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半導体はシリコンに取って代わる

半導体はシリコンに取って代わるは全部で 500 項標準に関連している。

半導体はシリコンに取って代わる 国際標準分類において、これらの分類：半導体材料、 整流器、コンバータ、安定化電源、 半導体ディスクリートデバイス、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 ワイヤーとケーブル、 送配電網、 シール、密封装置、 導体材料、 語彙、 絶縁流体、 バルブ、 製図、 電子機器用機械部品、 光ファイバー通信、 電気、磁気、電気および磁気測定、 航空宇宙製造用の材料、 電子および通信機器用の電気機械部品。

CZ-CSN, 半導体はシリコンに取って代わる

• CSN 35 1531-1973 シリコン半導体整流器
• CSN 34 5912-1987 電子半導体素子接合用アルミニウムシリコン合金ワイヤ

Defense Logistics Agency, 半導体はシリコンに取って代わる

• DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、シリコンタイプ 2N3904
• DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 2N1051型シリコンNPNトランジスタ半導体装置
• DLA MIL-PRF-19500/139 B NOTICE 2-1999 JAN-2N1119型シリコンPNPトランジスタ半導体装置
• DLA MIL-S-19500/288 (2)-1966 2N2377型シリコンPNPトランジスタ半導体装置
• DLA MIL-S-19500/288 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコンタイプ 2N2377
• DLA MIL-S-19500/179 A VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコンタイプ 2N1234
• DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンタイプ 2N1051
• DLA MIL-S-19500/298 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコンタイプ 1N1742A
• DLA MIL-S-19500/236 A VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコンタイプ 1N31
• DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 半導体デバイス、NPN シリコンフォトトランジスタ、タイプ 2N986
• DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、高導電タイプ JAN 1N3207
• DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927 ハイパワーシリコン NPN トランジスタ半導体デバイス
• DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926 ハイパワーシリコン NPN トランジスタ半導体デバイス
• DLA MIL-S-19500/80 E VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、低電力タイプ 3N35
• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PN、シリコン、シングルジャンクション JAN2N5431 および JANTX2N5431
• DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 シリコンモノリシック 128 X 8 ビットランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 シリコンモノリシック、メモリチケットアクセスコントローラ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 2-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、低消費電力、タイプ2N2708、JAN
• DLA MIL-S-19500/69 E VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、JAN-2N337、JAN-2N338タイプ
• DLA MIL-S-19500/16 E VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンタイプ 2N342、2N342A、2N343
• DLA MIL-S-19500/138 C VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、低消費電力タイプ 2N1118
• DLA MIL-PRF-19500/302 C VALID NOTICE 3-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、低消費電力、タイプ2N2708、JAN
• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 2-2004 単接合シリコン PN トランジスタ半導体デバイス、タイプ JAN2N5431 および JANTX2N5431
• DLA MIL-PRF-19500/287 G-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPNシリコン、スイッチ、タイプ2N3013、JAN、JANTX
• DLA MIL-S-19500/268 C VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンスイッチタイプ 2N2481、TX2N2481
• DLA MIL-S-19500/373 A VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンスイッチタイプ2N914、TX2N914
• DLA DSCC-DWG-99009 REV A-2004 ハイパワーシリコンNPNトランジスタ半導体デバイス タイプ2N5241
• DLA MIL-PRF-19500/142 A NOTICE 2-1999 1N1731A、1N1733A、1N1734A 高電圧整流シリコン半導体デバイス
• DLA MIL-S-19500/254 B VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、タイプ 1N1147 および 1N1149、JAN
• DLA SMD-5962-81024 REV F-2005 シリコンモノリシック 4096 ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93128 REV A-1995 シリコンモノリシック、256K × 1 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/74 E NOTICE 1-1999 中電力シリコン NPN トランジスタ半導体デバイス、タイプ 2N497、2N498、2N656 および 2N657
• DLA MIL-PRF-19500/369 G-2009 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N3441、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/402 F-2009 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N3739、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/369 H-2010 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N3441、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-S-19500/277 D VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源タイプ 2N2150、2N2151 JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/526 H-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N3879、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA DSCC-DWG-00005-2001 1N21WE、1N21WEM、1N21WEMR ダイオード シリコン ミキサー 半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/256 C NOTICE 2-1999 1N643、1N662、1N663 シリコン スイッチング ダイオード半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/691 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、スイッチ、1N4148UE2 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/672-2001 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、NPN、シリコン、スイッチ、2N2222AUE1タイプ JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/612 D-2008 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N7372、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/312 E VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、スイッチタイプ 2N708、JAN、JANTX、JANHC
• DLA MIL-PRF-19500/518 D (1)-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N3766、2N3767、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/370 H-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N3442、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/612 D VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N7372、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA SMD-5962-87002 REV E-2006 シリコンモノリシック 2KX8 ダブルゲートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体、デジタルボディメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 シリコンモノリシック、2K X 8 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 シリコンモノリシック、8K×8スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 シリコンモノリシック、16K X 4BITS スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 シリコンモノリシック、8K × 9 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 シリコンモノリシック、4M X 1ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 シリコンモノリシック、4M x 4ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93225-1994 シリコンモノリシック、64K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 シリコンモノリシックゲートレス酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-S-19500/362 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ミキサータイプ 1N1132 および 1N1132R
• DLA MIL-PRF-19500/380 B NOTICE 1-1999 タイプ 2N4865、2N5250、2N5251、JANTX、JANTXV、および JANS の NPN シリコン パワー トランジスタ半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 ハイパワー半導体デバイス、PNP シリコン トランジスタ、モデル 2N3442、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/621 C-2008 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N7369、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワータイプ 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-S-19500/74 E VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、中電力、タイプ 2N497、2N498、2N656 および 2N657
• DLA MIL-S-19500/110 C VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、低電力タイプ 2N328A、2N329A、2N328AS、2N329AS
• DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、NPN、シリコン、スイッチ、タイプ 2N2222AUE1 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高出力、タイプ 2N1487、22N1488、2N1489 および 2N1490
• DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N2907AUE1 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N4033UE1 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/573 B-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、スイッチタイプ 2N4209、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/466 C VALID NOTICE 1-2012 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N5683 および 2N5684、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/528 B VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、2N6032、2N6033タイプ JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワータイプ 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2608、JAN および UB
• DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2609、JAN および UB
• DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2609、JAN および UB
• DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N2608、JAN および UB
• DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 シリコンモノリシック、16キロビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 シリコンモノリシック 32K X8 スタティック ランダム アクセス メモリ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/710 A-2008 半導体デバイス、PNP シリコンパワートランジスタ、モデル 2N6674T1、2N6674T3、2N6675T1 および 2N6675T3、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/508 B VALID NOTICE 2-2008 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、電源タイプ 2N6437、2N6438、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波タイプ 2N6603、2N6604 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/528 B-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N6032および2N6033、JAN、JANTXおよびJANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/508 C-2009 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N6437 および 2N6438、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/448 E-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、低電力、タイプ 2N4405、2N4405UA および 2N4405UB、JAN および JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/315 G-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源タイプ 2N2880、2N3749、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/392 J-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N3485A および 2N3486A、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/423 G-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、スイッチ、タイプ 2N5581 および 2N5582、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/515 D VALID NOTICE 1-2012 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N6378 および 2N6379、JAN、JANTX、JANTXV、および JANHC
• DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンハイパワー、タイプ 2N3584、2N3585、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/514 D-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N6274および2N6277、JAN、JANTXおよびJANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンハイパワー、タイプ 2N3584、2N3585、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワータイプ 2N1722、2N1724、JAN、JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波タイプ 2N6603、2N6604 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/750-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Nチャネル、シリコン、2N7507U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Nチャネル、シリコン、2N7507U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/748-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Pチャネル、シリコン、2N7505T3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/751-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Pチャネル、シリコン、2N7508U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、タイプ 2N7505T3、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、Pチャネル、シリコン、2N7508U3タイプ、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、三極サイリスタ (双方向)、シリコン、タイプ 2N5806 ～ 2N5809
• DLA MIL-PRF-19500/690 A-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、スイッチタイプ 1N4148SCSP (NBN)、JANHC、JANKC
• DLA MIL-S-19500/335 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、シリコン、基準電圧（温度安定）タイプ 1N430A、1N430B
• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体トランジスタ対相補型金属酸化物半導体、または相補型金属酸化物半導体対相補型金属酸化物半導体電圧変換機構、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 シリコンモノリシック8KX8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87676 REV A-1988 シリコンモノリシック 64K X4 ダイナミック ランダム アクセス メモリ N チャネル金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 シリコンモノリシック、2K X 8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 シリコンモノリシック、4K × 9 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/75 B NOTICE 1-1999 単接合シリコン PN トランジスタ半導体デバイス、タイプ 2N2417A ～ 2N2422A および TX2N2417A ～ TX2N2422A
• DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N3771 および 2N3772、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 半導体、デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高出力タイプ 2N2812 および 2N2814 JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/582 B-2009 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコンアンプ、タイプ 2N5679 および 2N5680、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/509 D-2009 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N6338および2N6341、JAN、JANTX、JANTXVおよびJANS
• DLA MIL-PRF-19500/448 D VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、低電力、タイプ 2N4405、2N4405UA および 2N4405UB、JAN および JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/583 B-2010 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンアンプ、タイプ2N5681および2N5682、JAN、JANTXおよびJANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/433 H VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N4399 および 2N5745、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N5671 および 2N5672、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/582 B VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコンアンプ、タイプ 2N5679 および 2N5680、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 シリコンモノリシック 6 インバータ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 シリコンモノリシック四重仮想スイッチ、酸化物半導体マイクロ回路
• DLA MIL-S-19500/372 A VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、サイリスタ（制御整流器）、シリコンタイプ 2N4199 ～ 2N4206
• DLA MIL-PRF-19500/193 F-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、整流器タイプ 1N457、1N458、1N459、JAN
• DLA MIL-PRF-19500/761-2010 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー、1N7069T1タイプ、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/199 D VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、順電圧レギュレータ、タイプ 1N816、JAN
• DLA MIL-PRF-19500/679 C-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー、1N6844U3タイプ、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA SMD-5962-86705 REV F-2006 シリコンモノリシック 4X4 ビットスタティックランダムアクセスメモリ、相補型金属酸化物半導体、デジタルボディメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 シリコンモノリシック16キロビットスタティックランダムアクセスメモリ、金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 シリコンモノリシック、低電力 128K X 8 スタティック ランダム アクセス メモリ、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
• DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 シリコンモノリシック、8K X 8再構成可能スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86081 REV B-1996 シリコンモノリシック 4096X4 ビットスタティックランダムアクセスメモリ、N チャネル金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89524 REV B-2006 シリコンモノリシック 64K × 4 スタティックアクセスメモリ OE 相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N3715 および 2N3716、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N5671 および 2N5672、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/270 J VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、コンビネーション、デュアルトランジスタ、NPN、シリコン、タイプ 2N2060 および 2N2060L、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/580 B VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコンアンプ、タイプ 2N4234、2N4235、および 2N4236、JAN、JANTX、および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/181 J-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、低電力、タイプ 2N718A、2N1613 および 2N1613L、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-S-19500/99 E VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、スイッチ、中電力タイプ 2N696、2N697、2N696S、2N697S
• DLA MIL-S-19500/537 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源タイプ 2N6674、2N6675、2N6689、2N6690 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-S-19500/388 B VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PN、シリコン、単接合タイプ 2N4947、2N4948、2N4949 JAN、JANTX、JANTX、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/710 B-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ 2N6674T1、2N6674T3、2N6675T1、2N6675T3、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL PRF 19500/581C B-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンアンプ、モデル2N4237、2N4238、2N4239、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/535 D-2013 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、電源、2N5003、2N5005タイプ、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/624 E (1)-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントンタイプ 2N7370、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/710 C-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ 2N6674T1、2N6674T3、2N6675T1、2N6675T3、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/624 C-2008 半導体デバイス、ダーリントントランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ2N7370、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/540 D-2009 半導体デバイス、ダーリントン トランジスタ、PNP シリコン、電源、タイプ 2N6298 および 2N6299、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/540 E-2010 半導体デバイス、ダーリントン トランジスタ、PNP シリコン、電源、タイプ 2N6298 および 2N6299、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA SMD-5962-86859 REV B-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 16 ビット X4 スタティック ランダム アクセス メモリ デジタル ボディ メモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 シリコンモノリシック 65536 X 1 ビットダイナミックランダムアクセスメモリ、金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87575 REV B-2005 シリコンモノリシックマルチモードダイレクトメモリアクセスコントローラ、Nチャネル金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92154 REV A-2001 シリコンモノリシック64K×1スタティックランダムアクセスメモリ、相補型金属酸化物半導体、メインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89951-1990 シリコンモノリシック、256 X 4ビット不揮発性ランダムアクセスメモリ、金属酸化膜半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90847 REV F-2004 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 1MEGX4 ダイナミック ランダム アクセス メモリ、デジタル メイン メモリマイクロ回路
• DLA MIL-S-19500/372 A VALID NOTICE 2-2004 タイプ 2N4199 ～ 2N4206 シリコン サイリスタ (制御整流器) 半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/690-2003 1N4148SOI(NBN)、JAN、JANTX、JANTXV、JANSタイプのシリコンスイッチングダイオード半導体デバイス
• DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 シリコンモノリシック XOR ゲート高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 シリコンモノリシックバスコントローラ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 シリコンモノリシック調整可能電圧レギュレータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 シリコンモノリシックコンパレータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 シリコンモノリシック、二次元畳み込み酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/690 VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、スイッチタイプ 1N4148SOI (NBN)、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-S-19500/536 VALID NOTICE 3-2004 2N6671 および 2N6673 JAN、JANTX および JANTXV 2N6671 および 2N6673 パワータイプ シリコン NPN トランジスタ半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/501 D-2008 半導体デバイス、ダーリントン トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N6051 および 2N6052、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/560 J-2009 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、スイッチ、タイプ 2N5339 および 2N5339U3、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/561 G-2009 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N6193 および 2N6193U3、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/395 J (1)-2009 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、スイッチ、タイプ 2N3735、2N3735L、2N3737、2N3737UB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波、電源タイプ 2N3375、2N3553、2N4440 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-S-19500/341B-1968 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波、電源タイプ 2N3375、2N3553、2N4440 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-S-19500/180 D VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、中電力タイプ 2N1483、TX2N1483、2N1484、TX2N1484、2N1485、TX2N1485、2N1486、TX2N1486
• DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、デュアルエミッタタイプ 3N74、TX3N74、3N75、TX3N75、3N76、TX3N76、3N127、TX3N127
• DLA MIL PRF 19500/523D C-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントンタイプ 2N6383、2N6384、2N6385、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/539 F (1)-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントン、タイプ 2N6300 および 2N6301、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/504 E-2008 半導体デバイス、ダーリントントランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N6283および2N6284、JAN、JANTXおよびJANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7537、2N7537A、JANおよびJANTX
• DLA MIL-PRF-19500/523 C-2009 半導体デバイス、ダーリントントランジスタ、NPN、シリコン、電源タイプ 2N6383、2N6384、2N6385、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/505 E-2009 半導体デバイス、ダーリントン トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N6286 および 2N6287、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/539 E-2009 半導体デバイス、ダーリントントランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ2N6300および2N6301、JAN、JANTXおよびJANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7537、2N7537A、JAN および JANTX
• DLA SMD-5962-85152 REV F-2006 シリコンモノリシック 256KX1 ダイナミックランダムアクセスメモリ N チャネル金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 シリコンモノリシック、1K×16ランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路を搭載したフォーチュンターミナル
• DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 シリコンモノリシック、1MX 8 電気的に消去可能なプログラマブルランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91612 REV B-2006 シリコンモノリシック 256K X4 スタティック ランダム アクセス メモリ、相補型金属酸化物半導体、デジタル メイン メモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92132 REV D-2006 シリコンモノリシック64K X4ダイナミックランダムアクセスメモリ、相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88544 REV C-2006 シリコンモノリシック 256K × 1 低電力スタティックアクセスメモリ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88545 REV C-2007 シリコンモノリシック 64K × 4 低電力スタティックアクセスメモリ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88610 REV F-2007 シリコンモノリシック 2K × 16 デュアルポートスタティックアクセスメモリ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 シリコンモノリシックデュアルアップカウンター酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 シリコンモノリシッククワドラプルDラッチ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 シリコンモノリシックデコーダ-デコーダ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94533-1994 シリコンモノリシック、32ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 シリコンモノリシック 16X16 乗算器相補型金属酸化物半導体、マイクロ回路
• DLA MIL-S-19500/339 VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ビデオ検出器タイプ 1N358A、1N358AR、1N358AM、および 1N358AMR
• DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 2N2497 ～ 2N2500、2N3329 ～ 2N3332、JANTX タイプの P 型チャネル シリコン電界効果トランジスタ半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 2N2497 ～ 2N2500、2N3329 ～ 2N3332、JANTX タイプの P 型チャネル シリコン電界効果トランジスタ半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 JANTX、JANTXV、JANS 2N6966、2N696、2N6968、2N6969 シリコン N チャネル電界効果トランジスタ半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/502 E-2008 半導体デバイス、パワーNPNダーリントントランジスタ、シリコンモデル2N6058および2N6059、JAN、JANTXおよびJANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波、タイプ 2N3866、2N3866A、2N3866UB、2N3866AUB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/426 E VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、アンプタイプ 2N4957 および 2N4957UB JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/323 L-2010 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N3250A、2N3251A、2N3250AUB、2N3251AUB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/511 H-2010 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、スイッチタイプ 2N4261、2N4261UB、2N4261UBC JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/399 F-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、スイッチタイプ 2N3960 および 2N3960UB SL、JANSR、JANSF、JANSG、JANSH、JANHC、JANHCM、JA
• DLA MIL-PRF-19500/454 H-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源タイプ 2N5660、2N5660U3、2N5661、2N5661U3、2N5662、2N5663、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/439 G-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N5038 および 2N5039、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/504 F-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントン、タイプ 2N6283 および 2N6284、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/502 F-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントン、タイプ 2N6058 および 2N6059、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/504 F (1)-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントン、タイプ 2N6283 および 2N6284、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/523 D (1)-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントンタイプ 2N6383、2N6384、2N6385、JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/428 G VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル シリコン、タイプ 2N4416A および 2N4416AUB、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/547 D-2011 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N6660 および 2N6661、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/428 H-2011 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル シリコン、タイプ 2N4416A および 2N4416AUB、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/527 E-2010 半導体デバイス、ダーリントン トランジスタ、PNP、シリコン、電源、タイプ 2N6648、2N6649 および 2N6650、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA SMD-5962-06203-2006 シリコンモノリシック低電圧耐放射線スタティックランダムアクセスメモリ、512K x 8ビット酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 シリコンモノリシック 16,000 (2048 X 8) ビットスタティックランダムアクセスメモリ、金属酸化膜半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-05208 REV B-2006 シリコンモノリシック低電圧耐放射線スタティックランダムアクセスメモリ、512K x 8ビット酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91593-1993 シリコンモノリシック 16K X4 スタティック ランダム アクセス メモリ、デュアル相補型金属酸化膜半導体、デジタル メイン メモリ マイクロ回路
• DLA SMD-5962-91594-1994 シリコンモノリシック8K X8スタティックランダムアクセスメモリ、デュアル相補型金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87593 REV C-2006 シリコンモノリシック 256 X8 ビットランダムアクセスメモリ、N チャネル金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90858-1991 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 64K x 16 スタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メイン メモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86875 REV D-2006 シリコンモノリシック 1KX8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/259 A NOTICE 2-1999 JAN-1N1130、JAN-1N1131 電力整流用シリコンダイオード半導体デバイス
• DLA SMD-5962-06208-2006 シリコンモノリシックデジタル信号プロセッサ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 シリコンモノリシック、16ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 シリコンモノリシッククロックジェネレータードライバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 シリコンモノリシッククワッド2入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 シリコンモノリシッククワッド2入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 シリコンモノリシック 3 重 3 入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 シリコンモノリシックデュアル 4 入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 シリコンモノリシックデュアル 4 入力またはゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 シリコンモノリシック静的シフトレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 シリコンモノリシックトリプルNANDゲートバッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 シリコンモノリシック6ビット反転バッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89638-1989 シリコンモノリシック、酸化物半導体電流モードコントローラー、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 シリコンモノリシック、64 ビット出力相関器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94642-1994 シリコンモノリシック、拡張多機能周辺機器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 シリコンモノリシック、同期シリーズコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 シリコンモノリシック、RS232型デュアルトランシーバー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 シリコンモノリシック、16ビットマイクロコントローラー、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 シリコンモノリシック、デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92331-1993 シリコンモノリシック、16X16ビット座標コンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 シリコンモノリシック、ユニバーサルシリーズコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 シリコンモノリシック、16ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 シリコンモノリシック、デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 シリコンモノリシック、差動バストランシーバー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 シリコンモノリシック、テストバストランシーバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA DSCC-DWG-08011-2008 半導体デバイス、ワイヤレスRFミキサーシリコンダイオード、モデル1N53B、1N53BR、1N53BM、1N53BMR
• DLA MIL-PRF-19500/228 M-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、整流器、タイプ 1N3611、1N3612、1N3613、1N3614、1N3957、JAN および JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/228 P-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、整流器、タイプ 1N3611、1N3612、1N3613、1N3614、1N3957、JAN および JANTX
