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フィールド効果

フィールド効果は全部で 349 項標準に関連している。

フィールド効果 国際標準分類において、これらの分類：半導体ディスクリートデバイス、電子機器用機械部品、集積回路、マイクロエレクトロニクス、語彙、半導体材料、送配電網、バルブ、総合電子部品、分析化学、塗料とワニス、電気、磁気、電気および磁気測定。

YU-JUS, フィールド効果

JUS N.R1.353-1979 半導体デバイスのアルファベット記号。バイポーラ電界効果および電界効果トランジスタ
JUS N.R1.323-1979 半導体デバイスの用語と定義。バイポーラ電界効果および電界効果トランジスタ
JUS N.R1.451-1982 電界効果トランジスタ。測定方法の一般原則
JUS N.R1.330-1979 バイポーラ電界効果トランジスタ。散乱パラメータの定義
JUS N.R1.391-1979 バイポーラ電界効果トランジスタ。重要な評価と機能。パワー管
JUS N.R1.373-1980 バイポーラ電界効果トランジスタ。重要な評価と機能。低電力信号用トランジスタ
JUS N.R1.390-1979 バイポーラ電界効果トランジスタ。重要な評価と機能。低電力信号用トランジスタ

Professional Standard - Electron, フィールド効果

SJ 1974-1981 CS1型低周波電界効果半導体管
SJ 1975-1981 CS2型低周波電界効果半導体管
SJ 1976-1981 CS3型低周波電界効果半導体管
SJ 1977-1981 CS4型高周波電界効果半導体管
SJ 1978-1981 CS5型高周波電界効果半導体管
SJ 1979-1981 CS6型高周波電界効果半導体管
SJ 1980-1981 CS7型高周波電界効果半導体管
SJ 1981-1981 CS8型高周波電界効果半導体管
SJ 1982-1981 CS9型高周波電界効果半導体管
SJ 1990-1981 CS20型低周波電界効果半導体管
SJ 1991-1981 CS21型低周波電界効果半導体管
SJ 1992-1981 CS22型低周波電界効果半導体管
SJ 1989-1981 CS19型低周波電界効果半導体管
SJ 1986-1981 CS13型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1988-1981 CS15型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1984-1981 CS11型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1987-1981 CS14型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1983-1981 CS10型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1985-1981 CS12型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1994-1981 CS24型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 2002-1981 CS32型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 2003-1981 CS33型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 2001-1981 CS31型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1995-1981 CS25型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1997-1981 CS27型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1998-1981 CS28型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 2000-1981 CS30型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 2004-1981 CS34型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1993-1981 CS23型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1996-1981 CS26型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 1999-1981 CS29型低周波低雑音電界効果半導体管
SJ 20231-1993 Guoyang ダブルゲート電界効果トランジスタ Yfs テスター校正規則
SJ 20789-2000 MOS電界効果トランジスタの熱パラメータを迅速にスクリーニングするための試験方法
SJ 2748-1987 マイクロ波低ノイズシングルゲート電界効果トランジスタの空白の詳細仕様
SJ 20232-1993 Guoyang ダブルゲート電界効果トランジスタ GP パラメータテスター校正規定
SJ 2099-1982 CS42型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2103-1982 CS46型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2104-1982 CS47型Nチャネル接合電界効果型低消費電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2092-1982 CS35 N チャネル接合電界効果低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2093-1982 CS36型Nチャネル接合電界効果型低消費電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2094-1982 CS37型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2095-1982 CS38タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2096-1982 CS39型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2097-1982 CS40タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2105-1982 CS48型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2106-1982 CS49型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2107-1982 CS50タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2108-1982 CS51タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 20184-1992 半導体ディスクリートデバイス CS3821、3822、3823型電界効果トランジスタの詳細仕様
SJ 2100-1982 CS43型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2102-1982 CS45型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2098-1982 CS41型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2101-1982 CS44型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 50033/42-1994 半導体ディスクリートデバイス CSO467型ガリウムヒ素マイクロ波電界効果トランジスタの詳細仕様
SJ 50033/78-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0464型ガリウムヒ素マイクロ波電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/79-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0536型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/120-1997 半導体ディスクリートデバイス CS205型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 20061-1992 半導体ディスクリートデバイス CS146型シリコンNチャネルディプレッションモード電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033.51-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0558型ガリウムヒ素マイクロ波デュアルゲート電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033.52-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0529型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033.54-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0532型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/119-1997 半導体ディスクリートデバイス CS204型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/81-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0524型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/121-1997 半導体ディスクリートデバイス CS3458～CS3460シリコンNチャネル接合型電界効果トランジスタの詳細仕様
SJ 50033/80-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0513型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/122-1997 半導体ディスクリートデバイス CS3684～CS3687シリコンNチャネル接合型電界効果トランジスタの詳細仕様
SJ/T 11824-2022 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の等価静電容量および電圧変化率の試験方法
SJ 50033/38-1994 半導体ディスクリートデバイス CS4856～CS4861シリコンNチャネルディプレッションモード電界効果トランジスタの詳細仕様
SJ 50033.53-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0530、CS0531型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/84-1995 半導体ディスクリートデバイス CS140型シリコンNチャネルMOSデプレッションモード電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/86-1995 半導体ディスクリートデバイス CS5114～CS5116 シリコン P チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタの詳細仕様
SJ 50033/83-1995 半導体ディスクリートデバイス CS139型シリコンPチャネルMOSエンハンスメントモード電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/87-1995 半導体ディスクリートデバイス CS4091～CS4093シリコンNチャネルディプレッションモード電界効果トランジスタの詳細仕様
SJ 50033/85-1995 半導体ディスクリートデバイス CS141型シリコンNチャネルMOSデプレッションモード電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/106-1996 半導体ディスクリートデバイス CS203型ガリウムヒ素マイクロ波低雑音電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 50033/89-1995 半導体ディスクリートデバイス CS6768 および CS6770 シリコン N チャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタの詳細仕様。
SJ 50033/88-1995 半導体ディスクリートデバイス CS6760 および CS6762 シリコン N チャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタの詳細仕様。
SJ/T 11059-1996 電子部品詳細仕様書 CS4220A型シングルゲートNチャネル接合型電界効果トランジスタ（認証取得可能）
SJ/T 11057-1996 電子部品詳細仕様書 4CS142型シリコン高周波二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ（認証取得可能）
SJ/T 11055-1996 電子部品の詳細仕様 4CS119 シリコン高周波二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ (認証可能)
SJ/T 11056-1996 電子部品の詳細仕様 4CS1191 シリコン高周波二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ (認証可能)
SJ/T 10956-1996 電子部品の詳細仕様 4CS122 シリコン高周波二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ (認証可能)
SJ/T 10957-1996 電子部品詳細仕様書 4CS103型シリコン高周波二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ（認証取得可能）
SJ/T 11058-1996 電子部品詳細仕様書 4CS1421型シリコン高周波二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ（認証取得可能）
SJ 20011-1992 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレードの CS1 型シリコン N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 20012-1992 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレードの CS4 型シリコン N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ 20013-1992 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード CS10 型シリコン N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ詳細仕様
SJ/T 10834-1996 電子部品 CS111、CS112、CS113、CS114、CS115、CS116 シングルゲート接合電界効果トランジスタの詳細仕様 (認証用に利用可能)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), フィールド効果

