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カーボンシート電極

カーボンシート電極は全部で 500 項標準に関連している。

カーボンシート電極 国際標準分類において、これらの分類：工作機械、溶接、ロウ付け、低温溶接、複合強化素材、冶金設備、電気工学総合、導体材料、化学製品、分析化学、石炭、非鉄金属製品、チップレス加工装置、工業炉、電気、磁気、電気および磁気測定、半導体ディスクリートデバイス、鉄鋼製品、語彙、集積回路、マイクロエレクトロニクス、抵抗器、機械的試験、バッテリーと蓄電池、コンデンサ、無機化学、無駄、医療機器、環境を守ること、無線通信、半導体材料、データストレージデバイス、強化プラスチック、パラフィン、瀝青材、その他の石油製品、ゴム・プラスチック製品、航空宇宙製造用の材料、非鉄金属。

PL-PKN, カーボンシート電極

PN E69011-1972 複製用カーボン電極
PN BN 6086-01-1965 炭化物電極
PN E69014-1985 カーボンプレス品です。基本的な電池用のグラファイト電極
PN E69015-1988 カーボンプレス品です。グラファイト電極とニップル
PN D79684-1959 炭素電極輸出箱と箱ホルダー
PN C82002-1985 成形炭素製品の試験方法。自己焼成連続電極用カーボンブロック
PN C82055-21-1992 炭素成形品の試験方法、電極における抵抗率の測定
PN M69433-1988 鋼板、高強度低炭素鋼および低合金鋼のアーク溶接用被覆鋼板電極

Standard Association of Australia （SAA）, カーボンシート電極

AS/NZS 1553.1:1995 溶接用軟鋼電極隠蔽電極炭素鋼および炭素マンガン鋼手動金属アーク溶接
AS 1858.1:2003 サブマージアーク溶接用電極およびフラックス炭素鋼および炭素マンガン鋼
ASCRM 003-2-1993 認定された標準電極カーボン。サンプル2

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, カーボンシート電極

NEMA CG 1-1993 人造黒鉛・カーボン電極
NEMA CG 1-1999 人造黒鉛・カーボン電極

National Electrical Manufacturers Association（NEMA), カーボンシート電極

NEMA CG 1-2013 人造黒鉛・カーボン電極
NEMA CG 1-2001 グラファイト/カーボン電極製品

AWS - American Welding Society, カーボンシート電極

A5.1-1981 被覆炭素鋼アーク溶接電極の仕様
A5.20-1979 フラックス入りアーク溶接用炭素鋼電極の仕様
A5.17-1980 サブマージアーク溶接用炭素鋼電極およびフラックスの仕様
A5.36/A5.36M-2012 フラックス入りアーク溶接用炭素鋼および低合金鋼フラックス入り電極および溶極アーク溶接用金属フラックス入り電極の仕様（第 1 版）

IN-BIS, カーボンシート電極

IS 6648-1972 乾電池・電池用カーボン電極仕様
IS 2879-1975 金属アーク溶接電極芯線用軟鋼の規格

SE-SIS, カーボンシート電極

SIS SS 06 11 01-1990 溶接電極。炭素鋼、炭素マンガン合金鋼、微量合金鋼、低合金鋼のガスメタルアーク溶接およびメタルアーク溶接用の溶接電極および管状電極。溶融金属試験片の溶接金属試験
SIS SS 06 13 01-1990 消耗品。炭素鋼、炭素マンガン鋼、微量合金鋼、低合金鋼のサブマージアーク溶接用の溶接電極およびフラックス。溶融金属試験片の溶接金属試験
SIS SS 06 11 02-1990 溶接電極。炭素鋼、炭素マンガン合金鋼、微量合金鋼、低合金鋼のガスメタルアーク溶接およびメタルアーク溶接用の溶接電極および管状電極。溶接および金属突合せ溶接試験棒
SIS SS 06 01 41-1990 溶接電極炭素鋼。炭素マンガン合金鋼および微小合金鋼のガスメタルアーク溶接および金属アーク溶接用管状電極。検査と輸送の技術的要件
SIS SS 06 10 03-1979 溶接。炭素鋼および炭素マンガン鋼の手動金属アーク溶接用の貫通電極。溶接部および試験片の突合せ溶接部の検査
SIS SS 06 01 11-1984 溶接電極。炭素鋼、炭素マンガン合金鋼、および降伏強度を高めた細粒鋼のガスメタルアーク溶接用のソリッドステート溶接電極です。技術要件、検査、納品
SIS MNC 980-1984 溶接。降伏強度を向上させた炭素鋼、炭素マンガン合金鋼、微量合金鋼用のガスシールドメタルアーク溶接電極です。概要
SIS SS 06 11 02-1984 溶接電極炭素鋼。炭素マンガン合金鋼。降伏強度を高めた微量合金鋼および低合金鋼のガスメタルアーク溶接用の溶接電極。突合せ溶接試験用溶接棒および溶接金属
SIS SS CECC 31700-1986 標準以下。薄い金属箔とポリカーボネートフィルム誘電体電極を備えた DC 固定コンデンサー
SIS SS 06 01 31-1990 消耗品。炭素鋼、炭素マンガン合金鋼、マイクロ合金鋼のサブマージアーク溶接用溶接電極およびフラックス。技術要件、検査、納品
SIS SS CECC 31701-1986 詳細な仕様については空白です。薄い金属箔とポリカーボネートフィルム誘電体電極を備えた DC 固定コンデンサー

