parte 20-2 Inspección visual. Módulos de visualización LCD monocromáticos (excluidos todos los módulos de cristal líquido de matriz activa)
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia

工业和信息化部, Condiciones del borde del cristal

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SJ/T 11459.7.1-2014 Dispositivo de visualización de cristal líquido Parte 7-1: Forma de pantalla LCD pasiva y serie de tamaño de ventana preferida
SJ/T 11459.2.2.5-2016 Dispositivos de visualización de cristal líquido Parte 2-2-5: Especificaciones detalladas para módulos de visualización de cristal líquido de matriz de color para televisores
JC/T 2418-2017 Condiciones técnicas generales y métodos de prueba para cristales autoduplicantes con láser de oxiborato de calcio y gadolinio-itrio dopados con neodimio
SJ/T 11758-2020 Especificaciones de rendimiento para chips LED utilizados en componentes de retroiluminación de pantallas de cristal líquido

CZ-CSN, Condiciones del borde del cristal

CSN 35 1702-1984
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CSN 35 8740-1973 Dispositivos semiconductores. transistor. Medición de voltaje de saturación.

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EN 61747-3:1999 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido, Parte 3: Especificación seccional para celdas de visualización de cristal líquido (LCD)
EN 61747-3-1:1999 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido - Parte 3-1: Celdas de pantalla de cristal líquido (LCD) - Especificación detallada en blanco
EN 62276:2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición
EN 61747-6:2004 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido Parte 6: Métodos de medición para módulos de cristal líquido Tipo transmisivo

Professional Standard - Electron, Condiciones del borde del cristal

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SJ/T 10438-1993 Especificación general para probadores de parámetros de CC con transistor bipolar
SJ/T 11248-2001 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido Parte 3-1: Celdas de pantalla de cristal líquido (LCD): especificación detallada en blanco
SJ/T 11550-2015 Cinta de inmersión de soldadura a base de estaño utilizada para módulos fotovoltaicos (PV) de silicio cristalino
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SJ/Z 9570.1-1995 Estándar de clasificación de calidad de componentes de cristal de cuarzo
SJ/T 9570.1-1995 Estándar de clasificación de calidad para unidades de cristal de cuarzo.
SJ/Z 9152.1-1987 Elementos de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia Parte 1: Valores estándar y condiciones de prueba
SJ/Z 9155.1-1987 Osciladores controlados por cristal de cuarzo. Parte 1: Información general, condiciones y métodos de prueba.
SJ/Z 9158-1987 Unidad de control de temperatura para elementos de cristal de cuarzo.
SJ/T 11459.2.2.1-2013 Dispositivos de visualización de cristal líquido.Parte 2-2-1: Módulo LCD matricial en color para aplicaciones automotrices.Especificación detallada
SJ/T 11459.2.2.4-2013 Dispositivos de visualización de cristal líquido.Parte 2-2-4: Módulos LCD de matriz en color para teléfonos móviles.Especificación detallada
SJ/T 11549-2015 Flujo sin limpieza utilizado para módulos fotovoltaicos (PV) de silicio cristalino
SJ/T 11458-2013 LED para especificación de rendimiento de la unidad de retroiluminación de pantalla de cristal líquido
SJ/T 11459.2.2.2-2013 Dispositivos de visualización de cristal líquido.Parte 2-2-2: Módulos LCD de matriz en color para monitor.Especificación detallada
SJ/Z 9152.2-1987 Elementos de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia Parte 2: Guía para el uso de elementos de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia
SJ 20605-1996 Especificación para el monocristal de tantalato de litio utilizado en dispositivos SAW
SJ/T 11459.2.2.3-2013 Dispositivos de visualización de cristal líquido.Parte 2-2-3: Módulos LCD de matriz en color para PC portátiles.Especificación detallada
SJ 2915-1988 Términos y definiciones para dispositivos de ferrita de microondas de cristal único
SJ/T 10015-1991 Unidades de cristal de cuarzo con diapasón de 32 kHz para relojes y relojes tipo JU38 y JU26
SJ/T 11460.1-2013 Conjuntos de retroiluminación para pantallas de cristal líquido - Parte 1: Especificaciones generales
SJ/Z 9154.2-1987 Utilice la técnica de fase cero en la red π para medir los parámetros de la unidad de cristal de cuarzo. Parte 2: Método de compensación de fase para medir la capacidad dinámica de elementos de cristal de cuarzo.