KS C 5202-1980(2000) 信頼性保証型電界効果トランジスタ
KS C 5202-2004 信頼性が保証された電界効果トランジスタ
KS C IEC 60747-8:2002 半導体デバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
KS C IEC 60747-8:2020 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 8: 電界効果トランジスタ

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, フィールド効果

JEDEC JEP69-B-1973 電界効果トランジスタの優先ピンの概要
JEDEC JES2-1992 トランジスタ、ガリウムヒ素電界効果トランジスタ、一般仕様

CZ-CSN, フィールド効果

CSN 35 8803-1983 電界効果トランジスタ。電気的パラメータ。測定方法
CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 半導体装置。ディスクリート機器。パート 8: 電界効果トランジスタ

PL-PKN, フィールド効果

PN T01505 ArkusZ06-1974 電界効果トランジスタのゲート電流測定方法 Icdo
PN T01505 ArkusZ11-1974 電界効果トランジスタ。測定方法。ドレイン・ソース間事故電圧
PN T01505 ArkusZ01-1974 フィールド効果。トランジスタ。測定方法。ゲート・ソースが遮断されます。電圧値
PN T01501 ArkusZ4-1973 半導体装置。電界効果トランジスタパラメータのアルファベット記号
PN T01505 ArkusZ10-1974 電界効果トランジスタ U (8R) GSS のゲート・ソース間耐圧の決定
PN T01505 ArkusZ09-1974 電界効果トランジスタ。測定方法。ドレイン・ソース間耐圧 U (BR) DSS
PN T01505 ArkusZ12-1974 電界効果トランジスタ。測定方法。短絡入力コンダクタンスソース接地
PN T01505 ArkusZ14-1974 フィールド効果。トランジスタの測定方法、短絡逆伝達コンダクタンスの共通ソース
PN T01505-17-1987 電界効果トランジスタの測定方法。ソース接地 C22SS 中短絡出力コンデンサ
PN T01505 ArkusZ02-1974 電界効果トランジスタ。測定方法。ゲート・ソース臨界電圧。ゲート・ソース臨界電圧
PN T01505-16-1987 電界効果トランジスタ。測定方法、ソース接地短絡入力容量 CnM
PN T01505-19-1987 電界効果トランジスタ。測定方法。雑音指数 F と等価入力雑音電圧 U
PN T01505-18-1987 電界効果トランジスタ。測定方法。入力短絡Cl2jあり。ソース接地逆伝達容量 s
PN T01505-04-1987 慣性誘導システムにおける電界効果トランジスタのゲートオフ電流とゲートリーク電流の測定方法
PN T01505-15-1987 電界効果トランジスタ測定法では、送受信y21sが短くなり、共通ソースの相互コンダクタンスが短くなります。
PN T01505-13-1987 電界効果トランジスタ。測定方法。短絡出力アドミタンス yy22s および共通ソースガウスにおける短絡出力コンダクタンス
PN T01505-03-1987 特定の規定のゲート・ソース間電圧Idsxおよびリーク電流の下での電界効果トランジスタのリーク電流の測定方法。ゲート・ソース間短絡

RU-GOST R, フィールド効果

GOST 17466-1980 バイポーラおよび電界効果トランジスタの基本パラメータ
GOST 20398.2-1974 電界効果トランジスタ - 雑音指数の測定方法
GOST 20398.3-1974 電界効果トランジスタ - 特性曲線の測定方法
GOST 20398.6-1974 電界効果トランジスタ - ゲートリーク電流の測定方法
GOST 20398.11-1980 電界効果トランジスタノイズ起電力測定法
GOST 20398.0-1983 電界効果トランジスタ - 電気パラメータ測定の一般要件
GOST 20398.8-1974 電界効果トランジスタ - ドレインオンセット電流の測定方法
GOST 20398.13-1980 電界効果トランジスタのドレイン・ソース間抵抗測定方法
GOST 20398.12-1980 電界効果トランジスタ -ドレイン残留電流の測定方法
GOST 19095-1973 電界効果トランジスタ、電気パラメータ、パラメータの用語、定義、およびアルファベット記号。
GOST 20398.1-1974 電界効果トランジスタ - 直接伝送フルアドミタンス弾性率測定法
GOST 20398.4-1974 電界効果トランジスタ - 出力アドミッタンスの有効成分の測定方法
GOST 20398.7-1974 電界効果トランジスタ - しきい値電圧とカットオフ電圧の測定方法
GOST 20398.9-1980 電界効果トランジスタ - パルス条件での特性曲線を測定する方法
GOST 20398.10-1980 電界効果トランジスタ - パルス状態でのドレイン電流の測定方法
GOST 20398.5-1974 電界効果トランジスタ - 入力容量、クロスオーバー容量、出力容量の測定方法
GOST 20398.14-1988 電界効果トランジスタの出力電力、電力増幅係数、ドレイン実効係数の測定方法

IET - Institution of Engineering and Technology, フィールド効果

MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994 マイクロ波電界効果トランジスタ: 理論設計と応用
RF MICROW MDL MEAS TECHNQ FLD EFFT TRANSIS-2010 電界効果トランジスタの RF およびマイクロ波のモデリングおよび測定技術