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, カーボンシート電極

DB13/T 1513-2012 バッテリーポールピース圧延装置

Professional Standard - Non-ferrous Metal, カーボンシート電極

YS/T 286-1999 通常のアルミニウム電解用陰極カーボンブロック
YS/T 411-1998 アルミニウム電解用のプリベークアノードおよびアノードペーストの二酸化炭素反応性の測定方法

German Institute for Standardization, カーボンシート電極

DIN 43186:1964 路面電車パンタグラフ用カーボン電極
DIN 43240:1974 伸縮式集電体カーボン電極組立寸法
DIN 51919:1999 炭素質材料の試験電流電圧法による電極の抵抗率の測定固体材料
DIN 51919:2013-05 炭素質材料の試験電流電圧法による電極の抵抗率の測定固体材料
DIN 51932:2010-06 炭素材料の試験円筒加工用電極の充填密度の決定
DIN 51932:2010 炭素材料の試験 - 円筒状に加工された電極体の密度の測定
DIN EN 131700:1998 部品仕様金属箔とポリカーボネートフィルム誘電体電極を備えた直流用固定コンデンサ
DIN EN 131700:1998-10 サブ仕様: 薄い金属箔電極とポリカーボネートフィルム誘電体を備えた DC 固定コンデンサ
DIN EN 131701:1998 詳細仕様は空白、金属箔電極とポリカーボネートフィルム誘電体を備えた固定 DC コンデンサ

Group Standards of the People's Republic of China, カーボンシート電極

T/SSEA 0202-2022 リチウム電池ポールピース圧延機ロール
T/CSCM 03-2021 風力タービンブレード用引抜成形カーボンビーム
T/NAIA 0172-2022 リチウムイオン電池シリコンカーボン負極材
T/CEMIA 028-2022 チップ抵抗器用表面電極ペースト仕様
T/CEMIA 027-2022 チップ抵抗器用裏面電極ペースト仕様
T/ZZB 1912-2020 積層チップセラミックコンデンサ電極ニッケル粉
T/HBZXL 011-2023 バッテリーポールピースローラープレスの技術的条件
T/CAS 455-2020 リチウムイオン電池自動電極スクレーパー塗布機
T/QGCML 030-2020 ダイオードディフューザーの一般的な電気規格
T/SSEA 0201-2022 リチウム電池ポールピース圧延機用ロールブランク
T/CASME 901-2023 リチウム電池ポールピース打ち抜き金型の技術要件
T/COEMA 004LCD-2022 テレビ用有機発光ダイオード (OLED) 偏光板
T/CIET 264-2023 リチウムイオン電池正極材料企業向けの炭素管理ガイド
T/FSYY 0035-2021 炭素排出削減プロセスの技術仕様リチウムイオン電池正極材料
T/DZJN 114-2022 使用済みリチウムイオン電池電極材料のリサイクルに関する技術仕様
T/WHAS 050-2023 バイポーラ電気凝固鉗子の刃の成形・製造工程の仕様
T/CIET 211-2023 アルミニウム電解用プリベークアノード製品のカーボンフットプリント計算に関する技術仕様
T/SQIA 058-2023 リチウム電池の正極および負極機能材料のカーボンフットプリント評価技術要件
T/SQIA 057-2023 結晶シリコン太陽電池の二酸化炭素排出量評価の技術要件
T/DZJN 119-2022 廃リチウムイオン電池用炭素負極材のリサイクルに関する技術仕様書
T/IAWBS 011-2019 導電性炭化ケイ素枚葉比抵抗測定法非接触渦電流法
T/FSYY 0027-2021 リチウムイオン電池正極材料の製品二酸化炭素排出量の計算および報告要件
T/FSYY 0036-2021 炭素排出削減プロセスの技術仕様リチウムイオン電池正極材料前駆体
T/IAWBS 013-2019 半絶縁性炭化珪素枚葉ウェーハの非接触抵抗率測定方法
T/JCMS 0001-2019 風車翼桁用炭素繊維強化樹脂系引抜成形板
T/SCS 000011-2021 高温加水分解イオン選択電極法による炭化ホウ素アルミナペレット中のフッ素の定量
T/FSYY 0028-2021 リチウムイオン電池正極材料前駆体の製品二酸化炭素排出量の計算および報告要件
T/FSYY 0037-2021 リチウムイオン電池正極材料メーカーに対する炭素排出量の計算方法と報告要件

American National Standards Institute （ANSI), カーボンシート電極

ANSI/AWS A5.20:2005 フラックスコアアーク溶接用炭素鋼電極の仕様
ANSI/AWS A5.26/A5.26M:1997 ガス電気溶接用炭素鋼および低合金鋼電極の仕様
ANSI/AWS A5.17/A5.17M:1997 サブマージアーク溶接用炭素鋼電極およびフラックスの仕様
ANSI/ASTM D1830:1999 アーク電極法による電気絶縁性可撓性シート材の耐熱性試験方法(10.01)
ANSI/ASTM D7148:2013 電解槽測定システムで炭素電極を使用したアルカリ電池セパレーターのイオン抵抗率を測定するための試験方法

