ZH
RU
EN
ES

パワー半導体

パワー半導体は全部で 53 項標準に関連している。

パワー半導体 国際標準分類において、これらの分類：情報技術の応用、半導体ディスクリートデバイス、オプトエレクトロニクス、レーザー装置、半導体材料、電気、磁気、電気および磁気測定、コンデンサ。

CZ-CSN, パワー半導体

CSN 35 1530-1979 パワー半導体コンバータ
CSN 35 1540-1979 パワー半導体コンバータの試験
CSN 35 1560-1969 パワー半導体デバイス。整流器
CSN 34 5175-1979 パワー半導体デバイスコンバータの用語

JP-JEC, パワー半導体

JEC 2407-2007 絶縁型パワー半導体モジュール

Group Standards of the People's Republic of China, パワー半導体

T/QGCML 2041-2023 878nm高出力半導体レーザーチップ
T/IAWBS 009-2019 パワー半導体デバイスの定常湿熱高電圧バイアス試験
T/ZSA 47-2020 電気自動車用パワー半導体デバイスの信頼性試験方法
T/IAWBS 004-2021 電気自動車用パワー半導体モジュールの信頼性試験の一般要件と試験方法

HU-MSZT, パワー半導体

MSZ 7200/5-1985 ハイパワー半導体ツールの測定方法
MSZ 7200/3-1984 ハイパワー半導体ツール。輪郭および接続寸法
MSZ 7200/2-1984 高出力半導体の一般的なプロセス要件とテスト

British Standards Institution (BSI), パワー半導体

BS EN 60747-15:2004 半導体ディスクリートデバイス、絶縁型パワー半導体デバイス
BS EN 60747-15:2012 半導体装置、ディスクリートデバイス、絶縁型パワー半導体デバイス
22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 半導体デバイスの機械的および気候試験方法パート 34-1 パワー半導体モジュールのパワーサイクル試験

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, パワー半導体

GB/T 36356-2018 パワー半導体発光ダイオードチップの技術仕様
GB/T 36357-2018 中出力半導体発光ダイオードチップの技術仕様

Professional Standard - Electron, パワー半導体

SJ/T 11398-2009 パワー半導体発光ダイオードチップの技術仕様
SJ 20957-2006 高出力半導体レーザーダイオードアレイの一般仕様
SJ 2099-1982 CS42型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2103-1982 CS46型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2104-1982 CS47型Nチャネル接合電界効果型低消費電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2092-1982 CS35 N チャネル接合電界効果低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2093-1982 CS36型Nチャネル接合電界効果型低消費電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2094-1982 CS37型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2095-1982 CS38タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2096-1982 CS39型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2097-1982 CS40タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2105-1982 CS48型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2106-1982 CS49型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2107-1982 CS50タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2108-1982 CS51タイプ Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2100-1982 CS43型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2102-1982 CS45型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2098-1982 CS41型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ
SJ 2101-1982 CS44型Nチャネル接合電界効果型低電力半導体スイッチングトランジスタ

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, パワー半導体

ECA 401-1973 紙、紙/フィルム、コンデンサパワー半導体用途のフィルム誘電体

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, パワー半導体

DB61/T 1448-2021 高出力半導体ディスクリートデバイスの間欠寿命試験手順

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, パワー半導体

JJG(电子) 04023-1989 BJ2970 高出力半導体トランジスタ TF テスターの校正規定

Defense Logistics Agency, パワー半導体

DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 ハイパワー半導体デバイス、PNP シリコントランジスタ、モデル 2N3442、JAN、JANTX および JANTXV

Danish Standards Foundation, パワー半導体

DS/EN 60747-15:2012 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス
DS/EN 153000:1999 一般仕様書：個別圧接パワー半導体デバイス（認定品）

ES-UNE, パワー半導体

UNE-EN 60747-15:2012 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス

German Institute for Standardization, パワー半導体

DIN EN 60747-15:2012-08 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス
DIN EN 153000:1999 一般仕様書個別圧接パワー半導体デバイス（認定品）
DIN EN 153000:1999-01 一般仕様：個別圧接パワー半導体デバイス（認定）

American National Standards Institute （ANSI), パワー半導体

ANSI/EIA 401:1973 パワー半導体デバイス用の紙誘電体コンデンサおよび紙/フィルム誘電体コンデンサ

Lithuanian Standards Office , パワー半導体

LST EN 153000-2001 ディスクリートプレスフィットパワー半導体デバイスの一般仕様（認定承認）
LST EN 60747-15-2012 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス (IEC 60747-15:2010)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, パワー半導体

EN 153000:1998 一般仕様：圧接シングルハイパワー半導体部品（認定）

ECIA - Electronic Components Industry Association, パワー半導体

401-1973 パワー半導体用途向けの紙/薄膜誘電体コンデンサ

GOSTR, パワー半導体

GOST 34627-2019 ディーゼル車両用パワー半導体コンバータの主なパラメータと一般要件

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, パワー半導体

JEDEC JEP151-2015 パワー半導体デバイスにおける地球宇宙線の破壊的な影響を測定するための試験手順