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ビスレアベースの加速器

ビスレアベースの加速器は全部で 75 項標準に関連している。

ビスレアベースの加速器 国際標準分類において、これらの分類：化学製品、ゴムやプラスチックの原料、石油製品総合、集積回路、マイクロエレクトロニクス、航空宇宙システムおよび操作装置、電気、磁気、電気および磁気測定。

Professional Standard - Chemical Industry, ビスレアベースの加速器

HG/T 2343-1992 加硫促進剤ETU（エチレンチオ尿素）
HG/T 4779-2014 加硫促進剤ビスペンタメチレンチウラムヘキサスルフィド (DPTH)
HG/T 6161-2023 加硫促進剤 N-シクロヘキシル-ビス(2-ベンゾチアゾール)スルフェンイミド (CBBS)
HG/T 4780-2014 加硫促進剤 2-メルカプトベンゾチアゾール亜鉛（ZMBT）
HG/T 4781-2014 加硫促進剤ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛 (ZDBC)
HG/T 4782-2014 加硫促進剤ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛 (ZDEC)
HG/T 2344-1992 加硫促進剤 TETD（テトラエチルチウラムジスルフィド）
HG/T 6158-2023 加硫促進剤ジイソブチルジチオカルバミン酸亜鉛 (ZDIBC)
HG/T 5833～5835-2021 加硫促進剤 N,N’-ジメチル-N,N’-ジフェニルチウラムジスルフィド（MPTD）、亜鉛ビス（O,O-ジブチルジチオリン酸）（ZDBP）、ビス（O,O-ジブチルジチオリン酸）亜鉛[O-ブチル-O] -(2-エチルヘキシル)ジチオリン酸]亜鉛 (ZEHBP) (2021)
HG/T 4890~4891-2016 加硫促進剤テトラメチルチウラムモノスルフィド (TMTM) およびジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛 (ZBEC) (2016)

GM Europe, ビスレアベースの加速器

GME B 040 1973-2004 ニトログアニジン促進剤（液体）

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, ビスレアベースの加速器

CNS 4632-1978 加硫促進剤 TMTD（テトラメチルチオメタミドジスルフィド）
CNS 4629-1978 加硫促進剤MBTS（ビスチオベンチアゾール）
CNS 4628-1978 加硫促進剤MBT（2-メルカプトベンチアゾール）
CNS 4631-1978 加硫促進剤 ZnMDC（ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛）
CNS 4633-1978 加硫促進剤 ZnEPDC（エチルフェニルジチオカルバミン酸亜鉛）
CNS 4634-1978 加硫促進剤NaBDC（ジ-n-ブチルジチオカルバミン酸ナトリウム）
CNS 4635-1978 加硫促進剤TMTM（テトラメチルチオメタミドモノスルフィド）
CNS 5005-1979 加硫促進剤 CBS（N-シクロヘキシル-2-ベンチアゾールスルフェンアミド）

工业和信息化部, ビスレアベースの加速器

HG/T 5834-2021 加硫促進剤亜鉛ビス(O,O-ジブチルジチオリン酸) (ZDBP)
HG/T 5835-2021 加硫促進剤ビス[O-ブチル-O-(2-エチルヘキシル)ジチオリン酸]亜鉛(ZEHBP)
HG/T 5257-2017 加硫促進剤 N-tert-ブチルビス(2-ベンゾチアゾール)スルフェンアミド (TBSI)
HG/T 4891-2016 加硫促進剤ジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛 (ZBEC)
HG/T 4890-2016 加硫促進剤テトラメチルチウラムモノスルフィド（TMTM）
HG/T 5463-2018 加硫促進剤 3-メチルテトラヒドロチアゾール-2-チオン（MTT）
HG/T 5260-2017 加硫促進剤テトライソブチルチウラムジスルフィド（TIBTD）
HG/T 5833-2021 加硫促進剤 N,N'-ジメチル-N,N'-ジフェニルチウラムジスルフィド (MPTD)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, ビスレアベースの加速器

GB/T 29668-2013 化粧品防腐剤ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾリジニル尿素
GB/T 11407-2013 加硫促進剤2 メルカプトベンゾチアゾール(MBT)
GB/T 31332-2014 加硫促進剤 N-シクロヘキシル-2-ベンゾチアゾールスルフェンアミド（CBS）

GM North America, ビスレアベースの加速器

GM 9981801-2002 自動車外装塗装用両面テープ密着促進剤

Group Standards of the People's Republic of China, ビスレアベースの加速器

T/CAS 191-2015 ガソリンオクタン促進剤 - p-カルボキサミドフェニルエチルエーテル
T/CPCIF 0067-2020 ゴム加硫促進剤 2-メルカプトベンゾチアゾール（MBT）副生成物