工业和信息化部, カーボンシート電極

JB/T 14230-2022 リチウムイオン電池ポールピース塗装機

International Organization for Standardization (ISO), カーボンシート電極

ISO 11713:2000 アルミニウム製造用の炭素材料、カソードカーボンブロックおよび焼成アノードの室温抵抗率の測定
ISO 6257:1980 アルミニウム製造用炭素質材料、電極用ピッチ、サンプリング
ISO 6375:1980 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極のコークスサンプリング
ISO 6257:2002 アルミ製造用炭素材料電極用ピッチサンプリング
ISO/DIS 12977 アルミニウム製造用炭素材料、電極用ピッチ、揮発性損失
ISO 8006:1985 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用ピッチの灰分含有量の測定
ISO 10143:2014 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用のか焼コークス粒子の抵抗率の測定
ISO 10143:1995 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用のか焼コークス粒子の抵抗率の測定
ISO 6998:1984 アルミニウム製造用の炭素質材料電極のピッチコークス化価の測定
ISO 12977:1999 アルミニウム製造用炭素材料電極に使用されるピッチの揮発分測定
ISO 6998:1997 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用ピッチのコーキング値の測定
ISO 8003:1985 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用ピッチの動粘度の測定
ISO 10143:2019 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料 - 電極か焼コークス - 粒子の抵抗率の測定
ISO/CD 11713:2023 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のカソードブロックおよび焼成アノードの周囲温度での抵抗率の測定
ISO 10238:1999 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極のピッチ機器法による硫黄含有量の測定
ISO 9055:1988 アルミニウム製造用炭素材料の電極用アスファルトの酸素ボンベ法による硫黄含有量の測定
ISO 6999:1983 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極のピッチ密度の決定比重瓶法
ISO 5940:1981 アルミニウム製造用炭素材料電極に使用されるピッチの環球法による軟化点の求め方
ISO 6376:1980 アルミニウム製造用炭素材料電極に使用されるピッチのトルエン不溶分の測定
ISO 6791:1981 アルミニウム製造用炭素材料電極のピッチキノリンの不溶分の測定
ISO 12980:2000 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用の生コークスおよび焼成コークスの蛍光X線分析
ISO 6998:1997/cor 1:1999 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用ピッチのコークス化価の決定に関する技術修正案 1
ISO 12979:1999 アルミニウム製造用炭素材料電極のピッチキノリン不溶分のC/H比の測定
ISO 10236:1995 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極の未焼成および焼成チャーパイン (タイトパック) 密度の測定

RO-ASRO, カーボンシート電極

STAS 4768-1980 電気化学プロセスにおけるアノードグラファイトカーボン
STAS 4829-1980 グラファイトカーボン被覆電極と電気炉パイプジョイント（ネジ式ソケット）
STAS 11102-1978 連続電極の炭素品質の測定。可塑性アッセイ
STAS 13108-1992 ノンコート低炭素鋼板の抵抗プロジェクション溶接。製造要件と検査条件
STAS 11062-1978 連続電極内の炭素の質量。生塊中の揮発性物質の測定

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, カーボンシート電極

EIA_ECA-956-2006 高分子陰極アルミ電解チップコンデンサ
EIA/ECA-956-2006 高分子陰極アルミ電解チップコンデンサ
EIA_ECA-953-2006 ポリマーカソードを備えたモールドタンタルチップコンデンサ
EIA/ECA-953-2006 ポリマーカソードを備えたモールドタンタルチップコンデンサ
EIA/ECA-955-2007 ポリマーカソード面実装アルミ電解チップコンデンサ（認定仕様）
ECA EIA/ECA-955-2007 ポリマーカソードを備えた表面実装アルミニウム電子チップコンデンサ (認定仕様)
ECA SP 4984-2005 ポリマーカソードを備えた表面実装アルミニウム電解コンデンサチップがANSI/EIA/ECA-955として発行

British Standards Institution (BSI), カーボンシート電極

BS IEC TR 62157:2001 円筒状に加工されたカーボン電極です。
BS 6043-3.3:2000 アルミニウム産業で使用される炭素質材料のサンプリングおよび試験方法電極寸法法によるカソードカーボンブロックおよびプリベークされたアノードのかさ密度 (見掛け密度) の測定
BS 6043-3.1.2:1999 アルミニウム製造に使用される炭素質材料のサンプリングおよび試験方法電極のサンプリング陽極のサンプリング
BS 6043-3.1.1:1999 アルミニウム製造に使用される炭素質材料のサンプリングおよび試験方法電極のサンプリング陰極のサンプリング
BS 6043-3.2:1997 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のサンプリングおよび試験方法電極カソードブロックおよびプリベークされたアノードの密度の測定
BS 6043-3.6:2000 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のサンプリングおよびテスト方法電極周囲温度でのカソードブロックおよびプリベークされたアノードの抵抗率の決定
BS ISO 10143:2014 アルミニウム製造用の炭素質材料電極用の焼成炭粒子粒子抵抗率の測定
BS ISO 10143:2019 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料の電極用の焼成炭粒子の抵抗率の測定
BS 6043-3.4:2000 アルミニウム産業で使用される炭素質材料のサンプリングおよびテスト方法電極静水圧法によるカソードカーボンブロックおよびプリベークされたアノードの開気孔率および嵩密度 (見掛け密度) の測定。
BS ISO 5940-1:2019 炭素質材料の軟化点の測定アルミニウムの製造における電極ピッチリングおよびボール法

