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二重抗体保存

二重抗体保存は全部で 259 項標準に関連している。

二重抗体保存 国際標準分類において、これらの分類：航空宇宙エンジンおよび推進システム、集積回路、マイクロエレクトロニクス、データストレージデバイス、電気、磁気、電気および磁気測定、液体貯蔵装置、航空宇宙製造用の材料、保管装置、農林、犯罪予防、マイクロプロセッサシステム、産業車両、建物の保護、微生物学、連続処理装置、パイプ部品とパイプ、危険物保護。

United States Navy, 二重抗体保存

NAVY MIL-M-29439 NOTICE 1-1998 二層シェルフストレージモジュールアセンブリ
NAVY MIL-M-29439-1988 二層シェルフストレージモジュールアセンブリ
NAVY A-A-59815-2008 デュアルチャンバー、単一または複数成分の塗料の保管および投与ディスペンサー

Defense Logistics Agency, 二重抗体保存

DLA SMD-5962-87703 REV A-2006 シリコンモノリシック 256X9 ビットランダムアクセスメモリ、バイポーラデジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86023 REV C-2005 シリコンモノリシックバイポーラ256ビットランダムアクセスメモリ、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86051 REV C-2005 シリコンモノリシックバイポーラ64ビットランダムアクセスメモリ、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86052 REV C-2006 シリコンモノリシックバイポーラ256X8ビットランダムアクセスメモリ、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-91662 REV B-2006 シリコンモノリシック 4K × 16 ダブルゲートスタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86020 REV C-2005 ショットキーバイポーラランダムアクセスメモリ256X1ビット低電力メインメモリマイクロプロセッサ
DLA SMD-5962-91508 REV D-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、16K X 8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ (SRAM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86025 REV E-2005 シリコンモノリシックランダムアクセスメモリ、2ゲート16ワード4ビットバイポーラデジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-96845 REV D-2008 モノリシックシリコン CMOS4Kx8/9 耐放射線性デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ (SRAM)、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-82008 REV L-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、ショットキーバイポーラ 32K プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86811-1991 シリコンモノリシック拡張デュアルチャネルダイレクトメモリアクセス、マイクロ回路
DLA SMD-5962-10205 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-10205 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-10206-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2MEG
DLA SMD-5962-10207-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、4MEG
DLA SMD-5962-10205-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-87002 REV E-2006 シリコンモノリシック 2KX8 ダブルゲートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体、デジタルボディメモリマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ 256 ビットランダムアクセスメモリ (RAM) モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04227 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 32 ビット (16 M)、耐放射線性、デュアル電圧 SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-08241-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K X 8、3.3 ボルト、耐放射線性、NVRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88610 REV F-2007 シリコンモノリシック 2K × 16 デュアルポートスタティックアクセスメモリ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-91593-1993 シリコンモノリシック 16K X4 スタティックランダムアクセスメモリ、デュアル相補型金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-91594-1994 シリコンモノリシック8K X8スタティックランダムアクセスメモリ、デュアル相補型金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86875 REV D-2006 シリコンモノリシック 1KX8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 256 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 64 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、メモリ、64 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08240 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、ECC 付き 256K X 8、3.3V、耐放射線性、NVRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 シリコンモノリシック64ビットバイポーラランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86030 REV C-2005 シリコンモノリシックバイポーラダイレクトメモリアクセスアドレスジェネレータデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-91508 REV C-2007 シリコンモノリシック 16K × 8 ダブルゲートスタティックランダムアクセスメモリ、相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラムロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、512 X 4 ビット PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、先入れ先出し (FIFO)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル 256 X 4 ビット、バイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、1024 x 8 ビットバイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、2048 x 8 ビットバイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、先入れ先出し (FIFO)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90503 REV C-2004 シリコンモノリシック、8ビットメモリレジスタ、低消費電力ショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-10202 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-10203-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2MEG
DLA SMD-5962-11202-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2M
DLA SMD-5962-85155 REV G-2006 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ、バイポーラメインメモリ、マイクロ回路
DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、2K x 8 ビット、レジスタード PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、1K x 8 ビット、プログラマブル初期化機能付きレジスタード PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-12204-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、耐放射線性、64 MEG、ユーザー構成可能、3.3V、NOR フラッシュ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95708 REV E-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、耐放射線性、CMOS、2K X 8ビットPROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96873 REV B-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、耐放射線性、8K X 8ビットPROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00536 REV G-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 8ビット、耐放射線SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95626 REV F-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、耐放射線性、CMOS、8K×8ビットPROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86053 REV G-2006 シリコンモノリシックバイポーラプログラマブルロジック、メインメモリデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、16ワード、4ビット、2ポート、RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、ECL、プログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/206 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、4096 ビットショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)
DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 シリコンモノリシック、OE およびデュアル CE16K X 4 スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-88507 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、フィールドプログラマブルシーケンサ (FPLS)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 マイクロ回路、デジタル、1024 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリ (P-ROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96766 REV B-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、耐放射線性、CMOS、256 X 8 スタティック RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03235 REV B-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 8 ビット (4M)、放射線耐性のある SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 シリコンモノリシック、2K X 8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 シリコンモノリシック、4K × 9 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-87690-1987 シリコンモノリシック 512X8 ビットプログラマブル読み取り専用メモリ、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-85526 REV B-1996 シリコンモノリシック 2K X8 ビットデュアルプログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルマイクロ回路
DLA DSCC-VID-V62/11605-2010 マイクロ回路、デジタル、不揮発性メモリ、デュアル 1024 ビットデジタルポテンショメータ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/11605 REV A-2013 マイクロ回路、デジタル、不揮発性メモリ、デュアル 1024 ビットデジタルポテンショメータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95845 REV E-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、耐放射線性、CMOS/SOI、32K X 8 スタティック RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95845 REV F-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、耐放射線性、CMOS/SOI、32K X 8 スタティック RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95845 REV D-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、耐放射線性、CMOS/SOI、32K X 8 スタティック RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-99607 REV J-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 8ビット、耐放射線性、低電圧SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-01511 REV F-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 32 ビット、放射線耐性のある SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-05208 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 8ビット、耐放射線性、低電圧SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97517-1997 放射線耐性のあるデュアル相補型金属酸化物半導体、32K X 8-BIT プログラマブル読み取り専用メモリシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-97544-1997 耐放射線性デュアル相補型金属酸化膜半導体、8K X 8-BITプログラマブルランダムアクセスメモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 シリコンモノリシック 512 x 4 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/204 F-2009 マイクロ回路、デジタル、2048 ビット、ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、8192 ビットショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (Prom)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/250 VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、CMOS、512 x 9 ビット、先入れ先出しデュアルポートメモリ (FIFO)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビットショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM) モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 マイクロ回路、デジタル、1024 ビットショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (Prom)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/209 G-2013 マイクロ回路、デジタル、8192 ビット、ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-10232-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2M X 32 ビット (64Mb)、耐放射線性、SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-08202 REV C-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、2M x 8ビット、耐放射線性、低電圧SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-10232 REV A-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2M X 32 ビット (64Mb)、耐放射線性、SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-08202-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、2M x 8ビット、耐放射線性、低電圧SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08202 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、2M x 8ビット、耐放射線性、低電圧SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06203 REV A-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、512K x 8ビット、耐放射線性、低電圧SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08202 REV B-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、2M x 8ビット、耐放射線性、低電圧SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08203 REV