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ウエハース

ウエハースは全部で 51 項標準に関連している。

ウエハース 国際標準分類において、これらの分類：砂糖、砂糖製品、でん粉、ゴム・プラスチック製品、抵抗器、ガラス、半導体ディスクリートデバイス、電子および通信機器用の電気機械部品、半導体材料、集積回路、マイクロエレクトロニクス、非鉄金属製品、長さと角度の測定、光学および光学測定、エネルギー・伝熱工学総合、事務用機械、環境を守ること、総合電子部品。

Malaysia Standards, ウエハース

MS 1433-1998 ウェハ仕様

IN-BIS, ウエハース

IS 2397-1988 ウェハ仕様

HU-MSZT, ウエハース

MSZ 2024-1979 ウェーハ合金

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), ウエハース

KS B 2813-2019 ウエハ形ゴムシートバタフライバルブ

Group Standards of the People's Republic of China, ウエハース

T/CASME 533-2023 高温耐性プラスチック製ウェハボックス
T/ZZB 2883-2022 デュアルキャップウェハー巻線抵抗器
T/CASMES 125-2022 ウェーハの薄化とダイシングの技術仕様
T/SZBX 018-2021 ウェハレベルチップサイズパッケージング製品
T/JSSIA 0006-2021 ウェーハレベルファンアウトパッケージ外形寸法
T/JSSIA 0004-2017 ウェハレベルチップスケールパッケージ（WLCSP）の外形寸法
T/JSSIA 0003-2017 ウェーハレベルチップスケールパッケージ (WLCSP) ファミリスペクトル
T/CZSBDTHYXH 001-2023 半導体ウェーハ欠陥自動光学検査装置
T/CIE 146-2022 MEMS（微小電気機械）デバイスのウエハ接合試験の評価方法
T/CESA 1081-2020 半導体集積回路製造ウェーハグリーンファクトリーの評価要件

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, ウエハース

GB/T 34177-2017 フォトリソグラフィー用石英ガラスウェーハ
GB/T 33657-2017 ナノテクノロジーウェーハレベルのナノスケール相変化メモリユニットの電気的動作パラメータのテスト仕様

Aerospace Industries Association, ウエハース

AIA NAS 4117-1996 ヒートシンクインシュレーターウエハータイプ

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., ウエハース

NAS4117-1996 ヒートシンクインシュレーターウエハータイプ
NAS912-2012 CNC ウェーハ研削盤 (リビジョン 5)
NAS4117-2012 ヒートシンク絶縁体ウェハータイプ (リビジョン 1)

British Standards Institution (BSI), ウエハース

BS EN 62047-9:2011 半導体デバイス、マイクロ電子機械デバイス、MEMSのウェハ間接合強度測定
BS EN 62047-9:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイスMEMSのウェハ間接合強度測定
BS IEC 62047-34:2019 ウエハ上のMEMSピエゾ抵抗感圧デバイスの半導体デバイス微小電気機械デバイスの試験方法

Aerospace Industries Association/ANSI Aerospace Standards, ウエハース

AIA/NAS NAS4117-2012 ヒートシンク、インシュレーター、ウェハータイプ (Rev 1)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, ウエハース

EN 50513:2009 ソーラーウェーハ：太陽光発電の製造に使用される結晶シリコンウェーハのデータシートと製品情報
EN 62435-5:2017 電子部品電子半導体デバイスの長期保管パート 5: ダイおよびウェハデバイス

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, ウエハース

JEDEC JEP001A-2014 ファウンドリプロセス認定ガイド (ウェーハファブ)
JEDEC JEP160-2011 電子固体ウェーハ、チップ、デバイスの長期保管
JEDEC JESD22-B118-2011 半導体ウエハおよびチップ裏面の外観検査
JEDEC JESD241-2015 バイアス温度の不安定性に対するウェーハレベルの DC 特性評価手順

Shanghai Provincial Standard of the People's Republic of China, ウエハース

DB31/ 506-2010 集積回路ウェーハ製造のエネルギー消費制限
DB31/ 506-2020 集積回路ウェーハ製造における単位製品あたりのエネルギー消費制限

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, ウエハース

GB/T 26044-2010 信号伝送用の枚葉銅線とその素線
GB/T 41853-2022 半導体デバイスとMEMSデバイスのウエハ間の接合強度の測定
GB/T 42706.5-2023 電子部品、半導体デバイスの長期保管パート 5: チップとウェーハ

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, ウエハース

DB13/T 5865-2023 ウェーハ表面粒度検査装置の校正方法

IET - Institution of Engineering and Technology, ウエハース

SILI WAFER BOND TECH VLSI MEMS APPL-2002 VLSIおよびMEMSアプリケーション向けのシリコンウェーハ接合技術

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, ウエハース

CNS 13805-1997 光電子半導体ウェーハの光レーザースペクトル測定方法

工业和信息化部, ウエハース

SJ/T 11761-2020 200mm以下のウエハ用半導体製造装置のロードポート仕様

American Society for Testing and Materials (ASTM), ウエハース

ASTM F92-93(1998) 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジプロファイルの標準試験方法
ASTM F928-93(1999) 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジプロファイルの標準試験方法

未注明发布机构, ウエハース

BS EN 62047-9:2011(2012) 半導体デバイス―微小電気機械デバイス第9部：MEMSウェーハ間の接合強度測定

German Institute for Standardization, ウエハース

DIN EN 62047-9:2012-03 半導体デバイス微小電気機械デバイス第9部：MEMSウェハ間接合強度測定

ES-UNE, ウエハース

UNE-EN 62047-9:2011 半導体デバイス微小電気機械デバイス第9部：MEMSウェハ間接合強度測定
UNE-EN 62435-5:2017 電子部品電子半導体デバイスの長期保管パート 5: チップおよびウェハデバイス

Danish Standards Foundation, ウエハース

DS/EN 62047-9:2011 半導体デバイス用微小電気機械デバイス第9回 MEMSのウェハ間接合強度の測定

Association Francaise de Normalisation, ウエハース

NF EN 62047-9:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 9: 2 枚のウェーハの MEMS 接合抵抗測定
NF C96-435-5*NF EN 62435-5:2017 電子部品電子半導体デバイスの長期保管第 5 部チップおよびウェハデバイス
NF EN 62435-5:2017 電子部品半導体電子デバイスの長期保管第5部チップデバイスとウエハ

PH-BPS, ウエハース

PNS IEC 62435-5:2021 電子部品電子半導体デバイスの長期保管パート 5: チップおよびウェハデバイス

Lithuanian Standards Office , ウエハース

LST EN 62047-9-2011 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 9: MEMS ウェーハ間接合強度測定 (IEC 62047-9:2011)

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