International Electrotechnical Commission (IEC), フィールド効果

IEC 60747-8:2000 半導体デバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
IEC 60747-8-3:1995 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタセクション 3: ケース定格スイッチング電界効果トランジスタの空白の詳細仕様
IEC 60747-8-1:1987 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタセクション 1: 5W および 1GHz 未満のシングルゲート電界効果トランジスタの詳細仕様は空白
IEC 60747-8-2:1993 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタセクション 2: エンクロージャ定格電力増幅電界効果トランジスタブランク詳細仕様
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
IEC 60747-8:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ
IEC 60747-8:2021 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
IEC 60747-8:1984 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ
IEC 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
IEC 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
IEC TS 62607-6-16:2022 ナノ加工臨界制御特性第6-16部二次元材料キャリア濃度電界効果トランジスタ法
IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイスパート 8-4: パワースイッチングデバイス用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, フィールド効果

GB/T 15450-1995 シリコンデュアルゲート電界効果トランジスタの詳細仕様は空白
GB/T 6219-1998 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8; 電界効果トランジスタパート 1 ブランク 1GHz および 5W 未満のシングルゲート電界効果トランジスタの詳細仕様
GB/T 15449-1995 ケース定格スイッチング用途の電界効果トランジスタの詳細仕様は空白
GB/T 4586-1994 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタ

British Standards Institution (BSI), フィールド効果

BS IEC 60747-8:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、電界効果トランジスタ
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 半導体デバイスディスクリートデバイス電界効果トランジスタ
BS IEC 60747-8:2001 ディスクリート半導体デバイスおよび集積回路、電界効果トランジスタ、電力変換電界効果トランジスタの測定方法における追加の電力、特性、および補正。
BS QC 750114:1996 電子部品、半導体デバイス、ディスクリート機器の電界効果トランジスタの品質評価のための調和システム空白スイッチング用途のケース定格電界効果トランジスタの詳細仕様
BS EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
19/30389766 DC BS IEC 60747-8 AMD1 半導体デバイスディスクリート機器パート 8: 電界効果トランジスタ
BS EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化物電界効果トランジスタ (MOSFET) のマイグレーションイオンテスト
BS IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、パワースイッチング機器用金属酸化物半導体電界効果トランジスタ

TH-TISI, フィールド効果

TIS 2124-2002 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ、セクション 3: ケース定格スイッチング電界効果トランジスタの詳細仕様は空白です。
TIS 2122-2002 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ、セクション 1: 最大 1 GHz、5 ワットのシングルゲート電界効果トランジスタの詳細仕様は空白です。
TIS 2121-2002 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ
TIS 2123-2002 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ、セクション 2: エンクロージャ制限パワーアンプ用の電界効果トランジスタの詳細仕様は空白です。