C-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、512K X 32 ビット (16M)、耐放射線性、低電圧 SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08203 REV D-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、512K X 32 ビット (16M)、耐放射線性、低電圧 SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08215 REV B-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、512K X 8 ビット (4M)、耐放射線性、低電圧 SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08203-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、512K X 32 ビット (16M)、耐放射線性、低電圧 SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08203 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、512K X 32 ビット (16M)、耐放射線性、低電圧 SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-08215 REV A-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS/SOI、512K X 8 ビット (4M)、耐放射線性、低電圧 SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-01532 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1024K x 8 ビット (8 M)、放射線耐性のある SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-01533 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 32 ビット、3.3 V、放射線耐性のある SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-06238 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS耐放射線性、トライステート出力付き8ビットユニバーサルシフト/ストレージレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 シリコンモノリシック 64 キロビットプログラマブル読み取り専用メモリ、バイポーラデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-06229 REV D-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、16 MBIT (512K X 32)、耐放射線性、低電圧 SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-97517 REV A-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、耐放射線性、32K x 8ビットマスクプログラマブルROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97544 REV A-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、耐放射線性、8K X 8ビットマスクプログラマブルROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96642 REV B-1997 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 8 部変換ストレージバスレジスタシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/210 F-2013 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビットショットキーダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98644 REV B-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、SOI、耐放射線性、32K x 8ビットマスクプログラマブルROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03202-2003 シリコンモノリシック 1024 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-03203-2003 シリコンモノリシック 1048 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、32,768 ビットショットキーダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87682 REV F-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 18 X 42 X 10 フィールドプログラマブルロジックアレイ (FPLA)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 シリコンモノリシック 32 キロビットプログラマブル読み取り専用メモリ、ショットキーバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-86709 REV E-2002 シリコンモノリシック 16X48X8 フィールドプログラマブルロジックシーケンサ本体メモリバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、8192ビット、スイッチャブル、ショットキー、トライステート出力付きバイポーラPROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92012 REV B-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、12 X 48 X 8 フィールドプログラマブルロジックシーケンサ (FPLS)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06261 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K
DLA SMD-5962-06261 REV C-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、耐放射線性、EDAC 内蔵 512K X 32 ビット (16MB)、低電圧 SRAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95821-1996 耐放射線性相補型金属酸化物半導体高度にプログラマブルなダイレクトメモリアクセスコントローラシリコンモノリシック回路リニアマイクロサーキット
DLA SMD-5962-04227 REV B-2005 マルチチップモジュールデュアル電圧耐放射線スタティックランダムアクセスメモリ、512K x 32ビット、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/306 E VALID NOTICE 1-2008 スタック型シフトメモリを備えた低電力シャウケントトランジスタロジック用の単安定シングルシリコンバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 1K x 4 スタティックランダムアクセスメモリ超小型回路
DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 1K x 4 スタティックランダムアクセスメモリ超小型回路
DLA SMD-5962-91677 REV A-2007 シリコンモノリシック8K
DLA SMD-5962-91760 REV D-2007 シリコンモノリシックワンタイムプログラマブルロジックデバイス、デュアル相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-96766 REV A-1996 耐放射線強化相補型金属酸化物半導体、256 x 8 スタティックランダムアクセスメモリ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-79024 REV C-2005 シリコンモノリシックスリーステート出力バイポーラプログラマブル読み取り専用メモリ、8192ビット切り替え可能なショットキーデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-96601 REV A-1997 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 4 ビット双方向変換レジスタシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-94704 REV C-2006 512
DLA SMD-5962-06234 REV A-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、シュミット 16 ビット双方向多目的レジスタードトランシーバー、トライステート出力付き、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94707 REV A-2001 2K
DLA SMD-5962-95845 REV C-2002 放射線ハード相補型金属酸化物半導体デジタル 32K X 8 静的ノイズランダムアクセスメモリシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 耐放射線強化相補型金属酸化物半導体、デュアル 64 ステージ静的シフトレジスタ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95708 REV D-1999 デジタル放射線ハード相補型金属酸化物半導体 2K X 8ビットプログラマブル読み取り専用メモリシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 二重抗体保存

