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コロイドのダブルポテンシャル

コロイドのダブルポテンシャルは全部で 500 項標準に関連している。

コロイドのダブルポテンシャル 国際標準分類において、これらの分類：粒度分析、スクリーニング、消毒・滅菌、音響および音響測定、映画、オプトエレクトロニクス、レーザー装置、光学および光学測定、集積回路、マイクロエレクトロニクス、接着剤および接着製品、ワイヤーとケーブル、ゴム、半導体ディスクリートデバイス、航空宇宙用の流体システムおよびコンポーネント、航空宇宙用電気機器およびシステム、皮革技術、金属腐食、分析化学、エアゾールタンク、電気、磁気、電気および磁気測定、 IT端末およびその他の周辺機器、電気通信総合、通信システム、天然ガス、航空宇宙製造に関連するめっきおよび関連プロセス、石油およびガス産業の機器、電子および通信機器用の電気機械部品、断熱材、電子管、バーナー、ボイラー、繊維製品、ゴムやプラスチックの原料、原子力工学、溶接、ロウ付け、低温溶接、コンデンサ、空気の質、整流器、コンバータ、安定化電源、絶縁流体、車両、周波数制御と選択のための圧電および誘電デバイス、絶縁、表面処理・メッキ、ジュエリー、タバコ、タバコ製品およびタバコ産業用機器、太陽工学、総合電子部品、計測学と測定の総合、カラーコーディング、通信機器の部品および付属品、有機化学、エネルギー・伝熱工学総合、電子部品および部品、電子機器、獣医学、燃料、トランス、リアクトル、インダクタ。

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), コロイドのダブルポテンシャル

JIS Z 8836:2017 コロイド系、動電的電位測定法、光学的方法
JIS K 6271:2008 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴムの体積と表面抵抗率の測定

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, コロイドのダブルポテンシャル

GB/T 32668-2016 コロイド粒子ゼータ電位解析電気泳動法の一般原理
GB/T 22376.1-2008 接着剤バルク試験片の調製方法パート 1: 2 成分系
GB/T 15253-1994 電位差滴定法によるゴム中の遊離硫黄の定量
GB/T 13999-1992 35mmフィルムプリント上の光学式デュアルサウンドトラックの位置と幅の寸法
GB/T 29088-2012 金属および合金の腐食の二重環電気化学的電位力学的再活性化の測定方法
GB/T 24960-2010 冷蔵軽質炭化水素流体、静電容量式液面計による液化ガス貯蔵タンクの液面測定
GB/T 4635-2000 35mmムービーカメラの窓によって形成される映像のフィルム上の位置と大きさ

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, コロイドのダブルポテンシャル

GB/T 32671.1-2016 コロイド系のゼータ電位を測定する方法パート 1: 電気音響現象と電気力学現象

KR-KS, コロイドのダブルポテンシャル

KS L ISO 13099-1-2018(2023) コロイド系のゼータ電位の測定方法パート 1: 電気音響現象と電気力学現象
KS A ISO 7343-2003(2023) フィルム技術 35mm 映画フィルムへの 2 トラック写真音声録音位置と幅の寸法
KS A ISO 7739-2018(2023) シネマテクノロジー 16mm映画フィルム上の2チャンネルアナログサウンド録音位置と幅寸法
KS L ISO 13099-2-2018 コロイド系 - ゼータ電位測定法 - パート 2: 光学的方法
KS L ISO 13099-2-2018(2023) コロイド系のゼータ電位を決定する方法パート 2: 光学的方法
KS L ISO 13099-3-2018(2023) コロイド系のゼータ電位の測定方法パート 3: 音響法
KS L ISO 13099-1-2018 コロイド系 - ゼータ電位の測定方法 - パート 1: 電気音響現象と電気力学現象
KS L ISO 13099-3-2018 コロイド系 - ゼータ電位測定法 - パート 3: 音響法
KS A ISO 8400-2003(2023) フィルム技術 16mmフィルム乳剤面の位置特定
KS A ISO 359-2003(2023) 映画技術 16mm 映画フィルム上の投影可能な画像領域寸法と位置
KS B ISO 8309-2003 冷蔵軽質炭化水素液体液化ガスタンクの液面測定用静電容量計
KS A ISO 2404-2003(2023) シネマテクノロジー 70mm ストライプ映画フィルム上の 6 トラック磁気サウンド録音位置と寸法
KS A ISO 71-2018(2023) フィルム技術: 16mm、35/16mm、35/32mm 映画フィルムの 16mm ネガ記録位置と寸法
KS A ISO 5768-2003(2023) 映画技術、16 mm 映画フィルム上の W タイプのカメラ開口部によって生成される画像、位置とサイズ。
KS A ISO 466-2003(2023) フィルム技術、カメラの絞りによって生成される 16 mm 映画フィルム上の画像領域、位置とサイズ。
KS A ISO 2906-2003(2023) フィルム技術、カメラの絞りによって生成される 35mm 映画フィルム上の画像領域、位置とサイズ。
KS A ISO 4243-2003(2023) フィルム技術 16 mm 映画フィルム上の画像領域と写真音声記録位置と寸法
KS C ISO 8205-1-2016 抵抗溶接水冷二次接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件
KS A ISO 8758-2003(2023) 映画撮影 16mm および 35mm 映画フィルムおよびプリントの写真制御およびデータ記録寸法および位置決め
KS B ISO 10156-2018 ガスシリンダーおよびガス混合物用の選択されたガスシリンダーバルブの出口の発火電位と酸化能力の測定
KS A ISO 4242-2003(2023) 映画技術 16 mm 磁気フィルムに音声を記録するための 2 つの記録ヘッド間のギャップ位置と幅の寸法
KS A ISO 9525-2003(2023) 映画技術 17.5 mm 磁気フィルムに音声を記録するための 2 つの記録ヘッド間のギャップ位置と幅の寸法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, コロイドのダブルポテンシャル

GB/T 32671.2-2019 コロイド系のゼータ電位測定法その２：光学的方法
GB/T 40719-2021 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴムの体積および/または表面抵抗率の測定

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), コロイドのダブルポテンシャル

KS L ISO 13099-2:2018 コロイド系 - ゼータ電位測定法 - パート 2: 光学的方法
KS A ISO 7739:2003 映画撮影 16mm 映画フィルム印刷技術 2 トラック光記録位置と幅の寸法
KS L ISO 13099-1:2018 コロイド系 - ゼータ電位の測定方法 - パート 1: 電気音響現象と電気力学現象
KS L ISO 13099-3:2018 コロイド系 - ゼータ電位測定法 - パート 3: 音響法
KS W ISO 44:2002 航空宇宙レバーで操作する 2 ポジションのオン/オフスイッチ制御の方向。
KS W ISO 44:2016 航空宇宙用プルロッド操作の 2 ポジションオン/オフスイッチ制御方向
KS A ISO 1223-2010(2020) フィルム技術テレビ用映画フィルムのイメージエリア位置とサイズ
KS M 8309-2005(2018) 充填タンク内の静電容量レベル測定のために、軽質炭化水素液体 - 液体ガスを冷却します。
KS M ISO 8309-2003(2008) 冷蔵軽質炭化水素液体液化ガスタンクの液面測定用静電容量計
KS B ISO 8309:2003 冷蔵軽質炭化水素液体液化ガスタンクの液面測定用静電容量計
KS B ISO 8309:2005 冷蔵軽質炭化水素液体液化ガスタンクの液面測定用静電容量計
KS A ISO 2907:2010 映画撮影 35 mm 映画フィルムに投影できる最大画像領域位置とサイズ
KS A ISO 2906:2003 映画撮影法、映画カメラによって 35mm フィルム上に形成された画像領域、位置とサイズ
KS M 6773-2009 導電性ゴム・プラスチック製品の体積抵抗率の試験方法
KS A ISO 466:2003 映画撮影 16mm ムービーカメラの窓によってフィルム上に形成された画像位置とサイズ
KS A ISO 4244-2003(2008) 8mm S タイプ映画フィルムの映画音声記録位置と幅寸法
KS A ISO 5768:2003 映画撮影 16mm W 型ムービーカメラのフィルム窓によってフィルム上に形成される画像位置とサイズ
KS A ISO 70-2002(2022) 映画撮影 35mm 映画フィルム上の 35mm モノネガ記録位置と最大幅寸法
KS C IEC 60305-2003(2018) 公称電圧1000V以上の加工ライン用アイコ - 交流用セラミックまたはガラス製アイコユニット - キャップと製品形状のアイコユニットの特徴
KS C IEC 62021-1-2014(2019) 絶縁性液体の酸性度の測定その1：自動電位差滴定法
KS C ISO 8205-1-2016(2021) 抵抗溶接水冷二次接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件
KS A ISO 71:2003 映画撮影 16mm、35/16mm、.35/32mm 映画フィルムへの 16mm 光学サウンドストリップネガの録音位置と寸法
KS C IEC 60444-2-2002(2022) pネットワークにおけるゼロ位相技術を用いた水晶振動子のパラメータ測定その2：水晶振動子の移動容量測定のための位相シフト法
KS C IEC 60444-2-2002(2017) p-ネットワークゼロ位相法を使用した水晶部品のパラメータの測定その 2: 水晶部品の動的静電容量を測定するための位相シフト法
KS A ISO 466-2003(2018) 位置とサイズ - 写真 - 16 mm 映画フィルム上のカメラの絞りによって生成される画像の領域
KS B ISO 10156:2018 ガスシリンダーおよびガス混合物用の選択されたガスシリンダーバルブの出口の発火電位と酸化能力の測定
KS C ISO 8205-1:2001 抵抗溶接水冷二次コイル接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件
KS C ISO 8205-1:2016 抵抗溶接水冷二次コイル接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件
KS A ISO 5768-2003(2018) 写真 - 位置と寸法 - カメラの絞り W で 16mm 映画フィルムによって生成された画像
KS C IEC 60169-22-2014(2019) RF コネクタパート 22: デュアル内部導体を備えたシールドバランスケーブル用 RF バイポーラバヨネットカップリングコネクタ (タイプ BNO)
KS I 3210-2006 精密ろ過膜エレメントおよびユニットの無抵抗回復特性の試験方法

