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マイクロ波キャビティ

マイクロ波キャビティは全部で 325 項標準に関連している。

マイクロ波キャビティ 国際標準分類において、これらの分類：総合電子部品、 通信機器の部品および付属品、 電子管、 磁性材料、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 歯科、 電気機器部品、 半導体ディスクリートデバイス、 分析化学、 用語（原則と調整）、 絶縁流体、 語彙、 断熱材、 オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアル エンジニアリング、 電子および通信機器用の電気機械部品、 包装資材および副資材、 整流器、コンバータ、安定化電源、 導体材料、 石油およびガス産業の機器、 発電所総合、 金属材料試験、 水質、 流体動力システム、 無駄、 電気、磁気、電気および磁気測定、 バルブ、 電気および電子試験、 放射線測定、 地質学、気象学、水文学、 電気工学総合。


Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, マイクロ波キャビティ

  • GJB 8513-2015 キャビティフィルタの一般仕様
  • GJB 9150-2017 マイクロ波パワートランジスタのマイクロ波パラメータ試験方法
  • GJB 3158-1998 バルク音響マイクロ波遅延線の一般仕様
  • GJB 2276-1995 導波管ダミーロード用電波吸収体の仕様
  • GJB 1933-1994 マイクロ波フェライトスイッチの一般仕様
  • GJB 1933A-2011 マイクロ波フェライトスイッチの一般仕様
  • GJB 3235-1998 マイクロ波フェライト移相器の一般仕様
  • GJB 3235A-2011 マイクロ波フェライト移相器の一般仕様
  • GJB 3492-1998 マイクロ波ソリッドステートパワーアンプの一般仕様
  • GJB 9340-2018 衛星マイクロ波イメージングシステム 衛星地上統合指標システム
  • GJB 1557A-2021 半導体ディスクリートデバイスのマイクロ波ダイオードの寸法
  • GJB 1557-1992 半導体ディスクリートデバイスのマイクロ波ダイオードの寸法
  • GJB/Z 41.1-1993 軍用半導体ディスクリートデバイスシリーズスペクトルマイクロ波ダイオード
  • GJB 33/24-2021 CS0406-10 シリコン電界効果マイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • GJB 33/25-2021 CS0406-350シリコン電界効果マイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様

Professional Standard - Electron, マイクロ波キャビティ

  • SJ/T 10143-1991 固体誘電体のマイクロ波複素誘電率の試験方法 リエントリーキャビティ法
  • SJ 1626-1980 マイクロ波フェライト導波管アイソレータ、サーキュレータ
  • SJ 1725-1981 RX-61型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 980-1975 RX-21型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 1724-1981 RX-56型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 1726-1981 RX-109型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 2008-1982 RX-5型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 2244-1982 RX-54型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 2245-1982 RX-7型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 2009-1982 RX-49型マイクロ波ガス放電管
  • SJ 1723-1981 RX-32型マイクロ波ガス放電管
  • SJ/T 11077-1996 マイクロ波フェライトの仕様策定ガイドライン
  • SJ 343-1973 マイクロ波ガス放電管の一般的な技術条件
  • SJ 2246-1982 RX-202、RX-203型マイクロ波ガス放電管
  • SJ/T 11263-2002 電子レンジマグネトロン用永久フェライト磁石の仕様
  • SJ 20514-1995 マイクロ波パワートランジスタ用シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
  • SJ 50033.48-1994 半導体ディスクリートデバイス 2DV8CPタイプ シリコンマイクロ波検出ダイオード 詳細仕様
  • SJ 1625-1980 マイクロ波フェライト同軸アイソレータ、サーキュレータ（仮設）
  • SJ 2915-1988 マイクロ波フェライト単結晶デバイスの用語と定義
  • SJ 2405-1983 マイクロ波フェライトロックスイッチの一般技術条件（暫定）
  • SJ 50033/77-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DA331シリコンマイクロ波パワートランジスタ詳細仕様
  • SJ 50033/74-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DA325 シリコンマイクロ波パワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/155-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG252タイプシリコンマイクロ波リニアトランジスタ 詳細仕様
  • SJ/T 11414-2010 電子レンジのマグネトロンに使用される永久フェライトの寸法と公差
  • SJ 50033/76-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG218 シリコンマイクロ波低雑音トランジスタの詳細仕様
  • SJ 20155-1992 電波吸収体（マイクロ波吸収材）の一般規格
  • SJ 1624-1980 マイクロ波フェライトアイソレータおよびサーキュレータ 一般技術条件（暫定）
  • SJ/T 10214-1991 マイクロ波フェライト材料の消磁状態における透磁率の測定方法
  • SJ 50033/170-2007 半導体ディスクリートデバイス 3DA516 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/171-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA518 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/172-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA519 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/173-2007 半導体ディスクリートデバイス 3DA520 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/176-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA523 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/169-2004 半導体ディスクリートデバイス 3DA510型シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/168-2004 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA509 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/166-2004 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA507 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/174-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA521 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/156-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DA505シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/167-2004 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA508 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/175-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA522 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/145-2000 半導体ディスクリートデバイス タイプ3DA503シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/157-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DA506シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
  • SJ 2748-1987 マイクロ波低ノイズシングルゲート電界効果トランジスタの空白の詳細仕様
  • SJ 50033/140-1999 半導体光電子デバイス 3DA502 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/42-1994 半導体ディスクリートデバイス CSO467型ガリウムヒ素マイクロ波電界効果トランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/78-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0464型ガリウムヒ素マイクロ波電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/153-2002 半導体ディスクリートデバイス 2CK141型マイクロ波スイッチングダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/152-2002 半導体ディスクリートデバイス 2CK140タイプ マイクロ波スイッチングダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/79-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0536型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/120-1997 半導体ディスクリートデバイス CS205型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033.51-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0558型ガリウムヒ素マイクロ波デュアルゲート電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033.52-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0529型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033.54-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0532型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/119-1997 半導体ディスクリートデバイス CS204型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/81-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0524型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/80-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0513型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033.53-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0530、CS0531型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/106-1996 半導体ディスクリートデバイス CS203型ガリウムヒ素マイクロ波低雑音電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 20512-1995 マイクロ波大損失固体材料の複素誘電率および複素透磁率の試験方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, マイクロ波キャビティ