International Electrotechnical Commission (IEC), Condiciones del borde del cristal

IEC 61747-2:2015 Dispositivos de visualización de cristal líquido - Parte 2: Módulos de visualización de cristal líquido - Especificación seccional
IEC 61747-3:2006 Dispositivos de visualización de cristal líquido - Parte 3: Celdas de visualización de cristal líquido (LCD) - Especificación seccional
IEC 61747-3:1998 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido - Parte 3: Especificaciones seccionales para celdas de visualización de cristal líquido (LCD)
IEC 60444-9:2007 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 9: Medición de resonancias espurias de unidades de cristal piezoeléctrico
IEC 61747-2:1998 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 2: Módulos de visualización de cristal líquido. Especificación seccional
IEC 61747-3:2015 Dispositivos de visualización de cristal líquido - Parte 3: Celdas de visualización de cristal líquido (LCD) - Especificación seccional
IEC 61747-3-1:1998 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 3-1: Celdas de pantalla de cristal líquido (LCD). Especificación detallada en blanco.
IEC 61747-6:2004 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 6: Métodos de medición para módulos de cristal líquido. Tipo transmisivo.
IEC 60444-8:2003 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie
IEC 60444-8:2016 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie
IEC 61747-30-3:2019 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 30-3: Métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Medición de artefactos de movimiento de módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa.
IEC 60747-6:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 6: Tiristores
IEC 61747-20-2:2015 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 20-2: Inspección visual. Módulos de visualización de cristal líquido de matriz monocromática (excluidos todos los módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa).
IEC 61747-30-5:2019 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 30-5: Métodos de medición óptica de módulos LCD transparentes transmisivos.
IEC 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
IEC 60444-7:2004 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 7: Medición de la actividad y caídas de frecuencia de unidades de cristal de cuarzo
IEC 60679-1:1980 Osciladores controlados por cristal de cuarzo. Parte 1: Información general, condiciones y métodos de prueba.
IEC 60679-1/AMD1:1985 Osciladores controlados por cristal de cuarzo. Parte 1: Información general, condiciones y métodos de prueba.
IEC 61747-30-4:2016 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 30-4: Métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Unidades de retroiluminación dinámica.
IEC 60122-2-1:1991 Unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia; parte 2: guía para el uso de unidades de cristal de cuarzo para el control y selección de frecuencia; sección 1: unidades de cristal de cuarzo para suministro de reloj por microprocesador
IEC 60122-2-1:1991/AMD1:1993 Enmienda 1 - Unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia - Parte 2: Guía para el uso de unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia - Sección Primera: Unidades de cristal de cuarzo para mi
IEC 60747-6:1983 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 6: Tiristores
IEC 61747-4:1998 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 4: Módulos y celdas de visualización de cristal líquido. Clasificaciones y características esenciales.
IEC 61747-6-2:2011 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-2: Métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Tipo reflectante.
IEC 60747-7-3:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección 3: especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aparatos de conmutación
IEC 60122-2:1983 Unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia. Parte 2: Guía para el uso de unidades de cristal de cuarzo para control y selección de frecuencia.
IEC 61080:1991 Guía para la medición de parámetros eléctricos equivalentes de unidades de cristal de cuarzo.
IEC 61747-2-1:1998 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido. Parte 2-1: Módulos LCD monocromáticos de matriz pasiva. Especificación detallada en blanco.
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-4-1:2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas; Transistores de efecto de campo de microondas; Especificación de detalle en blanco
IEC 61747-1:2003 Dispositivos de visualización de cristal líquido y de estado sólido - Parte 1: Especificaciones genéricas
IEC 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:1984 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo
IEC 60747-8:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8-1:1987 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única, hasta 5 W y 1 GHz.
IEC 60747-8-3:1995 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 8: Transistores de efecto de campo - Sección 3: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo con clasificación de caja para aplicaciones de conmutación
IEC 60747-7-2:1989 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección dos: especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
IEC 60747-7-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección 4: especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia

Association Francaise de Normalisation, Condiciones del borde del cristal

NF C93-616:2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición
NF C93-601/AM1:1976 COMPONENTES PARA EQUIPOS ELECTRÓNICOS. DISPOSITIVOS PIEZOELÉCTRICOS. SOPORTES DE CRISTAL.
NF EN 61747-3:2007 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 3: celdas de visualización de cristal líquido (LCD). Especificación intermedia.
NF C93-616*NF EN 62276:2018 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición
NF EN 61747-2:1999 Dispositivos de visualización de cristal líquido y semiconductores - Parte 2: módulos de visualización de cristal líquido. Especificación intermedia.
NF A36-215:1997 Productos siderúrgicos - Aceros soldables de grano fino para el transporte de productos peligrosos - Condiciones técnicas de entrega.
NF C93-621-9*NF EN 60444-9:2014 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 9: medición de resonancias espurias de unidades de cristal piezoeléctrico
NF EN 61747-3-1:2006 Dispositivos de visualización de cristal líquido - Parte 3-1: Celdas de visualización de cristal líquido (LCD) - Marco de especificaciones particulares
NF C96-822:1981 Dispositivos semiconductores Tiristores de alta potencia
NF A35-505-1:1993 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino. Parte 1: condiciones generales de entrega.
NF C93-621-8:2005 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 8: dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie.
NF EN 61747-6-3:2012 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-3: métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Medición de artefactos de movimiento en módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa.
NF S94-750-10/A1:2014 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 10: lentes intraoculares fáquicas - Enmienda 1
NF C93-621-7*NF EN 60444-7:2004 Medición de los parámetros de las unidades de cristal de cuarzo. Parte 7: medición de la actividad y caídas de frecuencia de las unidades de cristal de cuarzo.
NF A49-200-3*NF EN 10216-3:2014 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: tubos de acero aleado de grano fino.
NF EN 10216-3:2014 Tubos de acero sin costura para servicios a presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: tubos de acero aleado de grano fino.
NF C93-640-100*NF EN 168100:2013 Especificación seccional: unidades de cristal de cuarzo (aprobación de capacidad)
NF A49-201-3:2002 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: tubos de acero aleado de grano fino.
NF A49-201-3/A1:2005 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: tubos de acero aleado de grano fino.
NF A35-505-2:1993 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino. Parte 2: condiciones de entrega de aceros laminados normalizados/normalizados.
NF A35-505-3:1993 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino. Parte 3: condiciones de entrega de los aceros laminados termomecánicos.
NF C93-611:1975 Componentes para equipos electrónicos. Dispositivos piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo para osciladores.
NF C80-202*NF EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
NF C93-640-101*NF EN 168101:2014 Especificación detallada en blanco: unidades de cristal de cuarzo (aprobación de capacidad)
NF C93-640-201*NF EN 168201:2014 Especificación detallada en blanco: unidades de cristal de cuarzo (aprobación de calificación)
NF EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de portadora caliente en transistores MOS
NF EN 10210-1:2006 Perfiles huecos de construcción acabados en caliente de aceros no aleados y de grano fino. Parte 1: condiciones técnicas de entrega.

AT-ON, Condiciones del borde del cristal

ONORM M 1362-1984 Bordes de piezas de trabajo; términos, indicaciones en dibujos
ONORM EN 10113-1-1993 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de gramos finos - Parte 1: Condiciones generales de entrega
ONORM EN 10113-3-1993 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de gramos finos -Parte 3: Condiciones de entrega de aceros laminados termomecánicos