Professional Standard - Electron, コロイドのダブルポテンシャル

SJ 20786.1-2002 半導体光電子部品 CBGS2301小型双方向光電ポジショナ詳細仕様
SJ/T 10086-1991 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT54H183/CT74H183タイプダブルキャリー保存全加算器
SJ 50597/35-1995 半導体集積回路 JC4520型CMOSデュアル4ビットバイナリ同期カウンタ詳細仕様
SJ/T 10070-1991 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CH2021タイプ 4ビットバイナリ同期アップダウンカウンタ(デュアルクロック)
SJ 2691-1986 センターマウント、デュアルホール位置決めロータリーディスクスイッチタイプ KX13 (低電気負荷) 最大 12 ポジション、最大直径 42 mm
SJ 20973-2007 信頼性指標付きバイポーラ固体電解質タンタルコンデンサの一般仕様
SJ 50063.1-1994 信頼性表示付きバイポーラ固体電解タンタルコンデンサ CAK72 形の詳細仕様
SJ 2672.7-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA307 175 MHZ ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ/Z 9154.2-1987 π型ネットワーク零位相法を用いた水晶部品のパラメータ測定その2：水晶部品の動的静電容量を測定するための位相オフセット法
SJ 2672.2-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA302 175 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2672.3-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA303 175 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2672.4-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA304 175 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2672.5-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA305 175 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2672.6-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA306 175 MHZ ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2672.8-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA308 175 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2672.9-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA309 175 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2673.1-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA311 470 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2673.2-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA312 470 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2673.3-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA313 470 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2673.4-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA314 470 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2673.5-1986 電子部品詳細仕様 3DA3l5タイプ 470MHzケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2673.6-1986 電子部品詳細仕様 3DA3l6タイプ 470MHzケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ 2672.1-1986 電子部品の詳細仕様タイプ 3DA301 175 MHz ケース定格低電圧バイポーラパワートランジスタ
SJ/T 10740-1996 半導体集積回路のバイポーラランダムアクセスメモリの試験方法の基本原理

RU-GOST R, コロイドのダブルポテンシャル

GOST R 8.887-2015 測定のトレーサビリティを確保する国家システムコロイド系粒子の動電ポテンシャル（ゼータ電位）光学測定法
GOST 25937-1983 靴の材質単位体積抵抗と単位表面抵抗の求め方
GOST 18604.0-1983 バイポーラトランジスタ電気パラメータ測定の一般要件
GOST 21107.3-1975 ガス排出計、二重陽極管、多陽極管、電気的パラメータの測定方法。
GOST 18604.3-1980 バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ段間の結合容量の測定方法
GOST 18604.2-1980 バイポーラトランジスタ静止電流伝達係数の測定方法
GOST 18604.1-1980 バイポーラトランジスタ。高周波帰還回路の時定数の測定方法
GOST R 53191-2008 二輪車や自動車の組立用電源ユニットには焼きばめ方式が採用されています。
GOST R IEC 62021-1-2013 絶縁性液体酸性度の測定パート 1 自動電位差滴定
GOST 18604.16-1978 バイポーラトランジスタ小信号モードにおける電圧帰還係数の測定方法
GOST 8.653.1-2016 測定の一貫性を確保するための国家システム動電学的ポテンシャルの決定方法パート 1. 動電学的方法
GOST 19165-1973 テレビ番組キャリア 16mm フィルムビデオおよび録音音声チャンネルのサイズと位置
GOST ISO 13099-2-2016 測定の一貫性を確保するための国家システム界面動電位測定方法パート 2. 光学的方法

German Institute for Standardization, コロイドのダブルポテンシャル

DIN 15630:1982 16mm 映画フィルムカメラのシャッターに対するフィルムの位置基準パーフォレーションの位置
DIN 15576-1:1980-09 映画フィルムと磁気フィルムの名称、映画フィルムの巻き方向と層位置
DIN 43668:1964-11 電気開閉装置およびキャビネットのドアのキー、2 桁のキー
DIN 15552-3:1982 17.5mm および 35mm 磁気フィルム片面パーフォレーション付き 17.5mm 磁気フィルムシングルおよびダブルトラックの消磁ヘッド、記録ヘッド、およびコピーヘッドの位置決め。
DIN 15576-6:1977-12 映画フィルムの指定、画像と音声のエマルジョンの位置付け
DIN 15655-3:1981 16mm 片面穴あき磁性フィルムシングルトラックおよびダブルトラック記録用のワイパー、記録ヘッド、再生ヘッドの位置決め
DIN 15576-1:1980 映画フィルム、磁気フィルムのマーキング、巻き方向と積層位置
DIN ETS 300118:1997-08 公衆交換電話網 (PSTN) - 1200 ビット/秒の半二重および 1200/75 ビット/秒の非対称二重モデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
DIN 15576-6:1977 映画フィルムのマーキング、画像および音声チャンネルの感光性乳剤層の位置
DIN 51796:2010-08 電位差法による液体鉱物炭化水素中のメルカプタン硫黄含有量の測定
DIN EN ISO 12732:2008-07 ダブルループ法 (Cihal 法に基づく) を使用した電気化学的電位差再活性化測定を使用した金属および合金の腐食
DIN EN ISO 2286-3:1998 ゴムまたはプラスチックでコーティングされた生地ロール生地の特性の測定第 3 部: 単位面積あたりの全体の質量、単位面積あたりのコーティングの質量および単位面積あたりの基布の質量の測定方法
DIN ISO 5768:1998 映画撮影 16 mm 映画フィルム上の W タイプ映画カメラの絞りによって形成された画像位置とサイズ
DIN EN 62021-1:2004 絶縁性液体酸性度の測定パート 1: 自動電位差滴定
DIN ETS 300115:1999-06 公衆交換電話網 (PSTN) の 300 ビット/秒二重モデムの標準化クラス II 仕様
DIN 16196:2015-03 電気リミット接点付きダイヤル温度計充填システム温度計およびバイメタル温度計
DIN ETS 300116:1997-08 公衆交換電話網 (PTSN) - PSTN での使用のために標準化された、1200 ビット/秒の二重モデムのクラス II 仕様
DIN ETS 300117:1997-08 公衆交換電話網 (PSTN) - PSTN での使用のために標準化された 2400 ビット/秒の二重モデムのクラス II 仕様
DIN EN ISO 8205-1:2003 抵抗溶接水冷二次コイル接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件
DIN ISO 5768:1998-04 映画撮影 - 16 mm 映画フィルム上の W カメラ絞りによって生成された画像 - 位置とサイズ (ISO 5768:1996)
DIN EN 60444-2:1997 π型ネットワークのゼロ位相法を使用した水晶部品のパラメータの測定その2: 位相偏移法を使用した水晶部品の動的静電容量の測定
DIN 50923:2013-02 鉄または鋼上の電気めっき亜鉛または亜鉛合金コーティングと有機コーティングの二相システム