Defense Logistics Agency, カーボンシート電極

DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、4 ビットバイポーラマイクロプロセッサチップ、モノリシックシリコン
DLA MIL-E-19122 A VALID NOTICE 3-2006 高密度サーチライトサービス用の照射カーボン電極
DLA MIL-E-19122 A NOTICE 2-1999 高密度サーチライトサービス用の照射カーボン電極
DLA MIL-E-19122 A NOTICE 1-1988 高密度サーチライトサービス用の照射カーボン電極
DLA MIL-E-19122 A-1973 高密度サーチライトサービス用の照射カーボン電極
DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 シリコンモノリシックバイポーラ高性能10ビットバッファ付きバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA DSCC-DWG-04052-2006 マルチアノードポリマータンタルチップ固定コンデンサ
DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、デコーダモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、カウンターモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、BCDカウンターモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95567 REV A-2002 閉ループ超高速バッファシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 マイクロ回路、リニア、電圧基準ダイオード、1.2 V、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/161 A-2005 モノリシックシリコンバイポーラTTL通常のORゲートデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 シリコンモノリシック先入れ先出し極性デジタルマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、Nandバッファモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラプログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、D レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、バッファレジスタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、NANDバッファモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ ALS TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 シリコンモノリシック高速電圧コンパレータ、バイポーラリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 シリコンモノリシックバッファカウンター双極デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88515-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジック極性デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 シリコンモノリシック、バイポーラトラッキングレギュレータ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 シリコンモノリシック双方向トランシーバー二重偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88666-1988 シリコンモノリシック割り込みハンドラーバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88763-1990 シリコンモノリシックバイポーラトラッキングレギュレータリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-89549-1989 シリコンモノリシックシェーディングトンネルバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 256 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 64 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ TTL、シフトレジスタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/150 D VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、振幅コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、オクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/22 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速 TTL、フリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/80 F VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL およびゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、メモリ、64 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 マイクロ回路、リニア、バイポーラトラッキングレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 マイクロ回路、リニア、バイポーラトラッキングレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 マイクロ回路、リニア、バイポーラトラッキングレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定分極電解質酸化アルミニウムとSNAP実装チップコンデンサ
DLA SMD-5962-97548 REV A-2006 同期 4 ビットカウンタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 非常に高速なシリコンモノリシック回路電流フィードバック（フィードバック）増幅リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 非常に調整可能な電流フィードバックアンプシリコンモノリシックリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 シリコンモノリシックバイポーラクロックジェネレータ/マイクロサイクル長制御バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路アノード用の5V調整可能な高精度電圧リファレンス
DLA SMD-5962-95527-1994 7チャンネル共通ソースパワーアレイシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 シリコンモノリシックアノード 10 ボルト調整可能な高精度電圧基準リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 倍 2 入力専用シリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-81035 REV E-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジックバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-78017 REV G-2006 シリコンモノリシックマイクロプログラムコントローラー、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87769 REV A-2001 シリコンモノリシックデュアルラインドライバー双極デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87772-1988 シリコンモノリシック加算器トランシーバー双極デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、15 ボルト、ポジティブ、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、15 ボルト、マイナス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、マイナス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、マイナス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、プラス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、プラス、20 V 固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラムロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、クワッドバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、低電力、カウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、低電力、フリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、クワッドバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 マイクロ回路、リニア、バイポーラ、AGC 付き RF/IF アンプ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-DWG-13008-2013 コンデンサ、固定、マルチアノードタンタル、チップ、コンフォーマルコーティングケース
DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 トリプル 3 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88507 REV A-2001 シリコンモノリシックフィールドプログラマブル偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDSドライバリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラ16進数NTDSレシーバーリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 マイクロ回路、リニア、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、512 X 4 ビット PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、先入れ先出し (FIFO)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル 256 X 4 ビット、バイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、1024 x 8 ビットバイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、2048 x 8 ビットバイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、先入れ先出し (FIFO)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高性能 10 ビットバッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、トライステートプライオリティエンコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、8 ビット等価コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/75 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL、専用 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、オクタルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、セミカスタム (ゲートアレイ) デバイス、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能な正、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能、ポジティブ、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能、ポジティブ、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/210 F-2013 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビットショットキーダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 バイポーラトランジスタクワッド 2 入力ポジティブシリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 低消費電力 4 ビット数量コンパレータシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 単安定マルチバイブレータトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8入力正ANDゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、32,768 ビットショットキーダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 シリコンモノリシックプログラマブルロジックバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-90513-1990 シリコンモノリシック、パリティおよび偶数ビットバストランシーバー、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 シリコンモノリシック、クワッドショットキーダイオードアレイ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90573-1991 シリコンモノリシック、ECLプログラマブルロジック設定、バイポーラメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 シリコンモノリシックダイナミックメモリコントローラデュアル偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 シリコンモノリシック、デュアルチャネルバストランシーバー、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速先読みキャリージェネレーター、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、単安定マルチバイブレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/81 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキーTTL、ラインドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/82 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL、振幅コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL および/または反転ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/310 D VALID NOTICE 2-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力 Shotley TTL およびモノリシックシリコンゲート
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88550 REV D-2008 モノリシックシリコン D タイプフリップフロップ、エッジトリガーバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 非常に高速なシリコンモノリシック出力クランプ回路電流フィードバック（フィードバック）増幅リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 低電力ショーケントトランジスタ、ポジティブ NAND ゲート、シングルシリコンダイを備えた高度なバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路正固定2.5V低ドロップアウト電圧レギュレータ
DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路3.3V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路5V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