YU-JUS, Condiciones del borde del cristal

JUS N.R9.071-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo. Esquema de dos portacristales, tipo 18
JUS N.R9.074-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de Ouartz. Esquema de soporte de cristal de dos hilos, tipo 19
JUS N.R9.070-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de Ouartz. Soporte de cristal de dos clavijas, tipo 09
JUS N.R9.072-1986 Vibradores piezoe/eléctricos. Unidades de cristal Ctuartz. Esquema de soporte de cristal de dos wfre, tipo 16
JUS N.R9.073-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo. Esquema del soporte de cristal de dos hilos, tipo 17
JUS N.R9.077-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo. Esquema portacristales de dos hilos, tipo 20
JUS N.R9.076-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo. Outllne más caliente de cristal de dos pines, tipo 08
JUS N.R9.075-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo. Esquema del soporte de cristal de dos clavijas, tipo 10
JUS N.R9.069-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo. Contorno de dos portacristales piri, tipo 07
JUS N.R9.078-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal de cuarzo. Esquema del soporte de cristal de alambre de Turo, tipo 21
JUS N.R9.064-1986 Vibradores piezoeléctricos. Unidades de cristal Ctuartz. Esquema del soporte de cristal de dos hilos. Tipos 11, 14 y 15
JUS N.R9.031-1986 Vibradores piezoeléctricos. Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo mediante técnica de fase cero en una red n. Método de compensación de fase para medir la capacitancia del movimiento de una unidad de cristal de guartz

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Condiciones del borde del cristal

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GB/T 18910.61-2021 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-1: Métodos de medición para dispositivos de visualización de cristal líquido. Parámetro fotoeléctrico.
GB/T 18910.202-2021 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 20-2: Inspección visual. Módulos de visualización de cristal líquido de matriz monocromática.
GB/T 18910.62-2019 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 6-2: Métodos de medición para módulos de visualización de cristal líquido. Tipo reflectante.
GB/T 18910.203-2021 Dispositivos de visualización de cristal líquido. Parte 20-3: Inspección visual. Módulos de visualización de cristal líquido de color de matriz activa.
GB/T 10067.416-2019 Especificaciones básicas para instalaciones de electrocalentamiento y procesamiento electromagnético. Parte 416: Horno de lingotes de polisilicio.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Condiciones del borde del cristal

GJB 2138-1994 Especificaciones generales para componentes de cristal de cuarzo.
GJB 2138A-2015 Especificaciones generales para componentes de cristal de cuarzo.
GJB 2138/4-2011 Especificación detallada para la unidad de cristal de cuarzo tipo JA500
GJB/Z 45.1-1993 Componentes de cristal de cuarzo de espectro de serie de dispositivos piezoeléctricos militares
GJB 960-1990 Sustrato de cristal de cuarzo artificial para dispositivos de ondas acústicas de superficie.
GJB 757-1989 Chip único grande de mica sintética para dispositivos de microondas con radar.
GJB/Z 45.2-1993 Oscilador de cristal de espectro de serie de dispositivos piezoeléctricos militares

Professional Standard - Electricity, Condiciones del borde del cristal

DL/T 1627-2016 Especificaciones del puente rectificador de tiristores para sistema de excitación de generador hidráulico

International Organization for Standardization (ISO), Condiciones del borde del cristal

ISO 630-3:2021 Aceros estructurales. Parte 3: Condiciones técnicas de entrega de los aceros estructurales de grano fino.
ISO 11979-10:2006/Amd 1:2014 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 10: Lentes intraoculares fáquicas; Enmienda 1
ISO 11979-9:2006/Amd 1:2014 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 9: Lentes intraoculares multifocales; Enmienda 1
ISO 9328-3:2011 Productos planos de acero para uso a presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Aceros soldables de grano fino, normalizados.
ISO 9328-3:2018 Productos planos de acero para uso a presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Aceros soldables de grano fino, normalizados.
ISO 9328-5:2011 Productos planos de acero para uso a presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 5: Aceros soldables de grano fino, laminados termomecánicamente.
ISO 9328-6:2011 Productos planos de acero para uso a presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 6: Aceros soldables de grano fino, templados y revenidos.
ISO 9328-5:2018 Productos planos de acero para uso a presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 5: Aceros soldables de grano fino, laminados termomecánicamente.
ISO 9328-6:2018 Productos planos de acero para uso a presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 6: Aceros soldables de grano fino, templados y revenidos.
ISO 12633-1:2011 Perfiles huecos estructurales acabados en caliente de aceros no aleados y de grano fino. Parte 1: Condiciones técnicas de entrega.