Defense Logistics Agency, フィールド効果

DLA SMD-5962-89659-1990 電界効果トランジスタバッファリニアハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-01512-2001 モノリシックシリコンデュアル高速リニアマイクロ回路FETドライバー
DLA SMD-5962-01520 REV B-2003 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路大電流FETドライバー
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 ゲートレベル保護を備えたカスタム電界効果トランジスタ500ボルトハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 マイクロ回路、ハイブリッド、カスタム、電界効果トランジスタ、500 ボルト、ゲート保護付き
DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2608、JAN および UB
DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2609、JAN および UB
DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2609、JAN および UB
DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2608、JAN および UB
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V または 500V の同じゲート保護カスタムハイブリッドマイクロ回路電界効果トランジスタ
DLA SMD-5962-97637 REV A-2003 マイクロ回路、リニア、高速 J タイプ電界効果オペアンプ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98515 REV C-2006 マイクロ回路、リニア、デュアル J タイプ電界効果オペアンプ、単一シリコン片
DLA MIL-PRF-19500/750-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Nチャネル、シリコン、2N7507U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Nチャネル、シリコン、2N7507U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
DLA MIL-PRF-19500/748-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Pチャネル、シリコン、2N7505T3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
DLA MIL-PRF-19500/751-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Pチャネル、シリコン、2N7508U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N7505T3、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Pチャネル、シリコン、2N7508U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 シリコンモノリシックバイポーラ電界効果トランジスタ計算用ラウドスピーカー、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 高速電界効果トランジスタ入力オペアンプ、リニアハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 マイクロ回路、ハイブリッド、カスタム、電界効果トランジスタ、600V または 500V、ゲート保護付き
DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 シリコンモノリシック、接合型電界効果トランジスタ高速オペアンプ、デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 入力電界効果トランジスタ、差動オペアンプ、リニアハイブリッドマイクロ回路
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7537、2N7537A、JANおよびJANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7537、2N7537A、JAN および JANTX
DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 2N2497 ～ 2N2500、2N3329 ～ 2N3332、JANTX タイプの P 型チャネルシリコン電界効果トランジスタ半導体デバイス
DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 2N2497 ～ 2N2500、2N3329 ～ 2N3332、JANTX タイプの P 型チャネルシリコン電界効果トランジスタ半導体デバイス
DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 JANTX、JANTXV、JANS 2N6966、2N696、2N6968、2N6969 シリコン N チャネル電界効果トランジスタ半導体デバイス
DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、J タイプ電界効果入力オペアンプ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 モノリシックシリコン相補型スイッチング電界効果トランジスタドライバー、耐放射線デジタルリニアマイクロ回路
DLA MIL-PRF-19500/428 G VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネルシリコン、タイプ 2N4416A および 2N4416AUB、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/547 D-2011 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N6660 および 2N6661、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/428 H-2011 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネルシリコン、タイプ 2N4416A および 2N4416AUB、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 モノリシックシリコン耐放射線性デジタル非線形マイクロ回路相補型スイッチング FET ドライバー
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 シリコンモノリシックバイメタル酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 シリコンモノリシック、接合型電界効果トランジスタ、高速かつ高精度のオペアンプ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 シリコンモノリシック、四重極バイポーラ接合電界効果トランジスタ、オペアンプ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 シリコンモノリシック動作増倍管、マイクロパワー接合電界効果トランジスタリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 シリコンモノリシック高速接合電界効果トランジスタ、デュアルオペレーションインテンシファイア、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 閉ループバッファアンプ、入力電界効果トランジスタ、リニアハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-97633 REV B-2006 マイクロ回路、リニア、デュアル、低電力 J タイプ電界効果入力オペアンプ、モノリシックシリコン
DLA MIL-PRF-19500/430 B VALID NOTICE 2-2008 半導体デバイス、デュアル電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N5545、2N5546 および 2N5547、JAN、JANTX および JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/430 C-2011 半導体デバイス、デュアル電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N5545、2N5546 および 2N5547、JAN、JANTX および JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/562 D VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、2N6804 および 2N6806 タイプ JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/562 E-2010 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、2N6804 および 2N6806 タイプ JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/688 B-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7002、2N7002T2 および 2N7002UB、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