• DLA SMD-5962-96736-1996 相補型金属酸化物半導体、シリコンモノリシック回路 デジタル超小型回路 8ビット双方向相補型金属酸化物半導体またはトランジスタインターフェースコンバータ
• DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 シリコンモノリシック、1K x 16ランダムアクセスメモリを搭載したターミナルインターフェース、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88611 REV A-1991 シリコン モノリシック KX 4 スタティック アクセス メモリ 個別の入出力 相補型金属酸化物半導体 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 シリコンモノリシックバイメタル酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/461 F-2008 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N6211、2N6212、2N6213、2N6213A、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/430 B VALID NOTICE 2-2008 半導体デバイス、デュアル電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン タイプ 2N5545、2N5546 および 2N5547、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/371 G-2009 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N3902、2N3902T1、2N3902T3、2N5157、2N5157T1 および 2N5157T3、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/421 G (1)-2009 半導体デバイス、デュアル トランジスタ、ユニファイド、NPN/PNP、相補型、シリコン、タイプ 2N3838、2N4854 および 2N4854U、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/525 E-2009 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源タイプ 2N6546、2N6546T1、2N6546T3、2N6547、2N6547T1、2N6547T3 JAN、JANTX、JANTXV6、JANHC
• DLA MIL-PRF-19500/397 J-2010 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、タイプ 2N3743、2N3743U4、2N4930、2N4930U4、2N4931 および 2N4931U4、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/182 G (1)-2010 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、低電力、タイプ 2N720A、2N720AUB、2N1893 および 2N1893S、JAN、JANTX、JANTXV、JANHC2N720A および JANKC2N720A
• DLA MIL-PRF-19500/313 J-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、低電力、タイプ 2N2432、2N2432A、2N2432UB、2N2432AUB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/430 C-2011 半導体デバイス、デュアル電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン タイプ 2N5545、2N5546 および 2N5547、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/421 H-2012 半導体デバイス、デュアル トランジスタ、ユニファイド、NPN/PNP、相補型、シリコン、タイプ 2N3838、2N4854 および 2N4854U、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/738 A-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントンタイプ 2N7575、2N7576、2N7577、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/397 J (1)-2012 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、タイプ 2N3743、2N3743U4、2N4930、2N4930U4、2N4931 および 2N4931U4、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
• DLA MIL PRF 19500/736A VALID NOTICE 1-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、パワーダーリントンタイプ 2N7572、2N7573、2N7574、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/412 F-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源、タイプ 2N3846、2N3846T1、2N3846T3、2N3847、2N3847T1、2N3847T3、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/525 F-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、電源タイプ 2N6546、2N6546T1、2N6546T3、2N6547、2N6547T1、2N6547T3 JAN、JANTX、JANTXV6、JANHC
• DLA MIL-PRF-19500/371 H-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N3902、2N3902T1、2N3902T3、2N5157、2N5157T1 および 2N5157T3、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/562 D VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、2N6804 および 2N6806 タイプ JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/562 E-2010 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、2N6804 および 2N6806 タイプ JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/688 B-2012 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7002、2N7002T2 および 2N7002UB、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/562 E (1)-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル、シリコン、2N6804 および 2N6806 タイプ JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、P チャネル シリコン、タイプ 2N7403 および 2N7404、JANSD および JANSR
• DLA SMD-5962-89593 REV D-1995 シリコンモノリシック、周辺サポート統合システム、酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載した32ビットメモリチケットアクセスコントローラ
• DLA SMD-5962-91508 REV C-2007 シリコンモノリシック 16K × 8 ダブルゲートスタティックランダムアクセスメモリ、相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87592 REV B-2000 シリコンモノリシック 1K X4 高速スタティック ランダム アクセス メモリ、N チャネル金属酸化膜半導体、デジタル メイン メモリ マイクロ回路
• DLA SMD-5962-87513 REV C-2006 シリコンモノリシック 4K X1 および 1K X4 スタティック ランダム アクセス メモリ、相補型金属酸化膜半導体、デジタル メイン メモリ マイクロ回路
• DLA DSCC-DWG-01037 REV A-2006 1N23WE型、1N23WEM型、1N23WEMR 1N23WG型、1N23WGM、1N23WGMR型、ハイブリッドシリコンダイオード半導体装置
• DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 シリコンモノリシック3-8ラインデコーダ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 シリコンモノリシックプログラマブルインターバルタイマー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 シリコンモノリシックプログラマブル周辺インターフェース、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 シリコンモノリシックバスは、Nチャネル金属酸化物半導体である超小型回路を制御します
• DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 シリコンモノリシック金属酸化物半導体クロックパルスドライバー、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-79017-1979 シリコンモノリシックユニバーサル非同期受信機/送信機、酸化物半導体マイクロ回路
• DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 シリコンモノリシック、8入力NANDゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 シリコンモノリシック固定小数点デュアル情報プロセッサ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 シリコンモノリシック、低電力パルス幅変調器、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 シリコンモノリシック、マイクロプロセッサ監視回路、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94537-1994 シリコンモノリシック、8ビットメモリ処理ユニット、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 シリコンモノリシックリアルクロック、相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 シリコンモノリシック、16ビットカスケード演算ユニット、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 シリコンモノリシック、フェーズロックループファイル、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94745-1995 シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路デジタル相補型金属酸化膜半導体
• DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 シリコンモノリシックチャネル金属酸化物半導体割り込み発生器デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 シリコンモノリシック、高性能マイクロコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 シリコンモノリシック、4重双方向スイッチ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 シリコンモノリシック 8X8 乗算器、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 シリコンモノリシック、12 X 10ビットマトリックス乗算器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 シリコンモノリシック回路 線形超小型回路
• DLA MIL-PRF-19500/762-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、デュアルショットキー、カソードコモン、1N7062CCT1タイプ、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/764 F-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー、ダブル、カソードコモン、1N7071CCT8タイプ、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-S-19500/130 C VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ミキサタイプ 1N78C、1N78CR、1N78CM、1N78CMR、1N78F、1N78FR、1N78FM、1N78FMR
• DLA MIL-PRF-19500/727 A-2008 半導体デバイス、シリコンNPNスイッチングトランジスタ、タイプ2N5010～2N5015、2N5010S～2N5015S、2N5010U4～2N5015U4、JAN、JANTX、JANTXV、JANS