GJB 4971-2003 レーダー対策用一般仕様書高周波メモリ
GJB 5188-2004 電子対策機器の倉庫保管および供給要件
GJB 4816-1997*GJBz 20464-1997 電子対策機器のマーキング、梱包、輸送、保管に関する一般的な技術要件

CZ-CSN, 二重抗体保存

CSN 03 8207-1975 保管中の金属製品を風化の影響から保護します。
CSN 91 7825 Cast.6-1981 床材の試験。床材の防カビ性能。保管テスト
CSN P 16 5110-1999 コンポーネントを安全に保管します。不法開錠に強いハイセキュリティ錠の分類
CSN 91 6010 Z1-1998 ストレージ。試験方法と分類。強盗に抵抗してください。キャビネットおよびボックス金庫

German Institute for Standardization, 二重抗体保存

DIN 6623-2:2017 容量 1000 リットル未満の地上液体貯蔵用の垂直貯蔵タンクその 2: 二重壁
DIN 6618-4:1984 鉱物油の地上貯蔵用の非制御流体二重壁垂直鋼容器
DIN EN 16681:2016-12 スチール製静的保管システム調整可能なパレット棚システム耐震設計原則
DIN 6618-3:1989 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の、液体ベースの漏れ検出システムを備えた二重壁垂直スチール貯蔵タンク
DIN 6618-2:1989 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の、真空ベースの漏れ検出システムを備えた二重壁垂直スチール貯蔵タンク
DIN 6623-2:2017-06 地上液体貯蔵用容量1000リットル未満の縦型鋼製タンクその2：二重壁
DIN EN 1300:2019 Secure Storage Unit は、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティロックを分類します。
DIN EN 12285-1:2018-12 工場製作の鋼製貯蔵タンクパート 1: 可燃性および不燃性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形シングルスキンおよびダブルスキン貯蔵タンク (建物の冷暖房を除く)
DIN EN 12285-3:2019-06 工場で製作された鋼製貯蔵タンクパート 3: 建物の冷暖房用の可燃性および不燃性の水汚染液体の地下貯蔵用の水平円筒形シングルスキンおよびダブルスキン貯蔵タンク
DIN EN 1300:2022 安全な保管ユニットは、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティのロックを分類します。
DIN EN 16681:2016 スチール静的保管システム、調整可能なパレットラックシステム、耐震設計原則、ドイツ語版 EN 16681-2016
DIN EN 1300:2017 安全な保管ユニットは、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティのロックを分類します。
DIN 6619-2:1989 パート 2: 水で汚染された可燃性液体および水で汚染された不燃性液体の地上保管用の二重壁垂直鋼トラフ
DIN EN 1300:2019-05 安全な保管ユニットは、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティのロックを分類します。
DIN EN 1300:2024-01 安全な保管ユニットは、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティのロックを分類します。
DIN EN 1300:2022-01 安全な保管ユニット - 高セキュリティのロックは、不正な開封に対する耐性に従って分類されています。
DIN EN 17646:2022 安全な保管ユニット不正な開封に対する耐性に基づいた高セキュリティロック分散システムの分類
DIN EN 17646:2021 Secure Storage Unit は、分散システムの不正な開封に対する耐性に基づいて、高セキュリティのロックを分類します。
DIN EN 1300:2011 セキュリティストレージデバイス、不正な開封に対する耐性に基づく高セキュリティロックの分類、ドイツ語版 EN 1300:2004+A1-2011
DIN EN 17150:2019 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック製配管システムボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法
DIN EN 17151:2019 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック配管システムボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
DIN EN 17150:2017 非飲料水の地下非圧輸送および貯蔵用のプラスチック製配管システムボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法
DIN EN 17151:2017 非飲料水の地下非圧輸送および貯蔵用のプラスチック製配管システムボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
DIN EN 17151:2019-11 非飲料水の地下非圧輸送および貯蔵用プラスチック配管システム - ボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
DIN EN 17646:2022-10 安全なストレージユニット - 不正な開封に対する耐性に基づいた高セキュリティロックの分類 - 分散システム
DIN EN 12285-2:2005-05 自社製スチールタンクパート 2: 可燃性および非引火性の水汚染液体の地上保管用の横型円筒形シングルスキンタンクおよびダブルスキンタンク
DIN 6623-2:1989 パート 2: 容量 1000 リットル未満の水で汚染された可燃性液体および水で汚染された不燃性液体の地上貯蔵用の二重壁鋼製垂直トラフ
DIN 6624-2:1989 パート 2: 容量 1000 ～ 5000 リットルの水で汚染された可燃性液体および水で汚染された不燃性液体の地上貯蔵用の二重壁水平鋼トラフ
DIN EN 12285-2:2005 工場製スチールタンクパート 2: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の横型円筒形の一重壁および二重壁スチールタンク
DIN EN 12285-1:2003 工場製鋼タンクパート 1: 可燃性および非引火性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形単層および二重壁鋼タンク

AT-ON, 二重抗体保存

ONORM C 2115-1981 スチール製の横型貯蔵タンク。単層タンクと二重壁タンク。液体床保管用
ONORM C 2110-1990 スチール製の横型貯蔵タンク。液体の地下貯蔵用の一重壁タンクおよび二重壁タンク
ONORM C 2121-1986 スチール製の縦型貯蔵タンク。液体の地下貯蔵用の一重壁タンクおよび二重壁タンク
ONORM C 2116 Teil.2-1984 鋼製の縦型円筒形貯蔵タンク。二重壁。液体床保管用真空リークインジケーター
ONORM C 2116 Teil.3-1984 鋼製の縦型円筒形貯蔵タンク。二重壁。液体地上保管用の液体漏れインジケーター
ONORM C 2118-1985 スチール製の横型貯蔵タンク。内容量 1 立方メートルから 5 立方メートルの液体を地上で保管するための単層および二重壁タンク
OENORM EN 17646-2021 安全な保管ユニット不正な開封に対する耐性に基づいた高セキュリティロック分散システムの分類

