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シリコンの3次ピーク

シリコンの3次ピークは全部で 280 項標準に関連している。

シリコンの3次ピーク 国際標準分類において、これらの分類：分析化学、化学製品、金属材料試験、無駄、集積回路、マイクロエレクトロニクス、半導体ディスクリートデバイス、整流器、コンバータ、安定化電源、非鉄金属、総合電子部品、ゴム、非金属鉱物、半導体材料、建材、製造成形工程、無線通信、繊維製品、バルブ、通信システム、オープンシステム相互接続 (OSI)、金属鉱石、ガラス。

National Aeronautics and Space Administration (NASA), シリコンの3次ピーク

NASA-CR-191413-1992 境界層遷移のシミュレーションピーク位相許容

工业和信息化部, シリコンの3次ピーク

YS/T 1300-2019 ガスクロマトグラフィー質量分析によるクロロシラン中のメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシランおよびメチルトリクロロシランの定量
YS/T 1060-2015 ガスクロマトグラフィーによるシリコンエピタキシー用トリクロロシラン中のその他のクロロシランの定量
YS/T 1059-2015 ガスクロマトグラフィーによるシリコンエピタキシー用トリクロロシラン中の全炭素の定量
YS/T 1301-2019 ガスクロマトグラフィー質量分析によるクロロシラン中のオキシ塩化リンおよび三塩化リンの定量
YB/T 6037-2022 波長分散型蛍光X線分析法（溶融平板法）による溶融マグネシアクロム砂中の酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化カルシウム、二酸化チタン、三酸化クロム、酸化第二鉄の含有量の定量

Group Standards of the People's Republic of China, シリコンの3次ピーク

T/CHBAS 11-2021 トリメチルシリルトリフレートの定量方法
T/CAMMT 43-2022 3次元ラインレーザーによる航空機外板継ぎ目の隙間検出手法
T/HZAS 17-2021 食品接触用シリコーンペーパー中の水素化テルフェニルの移行量の測定?ガスクロマトグラフィー質量分析法

Association Francaise de Normalisation, シリコンの3次ピーク

NF T77-154:1987 工業用アルカリ性シリコーン樹脂シラントリオール基含有量の測定（シラントリオール含有量0.5％（m/m）未満）ガスメーター法
NF T77-161:1988 工業用アルカリ性シリコーン樹脂ポリジメチルシロキサンシラントリオール基含有量の測定（シラントリオール含有量 0.01% cm/m 未満）ガスクロマトグラフィー
NF ISO 23812:2009 多三角層標準物質を用いた表面化学分析二次イオン質量分析のためのシリコン深さ校正法

U.S. Military Regulations and Norms, シリコンの3次ピーク

ARMY A-A-52573 A-2003 方向測定用セオドライト: 3 次

Professional Standard - Chemical Industry, シリコンの3次ピーク

HG/T 4683-2014 トリクロロシランが漏洩した場合の対処方法
HG/T 3743-2004 ビス-[プロピルトリエトキシシラン]-テトラスルフィドとシリカの混合シランカップリング剤
HG/T 3739-2004 ビス-[プロピルトリエトキシシラン]-テトラスルフィドとN-330カーボンブラックの混合シランカップリング剤

RO-ASRO, シリコンの3次ピーク

SR 5063/9-1993 炭化ケイ素。酸化第二鉄含有量の測定
STAS 9163/6-1989 シリコンアルミニウム鉱物製品。酸化アルミニウムの定量
STAS 9163/5-1973 シリコンとアルミニウムの混合品です。酸化第二鉄の測定
STAS 9281/6-1974 炭化ケイ素耐火物。三酸化アルミニウム含有量の測定
STAS E 12744-1989 鋳造用の珪砂です。酸化第二鉄、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、二酸化チタン、酸化カルシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、二酸化ケイ素の含有量の測定