IN-BIS, 半導体はシリコンに取って代わる

• IS 4411-1967 半導体デバイスの名称コード

RU-GOST R, 半導体はシリコンに取って代わる

• GOST 26239.7-1984 半導体シリコン、酸素、炭素、窒素の測定
• GOST 26239.5-1984 半導体シリコンと石英の不純物判定方法
• GOST 26239.8-1984 半導体シリコンとその初期製品 ジクロロシラン、トリクロロシラン、四塩化ケイ素の定量
• GOST 26239.0-1984 半導体シリコンおよびその初期製品と石英 分析方法
• GOST 26239.2-1984 半導体シリコンおよびその初期製品と石英 ホウ素の定量法
• GOST 26239.3-1984 半導体シリコンおよびその初期製品と石英 リンの定量法
• GOST 27299-1987 半導体光電子デバイス - 用語、定義、パラメータのアルファベット順コード
• GOST 26239.1-1984 半導体シリコンおよびその初期製品と石英の不純物判定方法
• GOST 17704-1972 半導体デバイス、光電子放射エネルギー受信機、分類およびコーディング システム

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 半導体はシリコンに取って代わる

• YS/T 543-2006 半導体接合アルミニウム-1%シリコンフィラメント

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体はシリコンに取って代わる

• GB/T 8646-1998 半導体接合アルミニウム-1%シリコンフィラメント
• GB/T 21226-2007 半導体コンバータ コンバータ接続の識別コード
• GB/T 6616-1995 半導体シリコンウェーハの抵抗率とシリコン薄膜のシート抵抗を測定するための非接触渦電流法
• GB/T 6616-2009 半導体シリコンウェーハ抵抗率およびシリコン薄膜シート抵抗試験方法 非接触渦電流法

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体はシリコンに取って代わる

• T/CASME 581-2023 半導体用シリコンリングの技術要件
• T/SHDSGY 135-2023 新エネルギー半導体シリコンウェーハ材料技術
• T/CEMIA 023-2021 半導体単結晶シリコン成長用石英るつぼ
• T/ICMTIA CM0035-2023 半導体シリコン材料加工装置用シールガスケット
• T/ZZB 2283-2021 半導体グレード炭化ケイ素単結晶用超高純度黒鉛粉末
• T/CEMIA 024-2021 半導体単結晶シリコン成長用石英るつぼの製造仕様
• T/CASAS 017-2021 第3世代半導体マイクロ・ナノ金属焼結技術用語
• T/CASAS 006-2020 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの一般的な技術仕様
• T/ZJATA 0017-2023 炭化ケイ素半導体材料を製造するための化学気相成長 (CVD) エピタキシャル装置

Professional Standard - Machinery, 半導体はシリコンに取って代わる

• JB/T 7061-1993 パワー半導体デバイス用シリコンウェーハ
• JB/T 7062-1993 半導体コンバータ接続記号コード
• JB/T 7622-1994 パワー半導体デバイス技術用シリコーン塗料

工业和信息化部, 半導体はシリコンに取って代わる

• YS/T 543-2015 半導体接合用アルミニウム-1%シリコンフィラメント
• SJ/T 1480-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG130型シリコンPNP高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1830-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK101タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1472-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG110型シリコンPNP高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1833-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK103タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1832-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK102タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1826-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK100タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1834-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK104タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1831-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK28型 NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1477-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG120型シリコンPNP高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1839-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK108タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1838-2016 半導体ディスクリートデバイス 3DK29型 NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1486-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG180型シリコンPNP高周波高耐圧低電力トランジスタ詳細仕様