DLA SMD-5962-88550 REV C-2001 シリコンモノリシック D タイプフリップフロップエッジトリガー偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDS高速ドライバリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、2K x 8 ビット、レジスタード PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87794 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、NOR ドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、専用 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、デュアル単安定マルチバイブレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、シュミットトリガー NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ 256 ビットランダムアクセスメモリ (RAM) モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86726 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、12 入力パリティチェック/ジェネレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、バッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、カウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、専用 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 倍 2 入力正 AND ゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 トリプル 3 入力正 AND ゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力、8 ビットバストランシーバー、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力8ビットバッファ/ドライバ、修正ショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 シリコンモノリシックラッチショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 シリコンモノリシックカウンターショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 モノリシックシリコン放射線硬化リニアマイクロ回路2.5Vシャントダイオードレギュレータ
DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 シリコンモノリシックフィールドプログラマブルロジックアレイ (FPLA) バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 シリコンモノリシック、XORゲート、低電力ショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、16ワード、4ビット、2ポート、RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、ECL、プログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88731 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、ヘックスドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95580 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、データセレクター/マルチプレクサー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、オクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、AND またはインバータゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86836 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/375 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88752 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、ヘックスインバーター、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、PI-BUS トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 マイクロ回路、デジタルリニア、耐放射線性、8 チャンネルソースドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、オクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラの高度なショットキー TTL および/または反転ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 マイクロ回路、デジタルリニア、耐放射線性、8 チャンネルソースドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャントダイオードレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャントダイオードレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャントダイオードレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 バイポーラ低電圧クワッド 2 入力ポジティブ AND ゲートバッファシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力および 8 ビットバストランシーバ、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコンカスケードラッチ、低電力ショットキー TTL、バイポーラデジタルマイクロ電子回路
DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、オープンコレクタ出力を備えたオクタルバッファおよびラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 シリコンモノリシックバイポーラ電界効果トランジスタ計算用ラウドスピーカー、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-01507-2001 モノリシックシリコンバイポーラデジタルマイクロ回路高速予測キャリージェネレーター
DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 シリコンモノリシックショットキーTTLファシリテーターレシーバー/レギュレーターバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 シリコンモノリシック D タイプレギュレータショットキー TTL が二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 シリコンモノリシック同期4ビットアップ/ダウンカウンターデュアル偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 シリコンモノリシック PI バストランシーバショットキー TTL がバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 シリコンモノリシックバスインターフェースフリップフロップショットキーがバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-91761 REV A-2008 マイクロ回路、デジタルエミッタ結合ロジック 200MHz 10/11 モノリシックデュアルモード分周器
DLA SMD-5962-88507 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、フィールドプログラマブルシーケンサ (FPLS)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 マイクロ回路、デジタル、1024 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリ (P-ROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、並列負荷 8 ビットシフトレジスタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/338 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、算術論理演算ユニット、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、D タイプレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86838 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、NOR ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な、ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、バイナリカウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、ディケイドカウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-76037 REV G-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88709 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、2 入力 NOR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86840 REV F-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、カウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88774 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、デュアル AND またはインバータゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89438 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、10 個の非反転レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89558 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トランシーバー/レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86844 REV E-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、NOR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86865 REV E-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86866 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ同期 4 ビットバイナリアップダウンカウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な、ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、バイナリカウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、ディケイドカウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06250-2006 シリコンモノリシックマルチチャネルゲートレスハイブリッドマイクロ回路、ショットキーバイポーラTTLデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87767 REV A-2001 オープンコレクタ出力を備えたシリコンモノリシックオクタルバッファおよびラインドライバ TTLショットキーによりデジタルマイクロ回路の分極化が促進
DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 シリコンモノリシック先読み加算器ショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 シリコンモノリシック64ビットバイポーラランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 シリコンモノリシックカウンタ、TTLショットキー高度な低消費電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 シリコンモノリシックトランシーバー、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 シリコンモノリシック自己記録デバイス、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88710-1988 シリコンモノリシック 8 ビット ID コンパレータショットキー TTL がバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 シリコンモノリシックヘックスインバーターショットキーTTLがバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 シリコンモノリシックデュアルまたは反転チャネルショットキーTTLにより、二重偏波デジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 モノリシックシリコン 6 反転ドライバー修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、プリセットと透明なモノリシックシリコンを備えたデュアル JK フリップフロップ
DLA SMD-5962-95581 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、4 ラインから 16 ラインのデコーダ/デマルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/320 D (1)-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、カウンタ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 マイクロ回路、デジタル、トリプルバッファ/ドライバ、オープンドレイン出力付き、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、クワッド、2 入力 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88522 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、2 入力およびドライバーのモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87543 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、9 入力パリティチェッカー/ジェネレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能なモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/331 A VALID NOTICE 4-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、オクタルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/320 D VALID NOTICE 1-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低電力ショットキー TTL カウンタ、カスケード可能なモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、カスケードラッチ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力、ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、クワッド、2 入力 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能なモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 単一シリコン上にトライステート出力を備えた高度なバイポーラ CMOS 電子マイクロ回路 16 ビットバストランシーバー、
DLA SMD-5962-88711 REV A-2007 シリコンモノリシックオープン電極出力 8 ビット ID コンパレータショットキー TTL がデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 バイポーラ低電力トランジスタ六角形シュミットトリガーシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 マイクロ回路電子シリコンデジタルバイポーラトランジスタ - トランジスタロジック (TTL) 同期 4 ビットアップ/ダウンカウンタ