Defense Logistics Agency, コロイドのダブルポテンシャル

DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 マイクロ回路電子シリコンデジタルバイポーラトランジスタ - トランジスタロジック (TTL) 同期 4 ビットアップ/ダウンカウンタ
DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 セットリセットボタン搭載シリコンモノリシックデュアルJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 シリコンモノリシックデジタルアナログコンバータデュアル12ビット相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-01506 REV A-2002 ハイブリッドデジタルリニアマイクロ回路 14 ビットデュアルチャネルアナログ - デジタルコンバータ
DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 リセットボタン付きシリコンモノリシック6ビットD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 シリコンモノリシック、96ビット浮動小数点デュアルポートプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキートランジスタ論理回路、10 桁電卓、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 シリコンモノリシック、デュアル12ビットダブルバッファ多重酸化物半導体デジタルアナログコンバータ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-84150 REV F-2009 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、セットおよびリセット機能付きデュアル JK フリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、セットリセットボタン付きデュアルJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA DSCC-VID-V62/09604 REV A-2008 構成可能な電圧変換とトライステート出力を備えたマイクロ回路、デジタル、デュアルビット、デュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97591 REV A-2007 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、改良型ショットキートランジスタ論理回路、8 ビット等価コンパレータ、単一シリコン
DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 シリコンモノリシック6ビットD型双安定マルチバイブレータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビットDC/ACコンバータ、デュアル酸化物半導体リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-97587 REV A-2007 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速キャリー付きの 4 ビットバイナリ全加算器、単一シリコン片
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 シリコンモノリシックデュアル12ビットアナログコンバータマイクロプロセッサ互換相補型金属酸化膜半導体リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、リセットボタン付き6ビットDタイプ双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 シリコンモノリシック、TTL互換入力、デュアルイネーブルおよびトライステート出力を備えた8ビットラッチトランシーバー、改良されたバイポーラ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 リセットボタン付きシリコンモノリシックD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック 8 ビット双方向トランシーバー、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、8 ビットパリティジェネレーター/チェッカー付き 8 ビット双方向トランシーバー、変性酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 シリコンモノリシック、デュアル4段シフトレジスタ、改良された高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89702 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、セットおよびリセット付きデュアル JK フリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90701 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、セットおよびリセット付きデュアル JK フリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85153 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、リセット機能付きデュアル JK フリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85154 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、リセット機能付きデュアル JK フリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 バイポーラ先進トランジスタ、4重クラスD双安定マルチバイブレータシリコンモノリシックリニアマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/306 E VALID NOTICE 1-2008 スタック型シフトメモリを備えた低電力シャウケントトランジスタロジック用の単安定シングルシリコンバイポーラマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、高速キャリーを備えた 4 ビットバイナリ全加算器、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89444 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー、TTL、入力ラッチ付き 8 ビットシフトレジスタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、高速キャリーを備えた 4 ビットバイナリ全加算器、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、スリーステート出力を備えた 8 ビットエッジトリガー D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、クロックイネーブル付き 8 ビットエッジトリガー D タイプ双安定マルチバイブレータ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、スリーステート出力を備えた 8 ビットエッジトリガー D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 スリーステート出力8ビットD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力9ビットバスインターフェース双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力16ビットバスインターフェース双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 耐放射線強化相補型金属酸化物半導体、デュアル 64 ステージ静的シフトレジスタ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 リセットボタン付きシリコンモノリシックD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 シリコンモノリシック 512 x 4 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 シリコンモノリシック、デュアル 12 ビットバッファ多重酸化物半導体 DC/AC コンバータ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット D タイプエッジトリガー双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL 互換入力 16 ビットエッジトリガ D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 シリコンモノリシック、8ビット双方向トランシーバー、スリーステート出力を備えたD型ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック8ビットD型双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 ビット双方向トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 シリコンモノリシック 4 ビット双方向ユニバーサルシフトレジスタ高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換入力および出力制限電圧スイング、トライステート出力付き 8 ビットデュアルポートトランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビットバストランシーバー、高速酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA DSCC-VID-V62/09605-2009 マイクロ回路、デジタル、構成可能な電圧変換およびトライステート出力を備えた 16 ビットデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09615-2009 マイクロ回路、デジタル、構成可能な電圧変換およびトライステート出力を備えた 8 ビットデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/12667-2013 マイクロ回路、デジタル、構成可能な電圧変換およびトライステート出力を備えた 16 ビットデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09608 REV A-2008 構成可能な電圧変換とトライステート出力を備えた超小型回路、デジタル、シングルチップデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96747-1997 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビット双方向データバススキャンパスセレクタトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 シリコンモノリシック、リセットクリアキーを備えたDタイプダブルポジティブエッジトリガーフリップフロップ、TTLショットキー高度な低消費電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 シリコンモノリシック、逆トライステート出力、TTL互換入力16ビットラッチトランシーバー、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-95616-1995 デジタル 16 ビット 2 桁アナログコンバータシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、8ビットD型双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 順方向トライステート出力、16ビットバストランシーバー、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックチップ
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 シリコンモノリシック、8 ビットバストランシーバー、スリーステートフォワード出力、バイポーラデジタルマイクロ回路を装備
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89668 REV B-2006 シリコンモノリシック、同期リセットキーを備えた同期8ビットバリューアップおよびバリューダウンカウンタ、改良されたショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット双方向トランシーバー/ラッチ、改良酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、トライステート出力を備えた8ビットバッファおよびラインドライバ、酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力8ビットバッファ/ドライバ、改質酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、デュアル 2 ビット双安定、容易に確認できるストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92243-1993 シリコンモノリシック、TTL 互換入力および出力制限電圧スイング、トライステート出力付き 8 ビット反転デュアルポートトランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93020-1995 シリコンモノリシック、TTL 互換入力および出力制限電圧スイング、シリーズリレーおよびトライステート出力を備えた 8 ビット双方向トランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-10202 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-10203-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2MEG
DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 シリコンモノリシック二極位置決めアナログマルチプレクサ/デマルチプレクサ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-94703 REV B-2002 デュアル 8 ビット、50 MSPS デジタル-ボディコンバータシリコンモノリシックリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、セットおよびリセット付きデュアル JK 双安定マルチバイブレータトリガー回路、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88741 REV C-2008 モノリシックシリコン 8 ビットアドレス指定可能ラッチ、改良された低電力ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、1K x 8 ビット、プログラマブル初期化機能付きレジスタード PROM、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V 16 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 デュアルチャネルフォトカプラ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ電源用のリニアハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 シリコンモノリシック、正トライステート出力、TTL 互換入力 16 ビットバッファ/ドライバ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 シリコンモノリシック、フォワードトライステート出力、TTL互換入力10ビットバッファ/ドライバ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 シリコンモノリシック、フォワードトライステート出力、TTL互換入力8ビットバストランシーバー、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-89769 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、データ活性化8ビットDタイプ双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-92189 REV B-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92190 REV B-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92194 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、8 ビット双方向トランシーバー、トライステート出力付き D タイプラッチ、変性酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 シリコンモノリシック、TTL互換入力、スリーステート出力を備えた8ビットバストランシーバーおよびレジスタ、改良されたバイポーラ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 シリコンモノリシック、正トライステート出力、TTL 互換入力 16 ビットバッファ/ドライバ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 シリコンモノリシック、反転トライステート出力、TTL互換入力8ビットバッファ/ドライバ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 シリコンモノリシック、反転トライステート出力、TTL互換入力16ビットバッファ/ドライバ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力8ビット透明D型ラッチ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力8ビット透明D型ラッチ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換入力および出力制限電圧スイング、シリーズリレーおよびフォワードトライステート出力を備えた 16 ビットデュアルポートトランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95815 REV B-2007 デジタル 12 ビットデュアルチャネルアナログボディ - デジタルコンバーターハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、8192ビット、スイッチャブル、ショットキー、トライステート出力付きバイポーラPROM、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビットレジスタードバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 リセットボタン搭載シリコンモノリシックJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、構成可能なデュアル JK 双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えた8ビットバストランシーバー用のスキャンテストセットアップ
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 バイポーラ低電力トランジスタ六角形シュミットトリガーシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-77057 REV G-2005 シリコンモノリシックドライバ/レシーバ、ショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路用の8ビットバッファ
DLA SMD-5962-99576 REV C-2003 マイクロ回路、デジタルリニア、内部圧力基準デュアル 12 ビットプログラマブルデジタルアナログコンバータモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88534 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、セットおよびクリア付きデュアル JK フリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89701 REV B-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、リセットボタン付きクワッドDタイプ双安定マルチバイブレータフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 シリコンモノリシック、逆トライステート出力、TTL互換入力16ビットトランシーバーおよびラッチを装備、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換の入出力制限電圧スイング、デュアルデュアルポートレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 シリコンモノリシックトランジスタ-トランジスタ論理回路互換入力、プリセットおよびクリアなデュアルDタイプ双安定マルチバイブレータフリップフロップ、高度な相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力および直列リレー、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えた16ビットフォワードバッファ/ラインドライバ
DLA SMD-5962-98627 REV A-2007 マイクロ回路、リニア、バイポーラ修正ショットキートランジスタ論理回路、クリア信号とプリセット信号を備えたデュアルポジティブエッジトリガー D タイプフリップフロップ、単一シリコン
DLA SMD-5962-97592 REV A-2007 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、クリア信号とプリセット信号を備えた修正ショットキートランジスタ論理回路、デュアルポジティブエッジトリガー D 型フリップフロップ、単一シリコン
DLA SMD-5962-96736-1996 相補型金属酸化物半導体、シリコンモノリシック回路デジタル超小型回路 8ビット双方向相補型金属酸化物半導体またはトランジスタインターフェースコンバータ
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V ABT 18 ビットユニバーサルバスドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換入力および出力制限電圧スイング、トライステート出力付き 16 ビットエッジトリガー双安定マルチバイブレーター、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90616 REV A-2004 シリコンモノリシック、10ビットバスインターフェース双安定マルチバイブレータフリップフロップ、スリーステート出力、改良型低電力ショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路を装備
DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 二極二重接続アナログスイッチを備えた放射線耐性のある相補型金属酸化物半導体構造で構成されるリニアシングルシリコンマイクロ回路
DLA SMD-5962-89658 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット D タイプ双安定マルチバイブレータフリップフロップ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93217 REV B-1995 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力8ビットエッジトリガD型双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-93220 REV C-2000 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力8ビットエッジトリガD型双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き36ビットバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットレジスタードトランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87621 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、入力レジスタ付き 8 ビットバイナリカウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化物半導体、18ビットバスインターフェース、双安定マルチバイブレータ変換出力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 非トランジスタ互換入力を備えた相補型金属酸化膜半導体デジタルデュアル 4 入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-92274 REV B-1996 シリコンモノリシック、TTL互換入力および出力制限電圧スイング、シリーズリレーおよびトライステート出力を備えた16ビットエッジトリガ双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93026-1995 シリコンモノリシック、TTL互換入力および出力制限電圧振幅、直列リレーおよびトライステート出力を備えた8ビットエッジトリガ双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路