  • GB 7265.2-1987 固体誘電体のマイクロ波複素誘電率の試験方法「オープンキャビティ」法
  • GB/T 42836-2023 マイクロ波半導体集積回路ミキサー
  • GB/T 42837-2023 マイクロ波半導体集積回路増幅器
  • GB/T 21039.1-2007 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ マイクロ波電界効果トランジスタ ブランク 詳細仕様
  • GB/T 5832.3-2011 ガス中の微量水分の測定パート 3: キャビティリングダウン分光法
  • GB 7265.1-87 固体誘電体のマイクロ波複素誘電率の試験方法 摂動法
  • GB 7265.1-1987 固体誘電体のマイクロ波複素誘電率の試験方法 摂動法
  • GB/T 19404-2003 マイクロ波フェライトデバイスの主な性能測定方法
  • GB/T 5597-1999 固体誘電体のマイクロ波複素誘電率の試験方法
  • GB/T 20516-2006 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波デバイス
  • GB/T 20870.1-2007 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • GB/T 20870.5-2023 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • GB/T 20870.2-2023 半導体デバイス パート 16-2: マイクロ波集積回路プリスケーラー
  • GB/T 16481-1996 希土類元素マイクロ波プラズマトーチ発光スペクトル (MPT-AES) 標準スペクトル
  • GB/T 42709.7-2023 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 7: 無線周波数制御および選択用の MEMS バルク弾性波フィルタおよびダイプレクサ
  • GB/T 20870.10-2023 半導体デバイス パート 16-10: モノリシック マイクロ波集積回路技術の許容手順

PL-PKN, マイクロ波キャビティ

  • PN T06561-1971 マイクロ波測定器。 共振器波長計。 一般的な要件とテスト

Group Standards of the People's Republic of China, マイクロ波キャビティ

  • T/CSTM 00751-2022 マイクロ波帯域で固体誘電体の誘電特性を試験するためのクローズドキャビティ法
  • T/BEA 40002-2022 マイクロ波ECRプラズマ発生器の校正仕様
  • T/CNFIA 166-2023 電子レンジ対応の液体食品用滅菌紙ベース複合包装
  • T/CAB 0154-2022 液体食品の無菌包装用の電子レンジ対応紙ベース複合材料
  • T/GVS 006-2022 半導体高周波電源、マイクロ波電源の出力偏差安定度測定方法

Professional Standard - Aerospace, マイクロ波キャビティ

  • QJ 2617-1994 マイクロ波電界効果トランジスタ（マイクロ波FET）のシェル受け入れ仕様
  • QJ 2300-1992 マイクロ波フェライト材料とデバイスシリーズのスペクトル

IET - Institution of Engineering and Technology, マイクロ波キャビティ

AENOR, マイクロ波キャビティ

  • UNE 20585:1977 マイクロ波フェライト仕様の作成ガイドライン
  • UNE-ISO 13689:2005 冷凍軽質炭化水素流体および液化ガス貯蔵タンクの液面測定 マイクロ波液面計