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, カーボンシート電極

GB/T 33970-2017 抵抗溶接電極用Al2O3分散強化銅板

American Society for Testing and Materials (ASTM), カーボンシート電極

ASTM D6120-97 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗の標準試験方法
ASTM D6120-97(2007) 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗の標準試験方法
ASTM D6120-97(2012) 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗の標準試験方法
ASTM D6120-97(2002) 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗率の標準試験方法
ASTM D6120-97(2017)e1 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗率の標準試験方法
ASTM D6745-06(2011) 電極カーボンの線熱膨張の標準試験方法
ASTM D6745-01 電極カーボンの線熱膨張の標準試験方法
ASTM D6745-11 電極カーボンの線熱膨張の標準試験方法
ASTM D6745-11(2015) 電極カーボンの線熱膨張の標準試験方法
ASTM D6745-06 電極カーボンの線熱膨張の標準試験方法
ASTM D1830-17 湾曲電極法による電気絶縁用フレキシブルシートの耐熱性の標準試験方法
ASTM D7148-19 電解液槽測定システムで炭素電極を使用したアルカリ電池セパレーターのイオン抵抗率を測定するための標準試験方法
ASTM D7148-19a 電解液槽測定システムで炭素電極を使用したアルカリ電池セパレーターのイオン抵抗率を測定するための標準試験方法
ASTM D1830-99 アーク電極法による電気絶縁性フレキシブルシート材の熱安定性の標準試験方法
ASTM D1830-99(2005) アーク電極法による電気絶縁性フレキシブルシート材の熱安定性の標準試験方法

BE-NBN, カーボンシート電極

NBN T 03-479-1984 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極コークス。サンプリング
NBN T 03-478-1984 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極ピッチ。サンプリング
NBN T 03-488-1988 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極のピッチ、灰分含有量の決定
NBN T 03-483-1988 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極ピッチ。 char値の決定
NBN T 03-485-1988 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極用アスファルト。動粘度の測定
NBN T 03-484-1985 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極のピッチ、密度の求め方（比重法）
NBN T 03-476-1984 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極ピッチ、含水量の測定。共沸蒸留
NBN T 03-477-1984 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極ピッチ、リングを使用。ボール法による軟化点の測定
NBN T 03-481-1984 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極ピッチ。キノリン不溶性物質の含有量の測定
NBN T 03-480-1984 アルミニウムの製造に使用される炭素材料。電極ピッチ。トルエンに不溶な物質の含有量の測定

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), カーボンシート電極

KS M ISO 6375:2003 アルミニウム製錬用炭素原料、電極用コークス、サンプリング
KS M ISO 6375:2013 アルミニウム製錬に使用される炭素材料電極用コークスのサンプリング
KS M ISO 6257:2003 アルミニウム製造用炭素質材料、電極用ピッチ、サンプリング
KS M ISO 6375-2003(2008) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極のコークスサンプリング
KS M ISO 6257:2013 アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極のピッチのサンプリング
KS M ISO 6257-2003(2008) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極のピッチのサンプリング
KS M ISO 11713:2004 アルミニウム製造用の炭素質材料カソードブロックとアノードブロック室温での電気抵抗の測定
KS M ISO 11713:2013 アルミニウム製造に使用される炭素質材料のカソードブロックとアノードブロックの室温耐性の測定
KS B 0895-2001 軟鋼溶接用の被覆電極の入手可能性
KS M ISO 11713-2004(2009) アルミニウム製造に使用される炭素質材料の陰極ブロックと焼成陽極の室温抵抗率の測定
KS M ISO 12979-2004(2019) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極のピッチキノリンの不溶性画分の炭素対水素比の測定
KS M ISO 6998:2003 アルミ精錬用炭素材料電極ピッチコークス価の決定
KS M ISO 6998:2013 アルミニウム製錬に使用される炭素材料電極用ピッチのコークス化価の測定
KS M ISO 8006:2013 アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用ピッチの灰分の測定
KS M ISO 8006-2003(2008) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用ピッチの灰分の測定
KS M ISO 8006:2003 アルミニウム製造用炭素質材料電極用ピッチ灰分測定
KS M ISO 6998-2003(2008) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用ピッチのコーキング価の測定
KS M ISO 10143-2004(2019) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用のか焼コークス粒子の抵抗率の測定
KS M ISO 8003:2003 アルミニウム製造用の炭素質材料電極のピッチ動粘度の測定
KS M ISO 9055:2004 アルミニウム製錬用炭素材料電極ピッチ酸素ボンベ法による硫黄分の定量
KS M ISO 9055-2004(2009) アルミニウム製造用炭素質材料電極中のピッチボンブ法による硫黄含有量の測定
KS M ISO 9055:2013 酸素ボンベ法によるアルミニウム製錬用炭素材料電極ピッチ中の硫黄含有量の測定
KS M ISO 8003:2013 アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用ピッチの動粘度の測定
KS M ISO 8003-2003(2008) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用ピッチの動粘度の測定
KS M ISO 10143:2004 アルミニウム製造用の炭素質材料電極用のか焼コークス微粒子抵抗率の測定
KS M ISO 12977:2004 アルミニウム製造用の炭素質材料電極用ピッチ揮発性物質の測定
KS M ISO 6999:2003 アルミ精錬用炭素材料電極ピッチ密度測定比重法
KS M ISO 10238-2004(2009) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極のピッチ機器法による硫黄含有量の測定
KS M ISO 12977-2004(2019) アルミニウム製造用炭素質材料電極に使用されるピッチの揮発分測定
KS M ISO 6376:2003 アルミニウム製錬用炭素材料電極用ピッチトルエン不溶分の測定
KS M ISO 6791:2007 アルミニウム製錬用炭素材料電極用ピッチキノリン不溶分含有量の測定
KS M ISO 5940:2003 アルミ精錬用炭素材料電極ピッチ環球法による軟化点測定
KS M ISO 6791:2017 アルミニウム製錬用炭素材料電極に使用されるピッチキノリンの不溶分の測定
KS M ISO 5939:2013 アルミニウム製造用炭素材料電極用ピッチ水分測定共沸蒸留
KS M ISO 5939-2003(2008) アルミニウム製造用炭素質材料電極用ピッチの含水率測定 - 共沸蒸留法
KS M ISO 10238:2004 アルミニウム製造用の炭素質材料電極用のハードピッチ硫黄含有量を測定するための機器的方法
KS M ISO 10238:2013 アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極のハードピッチ計測法を使用した硫黄含有量の測定
KS C 6054-2001 電子機器用固定炭素皮膜チップ円筒抵抗器（タイプ27、特性D、G、C種）
KS M ISO 12980-2004(2009) 生コークスおよびか焼コークスの蛍光X線法によるアルミニウム製造用炭材電極の分析
KS M ISO 6999-2003(2018) ピクノメトリック法による密度測定用のアルミニウム製間隔電極製造用の炭素質材料
KS M ISO 12979:2004 アルミニウム製造用炭素質材料電極用ピッチキノリン不溶分のC/H比の測定
KS D 7140-2015 軟鋼および低合金鋼のタングステン不活性ガスアーク溶接用溶接棒および溶接ワイヤ