International Organization for Standardization (ISO), 二重抗体保存

ISO 4074-7:1986 ゴム製コンドームパート 7: 保管期間中の耐劣化性の判定
ISO 22915-4:2009 産業用トラック安定性テストパート 4: リフト高さ 1200 mm 以上のオペレーター位置昇降機構を備えたパレットスタッカー、ダブルスタッカー、および低レベルのオーダーピッキングフォークリフト
ISO/IEC 30192:2021 情報技術、情報交換および保存用のデジタル記録メディア、120mm 単層 (25.0GB/ディスク) および 2 層 (50.0GB/ディスク) BD 書き換え可能ディスク
ISO 22915-4:2009/Amd 1:2013 産業用トラック安定性の検証パート 4: パレットスタッカー、ダブルスタッカー、およびオペレータ位置リフティングメカニズムを備えた、リフト高さ 1200 mm を含む低レベルのオーダーピッキングトラック変更 1
ISO/IEC 30190:2021 情報技術。情報の交換と保存のためのデジタル記録メディア。 120 mm 単層 (ディスクあたり 25 GB) および二層 (ディスクあたり 50 GB) BD 記録可能ディスク
ISO/IEC 30192:2016/Amd 1:2019 情報技術情報交換および保存用のデジタル記録メディア 120mm 単層 (25.0GB/ディスク) および 2 層 (50.0GB/ディスク) BD 書き換え可能ディスク変更 1
ISO/IEC 30190:2016/Amd 1:2019 情報技術情報の交換と保存のためのデジタル記録メディア 120 mm 単層 (ディスクあたり 25 GB) および二層 (ディスクあたり 50 GB) の BD 記録可能ディスク変更 1

ES-UNE, 二重抗体保存

UNE-EN 16681:2016 スチール製静的保管システム調整可能なパレット棚システム耐震設計原則
UNE-EN 12285-2:2005 ERRATUM:2006 工場製作のスチールタンクパート 2: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上貯蔵用の横型円筒形シングルスキンおよびダブルスキン貯蔵タンク
UNE-EN 1300:2019 安全な保管ユニットは、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティのロックを分類します。
UNE-EN 17646:2023 安全なストレージユニットは、分散システムの不正な開封に対する耐性に応じて、高セキュリティロックを分類します。
UNE-EN 17151:2020 非飲料水の地下非圧輸送および貯蔵用のプラスチック製配管システムボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
UNE-EN 17150:2020 非飲料水の地下非圧輸送および貯蔵用のプラスチック配管システムのボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法

Professional Standard - Electron, 二重抗体保存

SJ/T 10740-1996 半導体集積回路のバイポーラランダムアクセスメモリの試験方法の基本原理

Association Francaise de Normalisation, 二重抗体保存

NF P22-760*NF EN 16681:2016 スチール静的保管システム調整可能なパレット棚システムの耐震設計原則
NF EN 12285-2:2005 製鉄所で製造された貯蔵タンク - パート 2: 可燃性および不燃性の水で汚染された液体の頭上貯蔵用の円筒形水平単壁および二重壁貯蔵タンク
NF EN 16681:2016 スチール製静的保管システム可動棚付き棚システム耐震設計原則
NF C86-251:1987 電子部品 CENELEC 品質保証システム Fusion Programmable Read Only Bipolar Memory Blank 詳細仕様
NF K20-008*NF EN 1300:2018 Secure Storage Unit は、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティロックを分類します。
NF P16-374*NF EN 17150:2019 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック製配管システムボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法
NF P16-375*NF EN 17151:2019 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック配管システムボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
NF E86-401-1:2003 工場製タンクパート 1: 可燃性および非引火性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形単層および二重壁タンク
NF E86-401-2*NF EN 12285-2:2005 工場製スチールタンクパート 2: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の横型円筒形の一重壁および二重壁スチールタンク