DLA MIL-PRF-19500/562 E (1)-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、2N6804 および 2N6806 タイプ JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、P チャネルシリコン、タイプ 2N7403 および 2N7404、JANSD および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292、2N7294、2N7296、および 2N7298、JANTXVM、D、R、H および JANSM、D および R タイプのシリコン N チャネル放射線耐性 (総量子化効果のみ) 電界効果トランジスタ半導体デバイス
DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 シリコンモノリシック、クワッドSPST接合電界効果トランジスタアナログスイッチ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 デュアルパワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバー、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 シリコンモノリシックオペアンプ、高精度接合電界効果トランジスタ入力、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 シリコンモノリシック動作増倍管、デュアルマイクロパワー接合電界効果トランジスタリニアマイクロ回路
DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半導体デバイス、N チャネル高電圧電界効果シリコントランジスタ、モデル 2N7387 および 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
DLA MIL-PRF-19500/599 D VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、クワッドチャネル、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコンタイプ 2N7335 JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 シリコンモノリシック高速オペアンプ、二重高精度接合電界効果トランジスタ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 シリコンモノリシック接合電界効果トランジスタアナログマルチプレクサ、8チャンネルリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 シリコンモノリシック接合電界効果トランジスタアナログマルチプレクサ、16チャンネルリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 シリコンモノリシック、接合電界効果トランジスタクワッド高速高精度オペアンプ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 シリコンモノリシック動作増倍管、4カラムマイクロパワー接合電界効果トランジスタリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 シリコンモノリシック単一電源金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
DLA MIL-PRF-19500/570 D-2009 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、シリコンロジックレベル、タイプ 2N6901 および 2N6903、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 H-2010 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、シリコン、タイプ 2N6756、2N6758、2N6760、2N6762、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/566 B VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、シリコン、ロジックレベル、2N6902 および 2N6904 タイプ JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 J-2011 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、シリコン、タイプ 2N6756、2N6758、2N6760、2N6762、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/542 J (1)-2013 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、シリコン、タイプ 2N6756、2N6758、2N6760、2N6762、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 半導体デバイス、トランジスタ、高電圧、電界効果、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7387 および 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/431 E-2011 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N4091、2N4092、2N4093、2N4091UB、2N4092UB および 2N4093UB、JAN、JANTX および JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/476 E-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N5114 ～ 2N5116 および 2N5114UB ～ 2N5116UB、JAN、JANTX および JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 半導体デバイス、電界効果放射ハードトランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N7463T2、2N7464T2、2N7463U5 および 2N7464U5 JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、N チャネルシリコン、タイプ 2N7405、2N7406、2N7407 および 2N7408、JANSD および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/476 F-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N5114 ～ 2N5116 および 2N5114UB ～ 2N5116UB、JAN、JANTX および JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/563 F VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコンタイプ 2N6845、2N6845U、2N6847 および 2N6847U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 半導体デバイス、電界効果、耐放射線性、トランジスタチップ、Nチャネル、Pチャネル、シリコン各種 JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、P チャネルシリコン、モデル 2N7424、2N7425 および 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR および JANSF
DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、P チャネルシリコン、モデル 2N7424、2N7425 および 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR および JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、N チャネルシリコン、タイプ 2N7509、2N7510 および 2N7511、JANTXVD、R および JANSD、R
DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 シリコンモノリシック接合電界効果トランジスタアナログマルチプレクサ、4チャンネル差動線形マイクロ回路
DLA MIL-PRF-19500/570 E-2010 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、シリコンロジックレベル、タイプ 2N6901 および 2N6903、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、N チャネル、シリコン、モデル 2N7465T3 および 2N7466T3 および U3 接尾辞、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半導体デバイス、N チャネルトランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコンモデル 2N7405、2N7406、2N7407 および 2N7408、JANSD および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半導体デバイス、N チャネルトランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコンモデル 2N7488T3、2N7489T3 および 2N7490T3、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7475T1、2N7476T1、および 2N7477T1 (総線量およびシングルイベント効果)、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7475T1、2N7476T1、および 2N7477T1 (総線量およびシングルイベント効果)、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7475T1、2N7476T1、および 2N7477T1 (総線量およびシングルイベント効果)、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/556 