Defense Logistics Agency, シリコンの3次ピーク

DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック8段シフトレジスタ/ラッチ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-98622 REV A-1999 マイクロ回路、デジタルタイプ、耐放射線強化改良型 CMOS、3 ウェイ 3 出力 AND ゲート、単一シリコン
DLA SMD-5962-86802 REV F-2012 トライステートバッファ出力を備えたマイクロ回路、リニア、アナログ-デジタルコンバータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/153 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、TTL、トライステート出力付きクワッドバスバッファゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-77026 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、CMOS、トライステート出力付きクワッド R/S ラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93253 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きクワッドバッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84096 REV H-2009 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96818 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビット D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 ビット双方向トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86825 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きクワッド D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/421 A VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、ショットキーTLL、トライステート出力付き入出力ポート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85001 REV E-2011 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 16 進バッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85002 REV F-2011 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 16 進バッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体デジタルトリプルトリプル入力非トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-89758-1992 スリーステート出力、高速デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシック、9 ビットバッファ付き無方向ラッチ
DLA SMD-5962-80021 REV J-2005 シリコンモノリシックスリーステート出力バストランシーバー、ショットキー低電力 TTL デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-80023 REV C-2005 シリコンモノリシックスリーステート出力マルチプレクサ、ショットキー低電力TTLデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-99534-1999 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付き 16 ビット D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-99535-1999 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付き 16 ビット D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86813 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85128 REV E-2009 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97543 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D ラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84074 REV F-2010 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き反転オクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93074 REV H-2008 電圧 +5,5V の 3 チャンネル DC/DC コンバータを備えたリニアシングルシリコンハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-04212-2004 シリコンモノリシックスリーステート出力 D タイプラッチ 16 ビット酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 単一シリコン上にトライステート出力を備えた高度なバイポーラ CMOS 電子マイクロ回路 16 ビットバストランシーバー、
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 シリコンモノリシック、8 ビットバストランシーバー、スリーステートフォワード出力、バイポーラデジタルマイクロ回路を装備
DLA SMD-5962-99505-1999 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付き16ビットバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-99507-1999 マイクロ回路、デジタル、トライステート出力およびレベル切り替え機能付き 10 ビットバススイッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97594 REV B-2003 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97595 REV B-2003 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04665 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04666 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97594 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97595 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04724 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付き16ビットバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87806 REV D-2011 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 8 ビット汎用シフトレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87693 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きデュアル 4 入力マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルトランシーバー/レジスタ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87629 REV E-2010 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き非反転 8 バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 トライステート非反転出力を備えた超小型回路、デジタル、バイポーラ、オクタルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-80020 REV F-2005 シリコンモノリシックスリーステート出力バストランシーバーおよびゲート、ショットキー低電力 TTL デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-98540 REV B-1999 マイクロ回路、デジタル、トライステート出力付き反転オクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、TTL 互換、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプ透明ラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04667 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットトランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97575 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86828 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、反転トライステート出力付き 16 進バッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86812 REV D-2011 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、反転トライステート出力付き 16 進バッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V 16 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86062 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 8 進反転 D 型ラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84072 REV G-2009 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89513 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、トライステート出力付きオクタルDレジスタ、TTL互換、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1、JAN、JANTX、JANJ エネルギースイッチング半導体デバイス用トランジスタ、プラスチック、トランジスタ、シリコンウェーハの標準仕様
DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 スリーステート出力6ビットバッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 スリーステート出力6ビットバッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