British Standards Institution (BSI), 二重抗体保存

BS EN 16681:2016 スチール製静的保管システム、調整可能なパレットラックシステム、耐震設計原則
BS EN 12285-2:2005(2006) 工場製作のスチール製貯蔵タンクその 2: 可燃性および非引火性の水汚染液体の地上貯蔵用の横型円筒形単層および二重層貯蔵タンク
22/30428149 DC 船舶および海洋技術外航船海洋調査用デュアル牽引/保管ウインチ
BS EN 1300:2013 安全なストレージデバイス: 高セキュリティロックは、不正な開封を阻止する能力に応じて分類されます。
BS EN 1300:2004+A1:2011 安全な保管ユニット。高セキュリティロックは、不正な開錠に対する耐性に応じて分類されます。
BS EN 1300:2018 Secure Storage Unit は、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティロックを分類します。
21/30433993 DC BS EN 1300 Secure Storage Units は、不正な開封に対する耐性に従って高セキュリティロックを分類します。
BS EN 12285-1:2018 工場で組み立てられる鋼製タンク可燃性および不燃性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形単層および二重層貯蔵タンク（建物の冷暖房用ではない）
BS EN 12285-1:2018(2019) 工場で組み立てられる鋼製タンク可燃性および不燃性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形単層および二重層貯蔵タンク（建物の冷暖房用ではない）
BS EN 12285-1:2003 工場製スチールタンク可燃性および非引火性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形単層および二重壁スチールタンク
BS EN 12285-2:2005 工場製のスチールタンク可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の横型円筒形単層および二重壁スチールタンク
BS EN 17646:2022 安全な保管ユニットは、分散システムにおける不正な開封に対する耐性に応じて、高セキュリティのロックを分類します。
BS EN 17150:2019 非飲料水の非加圧地下輸送および貯蔵に使用されるプラスチック配管システムのボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法
BS EN 17151:2019 非飲料水の非加圧地下輸送および貯蔵に使用されるプラスチック配管システムのボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
21/30415252 DC BS EN 17646 安全なストレージユニット不正な開封に対する耐性に従って高セキュリティロックを分類分散システム

Professional Standard-Safe Production, 二重抗体保存

AQ 3020-2008 鋼製大気圧貯蔵タンクその1：水を汚染する可燃性および不燃性の液体を貯蔵するための、地下水平円筒形の単層および二重層貯蔵タンク。

HU-MSZT, 二重抗体保存

MNOSZ 15656-1954 保存フィルム材料の耐火性および安全性に関する規制、その輸送および安全性の基準

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 二重抗体保存

DB36/T 770-2013 二価耐虫性遺伝子に変換されたワタの生存・競争力検出技術の評価指標
DB36/T 769-2013 二価の耐虫性遺伝子に変換された綿の生存と競争力をテストするための技術的操作手順

SE-SIS, 二重抗体保存

SIS SS CECC 90105-1987 詳細な仕様については空白です。融合プログラマブルバイポーラ読み取り専用メモリ、シリコンモノリシック集積回路

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 二重抗体保存

GB/T 14119-1993 半導体集積回路用バイポーラ融合プログラマブル読み出し専用メモリの空白の詳細仕様

Group Standards of the People's Republic of China, 二重抗体保存

T/SICA 003-2022 RFID伝送およびストレージ技術に基づくデュアル周波数マルチインターフェース温度および湿度検出タグチップの技術仕様

AENOR, 二重抗体保存

UNE-EN 1300:2014 Secure Storage Unit は、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティロックを分類します。
UNE-EN 12285-1:2004 工場組み立てのスチールタンクパート 1: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地下貯蔵用の横型円筒形シングルスキンタンクおよびダブルスキンタンク

Danish Standards Foundation, 二重抗体保存

DS/EN 1300+A1:2011 Secure Storage Unit は、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティロックを分類します。
DS/EN 12285-1:2003 工場組み立てのスチールタンクパート 1: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地下貯蔵用の横型円筒形シングルスキンタンクおよびダブルスキンタンク
DS/EN 12285-2:2005 工場組み立てのスチールタンクパート 2: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の横型円筒形シングルスキンタンクおよびダブルスキンタンク

Lithuanian Standards Office , 二重抗体保存

LST EN 1300-2004+A1-2011 Secure Storage Unit は、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティロックを分類します。
LST EN 12285-1-2003 工場組み立てのスチールタンクパート 1: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地下貯蔵用の横型円筒形シングルスキンタンクおよびダブルスキンタンク
LST EN 12285-2-2005 工場組み立てのスチールタンクパート 2: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の横型円筒形シングルスキンタンクおよびダブルスキンタンク