ES-UNE, Condiciones del borde del cristal

UNE-EN IEC 60122-4:2019 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada - Parte 4: Unidades de cristal con termistores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2019.)
UNE-EN 62276:2016 Obleas monocristalinas para aplicaciones en dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW) - Especificaciones y métodos de medida (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en enero de 2017.)
UNE-EN 60444-8:2017 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 8: Accesorio de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2017.)
UNE-EN 61747-6-3:2011 Dispositivos de visualización de cristal líquido - Parte 6-3: Métodos de medida para módulos de visualización de cristal líquido - Medición de artefactos de movimiento de módulos de visualización de cristal líquido de matriz activa (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 60444-7:2004 Medición de parámetros de unidades de cristal de queartz -- Parte 7: Medida de actividad y descensos de frecuencia de unidades de cristal de cuarzo (Ratificada por AENOR en septiembre de 2004.)
UNE-EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayo de portadora caliente en transistores MOS (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Condiciones del borde del cristal

EN 61747-3-1:2006 Dispositivos de visualización de cristal líquido Parte 3-1: Celdas de visualización de cristal líquido (LCD): especificación detallada en blanco
EN 61747-3:2006 Dispositivos de visualización de cristal líquido Parte 3: Celdas de visualización de cristal líquido (LCD) - Especificación seccional
EN 60444-9:2007 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo - Parte 9: Medición de resonancias espurias de unidades de cristal piezoeléctrico
EN 62276:2016 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición
EN 60444-8:2017 Medición de los parámetros de las unidades de cristal de cuarzo. Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie.
EN 60444-8:2003 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie
EN 60444-7:2004 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo Parte 7: Medición de actividad y caídas de frecuencia de unidades de cristal de cuarzo
EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS

IEC - International Electrotechnical Commission, Condiciones del borde del cristal

PAS 62276-2001 Obleas monocristalinas aplicadas a dispositivos de ondas acústicas de superficie: especificación y método de medición (Edición 1.0)
PAS 61747-5-3-2007 Dispositivos de visualización de cristal líquido – Parte 5-3: Dispositivos de visualización de cristal líquido – Método de medición de la resistencia y confiabilidad del vidrio (Edición 1.0)