K-2010 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N6782、2N6782U、2N6784、2N6784U、2N6786 および 2N6786U、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半導体デバイス、N チャネル電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) シリコントランジスタ、モデル: 2N7485U3、2N7486U3 および 2N7487U3、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、シリコン、N チャネル、放射線耐性 (総線量および単一イベント効果)、タイプ 2N7472U2、2N7473U2 および 2N7474U2、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 半導体デバイス、電界効果放射線耐性（総線量およびシングルイベント効果）トランジスタ、P チャネルシリコン、タイプ 2N7403 および 2N7404、JANSD および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、P チャネルシリコンタイプ 2N7438 および 2N7439 JANSD および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N7497T2、2N7498T2 および 2N7499T2、JANTXVR および JANSR
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 デュアルチャネルフォトカプラ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ電源用のリニアハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高電圧金属酸化物半導体電界効果トランジスタオペアンプシリコンモノリシック回路線形超小型回路
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7485U3、2N7486U3 および 2N7487U3、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/752-2010 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果)、ロジックグレードシリコン、タイプ 2N7608T2、JANTXVR、JANTXVF、JANSR および JANSF
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7485U3、2N7486U3 および 2N7487U3、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量および単一イベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N7488T3、2N7489T3 および 2N7490T3、JANTXVR および JANSR
DLA MIL-PRF-19500/749-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル放射線硬化 (総線量およびシングルイベント効果)、シリコン、タイプ 2N7506U8 および 2N7506U8C、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVF、JANSR および JANSF
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 シリコンモノリシックシングルまたはデュアルまたはクワッドカラム動作増強管、接合型電界効果トランジスタ低電力、線形マイクロ回路
DLA MIL-PRF-19500/375 H-2011 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、デプレッションモード、シリコン、タイプ 2N3821、2N3821UB、2N3822、2N3822UB、2N3823、および 2N3823UB、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/375 J-2011 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果、N チャネル、デプレッションモード、シリコン、タイプ 2N3821、2N3821UB、2N3822、2N3822UB、2N3823、および 2N3823UB、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
DLA MIL-PRF-19500/595 K-2013 半導体デバイス、反復アバランシェ、電界効果、トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N7236、2N7237、2N7236U および 2N7237U、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 G VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802、2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 H-2010 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802、2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 J-2010 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802、2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 K-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコンタイプ 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802、2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
DLA MIL-PRF-19500/739 A-2013 半導体デバイス、電界効果放射線強化クワッドトランジスタ、N チャネルおよび P チャネル、シリコン、タイプ 2N7518 および 2N7518U、JANTXVR、F および JANSR、F
DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 シリコンモノリシックオペアンプ、低消費電力高出力ドライバ、接合型電界効果トランジスタ入力、リニアマイクロ回路
DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果放射線硬化型 P チャネル、シリコン、タイプ 2N7422、2N7422U、2N7423 および 2N7423U、JANTXVR および F、JANSR および F
DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 半導体デバイス、トランジスタ、電界効果放射線硬化型 P チャネル、シリコン、タイプ 2N7422、2N7422U、2N7423 および 2N7423U、JANTXVR および F、JANSR および F
DLA MIL-PRF-19500/555 K-2010 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N6788、2N6788U、2N6790、2N6790U、2N6792、2N6792U、2N6794 および 2N6794U、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JAN HC および JANKC
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2、JANTXVR、F、GおよびHおよびJANSR、F、GおよびHタイプの放射線耐性Nチャネル電界効果トランジスタ（総線量およびシングルイベント効果）半導体デバイス
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン、モデル 2N7504T2、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVG、JANTXVH、JANSF、JANSG、JANSR および JANSH
DLA MIL-PRF-19500/744-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、耐放射線性 (総線量およびシングルイベント効果)、ロジックグレードのシリコン、タイプ 2N7616UB、2N7616UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR および JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量および単一イベント効果) トランジスタ、N チャネルシリコン、タイプ 2N7509、2N7510 および 2N7511、JANTXVD、R および JANSD、R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネルシリコンタイプ 2N7512、2N7513 および 2N7514 JANTXVD、R および JANSD、R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネルシリコン、タイプ 2N7509、2N7510 および 2N7511、JANTXVD、R および JANSD、R
DLA MIL-PRF-19500/745-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、耐放射線性 (総線量およびシングルイベント効果)、ロジックグレードシリコン、タイプ 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR および JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、耐放射線性 (総線量およびシングルイベント効果)、ロジックグレードシリコン、タイプ 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR および JANSF