Association Francaise de Normalisation, カーボンシート電極

NF T20-165:1986 アルミニウム製造用炭素質材料、電極用ピッチ、サンプリング
NF T20-180*NF ISO 6375:1986 アルミニウム製造用炭素質原料、電極用コークス、サンプリング
NF ISO 6375:1986 アルミニウム製造に使用される炭素製品電極コークスエシャンティヨナージュ
NF T20-173*NF ISO 8006:1986 アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極のピッチ灰分含有量の測定
NF A81-304:1994 手動金属アーク電極用のコーティングされた電極棒化学分析用の溶接金属パッドの堆積
NF T20-171*NF ISO 6998:1986 アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用ピッチのコーキング価の測定
NF T20-172*NF ISO 8003:1986 アルミニウム製造用炭素質材料電極用ピッチ動粘度測定
NF T20-170*NF ISO 6999:1986 アルミニウム製造用炭素質材料電極用ピッチ密度測定比重瓶法
NF ISO 8003:1986 電極ピッチ、アルミニウムの製造に使用される炭素質製品の動粘度の測定
NF ISO 6998:1986 アルミニウム製造に使用される炭素質製品電極ピッチコークス残留物の測定
NF ISO 8006:1986 アルミニウム製造に使用される炭素質製品の電極ピッチの灰分含有量の測定
NF T20-167*NF ISO 5940:1986 アルミニウム製造用炭素材料電極に使用されるピッチの環球法による軟化点の求め方
NF ISO 5940:1986 ピッチボールリング法によるアルミニウム製造に使用される炭素質製品の軟化点の測定
NF ISO 6999:1986 アルミニウムの製造に使用される炭素質製品の電極ピッチ密度の決定ピクノメーター法
NF T20-168*NF ISO 6376:1986 アルミニウム製造用炭素質材料電極に使用されるピッチ中のトルエン不溶分の含有量の測定
NF T20-169*NF ISO 6791:1986 アルミニウム製造用炭素質材料電極用ピッチキノリン不溶分の定量
NF ISO 5939:1986 アルミニウム製造用炭素質製品電極ピッチ水の投与量共沸同伴法 (Dean and Stark)

RU-GOST R, カーボンシート電極

GOST R ISO 6375-2015 アルミニウム製造用炭素質原料、電極用コークス、サンプリング
GOST R ISO 6257-2015 アルミニウム製造用炭素質材料、電極用ピッチ、サンプリング
GOST R ISO 11713-2014 アルミニウム製造用の炭素質材料カソードブロックと焼成アノード周囲温度での電気抵抗率の測定
GOST R ISO 10143-2016 アルミニウム製造用の炭素質材料電極用のか焼コークス粒子抵抗率の測定
GOST R ISO 6998-2017 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料の電極間のコーキング値の測定
GOST R ISO 10238-2015 アルミニウム製造用炭素質材料電極用ピッチ機器法による硫黄含有量の測定

American Welding Society (AWS), カーボンシート電極

AWS A5.26/A5.26M-1997 電気溶接用炭素鋼および低合金鋼電極の仕様
AWS A5.18/A5.18M-2005 ガスシールドアーク溶接に使用される炭素鋼電極および棒の仕様
AWS A5.25/A5.25M-1997 エレクトロスラグ溶接用炭素鋼および低合金鋼の電極およびフラックスの仕様
AWS A5.1/A5.1M-2004 炭素鋼電極ガードの仕様金属アーク溶接統合改訂: 2004 年 9 月
AWS A5.36/A5.36M-2012 フラックス入りアーク溶接用炭素鋼および低合金鋼フラックス入り電極および溶極アーク溶接用金属フラックス入り電極の仕様（第 1 版）