Defense Logistics Agency, Condiciones del borde del cristal

DLA SMD-5962-97590 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, SCHOTTKY TTL AVANZADO, CHANCLAS TIPO D DISPARADAS POR BORDE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipo silicio 2N3904
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, COMPATIBLE CON TTL, FLIP-FLOP OCTAL DISPARADO POR BORDE TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-S-19500/273 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, tipo transistor Tipo 2N744
DLA MIL-S-19500/303 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N2631 y 2N2876
DLA MIL-S-19500/288 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, tipo silicio 2N2377
DLA MIL-S-19500/170 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio tipo 2N1499A
DLA MIL-S-19500/179 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, tipo silicio 2N1234
DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, tipo silicio 2N1051
DLA SMD-5962-98627 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, CHANCLAS TIPO D DE DISPARO POR BORDE POSITIVO DOBLE CON SILICIO MONOLÍTICO TRANSPARENTE Y PREAJUSTADO
DLA SMD-5962-97592 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, CHANCLAS TIPO D DE DISPARO POR BORDE POSITIVO DOBLE CON SILICIO MONOLÍTICO TRANSPARENTE Y PREAJUSTADO
DLA MIL-S-19500/72 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio tipos 2N499 y 2N499A
DLA MIL-S-19500/49 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Tipos 2N464, 2N465, 2N467
DLA MIL-S-19500/215 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N1173 y 2N1174 (azul marino)
DLA DSCC-DWG-04029-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5927
DLA DSCC-DWG-04030-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5926
DLA DSCC-DWG-99009 REV A-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5241
DLA MIL-S-19500/68 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de conmutación 2N1120
DLA MIL-S-19500/80 E VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Tipo de Bajo Consumo 3N35
DLA MIL-S-19500/13 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, alta potencia tipo 2N174A
DLA MIL-S-19500/25 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, bajo consumo tipo 2N240
DLA MIL-S-19500/36 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, alta potencia tipo 2N297A
DLA MIL-S-19500/44 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de bajo consumo 2N428
DLA MIL-S-19500/51 E VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, bajo consumo tipo 2N466
DLA MIL-S-19500/58 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Potencia Tipo 2N665
DLA MIL-S-19500/330 A VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor PNP, germanio tipos 2N1557A a 2N1560A
DLA MIL-S-19500/338 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, germanio PNP, tipo de conmutación 2N3449
DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PN, silicio, unión unida JAN2N5431 y JANTX2N5431
DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 2-2008 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Bajo Consumo, Tipos 2N2708, JAN
DLA MIL-S-19500/69 E VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos JAN-2N337 y JAN-2N338
DLA MIL-S-19500/71 D VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de bajo consumo 2N1195
DLA MIL-S-19500/87 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio de baja potencia tipo 2N1142
DLA MIL-S-19500/16 E VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio tipos 2N342, 2N342A y 2N343
DLA MIL-S-19500/138 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, silicio, tipo de bajo consumo 2N1118
DLA MIL-S-19500/174 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, PNP, germanio, tipo de baja potencia JAN-2N398A
DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 3-2013 Dispositivo Semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Bajo Consumo, Tipos 2N2708, JAN

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Condiciones del borde del cristal

DB13/T 2255-2015 Módulo solar totalmente de vidrio de silicio cristalino
DB13/T 1289-2010 Módulos de células solares de silicio cristalino de uso terrestre
DB13/T 2349-2016 Requisitos de garantía de calidad para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino

Danish Standards Foundation, Condiciones del borde del cristal

DS/EN 62276:2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición
DS/EN 10217-3/A1:2005 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
DS/EN 10217-3:2002 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
DS/EN 10216-3/A1:2004 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
DS/EN 10216-3:2002 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
DS/IEC 122-2-1:1993
DS/EN 62416:2010

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Condiciones del borde del cristal

DB35/T 1764-2018 Condiciones técnicas para cubiertas metálicas en zonas costeras.
DB35/T 1914-2020 Determinación del contenido de cristales β en tuberías y accesorios de polipropileno con cristales β (método de difracción de rayos X)

Professional Standard - Aviation, Condiciones del borde del cristal

HBm 66.13-1988 Especificaciones para reguladores de voltaje de transistores para alternadores de minivan

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Condiciones del borde del cristal

GB/T 22319.9-2018 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 9: Medición de resonancias espurias de unidades de cristal piezoeléctrico.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Condiciones del borde del cristal

ASTM A900/A900M-01 Método de prueba estándar para el factor de laminación de una banda magnética amorfa
ASTM A900/A900M-01(2018) Método de prueba estándar para el factor de laminación de una banda magnética amorfa
ASTM A900-91(1996)e1 Método de prueba estándar para el factor de laminación de una banda magnética amorfa (retirado)

Society of Automotive Engineers (SAE), Condiciones del borde del cristal

SAE AMS7855C-2003 Barras, varillas y alambres de aleación de columbio (niobio) 10 W - 2,5 Zr recristalizado UNS R04271
SAE AMS7857B-2003 Barras, varillas y extrusiones de aleación de columbio (niobio) 10Hf - 1.0Ti, recristalización recocida

European Committee for Standardization (CEN), Condiciones del borde del cristal

prEN 10113-1-1992 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino; parte 1: condiciones generales de entrega
prEN 10113-2-1992 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino; parte 2: condiciones de entrega para aceros normalizados
prEN 10113-3-1992 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino; parte 3: condiciones de entrega de aceros laminados termomecánicos
EN 10216-3:2013 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
EN 10217-3:2019 Tubos de acero soldados para fines de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero de aleación de grano fino, soldados eléctricamente y soldados por arco sumergido, con propiedades especificadas para temperaturas ambiente, elevadas y bajas.
EN ISO 11979-10:2006/A1:2014 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 10: Lentes intraoculares fáquicas (ISO 11979-10:2006/Amd 1:2014)
EN 10217-3:2002 Tubos de acero soldados para presión - Condiciones técnicas de entrega - Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino Incorpora la Enmienda A1: 2005