Defense Logistics Agency, ビスレアベースの加速器

DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 シリコンモノリシックデュアルまたは反転チャネルショットキーTTLにより、二重偏波デジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 シリコンモノリシックヘックスインバーターショットキーTTLがバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 シリコンモノリシックオクタルバストランシーバーショットキーTTLによりバイポーラデジタルマイクロ回路が促進
DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 シリコンモノリシックオクタル調整トランシーバーショットキーTTLによりバイポーラデジタルマイクロ回路が促進
DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 シリコンモノリシックデュアル 4 入力正およびチャネルショットキー TTL により、バイポーラデジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88627 REV B-1993 シリコンモノリシック 8 ビットバイナリカウンタショットキー TTL が二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 シリコンモノリシックショットキーTTLファシリテーターレシーバー/レギュレーターバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 シリコンモノリシック D タイプレギュレータショットキー TTL が二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 シリコンモノリシック PI バストランシーバショットキー TTL がバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 シリコンモノリシックバスインターフェースフリップフロップショットキーがバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88710-1988 シリコンモノリシック 8 ビット ID コンパレータショットキー TTL がバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88753 REV B-2005 シリコンモノリシックオクタルバストランシーバーとレジスタショットキー TTL により、バイポーラデジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88709-1988 非チャネルレスショットキーTTLを備えたシリコンモノリシック2入力により、バイポーラデジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88722-1988 シリコンモノリシックバッファ/ラインドライバショットキーにより二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 シリコンモノリシック 10 倍拡大鏡がショットキー TTL を調整し、二重偏波デジタルマイクロ回路を促進します
DLA SMD-5962-88742 REV A-2004 シリコンモノリシックヘックススピーカーバッファ低電圧ショットキーTTLは二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89466-1991 トライステート出力ショットキーTTLを備えたシリコンモノリシックオクタルバストランシーバーにより、デジタルマイクロ回路の二極化を促進
DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88596 REV C-2001 シリコンモノリシックバッファ/ドライバ低消費電力ショットキーTTLにより二重偏波デジタルマイクロ回路が促進
DLA SMD-5962-88621 REV B-2000 シリコンモノリシック 2 入力排他的またはチャネルショットキー TTL により、二重偏波デジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88673 REV D-2006 シリコンモノリシックオクタルバストランシーバおよびレジスタ低消費電力ショットキー TTL がバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89526 REV B-2004 シリコンモノリシックアップ/ダウンカウンタ同期 8 ビットショットキーによりバイポーラデジタルマイクロ回路が促進
DLA SMD-5962-88578 REV B-2001 シリコンモノリシック 8 ビット ID コンパレータ低消費電力ショットキー TTL で二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89487 REV A-2001 非シュミットトリガーを備えたシリコンモノリシック2入力ショットキー促進二重偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88648 REV E-2002 シリコンモノリシッククワッド差動ラインドライバ低消費電力ショットキーにより二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88649 REV E-2005 シリコンモノリシッククワッド差動ラインレシーバ低消費電力ショットキー促進二重偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88695 REV B-2007 シリコンモノリシック 2 入力、非ドライバ低消費電力ショットキー TTL が二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88591 REV B-2001 シリコンモノリシックオクタルバッファおよびラインドライバトライステート出力反転低消費電力ショットキー TTL 二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89535 REV C-2002 ビットパリティジェネレーター/チェッカーとトライステート出力を備えたシリコンモノリシック 8 双方向トランシーバーショットキーによりバイポーラデジタルマイクロ回路が容易になります

United States Navy, ビスレアベースの加速器

NAVY MIL-P-17689 NOTICE 3-2003 N-5 ダブルベースフレーク推進剤
NAVY MIL-P-17689 VALID NOTICE 1-1975 N-5 ダブルベースフレーク推進剤
NAVY MIL-P-17689-1953 N-5 ダブルベースフレーク推進剤

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, ビスレアベースの加速器

GJB 171A-2021 ダブルベース固体推進剤の命名規則
GJB 4093-2000 ダブルベース推進剤装入検査および合格規則
GJB 1073A-2001 押出成形ダブルベース固体推進薬の一般仕様
GJB 1073-1991 押出成形ダブルベース固体推進薬の一般仕様
GJB 1073B-2019 押出成形ダブルベース固体推進薬の一般仕様
GJB 1073A-2000 押出成形ダブルベース固体推進薬の一般仕様

American Society for Testing and Materials (ASTM), ビスレアベースの加速器

ASTM D7558-09(2019) 天然ゴムラテックスおよびニトリル手袋中の抽出可能な化学物質ジアルキルジチオカルバメート、チオ尿素、およびメルカプトベンゾチアゾール促進剤の定量化のための比色/分光測光法のための標準試験方法
ASTM D4934-02(2012) ゴム成分の標準試験方法: 2-ベンゾチアゾリルスルフィナミド促進剤。

RO-ASRO, ビスレアベースの加速器

STAS 11327/10-1989 テトラメチルチウラムジスルフィド水抽出物の血管内および非経口製剤用の促進剤の製剤用量用ゴム栓