International Organization for Standardization (ISO), コロイドのダブルポテンシャル

ISO/CD 13099-2:2023 コロイド系のゼータ電位測定方法パート 2: 光学的方法
ISO 7455:1984 ムービースーパー 8mm タイプ II サウンドフィルムカメラのフィルムボックスには、フィルム速度に使用される溝と凸体、フィルムの識別とカラーバランスフィルター、サイズと位置に使用される溝と凸体があります。
ISO 3646:1976 ムービースーパー 8mm タイプ II フィルムカメラのフィルムボックスの溝、凸状の本体は、フィルム感度、カラーバランス、フィルム識別フィルムボックスの穴のサイズと位置を示すために使用されます。
ISO 1785:1972 スーパー8mm（1-4）タイプのフィルム穴をあけた16mmフィルムフィルムのスーパー8mm枠部分の位置とサイズ
ISO 1785:1983 スーパー8mm（1-4）タイプのフィルム穴をあけた16mmフィルムフィルムのスーパー8mm枠部分の位置とサイズ
ISO 3079:2022 酢酸二重電極法を用いた塩化物溶液中でのアルミニウムおよびアルミニウム合金の孔食電位の測定
ISO 1223:1993 フィルム技術、映画フィルムのフレームとテレビ用スライド、位置とサイズ。
ISO 13099-3:2014 コロイド系ゼータ電位の決定方法パート 3: 音響法
ISO 1223:1981 フィルム技術、映画フィルムおよびテレビ用スライドのフレーム領域、位置および寸法。
ISO 466:1976 フィルム上の16mmフィルムカメラの窓によって形成される画像の位置とサイズ
ISO 3775:1990 スーパー8mm(1-3)フィルム穴をあけた16mmフィルムに、スーパー8mmのコマ部分の位置とサイズをプリントしたフィルムです。
ISO 3067:1975 フィルムスーパー8mmタイプIムービーカメラのフィルムボックスフィルム感度、フィルムマーク、カラーバランスフィルターノッチマークの大きさと位置
ISO 3067:1983 フィルムスーパー8mmタイプIムービーカメラのフィルムボックスフィルム感度、フィルムマーク、カラーバランスフィルターノッチマークの大きさと位置
ISO 2906:1972 フィルム技術、フィルムカメラによって 35 mm フィルム上に形成される画像領域、位置とサイズ。
ISO 2906:2002 フィルム技術、フィルムカメラによって 35 mm フィルム上に形成される画像領域、位置とサイズ。
ISO 2907:2002 フィルム技術 35mm 映画フィルムに投影できる最大画像領域位置とサイズ
ISO 2907:1984 フィルム技術 35mm 映画フィルムに投影できる最大画像領域位置とサイズ
ISO 14309:2011 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴム体積および/または表面抵抗率の測定
ISO 6027:1980 映画映写用の 2 リールカセットで使用するスーパー 8 mm 映画フィルムの映写リールの寸法と仕様
ISO 5768:1998 16mm W型フィルムカメラのフィルム窓がフィルム上に結像する画像の位置と大きさ
ISO 5768:1996 フィルム技術 16mmフィルム上でW型フィルムカメラの窓によって結像される像の位置と大きさ
ISO 71:2014 映画 16mm、35/16mm、および 35/32mm 映画フィルム上の 16mm 光学サウンドストリップネガの記録位置と寸法
ISO 71:1977 映画 16mm、35/16mm、および 35/32mm 映画フィルム上の 16mm 光学サウンドストリップネガの記録位置と寸法
ISO 5768:1981 フィルム技術、16mm フィルム上の W タイプフィルムカメラの窓によって形成される画像、位置とサイズ。
ISO 3027:1984 映画技術、8 mm S タイプ映画フィルムの記録ヘッド用のスリットとテープ、位置と幅の寸法。
ISO 3067:1983/cor 1:1998 フィルムスーパー8mmタイプI映画用カメラの技術訂正事項1 フィルムボックスのフィルム感度、フィルムマークとノッチマークのサイズ、カラーバランスフィルターの位置
ISO 3026:1992 動画では、スーパー 8mm 2R-4.227 (1664) または 5R-4.234 (1667) のフィルム穴が開けられた 35mm フィルムフィルムに、スーパー 8mm フレーム領域の位置とサイズがプリントされます。
ISO 2906:1984 フィルム技術、35mm フィルム上のフィルムカメラの窓によって形成される画像領域、位置とサイズ。
ISO 2404:1979 フィルム技術、配布用の 70 mm フィルム上の 6 チャンネル磁気オーディオテープ、位置と寸法。
ISO 2967:1975 映画技術、穴あき 8 mm S-5R (1-3-5-7-0) タイプ 35 mm 映画フィルム上の声帯用磁気ストリップ、位置と幅の寸法
ISO 2967:1982 映画技術、穴あき 8 mm S-5R (1-3-5-7-0) タイプ 35 mm 映画フィルム上の声帯用磁気ストリップ、位置と幅の寸法
ISO 14309:2019 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴム、体積および/または表面抵抗率の測定
ISO 8205-1:2002 抵抗溶接水冷二次コイル接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件
ISO 8205-1:1993 抵抗溶接水冷二次コイル接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件
ISO 1201:1972 映画技術、映像を含む8mm映画フィルム、磁気音声テープの記録再生ヘッドのギャップと磁気テープの位置と幅