KR-KS, Condiciones del borde del cristal

KS C IEC 60444-8-2016 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 8: Dispositivo de prueba para unidades de cristal de cuarzo montadas en superficie.
KS C IEC 60444-7-2016 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 7: Medición de la actividad y caídas de frecuencia de unidades de cristal de cuarzo.
KS C IEC 60747-6-2021 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Dispositivos discretos. Tiristores.
KS C IEC 60444-9-2016 Medición de parámetros de unidades de cristal de cuarzo. Parte 9: Medición de resonancia espuria de unidades de cristal piezoeléctrico.
KS C IEC 60747-7-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
KS C IEC 60747-7-2017 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
KS C IEC 60747-8-2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.

Lithuanian Standards Office , Condiciones del borde del cristal

LST EN 62276-2006 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW). Especificaciones y métodos de medición (IEC 62276:2005)
LST EN 62276-2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición (IEC 62276:2012)
LST EN 10216-3-2014 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
LST EN 10217-3-2003 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
LST EN 10217-3-2003/A1-2005 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
LST EN 10216-3-2003 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
LST EN 10216-3-2003/A1-2004 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.

TH-TISI, Condiciones del borde del cristal

TIS 1972-2009 Dispositivos semiconductores.Parte 6: tiristores.
TIS 1864-2009 Dispositivos semiconductores.parte 7: transistores bipolares
TIS 2121-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: transistores de efecto de campo.
TIS 2124-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo clasificados por caja para aplicaciones de conmutación.
TIS 1867-1999 Dispositivos semiconductores: dispositivos discretos parte 7: transistores bipolares sección 4: especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
TIS 49-2013 Electrodos revestidos para soldadura manual por arco metálico de aceros no aleados y de grano fino

SE-SIS, Condiciones del borde del cristal

SIS SEN R 52 13 Radiodetaljer Kristallh?llare av tv?stiftstyp
SIS SS CECC 20000-1983 Especificación genérica: Dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido.

AENOR, Condiciones del borde del cristal

UNE-EN 10217-3:2003/A1:2005 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
UNE-EN 10216-3:2014 Tubos de acero sin costura para aplicaciones de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
UNE-EN 10217-3:2003 Tubos de acero soldados para presión - Condiciones técnicas de entrega - Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.

CEN - European Committee for Standardization, Condiciones del borde del cristal

PREN 10217-3-2009 Tubos de acero soldados para presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero aleado de grano fino.
EN 10113-1:1993 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino - Parte 1: Condiciones generales de entrega

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Condiciones del borde del cristal

JEDEC JESD302-1965 Rangos y condiciones para especificar Beta para transistores de frecuencia de audio de baja potencia para servicios de entretenimiento
JEDEC EIA-302-1965 Rangos y condiciones para especificar Beta para transistores de frecuencia de audio de baja potencia para servicios de entretenimiento
JEDEC JESD23-1982 Métodos de prueba y designaciones de caracteres para dispositivos de cristal líquido

PL-PKN, Condiciones del borde del cristal

PN T01210-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
PN T01207-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia

BE-NBN, Condiciones del borde del cristal

NBN-EN 10113-1-1993 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino. Parte 1: Condiciones generales de entrega

Electronic Industrial Alliance (U.S.), Condiciones del borde del cristal

EIA RS-192-A-1967 Holdes Qutlines y conexiones de pasadores para unidades de cristal de cuarzo

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Condiciones del borde del cristal

ECA 192-A-1967 Contornos de soporte y conexiones de pasadores para unidades de cristal de cuarzo

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Condiciones del borde del cristal

DB61/T 515-2011 Normas de inspección de módulos fotovoltaicos de silicio cristalino para uso terrestre