CEN - European Committee for Standardization, 二重抗体保存

PREN 1300-2017 Secure Storage Unit は、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティロックを分類します。
PREN 17151-2017 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック配管システムボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
PREN 17150-2017 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック製配管システムボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 二重抗体保存

GB/T 36474-2018 半導体集積回路第3世代ダブルデータレートシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(DDR3 SDRAM)のテスト方法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 二重抗体保存

KS B ISO 22915-4:2010 産業用トラック安定性検査パート 4: リフト高さ 1200 mm 以上のオペレーター位置リフト機構を備えたパレットスタッカー、ダブルスタッカー、および低レベルのオーダーピッキングフォークリフト
KS B ISO 22915-4:2014 産業用トラック安定性検査パート 4: リフト高さ 1200 mm 以上のオペレーター位置リフト機構を備えたパレットスタッカー、ダブルスタッカー、および低レベルのオーダーピッキングフォークリフト

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 二重抗体保存

JIS D 6011-4:2013 フォークリフト. 安定性および安定性テスト. パート 4: パレットスタッカー、ダブルスタッカー、およびオペレータ位置リフティングメカニズムを備えた、リフト高さ 1200 mm を含む下位オーダーフォークリフト
JIS D 6011-4:2019 フォークリフトトラック安定性および安定性テストパート 4: パレットスタッカー、ダブルスタッカー、およびオペレータ位置リフティングメカニズムを備えた低レベルのオーダーピッキングトラック (リフト高さ 1200 mm を含む)
JIS X 6230:2022 情報交換および保存用のデジタル記録メディア - 120 mm 単層 (ディスクあたり 25.0 GB) および二層 (ディスクあたり 50.0 GB) BD 記録可能ディスク
JIS X 6232:2022 情報交換および保存用のデジタル記録メディア - 120 mm 単層 (ディスクあたり 25.0 GB) および二層 (ディスクあたり 50.0 GB) BD 書き換え可能ディスク

European Committee for Standardization (CEN), 二重抗体保存

EN 1300:2023 安全な保管ユニットは、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティのロックを分類します。
prEN 17646-2021 安全な保管ユニット不正な開封に対する耐性に基づいた高セキュリティロック分散システムの分類
EN 12285-1:2003 工場製鋼タンクパート 1: 可燃性および非引火性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形単層および二重壁鋼タンク
EN 12285-2:2005 工場製スチールタンクパート 2: 可燃性および非引火性の水で汚染された液体の地上保管用の横型円筒形の一重壁および二重壁スチールタンク
EN 12285-1:2018 工場製鋼タンクパート 1: 可燃性および非引火性の水汚染液体の地下貯蔵用の横型円筒形単層および二重壁鋼タンク

PT-IPQ, 二重抗体保存

NP 2955/6-1985 電子部品。モノリシック集積回路で使用するためのプログラム可能なバイポーラ読み取り専用メモリ、詳細な仕様

American Society for Testing and Materials (ASTM), 二重抗体保存

ASTM E283-91(1999) 抗菌効果の評価に使用する C 胞子の生産と保存の標準的な方法
ASTM E2839-18 抗菌効果の評価に使用する C 胞子の生産と保存の標準的な方法
ASTM E2839-21 抗菌効果の評価に使用する C 胞子の生産と保存の標準的な方法

RO-ASRO, 二重抗体保存

SR ISO 5041:1995 グループ化された商品を継続的に保管するための機械および装置。平底ユニットロード用のダブルプレーンチェーンを備えたクレートローダーチェーンコンベヤ

PL-PKN, 二重抗体保存

PN-EN 17151-2019-11 P 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック配管システムボックスの長期圧縮強度を測定するための試験方法
PN-EN 17150-2019-11 P 非飲料水の地下非加圧輸送および貯蔵用のプラスチック配管システムボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法

未注明发布机构, 二重抗体保存

BS EN 1300:2023 変更を追跡する安全な保管ユニットは、不正な開封に対する耐性に基づいて高セキュリティのロックを分類します。
BS EN 17150:2019(2020) 非飲料水の地下非圧輸送および貯蔵用のプラスチック配管システムのボックスの短期圧縮強度を測定するための試験方法

IX-ISO/IEC, 二重抗体保存

ISO/IEC 30192:2013/Cor 1:2015 情報技術、情報交換および保存用のデジタル記録メディア、120mm 単層 (25.0GB/ディスク) および 2 層 (50.0GB/ディスク) BD 書き換え可能ディスク技術正誤表 1