HU-MSZT, コロイドのダブルポテンシャル

MSZ 19155-1958 ガスメカニカルポンプ用ダブルターンモーター
MNOSZ 1572-1953 円筒ワイヤの単位の決定とグループの数

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), コロイドのダブルポテンシャル

IPC TM-650 2.5.24-1979 フレキシブルユニットケーブルの導体抵抗

Society of Motion Picture and Television Engineers (SMPTE), コロイドのダブルポテンシャル

SMPTE 257-1998 映画フィルム (35 mm)、サブフレームを垂直に配置した 3 次元映画プリント、投影可能な画像領域
SMPTE ST 257-1998 映画フィルム (35 mm) 垂直に配置されたサブフレームを備えた立体的に印刷された投影可能な画像領域
SMPTE 164-2002 映画フィルム（8mm Sタイプ）、磁気記録の位置、大きさ、再生速度
SMPTE 323M-1999 映画マルチチャンネルオーディオメディアのチャンネル割り当てとレベル
SMPTE ST 323M-2004 映画マルチチャンネルオーディオメディアのチャンネル割り当てとレベル
SMPTE 323M-2004 映画フィルム、マルチチャンネルビデオメディアのチャンネル割り当てとレベル
SMPTE ST 185-2011 映画フィルム (70 mm)、リリースプリントの 6 枚の磁気記録、位置、サイズ、再生速度、および同一性
SMPTE 185-2003 映画フィルム (70 mm) 6 つの磁気記録位置、サイズ、再生速度、リリース上のロゴ

Professional Standard - Chemical Industry, コロイドのダブルポテンシャル

HG/T 3838-2006 電位差滴定法によるゴム中の遊離硫黄の定量
HG/T 3838-2008 ゴム遊離硫黄含有量の測定電位差滴定法

American Society for Testing and Materials (ASTM), コロイドのダブルポテンシャル

ASTM B174-02 電気導体として使用されるツイストペア銅導体の標準仕様
ASTM B174-17 電気導体として使用されるツイストペア銅導体の標準仕様
ASTM D991-89(2005) ゴムの特性導電性ゴムおよび帯電防止ゴム製品の体積固有抵抗の試験方法
ASTM D899-00(2007) 単位面積当たりに塗布される液状接着剤の重量の標準試験方法
ASTM D899-00 単位面積当たりに塗布される液状接着剤の重量の標準試験方法
ASTM D898-96 単位面積当たりの粘着固形分の塗布重量に関する標準試験方法
ASTM D898-05 単位面積当たりの粘着固形分の塗布重量に関する標準試験方法
ASTM D899-00(2013) 単位面積当たりに塗布される液体接着剤の重量の標準的な方法
ASTM D2739-97 導電性接着剤の体積抵抗率の試験方法
ASTM D7952-15(2021) エアゾール製品の吸入可能性を測定するための標準試験方法
ASTM D2739-97(2010) 導電性接着剤の体積抵抗率の標準試験方法
ASTM D4325-20 非金属半導体および電気絶縁ゴムテープの標準試験方法
ASTM C1429-99 デュアルスタンドマルチコレクターガス質量分析計を使用した六フッ化ウランの同位体分析の標準試験方法
ASTM A928/A928M-08 ろう材添加電気融着溶接フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管の標準仕様
ASTM A928/A928M-08a ろう材添加電気融着溶接フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管の標準仕様
ASTM A928/A928M-05 ろう材添加電気融着溶接フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管の標準仕様
ASTM A928/A928M-00 ろう材添加電気融着溶接フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管の標準仕様
ASTM A928/A928M-11 フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管とフィラーメタルの電融溶接の標準仕様
ASTM A928/A928M-14(2021) ろう材添加電気融着溶接フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管の標準仕様
ASTM A928/A928M-13 フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管とフィラーメタルの電融溶接の標準仕様
ASTM A928/A928M-14 フェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管とフィラーメタルの電融溶接の標準仕様
ASTM C1871-22 熱イオン化質量分析法を使用した二峰性法によるウラン同位体組成を決定するための標準試験法
ASTM C1429-99(2004) 二重標準マルチコレクターガス質量分析計を使用した六フッ化ウランの同位体分析の標準試験方法
ASTM C1429-21 二重標準マルチコレクターガス質量分析計を使用した六フッ化ウランの同位体分析の標準試験方法
ASTM C1742-17 二重標準単一ガス質量分析による六フッ化ウランの同位体分析の標準試験法
ASTM C1871-18a 熱イオン化質量分析法を使用したバイスパイク法を使用してウラン同位体組成を決定するための標準試験方法
ASTM C1871-18 熱イオン化質量分析法を使用したバイスパイク法を使用してウラン同位体組成を決定するための標準試験方法
ASTM A928/A928M-04 フィラーメタルコンデンサ溶接によるフェライト系・オーステナイト系（二相）ステンレス鋼管の標準仕様
ASTM E1855-05 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを中性子スペクトルセンサーおよび変位損傷モニターとして使用するための標準試験方法
ASTM E1855-05e1 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを中性子スペクトルセンサーおよび変位損傷モニターとして使用するための標準試験方法
ASTM E1855-04 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを中性子スペクトルセンサーおよび変位損傷モニターとして使用するための標準試験方法
ASTM E1855-04e1 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを中性子スペクトルセンサーおよび変位損傷モニターとして使用するための標準試験方法
ASTM D991-89(2000)e1 ゴム特性の標準試験方法 &x2014; 導電性および帯電防止製品の体積抵抗率
ASTM D991-89(2020) ゴム特性の標準試験方法 &x2014; 導電性および帯電防止製品の体積抵抗率
ASTM D991-89(2014) 導電性および帯電防止製品の体積抵抗率ゴム特性の標準試験方法
ASTM C1429-99(2009) 二重標準マルチコレクターガス質量分析計を使用した六フッ化ウランの同位体分析の標準試験方法
ASTM E1855-10 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを使用した中性子スペクトルセンサーおよび変位損傷モニターの標準試験方法
ASTM C1429-99(2014) 二重標準マルチコレクターガス質量分析計を使用した六フッ化ウランの同位体分析の標準試験方法
ASTM C1742-10 二重標準シングルコレクタガス質量分析計法を使用した六フッ化ウランの同位体分析の標準試験法
ASTM D4388-20 非金属半導体・電気絶縁ゴムテープの標準仕様
ASTM E1855-96 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを中性子スペクトルセンサーおよび変位破壊モニターとして使用するための標準試験方法
ASTM E1855-15 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを中性子スペクトルセンサーおよび変位破壊モニターとして使用するための標準試験方法
ASTM E1855-20 2N2222A シリコンバイポーラトランジスタを中性子スペクトルセンサーおよび変位損傷ディスプレイとして使用するための標準試験方法
ASTM B651-83(2001) ダブルビーム干渉顕微鏡を使用して、ニッケル + クロムまたは銅 + ニッケル + クロム電気めっき表面の腐食領域を測定する試験方法
ASTM B651-83(1995) ダブルビーム干渉顕微鏡を使用して、ニッケル + クロムまたは銅 + ニッケル + クロム電気めっき表面の腐食領域を測定する試験方法
ASTM B651-83(2006) ダブルビーム干渉顕微鏡を使用して、ニッケル + クロムまたは銅 + ニッケル + クロム電気めっき表面の腐食領域を測定する試験方法
ASTM B651-83(2015) ダブルビーム干渉顕微鏡を使用して、ニッケル + クロムまたは銅 + ニッケル + クロム電気めっき表面の腐食領域を測定する試験方法
ASTM UOP212-05 炭化水素ガス中の硫化水素、硫化カルボニル、メルカプタンの電位差滴定測定
ASTM B651-83(2010) ダブルビーム干渉顕微鏡を使用して、ニッケル + クロムまたは銅 + ニッケル + クロム電気めっき表面の腐食領域を測定するための標準的な試験方法
ASTM D2770-01 電線およびケーブルの耐オゾン性エチレンプロピレンゴム全体の絶縁および被覆の標準仕様
ASTM D7704-24 電位差滴定によるスチレンモノマー中の総アルデヒドの定量のための標準試験法