DLA SMD-5962-04210-2004 先進酸化物半導体向けシリコンモノリシックトライステート出力 16 ビットバッファ/ドライバデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-99506-1999 マイクロ回路、デジタル、トライステート出力および水平スイッチングを備えた 10 ビットバススイッチングスイッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、8192ビット、スイッチャブル、ショットキー、トライステート出力付きバイポーラPROM、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビットレジスタードバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS 耐放射線性、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85130 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTクワッドバスバッファ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTクワッドバスバッファ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な低電圧CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88639 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きオクタルトランスペアレントラッチ、TTL 互換、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88575 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 10 ビット非反転バスインターフェイスラッチ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、トライステート出力付きオクタルバッファゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 2N930、2N930UB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC 低損失半導体デバイス、トランジスタ、トランジスタ、シリコンウェーハの標準仕様
DLA DSCC-VID-V62/05602 REV A-2011 モノリシックシリコンマイクロ回路、調整可能な出力電圧とトライステート出力を備えたデジタルオクタルバストランシーバー
DLA SMD-5962-04211-2004 Advanced Oxide Semiconductor のシリコンモノリシックトライステート出力 16 ビットバストランシーバデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92180 REV A-2006 シリコンモノリシック、スリーステート出力を備えたD型ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93253 REV C-2002 シリコンモノリシック、トライステート出力を備えたクアッドバッファ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-98605-1999 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付き 8 ウェイデュアル変換トランシーバー、単一シリコン
DLA SMD-5962-98606-1999 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付き 8 ウェイデュアル変換トランシーバー、単一シリコン
DLA SMD-5962-96856 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付きのオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付きのオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85506 REV E-2009 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04663 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04668 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97574 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97576 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き1ライン～10ラインクロックドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03607 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファおよびラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きクワッド非反転バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92184 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、反転トライステート出力を備えたバッファ付きライン/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 10 ビット透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 ビット診断レジスタ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバスドライバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビット透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89603 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、トライステート出力レジスタ付き8入力バイナリカウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 デジタルマイクロ回路、トライステート出力とモノリシックシリコンを備えた高度な高速CMOSタイプのオクタルバッファ/ドライバー
DLA SMD-5962-00529-2000 モノリシックシリコンデジタルマイクロ回路、トライステート出力と TTL 互換入力を備えた高度な CMOS 16 ビットバッファ/ラインドライバ、
DLA SMD-5962-06238 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS耐放射線性、トライステート出力付き8ビットユニバーサルシフト/ストレージレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 スリーステート出力8ビット反転バッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックデバイス
DLA SMD-5962-80022 REV E-2005 シリコンモノリシックスリーステート出力データセレクター/マルチプレクサー、ショットキー低電力TTLデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 シリコンモノリシック、スリーステート出力8ビットバスレシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 シリコンモノリシック、スリーステート出力8ビットバスレシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-89989-1990 シリコンモノリシック、スリーステート出力、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えた 8 ビットバストランシーバー
DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-85507 REV F-2009 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89599 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 入力マルチプレクサ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V ABT 18 ビットユニバーサルバスドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/379 A VALID NOTICE 4-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な低消費電力ショットキー TTL、トライステート出力付きユニバーサルマルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90524 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、トライステート出力付き8入力マルチプレクサ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85125 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、トライステート出力付き8入力データセレクタ/マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91746 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラCMOS、オクタルバッファ付きスキャンテスト装置、反転トライステート出力、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、トライステート出力付きオクタルバッファゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86867 REV E-2010 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付きオクタルトランスペアレントラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/79 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL、トライステート出力付きデータセレクター/マルチプレクサー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタルバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタルレジスタードトランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低消費電力ショットキーTTL、トライステート出力付きクワッドバスバッファゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04213-2004 シリコンモノリシックスリーステート出力 D型双安定トリガ回路 16ビット酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック 8 ビット双方向トランシーバー、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90524 REV A-2005 シリコンモノリシック、スリーステート出力、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えた 8 入力マルチプレクサ
DLA SMD-5962-96854 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力を備えたオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き36ビットバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96864 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力を備えたオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビット D タイプエッジトリガフリップフロップ、TTL 互換、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットレジスタードトランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、オクタルバッファおよびトライステート出力付きラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04680 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、3.3V ABT オクタルバストランシーバーおよびトライステート出力付きレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、オクタルバッファおよびトライステート出力付きラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、トライステート出力付き16ビットDタイプ透明ラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルトランシーバー/レジスタ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96570 REV C-2008 モノリシックシリコン 8 バッファおよびラインドライバ、スリーステート出力、放射線耐性のある高度な CMOS デジタルマイクロ電子回路