International Electrotechnical Commission (IEC), カーボンシート電極

IEC TR 62157:2001 機械加工された丸型カーボン電極の呼び寸法

GM North America, カーボンシート電極

GM GM6028M-2002 ガスシールドアーク溶接用炭素鋼電極の AWS 5.18 の代替仕様
GM GM6044M-2002 ガスシールドアーク溶接用炭素鋼電極の仕様は GM6028M に示されており、AWS 5.18 に置き換えられます。

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, カーボンシート電極

DB52/T 928-2014 CA45S型下部電極チップ固体電解質タンタル固定コンデンサ

TH-TISI, カーボンシート電極

TIS 49-1985(en) タイ業界標準の軟鋼アーク溶接用 FDR 被覆電極

Professional Standard - Commodity Inspection, カーボンシート電極

SN/T 3593-2013 高級黒鉛電極チップおよび浸炭剤の揮発成分の測定

Canadian Standards Association (CSA), カーボンシート電極

CSA ISO 14341-06-CAN/CSA:2006 ワイヤ電極および炭素鋼、炭素マンガン鋼および微合金鋼のガスメタルアーク溶接用電極の分類、第 1 版、ISO 14341:2002

United States Navy, カーボンシート電極

NAVY MIL-E-17777 D (1)-1987 被覆なしおよび銅被覆カーボングラファイト電極の切断および溶接方法
NAVY MIL-E-17777 D-1984 被覆なしおよび銅被覆カーボングラファイト電極の切断および溶接方法

KR-KS, カーボンシート電極

KS M ISO 6999-2003(2023) アルミニウム製造用炭素材料-電極間隔-密度測定-ピクノメータ法
KS M ISO 6376-2003(2023) アルミ製造用炭素材料～電極用ピッチ～トルエン不溶分の定量

CL-INN, カーボンシート電極

INDITECNOR 34-71ch-1960 炭素鋼アーク鋼および低合金鋼で使用する被覆電極: 記号
INDITECNOR 34-72ch-1960 炭素鋼アーク鋼および低合金鋼で使用する被覆電極: 規制

National Association of Corrosion Engineers (NACE), カーボンシート電極

NACE RP0388-2001 炭素鋼貯水タンクの水没表面の電流陰極防食の印象カタログ No. 21040
NACE SP0388-2007 炭素鋼貯水タンクの水没表面の電流陰極防食の印象カタログ No. 21040
NACE SP0388-2001 炭素鋼タンクの内部水没表面の電流陰極防食の印象プロジェクト番号 21040

Danish Standards Foundation, カーボンシート電極

DS/EN 131700:1998 サブ仕様: 薄い金属箔電極とポリカーボネートフィルム誘電体を備えた DC 固定コンデンサ

Lithuanian Standards Office , カーボンシート電極

LST EN 131700-2001 サブ仕様: 薄い金属箔電極とポリカーボネートフィルム誘電体を備えた DC 固定コンデンサ

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, カーボンシート電極

EN 131700:1997 サブ仕様: 薄い金属箔電極とポリカーボネートフィルム誘電体を備えた DC 固定コンデンサ

U.S. Military Regulations and Norms, カーボンシート電極

ARMY MIL-W-46154 REINST NOTICE 2-1999 炭素鋼板の組立ての点投影、抵抗器、位置決め溶接
ARMY MIL-W-46154 (1)-1994 炭素鋼板の組立ての点投影、抵抗器、位置決め溶接
ARMY MIL-W-46154-1970 炭素鋼板の組立ての点投影、抵抗器、位置決め溶接

Professional Standard - Electricity, カーボンシート電極

DL/T 2310-2021 電力システムにおける高電圧パワーデバイス用炭化珪素エピタキシャルウェーハの使用条件

ES-UNE, カーボンシート電極

UNE-EN 131700:1997 セクション仕様: 薄い金属箔とポリカーボネートフィルム誘電体電極を備えた DC 固定コンデンサ

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), カーボンシート電極

JIS Z 3312:1993 低炭素鋼および高張力鋼用金属高活性ガスシールドアークソリッドコア溶接ワイヤ
JIS Z 3312:1999 低炭素鋼および高張力鋼用金属高活性ガスシールドアークソリッド溶接ワイヤ
JIS Z 3316:2001 低炭素鋼および低合金鋼用の不活性ガスシールドタングステンアーク溶接棒およびワイヤ
JIS Z 3316:2011 低炭素鋼および低合金鋼用の不活性ガスシールドタングステンアーク溶接棒およびワイヤ

Society of Automotive Engineers (SAE), カーボンシート電極

SAE AMS6438F-2006 消耗電極真空溶鋼板・帯・板 1.05Cr - 0.55Ni - 1.0Mo - 0.12V (0.45 - 0.50C)

YU-JUS, カーボンシート電極

JUS N.R2.624-1980 焼結アノードと固体定常電解質を備えた、保護層のない極性タンタルコンデンサ。タンタルチップコンデンサ（タイプ3A2）6、3～35V d． c.気候の厳しさ: 55/125

US-FCR, カーボンシート電極

FCR NE-M-1-17T-1982 サブマージアーク溶接用の裸炭素鋼電極およびフラックス (ASME SFA-5.17 および追加要件) (新規設計には無効)
FCR NE-M-1-6T-1982 ガスメタルアーク溶接用軟鋼電極 (ASME SFA-5.18 および追加要件) (新規設計には無効)