Professional Standard - Electron, 半導体はシリコンに取って代わる

• SJ 909-1974 2CW50～149 シリコン半導体ツェナーダイオード
• SJ 50033.40-1994 GT11型半導体シリコンNPNフォトトランジスタ詳細仕様
• SJ 910-1974 2DW50～202シリコン半導体ツェナーダイオード（仮）
• SJ 50033/77-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DA331シリコンマイクロ波パワートランジスタ詳細仕様
• SJ 50033/111-1996 半導体光電子デバイス詳細仕様 GTI6型シリコンNPNフォトトランジスタ
• SJ 50033/74-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DA325 シリコンマイクロ波パワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/155-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG252タイプシリコンマイクロ波リニアトランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/76-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG218 シリコンマイクロ波低雑音トランジスタの詳細仕様
• SJ 20066-1992 半導体ディスクリートデバイス 2CL3タイプシリコン高電圧整流器スタックの詳細仕様
• SJ 20067-1992 半導体ディスクリートデバイス 2CZ30型シリコン整流ダイオード 詳細仕様
• SJ 20069-1992 半導体ディスクリートデバイス 2CK76型シリコンスイッチングダイオード詳細仕様
• SJ 20070-1992 半導体ディスクリートデバイス 2CK105型シリコンスイッチングダイオード詳細仕様
• SJ 20071-1992 半導体ディスクリート デバイス シリコン スイッチング ダイオード タイプ 2CK4148 の詳細仕様
• SJ 50033.45-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ58型シリコン整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033.46-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ59型シリコン整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033.47-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ117型シリコン整流ダイオード 詳細仕様
• SJ 50033.55-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CK82型シリコンスイッチングダイオード詳細仕様
• SJ 50033.56-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CK85型シリコンスイッチングダイオード詳細仕様
• SJ 50033/125-1997 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 PIN11～15型シリコンPINダイオード
• SJ 20274-1993 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 2CK84型シリコンスイッチングダイオード
• SJ 50033/170-2007 半導体ディスクリートデバイス 3DA516 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/171-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA518 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/172-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA519 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/173-2007 半導体ディスクリートデバイス 3DA520 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/176-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA523 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/159-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG142シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/169-2004 半導体ディスクリートデバイス 3DA510型シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
• SJ 20308-1993 半導体ディスクリートデバイス FH1030タイプ NPNシリコンパワーダーリントントランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/168-2004 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA509 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/166-2004 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA507 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 20177-1992 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 3CK3634～3CK3736タイプ PNPシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ
• SJ 20059-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG111タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20060-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG120タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/90-1995 半導体ディスクリートデバイス NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 3DK106タイプ 詳細仕様
• SJ 50033/174-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA521 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/31-1994 半導体ディスクリートデバイス FH101タイプ NPNシリコンパワーダーリントントランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/82-1995 半導体ディスクリートデバイス NPNシリコン小電力スイッチングトランジスタ 3DK100タイプ 詳細仕様
• SJ 50033/160-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG122 シリコン超高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20058-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DK105タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/156-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DA505シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/158-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG44シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/154-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG251シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20054-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DK101タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/167-2004 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA508 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 20307-1993 半導体ディスクリートデバイスの詳細仕様 タイプ FH646 NPN シリコンパワーダーリントントランジスタ
• SJ 50033/175-2007 半導体ディスクリートデバイスタイプ 3DA522 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/34-1994 半導体ディスクリートデバイス F1129型NPNシリコンパワーダーリントントランジスタの詳細仕様
• SJ 20055-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DK102タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/33-1994 半導体ディスクリートデバイス F1121型NPNシリコンパワーダーリントントランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/145-2000 半導体ディスクリートデバイス タイプ3DA503シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/75-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG135 シリコン超高周波低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 20056-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DK103タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/157-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DA506シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタ 詳細仕様
• SJ 20057-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DK104タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ 20306-1993 半導体ディスクリートデバイス FH181Aタイプ NPNシリコンパワーダーリントントランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 11848-2022 半導体ディスクリートデバイス 3DG2484タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20187-1992 半導体ディスクリートデバイス 2CZ5550~5554 シリコン整流ダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/140-1999 半導体光電子デバイス 3DA502 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 20175-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG918タイプ NPNシリコン超高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/96-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG216タイプNPNシリコン低消費電力差動ペアトランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/68-1995 半導体ディスクリートデバイス BT51タイプ NPNシリコン低消費電力差動ペアトランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 11849-2022 半導体ディスクリートデバイス 3DG3500、3DG3501タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/22-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CC51Eタイプ シリコン電気可変容量ダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/18-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ73型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 20064-1992 半導体ディスクリートデバイス QL71型シリコン単相ブリッジ整流器 詳細仕様
• SJ 20065-1992 半導体ディスクリートデバイス QL72型シリコン三相ブリッジ整流器 詳細仕様
• SJ 50033/19-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ74型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033.43-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ104型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033.44-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ105型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033.48-1994 半導体ディスクリートデバイス 2DV8CPタイプ シリコンマイクロ波検出ダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/135-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CZ10型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033/20-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ101型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033/21-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ75型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033.50-1994 半導体ディスクリートデバイス QL73型シリコン三相ブリッジ整流器 詳細仕様
• SJ 50033/73-1995 半導体ディスクリートデバイス QL74型シリコン単相ブリッジ整流器 詳細仕様
• SJ 50033/123-1997 半導体ディスクリートデバイス PIN62317タイプ シリコンPINハイパワーダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/39-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CZ106型シリコンスイッチング整流ダイオード詳細仕様
• SJ 50033/146-2000 半導体ディスクリートデバイス タイプ3DA601 Cバンドシリコンバイポーラパワートランジスタの詳細仕様
• SJ/T 11850-2022 半導体ディスクリートデバイス 詳細仕様 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUBタイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ
• SJ/T 11851-2022 半導体ディスクリートデバイス S3DK5794タイプ NPNシリコン小電力スイッチングトランジスターチューブ 詳細仕様
• SJ 50033/25-1994 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 2CW1001～2CW1005タイプ シリコン電圧調整ダイオード
• SJ 50033/150-2002 半導体ディスクリートデバイス 2DW230～236 シリコン電圧基準ダイオード 詳細仕様
• SJ 20185-1992 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様書 2DW232～236タイプ シリコン基準電圧ダイオード
• SJ 50033/161-2002 半導体ディスクリートデバイス 2CW210～251 シリコン電圧調整ダイオード 詳細仕様
• SJ 20186-1992 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様書 2CW2970～3015タイプ シリコン電圧調整ダイオード
• SJ 50033/117-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK38タイプ シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/26-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CW1006～2CW1015タイプ シリコン電圧調整ダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/124-1997 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 PIN101～105型シリコンPINハイパワーダイオード
• SJ 50033/115-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK28型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/116-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK29型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• SJ 20014-1992 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3CG110 タイプ PNP シリコン低消費電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20061-1992 半導体ディスクリートデバイス CS146型シリコンNチャネルディプレッションモード電界効果トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/95-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG144タイプ NPNシリコン高周波・低ノイズ・低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 20174-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DK2221(2221A、2222、2222A)タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/94-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG143タイプ NPNシリコン高周波・低ノイズ・低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/93-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG142タイプ NPNシリコン高周波・低ノイズ・低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/121-1997 半導体ディスクリートデバイス CS3458～CS3460シリコンNチャネル接合型電界効果トランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/122-1997 半導体ディスクリートデバイス CS3684～CS3687シリコンNチャネル接合型電界効果トランジスタの詳細仕様
• SJ 20173-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DK2218（2218A、2219、2219A）タイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/162-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CW1022タイプ シリコン双方向電圧調整ダイオード 詳細仕様

Aerospace Industries Association, 半導体はシリコンに取って代わる

• AIA NAS 717-1963 (販売終了) 半導体ダイオード (1963 年 4 月に置き換えられ、MIL-S-19500 を使用) (改訂 1)

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半導体はシリコンに取って代わる

• ASTM F487-88(2006) 半導体リード接続用の純アルミニウム-1% シリコンフィラメント
• ASTM F487-88(2001) 半導体リード接続用の純アルミニウム-1% シリコンフィラメント
• ASTM F487-13(2018) 半導体ワイヤーボンディング用細径アルミニウム1%シリコンワイヤーの標準仕様
• ASTM F487-13 半導体鉛はんだ付け用1%純アルミニウムシリコン線の標準仕様
• ASTM F980-92 シリコン半導体デバイスの中性子誘起変位損傷の急速アニール測定ガイド
• ASTM F980-16 シリコン半導体デバイスの中性子誘起変位損傷の急速アニールのための標準ガイド

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体はシリコンに取って代わる

• JEDEC JEP122C-2006 シリコン半導体デバイスの故障メカニズムと故障モード

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体はシリコンに取って代わる

• IEC 60971:1989 半導体コンバータコンバータ接続の識別コード
• IEC 60191-6-22:2012 半導体デバイスの機械的標準化 第6-22部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図通則 シリコンファインピッチボールアレイおよびシリコンファインピッチグリッドアレイ半導体パッケージ(S-FBGAおよびS-FLGA)の設計ガイドライン
• IEC 63229:2021 半導体デバイス 炭化ケイ素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥の分類