Professional Standard - Aerospace, フィールド効果

QJ 2617-1994 マイクロ波電界効果トランジスタ（マイクロ波FET）のシェル受け入れ仕様

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, フィールド効果

JJG(电子) 04006-1987 BJ2913電界効果管パラメータテスターの試用検証手順
JJG(电子) 04049-1995 Guoyang ダブルゲート電界効果トランジスタ CX テスター校正規則
JJG(电子) 04046-1995 QC-13 電界効果トランジスタ相互コンダクタンスパラメータテスターの校正規定

RO-ASRO, フィールド効果

STAS 12389-1985 電界効果トランジスタ。限界値と基本的な電気パラメータの命名
STAS SR CEI 747-8-1993 半導体デバイス。分離装置。パート 8: 電界効果トランジスタ
STAS 7128/8-1986 半導体デバイスや集積回路のアルファベット記号。電界効果トランジスタのシンボル
STAS 12124/3-1983 半導体装置。電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法
STAS 12124/4-1983 半導体装置。電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法

KR-KS, フィールド効果

KS C IEC 60747-8-2020 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 8: 電界効果トランジスタ

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, フィールド効果

GJB/Z 41.4-1993 軍用半導体ディスクリートデバイスシリーズスペクトラム電界効果トランジスタ
GJB 33/24-2021 CS0406-10 シリコン電界効果マイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
GJB 33/25-2021 CS0406-350シリコン電界効果マイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
GJB 33/003-1989 半導体ディスクリートデバイス用の5W未満および1GHz未満のシングルゲート電界効果トランジスタの詳細仕様は空白

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, フィールド効果

EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET)
EN 62373:2006 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験 IEC 62373:2006