CZ-CSN, シリコンの3次ピーク

CSN 65 1045-1978 酸化アルミニウムの化学分析。酸化ケイ素の測定

Professional Standard - Electron, シリコンの3次ピーク

SJ 2148-1982 シリコン安定化トランジスタの動的インピーダンスの試験方法
SJ 1787-1981 5A 未満のシリコン単相ブリッジ整流器、定格逆動作ピーク電圧および逆電流の試験方法
SJ/T 10481-1994 シリコンエピタキシャル層抵抗率の表面接触スリープローブ試験方法

ECMA - European Association for Standardizing Information and Communication Systems, シリコンの3次ピーク

348-2003 CSTA フェーズ 3 Web サービス記述言語 (WSDL)
269-1997 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3
348-2006 CSTA フェーズ 3 Web サービス記述言語 (WSDL) (バージョン 3)
348-2004 CSTA フェーズ 3 Web サービス記述言語 (WSDL) (第 2 版)
323-2001 Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 用の XML プロトコル
269-2006 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3 (第 7 版)
ECMA 285 VOL 2-1998 Computer Supported Telecommunications Applications Protocol (CSTA) フェーズ 3 (ボリューム 2)
269-2004 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3 (第 6 版)
ECMA 285 VOL 1-1998 Computer Supported Telecommunications Applications Protocol (CSTA) フェーズ 3 (ボリューム 1)
269-2000 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3 (第 4 版)
TR 82-2009 コンピュータ支援電気通信アプリケーションシナリオ (CSTA) フェーズ 3 (第 2 版)
269-2009 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3 (第 8 版)
269-1998 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3 (第 2 版)
269-2011 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3 (第 9 版)
323-2006 Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 (バージョン 4) の XML プロトコル
323-2004 Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 (バージョン 3) の XML プロトコル
TR 72-1998 Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 の定義と用語集 (第 2 版)
TR 72-2000 Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 の定義と用語集 (第 3 版)
348-2009 CSTA フェーズ 3 の Web サービス記述言語 (WSDL) (バージョン 4、追加コンテンツへのアクセスを含む)
285-2010 Computer Supported Telecommunications Applications Protocol (CSTA) フェーズ 3 (リリース 3、追加コンテンツへのアクセスを含む)
323-2002 XML プロトコル for Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 (統合正誤表: 2003 年 9 月 18 日)
323-2011 Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 の XML スキーマ定義 (リリース 6、追加コンテンツへのアクセスを含む)

IN-BIS, シリコンの3次ピーク

IS 1559 Pt.3-1982 フェロシリコンの化学分析法第 3 部硫黄の測定

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, シリコンの3次ピーク

GB/T 14634.2-2010 ランプ用希土類三原色蛍光体の試験方法その2：主発光ピークと色度特性の測定
GB/T 14506.5-1993 ケイ酸塩岩の化学分析方法 - 酸化第二鉄の定量
GB/T 29056-2012 シリコンエピタキシー用のトリクロロシランの化学分析方法誘導結合プラズマ質量分析法によるホウ素、アルミニウム、リン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、ヒ素およびアンチモンの量の測定