RO-ASRO, コロイドのダブルポテンシャル

STAS 11315-1979 シネマ。シネマカメラと 16mm プロジェクターでのラテックスの配置とオーディオトラックの配置
STAS 11315-1987 シネマ。シネマカメラと 16mm プロジェクターでのラテックスの配置とオーディオトラックの配置
STAS 12124/1-1982 半導体装置。バイポーラトランジスタ。静電気パラメータの測定方法
STAS 11029-1987 映画撮影、35mm、16mm フィルムおよびテレビスライドの画像領域。場所と大きさ
STAS SR ISO 11427:1996 シルバージュエリー合金中の銀の定量。臭化カリウムを用いた体積（電位）測定

CL-INN, コロイドのダブルポテンシャル

INDITECNOR 55-14 回路導体用ゴムカバー: 説明書
INDITECNOR 55-15 回路導体用ゴムカバー：試験

British Standards Institution (BSI), コロイドのダブルポテンシャル

BS ISO 13099-3:2014 コロイド系、起電力の測定方法、音響法
BS ISO 7343:1995 フィルム技術、35 mm フィルムプリントのバイノーラル写真記録、位置と幅の寸法。
BS ISO 6038:1995 映画テクノロジー、70mm、65mm、35mm、16mm 映画フィルムで使用されるスプライシング、寸法と位置。
BS EN ISO 2286-2:1998 ゴムまたはプラスチックでコーティングされた布地コイルパラメータの決定コーティングの単位面積あたりの総質量、コーティングの単位面積あたりの質量、および基材の単位面積あたりの質量の決定方法
21/30408318 DC BS ISO 3079。酢酸を使用した塩化物溶液中でのアルミニウムおよびアルミニウム合金の孔食電位を測定するための 2 電極法
BS ISO 5768:1999 フィルム技術 16mm W 型フィルムカメラの窓によってフィルム上に形成される画像位置とサイズ
BS ISO 2906:2002 フィルム技術カメラのシャッターを使用して 35 mm 映画フィルム上に形成される画像領域位置とサイズ
BS ISO 1785:1983 フィルム技術穴あき 8mm、S(1-4) タイプ 16mm 映画フィルムポジ 8mm、S タイプ画像位置とサイズ
BS ISO 1785:1996 フィルム技術パーフォレーション 8mm、S (1-4) タイプ 16mm フィルムフィルムポジ 8mm、S タイプ絵の位置とサイズ
BS EN 60444-2:1997 水晶振動子のパラメータ測定位相シフト法水晶片の動的静電容量の測定
BS ISO 14309:2011 ゴム、加硫ゴムまたは熱可塑性ゴム、体積抵抗率と表面抵抗率の測定
BS ISO 2907:2002 写真用35mm映画フィルム上で投影可能な最大画像領域の位置とサイズ
BS ISO 70:1981 映画撮影 35 mm 映画フィルムのモノラル 35 mm ネガ写真サウンド録音位置および最大幅寸法
BS ISO 70:1995 映画撮影用モノラル 35mm ネガ写真の記録位置と 35mm 映画フィルムの最大幅寸法
BS PD IEC/TS 62804-1:2015 太陽光発電 (PV) モジュール、電位による劣化を検出するための試験方法、結晶シリコン
BS EN 50090-5-2:2020 ホームおよびビルディング電子システム (HBES) メディアおよびメディア依存層 HBES カテゴリ 1 ツイストペアベースのネットワーク
BS EN 3475-801:2002 航空宇宙シリーズ航空機用ケーブル試験方法単位長さあたりの導体の静電容量
BS EN 62021-1:2003 絶縁性液体酸性度の測定その 1: 自動電位差滴定法
BS ISO 24173:2009 マイクロビーム解析、後方散乱電子回折を使用した方位角測定の基準
BS EN 61190-1-2:2002 電子アセンブリ用接続材料電子アセンブリにおける高品質の相互接続用の固形接着剤。
BS EN 50520:2020 地下施設における埋設ケーブルまたは埋設パイプの保護および位置警告用のカバーおよびテープ
BS EN 50520:2020+A1:2021 地下施設における埋設ケーブルまたは埋設パイプの保護および位置警告用のカバーおよびテープ
BS ISO 5768:1998 写真撮影 16mmフィルム上のW型カメラ絞りによる画像の位置と大きさ
BS ISO 2967:1996 映画撮影穴あき 8mm S-5R タイプ (1-3-5-7-0) 35mm 映画フィルムに記録するための磁気ストリップの位置と幅の寸法
BS ISO 71:2014 映画技術 16 mm、35/16 mm、35/32 mm 映画フィルム上の 16 mm ネガ光学サウンドトラック位置と寸法
BS ISO 6038:1993 70mm、65mm、35mm、16mm 映画フィルムの写真の継ぎ合わせサイズと位置
BS IEC 62899-503-1:2020 プリンテッドエレクトロニクス製品の品質評価のためのプリンテッド薄膜トランジスタの変位電流測定試験方法

Society of Automotive Engineers (SAE), コロイドのダブルポテンシャル

SAE ARP4945A-2003 航空宇宙用途向けのダイレクトドライブ油圧 3 方向 2 位置ソレノイドバルブ
SAE AMS2759/10-1999 窒化電位による自動ガス窒化処理
SAE AMS2759/10A-2014 窒化電位による自動ガス窒化処理

CU-NC, コロイドのダブルポテンシャル

NC 61-24-1985 テレビ。フィルムリールと TV スライドショーの画像領域。場所と大きさ
NC 64-12-1990 写真のアプリケーションとテクニック。ネガフィルムの音声を16mm、35/16mm、35/32mmフィルムに録音。場所と大きさ
NC 64-10-1990 写真のアプリケーションとテクニック。 16mmフィルムのW型カメラ穴から生成されるフィルム画像。場所と大きさ

IT-UNI, コロイドのダブルポテンシャル

UNI 6497-1969 ムービーカメラのフィルム上の画像と投影された画像のサイズと位置。 8mmフィルム

Association Francaise de Normalisation, コロイドのダブルポテンシャル

UTE C15-106U*UTE C15-106:2003 保護導体、接地導体、等電位ボンディング導体の断面図
NF X20-379:1979 ガス分析、酸素分析、液体またはゲルの電気分解のための電気化学的方法。
NF ETS 300118:1993 電気通信 - 公衆交換電話網 (PSTN) への接続 - クラス II 接続条件 (草案)
NF EN 62021-1:2004 絶縁性液体の酸性度の測定その 1: 自動電位差滴定
NF EN ISO 24197:2022 電子タバコ製品 - 蒸発した電子リキッドの質量と収集されたエアロゾルの質量の測定
FD D90-307*FD CEN/TR 17236:2020 電子タバコおよび電子リキッドエアロゾル製品のエアロゾルに含まれる測定対象成分
NF C93-622*NF EN 60444-2:2001 π型ネットワークの零位相法による水晶デバイスパラメータの測定その2：水晶デバイスの動的容量測定における位相補償法
NF C27-261*NF EN 62021-1:2004 絶縁性液体の酸性度の測定その1：自動電位差滴定法
FD CEN/TR 17236:2020 電子タバコおよび電子リキッド - 電子タバコ製品のエアロゾル中の含有量を測定する必要がある成分
NF C93-430-3*NF EN 60603-3:1998 MHz 未満の周波数用のプリント基板コネクタパート 3: 中心位置でのコンタクト間隔が 2.54 mm (0.1 インチ) で、千鳥状の端子位置を備えたプリント基板の 2 つの部分からなるコネクタ
NF C93-430-4*NF EN 60603-4:1998 MHz 未満の周波数用のプリント基板コネクタパート 4: 中心位置でのコンタクト間隔が 1.91 mm (0.075 インチ) で、端子位置が千鳥状になっているプリント基板の 2 つの部分からなるコネクタ
NF ETS 300115:1993 電気通信および交換電話網 (PSTN) 接続標準クラス II PSTN への 300 ビット/秒デュプレックスモデムの接続条件 (NET 21 ドラフト)
NF M07-013:1982 液体燃料および潤滑剤航空燃料の酸化安定性電位差残留法
NF ETS 300116:1993 電気通信 - 交換電話網 (PSTN) への接続 - PSTN 用に標準化された 1,200 ビット/秒のデュプレックスモデムのクラス II 接続条件 (NET 22 ドラフト)。
NF E48-412*NF ISO 6952:1995 流体動力システムおよびコンポーネント用のアース付き 2 ピン電気コネクタの特性と要件
NF ETS 300002:1994 電気通信 - 交換電話網 (PSTN) への接続 - PSTN への標準 9,600 または 4,800 ビット/秒のデュプレックスモデムのクラス II 接続の条件 (ドラフト NET 25)。
NF EN 50216-2/A1:2003 電力変圧器およびインダクタ用アクセサリ - パート 2: 防腐剤を含む液体誘電体に浸漬された変圧器およびリアクトル用の保護リレー (ガス漏れ、オイルレベル)
NF EN 50216-2:2002 電力変圧器およびインダクタ用アクセサリ - パート 2: 防腐剤を含む液体誘電体に浸漬された変圧器およびリアクトル用の保護リレー (ガス漏れ、オイルレベル)