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), フィールド効果

IEEE 539-2020 コロナと架空送電線への電界効果に関連する用語の定義
IEEE Std 539-1990 架空送電線に対するコロナと電界効果に関連する用語の IEEE 標準定義
IEEE Std 539-2005 架空送電線に対するコロナと電界効果に関連する用語の IEEE 標準定義
IEEE Std 539-2020 架空送電線に対するコロナと電界効果に関連する用語の IEEE 標準定義
IEEE P539/D6, September 2020 コロナと架空送電線への電界影響に関連する用語の IEEE 草案標準定義
IEEE Std 581-1978 金属窒化酸化物電界効果トランジスタの IEEE 標準定義、記号、および特性評価
IEEE P539/D5, April 2020 コロナと架空送電線への電界影響に関連する用語のIEEE標準定義草案
IEEE Std P539/D7, Jan 2004 コロナと架空送電線への電界影響に関連する用語の定義に関する IEEE 草案標準
IEEE 581-1978 金属亜硝酸塩酸化物電界効果トランジスタの IEEE 標準定義、記号、および特性評価

IN-BIS, フィールド効果

IS 4400 Pt.10-1983 半導体デバイスの測定方法第10部電界効果トランジスタ
IS 3700 Pt.10-1982 半導体デバイスの基本定格と特性 Part X 電界効果トランジスタ

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, フィールド効果

QC 750112-1987 半導体デバイスディスクリートパート 8: 電界効果トランジスタパート 1 最大 5W および 1 GHz のシングルゲート電界効果トランジスタのブランク詳細仕様 (IEC 747-8-1 ED 1)
QC 750106-1993 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタパート 2 エンクロージャ定格パワーアンプアプリケーション用の電界効果トランジスタの空白の詳細仕様 (IEC 747-8-2 ED 1)
QC 750114-1995 半導体デバイスディスクリートパート 8: 電界効果トランジスタセクション 3: スイッチングアプリケーション用のケース定格電界効果トランジスタに関する空白の詳細仕様 (IEC 747-8-3 ED 1)
QC 750114-1996 電子部品の品質評価のための調整システム半導体デバイスディスクリートデバイス電界効果トランジスタスイッチング用途向けのケース定格電界効果トランジスタの詳細仕様は空白 (IEC 747-8-3:1995)

Group Standards of the People's Republic of China, フィールド効果

T/CASAS 022-2022 三相スマートメーター用窒化ガリウム電界効果トランジスタの一般技術仕様
T/CASAS 007-2020 電気自動車用炭化ケイ素（SiC）電界効果トランジスタ（MOSFET）モジュールの評価仕様
T/CASAS 006-2020 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの一般的な技術仕様
T/CASAS 015-2022 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (SiC MOSFET) のパワーサイクル試験方法
T/CASAS 016-2022 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (SiC MOSFET) ジャンクションケース熱抵抗過渡デュアルインターフェイステスト方法

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., フィールド効果

IEEE 539-2005 コロナと架空送電線への電界影響に関連する用語の標準定義
IEEE 539-1990 コロナと架空送電線への電界影響に関連する用語の標準定義

American National Standards Institute （ANSI), フィールド効果

ANSI/IEEE 539:2005 架空送電線に対するコロナと磁場の影響に関連する用語の標準定義

Association Francaise de Normalisation, フィールド効果

NF C80-203*NF EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
NF C96-008:1985 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路パート 8: 電界効果トランジスタ
NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
NF EN 62417:2010 半導体デバイス - 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイルイオンテスト
NF C86-712:1981 電子部品品質評価調整システムブランク詳細仕様シングルゲート電界効果トランジスタ

German Institute for Standardization, フィールド効果

DIN EN 62373:2007 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
DIN EN 62373:2007-01 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
DIN EN 62417:2010-12 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイルイオンテスト
DIN 55659-2:2012 塗料とワニス pH 値の測定パート 2: イオン感応性電界効果トランジスタ (ISFET) を備えた pH 電極

Danish Standards Foundation, フィールド効果

DS/EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
DS/EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイルイオンテスト

ES-UNE, フィールド効果

UNE-EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
UNE-EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイルイオンテスト

Lithuanian Standards Office , フィールド効果

LST EN 62373-2006 金属酸化物、半導体、および電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験 (IEC 62373:2006)
LST EN 62417-2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイルイオン試験 (IEC 62417:2010)

未注明发布机构, フィールド効果

BS EN 150012:1993(2000) 電子部品の品質評価のための調整システムシングルゲート電界効果トランジスタの仕様ブランク詳細仕様

American Society for Testing and Materials (ASTM), フィールド効果

ASTM F616M-96 MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
ASTM F616M-96(2003) MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)