American Society for Testing and Materials (ASTM), シリコンの3次ピーク

ASTM D6741-10(2015) (トリエトキシシリルプロピル)スルファン) ゴム配合物に使用されるシランの標準試験方法: 硫黄含有量
ASTM D8455-22 気体燃料中のシロキサンおよびトリメチルシラノール含有量に基づくオンライン特殊シロキサン GC-IMS 分析装置の標準試験方法
ASTM D6741-01 ゴム配合物中のシランの標準試験方法 (ビス(トリエトキシシリルプロピル)硫酸塩): 硫黄含有量
ASTM D6741-01(2006) ゴム配合物中のシランの標準試験方法 (ビス(トリエトキシシリルプロピル)硫酸塩): 硫黄含有量
ASTM D6741-10 ゴム配合物に使用されるシラン (ビス-(トリエトキシシリルプロピル)スルファン) の標準試験方法: 硫黄含有量
ASTM D6740-10 ゴム配合物中のシランの標準試験方法 (硫酸ビス(トリエトキシシリルプロピル)): 火災残留物
ASTM D6740-01 ゴム配合物中のシランの標準試験方法 (硫酸ビス(トリエトキシシリルプロピル)): 火災残留物
ASTM D6740-15 ゴム配合物に使用されるシラン (ビス-(トリメトキシシリル)スルファン) の標準試験方法: 強熱残留物
ASTM D6741-10(2023) ゴム配合物に使用されるシラン (ビス(トリエトキシシリルプロピル)スルホン) の標準試験方法: 硫黄含有量
ASTM D6843-10(2019) ゴム調製物に使用されるシラン (b-(トリエトキシシリルプロピル)スルファン) の標準試験方法: ガスクロマトグラフィー (GC)
ASTM D6843-02(2007) ゴム配合物に使用されるシラン (硫酸ビス-(トリエトキシシリルプロピル)) の標準試験方法: ガスクロマトグラフィー (GC) 特性評価
ASTM D6740-15(2023) ゴム配合物に使用されるシラン (ビス(トリエトキシシリルプロピル)スルファン) の標準試験方法: 強熱残留物
ASTM C1365-98 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグの段階比率を決定するための標準試験方法
ASTM C1365-98(2004) 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグの段階比率を決定するための標準試験方法
ASTM D6844-02 ゴム部品に使用されるシラン (ビス-(トリエトキシシリルプロピル)スルファン) の標準試験法: 高速液体クロマトグラフィーによる特性評価
ASTM D6843-10(2015) ゴム配合物に使用されるシラン (ビス-(トリメトキシシリル) スルファン) の標準試験方法: ガスクロマトグラフィー (GC) による特性評価
ASTM D6844-10 ゴム配合物に使用されるシラン (ビス-(トリエトキシシリルプロピル)スルファン) の標準試験方法: 高速液体クロマトグラフィー (HPLC) 分析
ASTM D6843-10(2023) ゴム配合物に使用されるシラン (ビス(トリエトキシシリルプロピル)スルホン) の標準試験法: ガスクロマトグラフィー (GC) 特性評価
ASTM C1365-06(2011) 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグステージ比を決定するための標準試験方法
ASTM C1365-06 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグステージ比を決定するための標準試験方法
ASTM D6844-02(2007) ゴム配合物中のシラン (ビス(トリエトキシシリルプロピル)スルホネート) の標準試験方法: 高速液体クロマトグラフィー (HPLC) による特性評価
ASTM D6844-10(2019) ゴム配合物中のシラン (ビス(トリエトキシシリルプロピル)スルホネート) の標準試験方法: 高速液体クロマトグラフィー (HPLC) による特性評価
ASTM D6843-10 ゴム配合物に使用されるシラン (ビス-(トリエトキシシリルプロピル)スルファン) の標準試験方法: ガスクロマトグラフィー (GC) による特性評価
ASTM D6844-10(2015) ゴム配合物に使用されるシラン (ビス-(トリメトキシシリル)スルファン) の標準試験方法: 高速液体クロマトグラフィー (HPLC) による特性評価
ASTM D6844-10(2023) ゴム配合物に使用されるシラン (ビス-(トリエトキシシリルプロピル)スルホン) の標準試験法: 高速液体クロマトグラフィー (HPLC) による特性評価
ASTM D6845-02 沈降水和シリカの標準試験法臭化セチルトリメチルアンモニウム (CTAB) 表面積
ASTM D6845-22 沈降水和CTAB（臭化セチルトリメチルアンモニウム）シリカの表面積の標準試験方法
ASTM D6845-20 沈降水和シリカの標準試験法 - CTAB (臭化セチルトリメチルアンモニウム) 表面積
ASTM D6845-18 沈降水和シリカの標準試験法 - CTAB (臭化セチルトリメチルアンモニウム) 表面積
ASTM D6843-02 ゴム組成物に使用されるスルファン (ビス-(トリエトキシシリルプロピル)スルファン) の標準試験方法: ガスクロマトグラフィーによる特性評価

Professional Standard - Commodity Inspection, シリコンの3次ピーク

SN/T 1043-2002 輸入および輸出された炭化ケイ素中の酸化アルミニウムの測定分光測光法
SN/T 2949-2011 蛍光X線分析による輸出タルク中のシリカ、酸化第二鉄、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウムの定量