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, マイクロ波キャビティ

  • DB22/T 2532-2016 歯科矯正治療におけるマイクロスクリューインプラントの使用手順

Association Francaise de Normalisation, マイクロ波キャビティ

International Electrotechnical Commission (IEC), マイクロ波キャビティ

Danish Standards Foundation, マイクロ波キャビティ

  • DS/EN 61609:1999 マイクロ波フェライトコンポーネントの仕様作成ガイドライン
  • DS/EN 61830:1998 マイクロ波フェライト部品の主な性能測定方法
  • DS/EN 60747-16-4/A1:2011 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • DS/EN 60747-16-4:2004 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • DS/EN 60747-16-1/A1:2007 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • DS/EN 60747-16-1:2002 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • DS/EN 60747-16-5:2013 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • DS/EN 60747-16-3/A1:2009 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
  • DS/EN 60747-16-3:2002 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
  • DS/ISO 11350:2012 水質 水および廃水の遺伝毒性の判定 サルモネラ菌・ミクロソーム変動試験（エームズ変動試験）
  • DS/EN 61788-7:2007 超伝導パート 7: 電子特性 マイクロ波周波数での超伝導体の表面抵抗の測定

German Institute for Standardization, マイクロ波キャビティ

British Standards Institution (BSI), マイクロ波キャビティ

  • BS EN 60747-16-4:2004+A2:2017 半導体装置マイクロ波集積回路スイッチ
  • BS EN 61609:1999 マイクロ波フェライトコンポーネントの仕様作成ガイドライン
  • BS EN 60747-16-4:2004+A1:2011 半導体デバイス、マイクロ波集積回路、コンバータ
  • BS EN 60747-16-5:2013 半導体デバイス、マイクロ波集積回路、発振器
  • BS EN IEC 60747-16-6:2019 半導体装置マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • BS EN 60747-16-1:2002+A2:2017 半導体デバイスマイクロ波集積回路増幅器
  • BS EN 60747-16-3:2002+A2:2017 半導体装置マイクロ波集積回路インバータ
  • BS EN 60747-16-5:2013+A1:2020 半導体デバイスマイクロ波集積回路発振器
  • BS EN 60747-16-1:2002+A1:2007 半導体デバイス、マイクロ波集積回路、アンプ
  • BS IEC 60747-4:2008 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ
  • BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ
  • BS EN 60747-16-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、マイクロ波集積回路、スイッチ
  • BS EN 61830:1998 マイクロ波フェライト部品の主な性能測定方法
  • BS IEC 60747-16-2:2001 半導体装置マイクロ波集積回路周波数プリスケーラ
  • BS EN 60747-16-3:2002+A1:2009 半導体デバイス、パート 16-3: マイクロ波集積回路、周波数変換器
  • BS EN 60747-16-3:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路、マイクロ波集積回路、周波数変換器
  • BS EN 60747-16-10:2004 半導体デバイス、モノリシックマイクロ波集積回路の技術承認手順 (TAS)
  • BS EN 61788-7:2002 超伝導、電子特性の測定、マイクロ波周波数における超伝導体の表面抵抗。
  • BS EN 61788-7:2007 超電導の電子特性 マイクロ波周波数での超電導体の表面抵抗の測定
  • BS EN 60747-16-1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路、マイクロ波集積回路、アンプ
  • BS EN IEC 61788-7:2020 超電導の電子特性 マイクロ波周波数での高温超電導体の表面抵抗の測定
  • 21/30436870 DC BS IEC 60747-16-9 半導体デバイス パート 16-9 マイクロ波集積回路移相器
  • 20/30414411 DC BS EN 60747-16-7 半導体デバイス パート 16-7 マイクロ波集積回路減衰器
  • 20/30414415 DC BS EN 60747-16-8 半導体デバイス パート 16-8 マイクロ波集積回路リミッタ
  • 20/30431960 DC BS EN 60747-16-8 半導体デバイス パート 16-8 マイクロ波集積回路リミッタ
  • BS EN 61788-16:2013 超伝導、電子特性の測定、マイクロ波周波数における超伝導体の動的表面抵抗
  • BS EN 61788-15:2011 超伝導、電子特性の測定、マイクロ波周波数における超伝導膜の固有表面インピーダンス。
  • BS EN 61788-7:2006 超伝導 パート 3: 電子特性の測定 マイクロ波周波数における超伝導体の表面抵抗
  • 20/30431959 DC BS EN IEC 60747-16-7 半導体デバイス パート 16-7 マイクロ波集積回路減衰器
  • 19/30393894 DC BS EN 60747-16-5 AMD1 半導体デバイス パート 16-5 マイクロ波集積回路発振器
  • 23/30472390 DC BS EN 60747-16-11 半導体デバイス パート 16-11 マイクロ波集積回路電力検出器