Beijing Provincial Standard of the People's Republic of China, Condiciones del borde del cristal

DB11/T 1764.7-2021 Clasificación del agua, parte 7: Dispositivos de visualización de cristal líquido
DB11/T 982-2022 Cuotas de consumo de energía por unidad de producto de dispositivos de visualización de cristal líquido

Professional Standard - Building Materials, Condiciones del borde del cristal

JC/T 2687-2022 Componentes de cristal láser de granate YSGG dopados con erbio

Professional Standard - Energy, Condiciones del borde del cristal

NB/T 10453-2020 Cinta selladora de marcos para módulos de células solares de silicio cristalino

国家能源局, Condiciones del borde del cristal

NB/T 10453-2026 Cinta selladora de marcos para módulos de células solares de silicio cristalino
NB/T 42104.2-2016 Requisitos de pruebas de idoneidad ambiental para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino molidos Parte 2: Condiciones climáticas cálidas y secas
NB/T 42104.4-2016 Requisitos de pruebas de adaptabilidad ambiental para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino molidos Parte 4: Condiciones climáticas de meseta
NB/T 42104.3-2016 Requisitos de pruebas de idoneidad ambiental para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino molidos Parte 3: Condiciones climáticas cálidas y húmedas
NB/T 42104.1-2016 Requisitos de las pruebas de idoneidad ambiental para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino molidos Parte 1: Condiciones climáticas generales

RO-ASRO, Condiciones del borde del cristal

STAS SR EN 10113-1-1995 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino Parte 1: Condiciones generales de entrega
STAS SR EN 10113-3-1995 Productos laminados en caliente en aceros estructurales soldables de grano fino -Parte 3: Condiciones de entrega de aceros laminados termomecánicos

未注明发布机构, Condiciones del borde del cristal

DIN EN 10113-2:1993 Productos laminados en caliente _ IN fabricados a partir de aceros estructurales soldables de grano fino. Parte 2: Condiciones de entrega para normalizados/normalizados.

IN-BIS, Condiciones del borde del cristal

IS 4540-1968 ESPECIFICACIÓN PARA CONJUNTOS Y EQUIPOS DE RECTIFICADOR DE SEMICONDUCTOR MONOCRISTALINO
IS 4400 Pt.4-1981

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Condiciones del borde del cristal

IEEE C62.37.1-2012 Guía para la aplicación de componentes de dispositivos de protección contra sobretensiones con tiristores

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Condiciones del borde del cristal

IEEE Std C62.37.1-2012 Guía IEEE para la aplicación de componentes de dispositivos de protección contra sobretensiones con tiristores

TR-TSE, Condiciones del borde del cristal

TS 2268-1976 Soportes de unidades de cristal de cuarzo para osciladores y conectores de clavijas

European Standard for Electrical and Electronic Components, Condiciones del borde del cristal

EN 168101:1992 Especificación detallada en blanco: unidades de cristal de cuarzo (aprobación de capacidad)
EN 168201:1992 Especificación detallada en blanco: unidades de cristal de cuarzo (aprobación de calificación)

American National Standards Institute （ANSI), Condiciones del borde del cristal

ANSI/EIA 192-A:1967 Contornos de soporte y conexiones de pasadores para unidades de cristal de cuarzo

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Condiciones del borde del cristal

ECA EIA-800-1999 Directrices de diseño de paquetes de escala de chip de dispositivo pasivo integrado (IPD)

Indonesia Standards, Condiciones del borde del cristal

SNI IEC 61215:2013 Módulo fotovoltaico de silicona cristal-Kualifikasi disain dan pengesahan jenis

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, Condiciones del borde del cristal

DB15/T 1346-2018 Especificación para la inspección de módulos de células solares de silicio cristalino para uso terrestre.

Association of German Mechanical Engineers, Condiciones del borde del cristal

DVS 2215-3 Beiblatt 1-1998 Soldadura con elementos calefactores de piezas moldeadas de termoplásticos amorfos en producción en serie: parámetros de soldadura para termoplásticos amorfos y mezclas