International Telecommunication Union (ITU), シリコンの3次ピーク

ITU-R SM.1837-1-2013 電波監視受信機の3次傍受レベルの測定手順
ITU-R SM.1837 SPANISH-2007 無線監視受信機の 3 次インターセプトポイント (IP3) レベルを測定するための試験手順無線監視受信機の 3 次インターセプトポイント (IP3) レベルを測定するための試験手順
ITU-T Q.824.2-1995 フェーズ 2 およびフェーズ 3 Q3 インターフェイス、顧客管理、総合デジタルサービス網 (ISDN) 付加サービスの説明
ITU-R SM.1837 FRENCH-2007 無線監視受信機の 3 次インターセプトポイント (IP3) レベルを測定するためのテスト手順
ITU-R SM.1837-2013 無線監視受信機の 3 次インターセプトポイント (IP3) レベルを測定するためのテスト手順
ITU-T Q.824.0-1995 フェーズ 2 およびフェーズ 3 Q3 インターフェース、顧客管理、公開情報、信号システムの仕様説明 No. 7 研究グループ 11
ITU-T G.747-1988 6312 kbit/s で動作し、2048 kbit/s で 3 つのブランチを多重化する 2 次デジタル多重装置
ITU-T Q.734.2 FRENCH-1996 ステージ 3. NO.7 信号システムを使用した多者間付加サービスの説明三者間サービス研究会 No. 11.22pp
ITU-T Q.954.1 SPANISH-1993 Digital Subscriber Signaling System No. 1 (DSS1) を使用したマルチパーティ付加サービスのフェーズ 3 の説明第 1 条: 電話会議通話第 2 条: 三者間サービスデジタル加入者信号システム No. 1. 付加サービスのフェーズ 3 DSS1 の使用説明。研究グループ 11;65pp;引受条項、1999 年 6 月
ITU-T Q.824.1-1995 フェーズ 2 およびフェーズ 3 Q3 インターフェイス顧客管理総合デジタル通信網 (ISDN) への基本および基本料金アクセス信号システム No. 7 の仕様研究グループ 11
ITU-T Q.824.3-1995 フェーズ 2 およびフェーズ 3 Q3 インターフェイス顧客管理総合デジタル通信網 (ISDN) オプションのユーザー設備信号システム No.7 の仕様の説明研究グループ 11

RU-GOST R, シリコンの3次ピーク

GOST 26239.6-1984 四塩化ケイ素ジクロロシラン、トリクロロシラン、四塩化ケイ素、1,3,3,3 四塩化シロキサン、1,3,3,3 四塩化シロキサン、五塩化シロキサンザコン、六塩化シリカ、ヘキサクロロシランの定量

YU-JUS, シリコンの3次ピーク

JUS N.N6.185-1978 無線通信。ケーブル分配システム。測定方法。テレビの無線周波数信号の相互変調歪み率。第 2 レベルおよび第 3 レベルの製品
JUS N.N6.175-1978 無線通信。ケーブル分配システム。測定方法。テレビの無線周波数信号の相互変調歪み率。第 2 レベルおよび第 3 レベルの製品

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, シリコンの3次ピーク

ITU-R SM.1837-2007 無線監視受信機の 3 次インターセプトポイント (IP3) レベルを測定するためのテスト手順
ITU-R SM.IP3-2007 無線監視受信機の三次傍受点（IP3）レベルを測定するための試験手順（文書1/BL/20-E）