IEC - International Electrotechnical Commission, 半導体はシリコンに取って代わる

• PAS 62202-2000 シリコン半導体デバイスの故障メカニズムとモデル (バージョン 1.0)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 半導体はシリコンに取って代わる

• IEEE 425-1957 トランジスタ半導体の定義とライト表記のテストコード
• IEEE PC62.35/D1-2018 シリコンアバランシェ半導体サージプロテクター部品の試験方法に関する規格草案

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体はシリコンに取って代わる

• DB61/T 1250-2019 Sic (炭化ケイ素) 材料の半導体ディスクリートデバイスの一般仕様

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体はシリコンに取って代わる

• GJB 33/9-1989 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 BT32型PNシリコン単接合トランジスタ
• GJB 33/11-1989 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 BT37型PNシリコン単接合トランジスタ
• GJB 33/1A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3DD3716タイプ NPNシリコンパワートランジスタ 詳細仕様
• GJB 33/2A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3DD3767タイプ NPNシリコンパワートランジスタ 詳細仕様
• GJB 33/10-1989 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 BT33型PNシリコン単接合トランジスタ
• GJB 33/3A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3DD3442タイプ NPNシリコンパワートランジスタ 詳細仕様
• GJB 33/14A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3DG44型シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• GJB 33A/14-2003 半導体ディスクリートデバイス 3DG44型シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• GJB 33/8A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3DK2369Aタイプ NPNシリコン低消費電力スイッチングトランジスタ 詳細仕様
• GJB 33/6A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3CG2604、3CG2605 タイプ PNP シリコン低消費電力トランジスタの詳細仕様
• GJB 33/12A-2021 半導体ディスクリートデバイス 2CK36型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB 33/13A-2021 半導体ディスクリートデバイス 2CK37型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB 33A/13-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CK37型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB 33/5A-2021 半導体ディスクリートデバイス 2CL59K、2CL60K、2CL80K、および 2CL150K シリコン高電圧整流器スタックの詳細仕様
• GJB 33A/12-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CK36型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB 33/6-1988 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3CG2605 タイプ PNP シリコン低消費電力トランジスタの詳細仕様

Lithuanian Standards Office , 半導体はシリコンに取って代わる

• LST EN 60191-6-22-2013 半導体デバイス機械標準化パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 半導体パッケージの設計ガイドライン シリコンファインピッチボールグリッドアレイとシリコン

German Institute for Standardization, 半導体はシリコンに取って代わる

• DIN EN 60191-6-22:2013-08 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-22 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンの半導体パッケージ設計ガイドライン
• DIN 41752:1982 静止型電力変換器、半導体整流装置、定格コード
• DIN 50443-1:1988 半導体プロセスで使用される材料の検査その1：X線形状測定による半導体単結晶シリコンの結晶欠陥や不均一性の検出
• DIN 41762-2:1974-02 静止型電力コンバータ、半導体コンバータスタックおよびアセンブリ、単結晶半導体コンバータスタックおよびアセンブリの定格コード名
• DIN 41762-2:1974 静的高出力整流器 パート 2: 半導体整流器グループとコンポーネント、単結晶半導体整流器グループとコンポーネントの定格コードの識別

ES-UNE, 半導体はシリコンに取って代わる

• UNE-EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-22 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンの半導体パッケージ設計ガイドライン

Professional Standard - Aerospace, 半導体はシリコンに取って代わる

• QJ 10007/1-2008 航空宇宙用途向け半導体ディスクリートデバイス用シリコンスイッチングトランジスタ3DK9タイプの詳細仕様
• QJ 10007/6-2008 航空宇宙用途向け半導体ディスクリートデバイス 3DD56型シリコンパワートランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/7-2008 航空宇宙用途向け半導体ディスクリートデバイス 3DD57型シリコンパワートランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/8-2008 航空宇宙用途向け半導体ディスクリートデバイス 3DD159型シリコンパワートランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/3-2008 航空宇宙用途向け半導体ディスクリートデバイス 3DK104 シリコンパワースイッチングトランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/4-2008 航空宇宙用半導体ディスクリートデバイス 3DK457 (DK3767) パワーシリコンスイッチングトランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/10-2008 航空宇宙用半導体ディスクリートデバイス 3DG122 および 3DG130 シリコン高周波低電力トランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/5-2008 航空宇宙用半導体ディスクリートデバイス 3CG110 および 3CG130 シリコン高周波低電力トランジスタの詳細仕様

U.S. Military Regulations and Norms, 半導体はシリコンに取って代わる

• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48632-1986 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48634-1986 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路

British Standards Institution (BSI), 半導体はシリコンに取って代わる

• BS IEC 63229:2021 半導体デバイス用炭化珪素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥分類
• BS EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成に関する通則 シリコン・ファインピッチ・ボール・グリッド・アレイおよびシリコン・ファインピッチ・グリッド・アレイ半導体パッケージ（S-FBGAおよびS-FLGA）の設計ガイドライン
• BS IEC 63275-1:2022 半導体デバイス炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法バイアス温度不安定性試験方法

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体はシリコンに取って代わる

• IEEE 1687-2014 半導体デバイスに組み込まれた機器の取得と制御 (IEEE Computer Society)

Association Francaise de Normalisation, 半導体はシリコンに取って代わる

• NF C96-013-6-22*NF EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第6-22部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 半導体パッケージの設計ガイドライン シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンファインピッチ基板グリッドアレイ（SFBGAおよびS-FLGA）

その他：   半導体はシリコンに取って代わる, 半導体シリコン粒子, 半導体シリコン素材.