PL-PKN, コロイドのダブルポテンシャル

PN T90602-1964 固体ポリエチレン絶縁を備えたデュアル RF ケーブル
PN C99260-04-1986 フィルム技術用の感光材料。白黒ポジ映画フィルムの利用可能な定性的特性

GOSTR, コロイドのダブルポテンシャル

GOST 18604.19-1988 バイポーラトランジスタの閾値電圧の測定方法
GOST 32462-2013 液体石油製品中のメルカプタン硫黄を電位差測定法で測定する

VE-FONDONORMA, コロイドのダブルポテンシャル

NORVEN 545-1971 回路絶縁テープの試験方法

YU-JUS, コロイドのダブルポテンシャル

JUS H.F8.124-1986 ガス。酸素含有量の測定。液体またはコロイド電解質を使用する電気化学的方法
JUS N.R9.031-1986 圧電振動子。水晶コンポーネント。 2 ラインの結晶ホルダーのプロファイル、タイプ 08、π 型ネットワークのゼロ位相技術で測定
JUS N.C0.048-1985 電気と照明。絶縁導体とケーブルのテスト。平型二重絶縁電線管コアの分離性

Standard Association of Australia （SAA）, コロイドのダブルポテンシャル

AS 1683.23:2000 人工ゴムの試験方法加硫ゴムの耐液性の測定

SE-SIS, コロイドのダブルポテンシャル

SIS SEN 24 02 91-1968 ゴムおよび熱可塑性材料で絶縁されたフラット 2 芯フレキシブルワイヤおよびケーブル。 ZKY型
SIS SEN 24 02 90-1968 ゴム・熱可塑性材料絶縁電線・ケーブル平角二芯フレキシブル電線 SKYタイプ
SIS SS 421 08 22-1987 爆発性ガス環境における等電位接合
SIS SS 436 02 20-1981 架線交差点。電気通信線の下にある低圧線。二相中性線

CZ-CSN, コロイドのダブルポテンシャル

CSN 35 8490 Z1-1996 発振器およびフィルタ用圧電水晶振動子
CSN 35 8757 Cast.12-1989 バイポーラトランジスタ。コレクタ。エミッタ耐圧のパルス測定方法
CSN 34 7470-8 Z1-1999 ゴム製のケーブルとワイヤー。定格電圧は450/750ボルト以内です。パート 8: ネオプレン絶縁体またはその他の合成装飾チェーンを備えたケーブル

IN-BIS, コロイドのダブルポテンシャル

IS 3400 Pt.15-1971 加硫ゴムの試験方法第 XV 導電性および帯電防止ゴムの体積抵抗率
IS 9728-1981 水晶振動子の移動容量測定における位相シフト法の仕様
IS 434 Pt.1-1964 銅導体を使用したゴム絶縁ケーブルの仕様パート I
IS 434 Pt.2-1964 アルミニウム導体を備えたゴム絶縁ケーブルの仕様パート II

Underwriters Laboratories (UL), コロイドのダブルポテンシャル

UL 497E BULLETIN-2007 2導体通信回路安全保護装置のUL規格

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, コロイドのダブルポテンシャル

JEDEC JEB15-1969 双安定半導体微細回路測定の用語と方法

Danish Standards Foundation, コロイドのダブルポテンシャル

DS/ETS 300118:1997 公衆交換電話網 (PSTN) 1200 ビット/秒の半二重モデムおよび 1200/75 ビット/秒の非対称二重モデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
DS/EN ISO 12732:2008 ダブルループ法（Cihal法に基づく）を使用した電気化学的定位力学的再活性化を使用した金属および合金の腐食測定
DS/EN 60454-3-19:2003 電気用途粘着テープ第3部：各種材質仕様 19ページ：各種基材を使用した両面粘着テープ
DS/EN 62021-1:2004 絶縁性液体の酸性度の測定その 1: 自動電位差滴定
DS/ETS 300116:1997 公衆交換電話網 (PSTN) 1200 ビット/秒のデュプレックスモデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
DS/ETS 300117:1997 公衆交換電話網 (PSTN) 2400 ビット/秒のデュプレックスモデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
DS/ETS 300115:1998 公衆交換電話網 (PSTN) で使用するために標準化された 300 ビット/秒の二重モデムのクラス II 仕様

Lithuanian Standards Office , コロイドのダブルポテンシャル

LST ETS 300 118-1997 公衆交換電話網 (PSTN) 1200 ビット/秒の半二重モデムおよび 1200/75 ビット/秒の非対称二重モデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
LST ETS 300 118 Leid.1-2005 公衆交換電話網 (PSTN) への接続、PSTN (候補 NET 24) での使用のために標準化された 1200 ビット/秒半二重モデムおよび 1200/75 ビット/秒非対称二重モデムのクラス II 接続要件
LST EN ISO 12732:2008 ダブルループ法 (Cihal 法に基づく) を使用した電気化学的電位差再活性化によって測定される金属および合金の腐食 (ISO 12732:2006)
LST ETS 300 002 Leid 2-1997 公衆交換電話網 (PSTN) PSTN で使用する 9600 または 4800 ビット/秒の二重モデムのクラス II 仕様
LST EN 60454-3-19-2004 電気用途用の感圧テープパート 3: 個々の材料の仕様 19 ページ: さまざまな基材から作られた両面感圧テープ (IEC 60454-3-19:2003)
LST ETS 300 117-1997 公衆交換電話網 (PSTN) 2400 ビット/秒のデュプレックスモデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
LST ETS 300 116-1997 公衆交換電話網 (PSTN) 1200 ビット/秒のデュプレックスモデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
LST EN 62021-1-2004 絶縁性液体の酸性度の測定パート 1: 自動電位差滴定 (IEC 62021-1:2003)

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, コロイドのダブルポテンシャル

ETS 300 118-1996 公衆交換電話網 (PSTN); 1200 ビット/秒の半二重および 1200/75 ビット/秒の非対称二重モデムのクラス II 仕様。 PSTN での使用のために標準化されています。
PRETS 300 118-1996 公衆交換電話網 (PSTN); 1200 ビット/秒の半二重および 1200/75 ビット/秒の非対称二重モデムのクラス II 仕様、PSTN リリース 2 用に標準化
PRETS 300 115-1997 公衆交換電話網 (PSTN)、PSTN 用 300 ビット/秒二重モデムのクラス II 仕様 (第 2 版)
PRETS 300 118-1995 端末装置 (TE)、公衆交換電話網 (PSTN) のアクセサリ、PSTN リリース 2 用に標準化された 1200 ビット/秒の半二重および 1200/75 ビット/秒の非対称二重モデムのクラス II 接続要件
ETS 300 115-1997 公衆交換電話網 (PSTN) PSTN 用 300 ビット/秒二重モデムのクラス II 仕様 (第 2 版)
PRETS 300 116-1996 公衆交換電話網 (PSTN)、PSTN Edition 2 標準化で使用される 1200 ビット/秒の二重モデムのクラス II 仕様
ETS 300 117-1996 公衆交換電話網 (PSTN); PSTN での使用のために標準化された 2,400 ビット/秒の二重モデムのクラス II 仕様
ETS 300 116-1996 公衆交換電話網 (PSTN)、PSTN で使用するために標準化された 1200 ビット/秒のデュプレックスモデムのクラス II 仕様

U.S. Military Regulations and Norms, コロイドのダブルポテンシャル

ARMY MIL-PRF-62528 A-1996 DC デュアル電流制限 28 ボルト固体回路モータージェネレーターレギュレーター

AENOR, コロイドのダブルポテンシャル

UNE-ETS 300118:1993 公衆交換電話網 (PSTN) のアクセサリ PSTN での使用のために標準化された、1200 ビット/秒半二重モデムおよび 1200/75 ビット/秒非対称二重モデムのカテゴリ 2 アクセサリ要件
UNE-ISO 8309:2005 冷蔵軽質炭化水素流体用の液化ガス貯蔵タンク内の液面を測定するための静電容量計
UNE-EN 60454-3-19:2004 電気用途粘着テープ第3部：各種材質仕様 19ページ：各種基材を使用した両面粘着テープ
UNE-EN 62021-1:2004 絶縁性液体の酸性度の測定その 1: 自動電位差滴定