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, シリコンの3次ピーク

TS 102 173-2003 コンピュータ支援電気通信アプリケーションサービス (CSTA) フェーズ 3 (ISO/IEC 18051 (2000) 修正)
TS 102 174-2003 Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 用の XML プロトコル (ISO/IEC DIS 18056 修正)
PRETS 300 529-1996 デジタルセルラー電気通信システム (フェーズ 2)、追加サービスの技術的実装 (GSM 03.11 バージョン 4.10.0) 第 3 版
ETR 200-1996 デジタルセルラー電気通信システム (フェーズ 2); 特定のフェーズ 1 移動局 (MS) 障害を克服するために推奨されるインフラストラクチャ対策 (GSM 09.94; 第 3 版; バージョン 4.3.0)
TS 102 173-2004 Computer-Supported Telecommunications Application Services (CSTA) フェーズ 3 (ISO/IEC 18051 (2000) Modified、V1.2.1、フロッピーディスクを含む)
TS 102 173-2006 Computer-Supported Telecommunications Application Services (CSTA) フェーズ 3 (ISO/IEC 18051 (2000) Modified、V1.3.1、フロッピーディスクを含む)
ETS 300 529-1996 デジタルセルラー電気通信システム (フェーズ 2); 補足サービスの技術的実装 (GSM 03.11; 第 3 版; バージョン 4.10.1)
ETS 300 561-1996 デジタルセルラー電気通信システム (フェーズ 2)、モバイル無線インターフェースのパフォーマンス要件 (GSM 04.13、第 3 版)
TS 102 174-2004 Computer-Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 用の XML プロトコル (ISO/IEC DIS 18056 Modified、V1.2.1、フロッピーディスクを含む)
TS 102 174-2006 Computer-Supported Telecommunications Applications (CSTA) フェーズ 3 用の XML プロトコル (ISO/IEC DIS 18056 Modified、V1.3.1、フロッピーディスクを含む)

International Electrotechnical Commission (IEC), シリコンの3次ピーク

IEC 63011-3:2018 集積回路 - 三次元集積回路 - パート 3: シリコン貫通ビアによるモデリングと測定条件

IX-ECMA, シリコンの3次ピーク

ECMA 285-2010 Computer Supported Telecommunications Applications Agency (CSTA) フェーズ 3 リリース 3、追加コンテンツへのアクセス

API - American Petroleum Institute, シリコンの3次ピーク

API PUBL 958-1981 製油所廃水の従来型および炭素強化処理の毒性に関するパイロット研究 - フェーズ 3

US-CFR-file, シリコンの3次ピーク

CFR 40-721.9497-2014 環境保護、パート 721: 重要な化学物質の新規使用、セクション 721.9497: 三官能性ケトキシミノシラン。

European Telecommunications Standards Institute (ETSI), シリコンの3次ピーク

ETSI TS 129 501-2020 5G、5G システム、サービス定義の原則とガイドライン、フェーズ 3 (V16.5.0、3GPP TS 29.501 バージョン 16.5.0 リリース 16)
ETSI PRI-ETS 300 070-1992 欧州デジタルセルラー通信システム (フェーズ 1) タイプ 3 の透過型 FAX サービスの技術的実装
ETSI PRI-ETS 300 071-1992 欧州デジタルセルラー通信システム (フェーズ 1) タイプ 3 FAX 不透明サービスの技術的実装

TR-TSE, シリコンの3次ピーク

TS 3080-1978 白色セラミック粘土の化学分析方法。シリカ、総 R2O3、酸化第二鉄、二酸化チタン、三酸化アルミニウム、二酸化カルシウム、二酸化マグネシウムの測定

Canadian Standards Association (CSA), シリコンの3次ピーク

CAN/CSA-ISO/IEC 18051:2014 情報技術システム間の電気通信および情報交換 Computer Supported Telecommunications Application Services (CSTA) フェーズ 3
CAN/CSA-ISO/IEC 18052:2013 情報技術システム間の電気通信および情報交換のための Computer Supported Telecommunications Application Protocol (CSTA) フェーズ 3

Henan Provincial Standard of the People's Republic of China, シリコンの3次ピーク

DB41/T 1568-2018 誘導結合プラズマ原子発光分析による三水和ボーキサイト中の有効アルミニウムおよび活性ケイ素含有量の測定

British Standards Institution (BSI), シリコンの3次ピーク

14/30299899 DC BS ISO 16293-3 建設用ガラスアルカリソーダ石灰ケイ酸塩ガラス製品パート 3: 研磨網入りガラス

International Organization for Standardization (ISO), シリコンの3次ピーク

ISO 7610:1985 白檀油サンタロール含有量の測定（トリメチルシラン誘導体として）キャピラリーカラムガスクロマトグラフィー法