ZH
RU
EN
ES

紫外線によるvocの除去

紫外線によるvocの除去は全部で 50 項標準に関連している。

紫外線によるvocの除去 国際標準分類において、これらの分類：キッチン用品、電灯および関連器具、土壌品質、土壌科学、集積回路、マイクロエレクトロニクス。

Group Standards of the People's Republic of China, 紫外線によるvocの除去

T/CPQS E00028-2022 歯ブラシと箸のUV殺菌装置

Professional Standard - Electron, 紫外線によるvocの除去

SJ 20616-1996 UV アブレーティングパルスキセノンランプの仕様
SJ 20643.2-2002 紫外線アブレーション型パルスキセノンランプ詳細仕様

Association Francaise de Normalisation, 紫外線によるvocの除去

NF ISO 11264:2008 土壌品質除草剤投与量HPLC UV検出
NF C86-252-001:1987 MOS UV消去可能、電気的にプログラム可能な読み取り専用メモリシリコンモノリシック回路の詳細仕様
NF X31-408*NF ISO 11264:2008 紫外線検出機能を備えた高速液体クロマトグラフィー (HPLC) を使用した土壌除草剤の定量

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 紫外線によるvocの除去

KS I ISO 11264-2016(2021) 土壌品質の測定除草剤高速液体クロマトグラフィー UV 検出法
KS I ISO 11264:2006 土壌の品質除草剤の測定紫外線検出を使用した高速液体クロマトグラフィー (HPLC)
KS I ISO 11264:2016 紫外線検出機能を備えた高速液体クロマトグラフィー (HPLC) を使用した土壌除草剤の定量

KR-KS, 紫外線によるvocの除去

KS I ISO 11264-2016 土壌品質の測定除草剤高速液体クロマトグラフィー UV 検出法

German Institute for Standardization, 紫外線によるvocの除去

DIN ISO 11264:2005-11 HPLC および UV 検出法を使用した土壌品質除草剤の判定
DIN ISO 11264:2005 土壌の品質除草剤の測定紫外線検出を使用した高速液体クロマトグラフィー (HPLC)

Defense Logistics Agency, 紫外線によるvocの除去

DLA SMD-5962-89476 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、UV消去可能なプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91545 REV F-2007 CMOSデジタルマイクロ回路メモリ、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86864 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、UV消去可能、プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/507 B VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能プログラマブルアレイロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89469 REV C-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能プログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91584 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91772 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88726 REV F-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、UV消去可能、プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイス相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89537 REV B-2006 シリコンモノリシック 16K X 8 UV 消去可能プログラム可能読み取り専用メモリデジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-90754 REV B-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能非同期登録プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/224 VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、MOS、32K X 8、UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ (EPROM) モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジック設定、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-85135 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、NMOS、64K x 8 ビット UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ (UVEPROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87661 REV F-2006 シリコンモノリシック 16K
DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-87744 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、NMOS、64K
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 シリコンモノリシック 8KX8 UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-93245-1993 シリコンモノリシック、拡張電圧 UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 シリコンモノリシック、32K
DLA SMD-5962-92322-1993 シリコンモノリシック、64K
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 シリコンモノリシック、4K
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 シリコンモノリシック 64K
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 シリコンモノリシック、128K
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K
DLA SMD-5962-93122-1993 シリコンモノリシック、2K
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 シリコンモノリシック2K
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 シリコンモノリシック8K

International Organization for Standardization (ISO), 紫外線によるvocの除去

ISO 11264:2005 土壌の品質除草剤の測定紫外線検出を使用した高速液体クロマトグラフィー (HPLC)

GM North America, 紫外線によるvocの除去

GM GMP.PP.034-1993 ポリプロピレン。部分的に溶融した UV 安定化コポリマー。新しい図面には適していません。削除予定です。
GM GMP.PP.049-1993 ポリプロピレン、UV 安定化内部レンズホモポリマー、新規図面には使用できません、削除予定

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 紫外線によるvocの除去

GB/T 17574.9-2006 半導体デバイス、集積回路、パート 2-9: デジタル集積回路、紫外線消去可能な電気的にプログラム可能な MOS 読み取り専用メモリの詳細仕様は空白。