ES-UNE, マイクロ波キャビティ

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), マイクロ波キャビティ

  • KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ マイクロ波電界効果トランジスタ ブランク 詳細仕様
  • KS C IEC 60747-4-1:2002 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ、マイクロ波分野で有効なトランジスタ、詳細仕様は空白。
  • KS C 2123-1997(2002) マイクロ波機器用フェライトコアの測定方法
  • KS C 2123-1982 マイクロ波機器用フェライトコアの測定方法
  • KS C 6111-5-2008(2018) マイクロ波周波数での超電導体膜の厚さの測定
  • KS C IEC 60747-4-2-2002(2022) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器
  • KS C IEC 60747-4-2-2002(2017) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器
  • KS C IEC 60747-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4:2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4:2022 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4-2:2002 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ 集積回路マイクロ波増幅器 詳細仕様は空白。
  • KS C 6111-4-2007(2017) マイクロ波周波数における大型高温超電導体膜の表面抵抗の均一性
  • KS M ISO 13689-2003(2008) 軽質炭化水素系冷媒液液化ガスタンク液面計測マイクロ波液面計
  • KS C 6111-3-2007(2022) 電子特性測定 - マイクロ波周波数における高 TC 超電導体膜の固有表面インピーダンス

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, マイクロ波キャビティ

Professional Standard - Environmental Protection, マイクロ波キャビティ

  • HJ 765-2015 マイクロ波抽出法による固形廃棄物からの有機物の抽出
  • HJ 702-2014 マイクロ波分解/原子蛍光法による固形廃棄物中の水銀、ヒ素、セレン、ビスマス、アンチモンの定量

KR-KS, マイクロ波キャビティ

  • KS C 6111-5-2008(2023) マイクロ波周波数での超電導体膜厚測定
  • KS C IEC 60747-4-2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4-2022 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, マイクロ波キャビティ

  • QC 750115-2000 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ マイクロ波電界効果トランジスタの空白の詳細仕様 (IEC 60747-4-1:2000)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, マイクロ波キャビティ

  • GB/T 35679-2017 導波管装置を用いたマイクロ波周波数帯における固体材料の電磁パラメータの測定方法
  • GB/T 22586-2018 電子特性 マイクロ波周波数での超伝導体の表面抵抗の測定
  • GB/T 35680-2017 マイクロ波周波数帯域でオープン同軸プローブを使用して液体材料の電磁パラメータを測定する方法

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, マイクロ波キャビティ

  • EN 61609:1999 マイクロ波フェライトコンポーネント IEC 61609:1996 の仕様作成ガイド
  • EN 61830:1998 マイクロ波フェライト部品の主な特性の測定方法 IEC 61830:1997
  • EN 60747-16-5:2013 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • EN 60747-16-5:2013/A1:2020 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • EN IEC 60747-16-6:2019 半導体デバイス パート 16-6: マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • EN 60747-16-4:2004 半導体デバイス、パート 16-4: マイクロ波集積回路、スイッチ IEC 60747-16-4-2004
  • EN 61788-7:2006 超電導 パート 7: 電気的特性の測定 マイクロ波周波数における超電導体の表面抵抗
  • EN 60747-16-3:2002 半導体デバイス、パート 16-3: マイクロ波集積回路、周波数変換器、修正 A1-2009 を含む

Professional Standard - Radio Television Film, マイクロ波キャビティ

  • GY/T 4-1982 ラジオ・テレビ専用マイクロ波中継回路伝送システム

Lithuanian Standards Office , マイクロ波キャビティ

  • LST EN 61609-2001 マイクロ波フェライトコンポーネントの仕様作成ガイドライン (IEC 61609:1996)
  • LST EN 61830-2001 マイクロ波フェライト部品の主な特性の測定方法 (IEC 61830:1997)
  • LST EN 60747-16-4-2004 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ (IEC 60747-16-4:2004)
  • LST EN 60747-16-3-2003 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数変換器 (IEC 60747-16-3:2002)
  • LST EN 60747-16-1-2003 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器 (IEC 60747-16-1:2001)
  • LST EN 60747-16-4-2004/A1-2011 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ (IEC 60747-16-4:2004/A1:2009)
  • LST EN 60747-16-3-2003/A1-2009 半導体機器パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数変換器 (IEC 60747-16-3:2002/A1:2009)
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