United States Navy, コロイドのダブルポテンシャル

NAVY MIL-T-82355-1966 ツインブイベースのアビオニクスツールボックストレイン

FI-SFS, コロイドのダブルポテンシャル

SFS 5531-1989 ゴム引きケーブルの定格電圧は 450/750V を超えません。合計要件

European Standard for Electrical and Electronic Components, コロイドのダブルポテンシャル

CECC 90 104- 013 ISSUE 2 NL CECC 90 104-013 第 2 号。 FS 90 104 に準拠したデジタル集積回路。 HEC/HEF 4015B、デュアル 4 ビットスタティックシフトレジスタ (英語)
CECC 90 104- 029 ISSUE 2 NL CECC 90 104-029 第 2 号。 FS 90 104、HEC/HEF 4035B に準拠したデジタル集積回路、4 ビット双方向汎用シフトレジスタ (英語)

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, コロイドのダブルポテンシャル

DB4401/T 115-2021 電位差滴定法を使用した使用中の有機熱媒体の酸価の測定

Professional Standard - Radio Television Film, コロイドのダブルポテンシャル

GY 41-1987 35mm単体立体映画の撮影フレーム位置とサイズ
GY 43-1987 16mm単体立体フィルムコピーのフレーム位置とサイズ

国家能源局, コロイドのダブルポテンシャル

NB/SH/T 0995-2019 電位差滴定法による流動パラフィンおよびホワイトオイルの臭素指数の測定

BR-ABNT, コロイドのダブルポテンシャル

ABNT EB-59-1958 加硫天然ゴム配合物で絶縁された導電体
ABNT MB-125-1958 加硫天然ゴム配合物を含む絶縁導電体の試験方法

Aerospace Industries Association, コロイドのダブルポテンシャル

AIA NAS 4123-1995 デュアルインラインパッケージ（DIP）ヒートシンク、電気・電子部品、半導体装置

Aerospace Industries Association/ANSI Aerospace Standards, コロイドのダブルポテンシャル

AIA/NAS NAS4123-2012 デュアルインラインパッケージ（DIP）ヒートシンク、電気・電子部品、半導体デバイス

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., コロイドのダブルポテンシャル

NAS4123-1995 デュアルインラインパッケージ (DIP) ヒートシンク電気電子部品半導体デバイス
NAS4123-2012 デュアルインラインパッケージ (DIP) の半導体デバイス用電気電子部品用ヒートシンク (改訂 1)

Association of German Mechanical Engineers, コロイドのダブルポテンシャル

VDI 3486 Blatt 1-1979 ガス排出量の測定、硫化水素濃度の測定、電位差滴定

European Committee for Standardization (CEN), コロイドのダブルポテンシャル

EN ISO 2286-2:2016 ゴムまたはプラスチックでコーティングされた生地ローラーの特性の測定第 2 部: 単位面積あたりの全体の質量、単位面積あたりのコーティングの質量、および単位面積あたりの基布の質量の測定方法。
EN ISO 2286-2:1998 ゴムまたはプラスチックでコーティングされた生地ローラー特性の決定パート 2: 単位面積あたりの総質量、単位面積あたりのコーティングの質量、および単位面積あたりの基布の質量の測定方法、ISO 2286-2-1998 を置き換える
CEN/TR 17236:2018 電子タバコおよび電子リキッドエアロゾル製品のエアロゾルに含まれる測定対象成分
EN ISO 8205-1:1996 抵抗溶接水冷二次コイル接続ケーブルパート 1: 2 芯接続ケーブルの寸法と要件

BE-NBN, コロイドのダブルポテンシャル

NBN 28-1947 低電圧および中電圧電力網で使用する二重ベル付きがいしに関する詳細
NBN C 63-439-4-1990 導体、ケーブル配線、および位置決めおよび標準機器用のジョイント用のプロファイルスチールシステムおよびアクセサリ

ES-UNE, コロイドのダブルポテンシャル

UNE-EN ISO 12732:2008 ダブルループ法 (Cihal 法に基づく) を使用した電気化学的電位差再活性化測定を使用した金属および合金の腐食
UNE-EN 60444-2:1997 PIネットワークにおける水晶振動子パラメータのゼロ位相測定その2: 水晶部品の動的静電容量測定のための位相シフト法

IPC - Association Connecting Electronics Industries, コロイドのダブルポテンシャル

IPC TM-650 2.5.5.3C-1987 材料の誘電率（誘電率）と損失正接（誘電正接）（二流体セル法）
IPC TM-650 2.3.13A-2004 電位差滴定および目視滴定による液体フラックスの酸価の測定

CO-ICONTEC, コロイドのダブルポテンシャル

ICONTEC 991-1983 エレクトロニクス。ポリエチレン被覆都市型二重絶縁電話機本体内用コード

未注明发布机构, コロイドのダブルポテンシャル

BS IEC 60747-7-5:2005 半導体デバイス - ディスクリートデバイスパート 7-5: パワースイッチングアプリケーション用のバイポーラトランジスタ

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, コロイドのダブルポテンシャル

EN 60169-25:1993 無線周波数コネクタパート 25: 内側穴と外側導体の内径が 13.56 mm (0.534 インチ) TWHN タイプの二重内部導体シールド対称ケーブルに使用する 2 列ネジ

CEN - European Committee for Standardization, コロイドのダブルポテンシャル

PD CEN/TR 17236:2018 電子タバコおよび電子リキッドエアロゾル製品のエアロゾルに含まれる測定対象成分

US-ACEI, コロイドのダブルポテンシャル

IPC TM-650 2.3.13-1995 電位差滴定および目視滴定による液体フラックスの酸価の測定

ZA-SANS, コロイドのダブルポテンシャル

SANS 1574-5:2007 固体押出誘電絶縁体を備えた柔軟なコアワイヤ、ワイヤおよびケーブル。パート 5: ゴム絶縁電線およびケーブル
SANS 1574-4:2007 固体押出誘電絶縁体を備えた柔軟なコアワイヤ、ワイヤおよびケーブル。パート 4: ゴム絶縁コアとワイヤ

International Electrotechnical Commission (IEC), コロイドのダブルポテンシャル

IEC 62021-1:2003 絶縁性液体酸性度の測定その 1: 自動電位差滴定法
IEC 60444-2:1980 π型ネットワークゼロ位相技術を用いた水晶部品のパラメータ測定その2：水晶部品の動的静電容量を測定するための位相オフセット法

International Telecommunication Union (ITU), コロイドのダブルポテンシャル

ITU-T D.150 SUPP 1-2012 （プレリリース）国際電話料金の新制度補足１：複雑な二国間協定一覧
ITU-T V.32BIS-1991 最大 14400 ビット/秒のデータ信号速度で動作する二重モデムで、一般の交換電話網および専用の 2 線式 2 線式電話回線で使用できます。

Group Standards of the People's Republic of China, コロイドのダブルポテンシャル

T/CEC 155-2018 柔軟な電力伝送を実現するプレスフィット絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) デバイスの一般要件
T/NAIA 0194-2023 アガロースゲル電気泳動による一本鎖抗体真核生物発現プラスミドの決定

ATIS - Alliance for Telecommunications Industry Solutions, コロイドのダブルポテンシャル

T1.253-1999 北米電気通信システムの電気通信情報交換コードの説明と位置エンティティ識別コード (: 2005)

AR-IRAM, コロイドのダブルポテンシャル

IRAM 2031-P.-1948 導電体繊維（ゴム等の代替品）の外層の絶縁検査

Aerospace, Security and Defence Industries Association of Europe (ASD), コロイドのダブルポテンシャル

ASD-STAN PREN 2016-1982 航空宇宙シリーズ。ベアリング。カドミウムメッキ鋼製機械本体用硬質複列自動調心玉軸受、直径サイズシリーズ 2、第 3 版
ASD-STAN PREN 2017-1982 航空宇宙シリーズ。ベアリング。直径シリーズ 2 の耐食鋼ボディ用硬質複列自動調心玉軸受、第 3 版